CN116417368A - 泵送系统及衬底处理设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种泵送系统，用于衬底处理设备，所述衬底处理设备包含一反应腔，反应腔内设有向反应腔输入处理气体的喷淋头，反应腔腔壁内设有排气通道，所述泵送系统包含：泵环，围绕设置在喷淋头外周；泵环内部形成连通排气通道、反应腔内部空间的泵送通道；泵送通道内设有至少一个冷却流体通道。本发明还提供一种衬底处理设备。本发明能够减少处理气体在泵环、排气通道、反应腔腔壁沉积，减少反应腔内的颗粒污染物，提高衬底加工效率和成品率；本发明能够避免过度加热泵环，防止因衬底边缘温度不均匀而导致衬底表面滑移；通过本发明通气孔的分组布置方式，保证衬底表面上方的气体流速和压力分布均匀，提高薄膜沉积的均匀性。

Description

泵送系统及衬底处理设备

技术领域

本发明涉及化学气相薄膜沉积技术领域，特别涉及一种泵送系统及衬底处理设备。

背景技术

在半导体制造业，化学气相沉积(CVD)是一种在硅衬底(如硅衬底)上形成的薄膜材料的公知工艺。在CVD过程，待沉积的材料的气态分子被提供给衬底，以通过化学反应在衬底上形成该材料的薄膜。这种形成的薄膜可以为多晶的，非晶的或外延的。通常，CVD工艺在高温下进行，以加速化学反应并产生高质量的薄膜。

减压外延是指在低于一个大气压的环境下进行化学气相外延的方法，其对成膜厚度均匀性要求非常高。必须精确控制各种工艺参数，以确保在减压外延中产生的高质量沉积层。一个关键参数是每个处理步骤中的衬底温度。CVD设备通常包含一反应腔，反应腔内设置一加热器，用于加热并承载衬底。处理气体在特定温度下反应并沉积在衬底上，衬底温度决定了衬底上材料沉积的速率。在减压外延过程中，加热器的加热温度通常高于1100℃，且加热器的热量会辐射至整个反应腔内，使得反应腔内的部件具有高温。因此难以避免处理气体在反应腔内的部件上发生反应并沉积。

反应腔腔壁内通常还设有用以将未发生反应的处理气体及副产品气体抽出反应腔的排气通道。由于腔壁也被加热，因而处理气体也容易在该排气通道内沉积。由于腔壁比较薄，难以在腔壁内设置冷却系统以减少排气通道内的沉积物。

如何减少处理气体在反应腔内各部件及排气通道的沉积是业内需要解决的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种泵送系统及衬底处理设备，通过在泵环内设置冷却流体通道，冷却反应腔内待排出的处理气体，防止处理气体在泵环、排气通道内沉积；本发明还能够减少处理气体在反应腔腔壁沉积形成的颗粒污染物，降低对反应腔进行清洁处理的频率；本发明还能够调节衬底边缘温度，防止衬底表面温度的不均匀性导致衬底表面滑移；同时本发明还能够使反应腔内衬底表面上方的气体流速和压力分布均匀，从而提高薄膜沉积的均匀性。

为了达到上述目的，本发明提供一种泵送系统，用于衬底处理设备，所述衬底处理设备包含一反应腔，反应腔内设有向反应腔输入处理气体的喷淋头，反应腔腔壁内设有排气通道，所述泵送系统包含：

泵环，围绕设置在所述喷淋头外周；泵环内部形成连通所述排气通道、反应腔内部空间的泵送通道；泵送通道内设有至少一个冷却流体通道，用于对所述泵环进行降温。

可选的，所述泵送系统还包含抽真空装置，用于将排气通道内的气体抽出反应腔。

可选的，所述冷却流体通道为冷却液体通道。

可选的，所述冷却流体通道环绕所述泵环的内侧壁设置且与泵环同心。

可选的，泵送通道内设有多个在水平方向同心布置的冷却流体通道。

可选的，泵送通道内设有多个在竖直方向层叠布置的冷却流体通道。

可选的，所有冷却流体通道的纵截面面积之和与泵环纵截面面积的比例为1:3～1:5。

可选的，冷却流体通道的纵截面为圆形、椭圆形、多边形中的任一种。

可选的，所述泵环包含内环、外环以及连接所述内环和外环的环底面；通过反应腔顶部的腔室盖封堵泵环顶部；沿泵环的周向方向，在所述内环开有多个均匀或非均匀分布的通气孔。

可选的，至少一个冷却流体通道设置在内环上；设置在内环上的冷却流体通道避让通气孔。

可选的，泵环设有至少一个连通排气通道的泵送口。

可选的，所述泵送口设置在外环和/或环底面。

可选的，所述通气孔至少为60个。

可选的，多个通气孔的大小相同或不相同。

可选的，泵环为导热材质。

可选的，泵送通道内设有至少一个液冷管，液冷管内部形成冷却流体通道；所述液冷管为导热材质。

本发明还提供一种衬底处理装置，其包含一反应腔，通过腔室盖密封反应腔顶部，反应腔内设有加热器，衬底放置在所述加热器的上表面，加热器上方设有向反应腔输入处理气体的喷淋头，反应腔腔壁内设有排气通道，所述衬底处理装置还包含如本发明所述的泵送系统。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

1)本发明的泵送系统及衬底处理设备，通过设置冷却流体通道降低泵环温度，防止处理气体在泵环上发生反应、沉积，有效避免堵塞泵环的通气孔；因此反应腔内的未发生反应的处理气体和副产物气体通过通气孔的气体流动阻力少，可以比较均匀的从泵环上的通气孔流入泵送通道，并最终通过反应腔内的排气通道排出反应腔外；

2)未发生反应的处理气体能够在进入排气通道之前，通过与冷却流体通道进行热交换而降低温度，有效避免处理气体因温度过高而在排气通道内发生沉积；通过本发明解决了无法在薄的腔壁内设置冷却系统以减少排气通道内沉积物的技术问题；

3)由于降低了排气通道内的气体温度，因此排气通道成为反应腔壁的气冷通道，能够防止反应腔壁温度过高，有效减少了处理气体在反应腔壁沉积形成的颗粒污染物；因此通过本发明可以降低对反应腔进行清洁处理的频率，提高衬底生产效率；

4)在衬底加工时，通过冷却流体通道降低围绕在衬底周围的泵环的温度，避免泵环被过度加热将自身热量辐射至衬底，造成衬底边缘温度不均匀；因此，通过本发明可以有效防止衬底表面滑移；

5)本发明将通气孔分为多组，基于与泵送口的距离，设置每组通气孔的孔间距及孔径，使得通过各组通气孔的气体流速基本相同，保证衬底表面上方的气体流速和压力分布均匀，从而提高薄膜沉积的均匀性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明技术方案，下面将对描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一个实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图：

图1为衬底处理设备未进行CVD工艺时，衬底支承座的位置示意图；

图2为衬底处理设备进行CVD工艺时，衬底支承座的位置示意图；

图3至图5为包含本发明泵送系统的衬底处理设备示意图；

图6为本发明的衬底处理设备进行CVD工艺时，衬底支承座的位置示意图；

图7为实施例二中，通气孔在本发明的泵环分布示意图；

图8为实施例三中，通气孔在本发明的泵环分布示意图；

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”、“具有”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”或“包含……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的要素。

需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明一实施例的目的。

本发明的泵送系统可被应用于CVD(化学气相沉积)工艺的衬底处理设备，尤其是在沉积过程中用于固定衬底的衬底支承座(wafer holder)会向上运动至合适位置，以提高沉积质量的衬底处理设备。说明一点，这里的衬底处理设备应作较宽泛的理解，包括外延生长装置在内。

图1示出一种用于CVD工艺的衬底处理设备，其具有一个反应腔100，在所述反应腔100中对衬底W进行单片处理。反应腔100包含腔室盖101和腔室主体102，所述腔室盖101覆盖所述腔室主体102，通过腔室盖101、腔室主体102共同围成气密性的内部处理空间。腔室主体102包含腔室主体侧壁(也称为反应腔侧壁)和腔室主体底壁(也称为反应腔底壁)，尽管所示的腔室主体102为圆筒形的，其也可以是其它形状，例如方形、六角形、八角形或任意其他适当的形状。

如图1所示，反应腔内设置有喷淋头103、衬底支承座106和泵环110。所述喷淋头结合在腔室盖101上，喷淋头103通过气路与外部的气体供应装置105相连，用于向反应腔内输送处理气体。喷淋头103与腔室盖101之间形成气体混合区域104。

如图1所示，所述衬底支承座106设置在喷淋头下方并与喷淋头103相对。喷淋头103与衬底支承座106之间形成反应区域。处理气体从所述气体混合区域104引入至所述反应区域内，对放置在衬底支承座106上的衬底W进行处理。衬底支承座106的内部通常包含多个加热元件107。通过所述加热元件107加热衬底支承座106，衬底支承座106再将加热元件107提供的热能传递至衬底W，处理气体在特定温度下反应并沉积在衬底W上，衬底温度决定了衬底W上材料沉积的速率。

如图1所示，衬底支承座底部固定连接一驱动轴108的顶部，该驱动轴108的底部竖直向下穿设反应腔底壁并位于衬底处理设备的外部。通过所述驱动轴108驱动衬底支承座106竖直的上下运动。一密封管(图中未示出)套设在驱动轴108的外部，通过设置在该密封管与驱动轴108之间的密封装置(图中未示出)，实现隔离反应腔内环境与大气环境。其中，驱动轴108可以由外部的电机或气缸驱动。

如图1所示，所述泵环110围绕喷淋头103设置。沿泵环110的周向方向，在泵环110上还设有多个通气孔111。所述通气孔111连通泵环与反应腔内部空间。泵环110上还设有连通反应腔腔壁内排气通道(图中未示出)的泵送口112。通过设置在反应腔外、与所述排气通道连通的抽气泵(图中未示出)提供气体流动动力，将反应腔内生成的废气，以及未来得及参加反应的部分处理气体，通过泵环110、排气通道抽出至反应腔外部。

反应腔腔壁还设置有用于衬底W移入移出的衬底进出口(图中未示出)。在CVD工艺开始前，如图1所示，衬底支承座106处于低位的第一位置，衬底W自衬底进出口传送至衬底支承座106上。通过一个可以上下运动的封堵机构(如阀板或衬套)封堵所述衬底进出口，实现隔离反应腔内环境与大气环境。

将处理气体引入反应腔100之前，如图2所示，驱动轴108驱动衬底支承座106上升至高位的第二位置。当衬底支承座106位于所述第二位置时，衬底支承座106的上表面高于泵环110的底面，且通气孔111位于喷淋头下表面与衬底支承座上表面之间的高度。CVD工艺中，通过喷淋头103向喷淋头下表面与衬底支承座上表面之间的反应区域输入处理气体。此时，由于喷淋头下表面与衬底支承座上表面具有一个较小的距离，因此在抽气泵的作用下，从喷淋头103输入至衬底表面的处理气体能够沿着衬底W的径向方向平行流动。处理气体与衬底W发生反应后，反应生成的废气及未来得及反应的处理气体由泵环110的通气孔111进入泵环内部，最终自反应腔腔壁内的排气通道排出。这样可以使得处理气体在衬底表面均匀分布，且反应腔内气体的输入速度会和排出速度达到动态平衡，保证衬底表面上方的气体流速和压力分布均匀，有效提高沉积薄膜的均匀性。

然而，如图2所示，当衬底支承座106上升到第二位置时，其与泵环110之间具有一个较小的水平间隔，衬底支承座106的热量辐射至泵环110，导致泵环110也会被过度加热。泵环110的热量会进一步影响衬底支承座106上放置的衬底W，导致衬底边缘区域的温度高于衬底中心区域的温度。由于衬底温度决定了衬底W上材料沉积的速率，泵环110辐射的热量会导致衬底上薄膜的不均匀沉积，进而影响衬底加工的成品率。

另一方面，由于泵环110被过度加热，处理气体也容易在高温的泵环110上发生沉积而堵塞通气孔111，不仅影响处理气体输入速度和排出速度的动态平衡，还会导致衬底支承座表面的气体流速和压力分布不均匀，降低衬底表面薄膜沉积的均匀性。

进一步的，衬底支承座106的热量会辐射至整个反应腔100，导致反应腔腔壁被加热。由于反应腔腔壁比较薄，难以在腔壁内设置冷却系统。因而未来得及发生反应的处理气体也容易在腔壁内的排气通道发生沉积，这同样会影响反应腔内气体的排出速度。同时，处理气体还容易在高温的腔壁上沉积，随着时间的累积，腔壁上沉积的薄膜厚度也逐渐增加。随着薄膜应力的累积，导致薄膜逐渐从腔壁上剥落，并在反应腔内产生颗粒污染，造成衬底W的缺陷。

实施例一

本发明提供一种泵送系统，用于衬底处理设备。如图3所示，所述衬底处理设备包含一反应腔200，在所述反应腔200中对衬底W进行单片处理。反应腔200包含腔室盖201和腔室主体202，所述腔室盖201覆盖所述腔室主体202，通过腔室盖201、腔室主体202共同围成气密性的内部处理空间。反应腔内设有衬底支承座206和向反应腔200输入处理气体的喷淋头203。所述喷淋头203结合在腔室盖201上，所述衬底支承座206设置在喷淋头正下方。衬底支承座内还设有加热元件207，用于加热衬底支承座上放置的衬底W。

所述泵送系统包含：泵环210和抽真空装置(图中未示出)。

如图3所示，所述泵环210围绕设置在所述喷淋头的外周。泵环210包含内环2102、外环2101以及连接所述内环2102和外环2101的环底面2103，通过反应腔顶部的腔室盖201封堵泵环顶部。在其他实施例中，泵环210也可以具有独立的顶面封堵。沿所述内环2102的周向方向，在内环2102开有多个均匀或非均匀分布的通气孔211。在竖直方向上，通气孔211的高度低于喷淋头下表面的高度。

在所述外环2101和/或环底面2103设有至少一个连通反应腔腔壁内排气通道的泵送口212。图3中在外环2101设有一个泵送口212，图4中在环底面2103设有一个泵送口212。泵送口212的数量和设置位置仅作为示例，不作为本发明的限制。

内环2102、外环2101、环底面2103和充当泵环顶部的部分腔室盖201，共同构成了连通所述排气通道、反应腔内部空间的泵送通道。在所述抽真空装置的作用下，反应腔内的废气以及部分未反应的处理气体，自所述通气孔211经过泵送通道、排气通道，最终排出至反应腔外部。

如图3、图4、图5所示，反应腔内不进行CVD工艺时，衬底支承座206位于低位的第一位置(衬底支承座206的上表面低于环底面2103)。在CVD工艺中，如图6所示，衬底支承座206被驱动至高位的第二位置，此时衬底支承座206的上表面位于通气孔211与环底面2103之间的高度。衬底处理过程中，从喷淋头203注入衬底支承座上表面的处理气体，会在衬底支承座206上所放置衬底的表面发生反应并沉积形成所需材料的薄膜。自泵送通道排出的气体也会因为与衬底表面进行了热交换而具有较高的温度。

如图3至图6所示，本发明在泵送通道内设有至少一个冷却流体通道2104。所述冷却流体通道2104可以是冷却液体通道或冷却气体(例如氦气)通道，本实施例中的冷却流体通道2104为冷却液体通道，冷却液体通道内的液体可以是水(此仅作为示例，不作为本发明的限制)。在本发明的实施例中，泵送通道内设有至少一个液冷管，液冷管内部形成冷却流体通道2104。所述液冷管、泵环210均为导热材质，例如铝。

为了均匀地冷却泵送通道内的气体，本实施例中的冷却流体通道2104环绕所述泵环210的内侧壁(也即泵环210的内环2102)设置且与泵环210同心。为增加泵送通道内的气体与冷却流体通道2104的接触面积、提高对泵送通道内气体的冷却效果，可以在泵送通道内设有多个冷却流体通道2104。如图3、图4所示，多个冷却流体通道2104可以在竖直方向层叠布置。或者，如图5、图6所示，多个冷却流体通道2104在水平方向同心布置。

本发明中对冷却流体通道纵截面(垂直于水平面的界面)的形状不做限制，冷却流体通道2104的纵截面可以为多边形(如图3所示)、圆形(如图4至图6所示)、椭圆形中的任一种。为减小泵送通道内的气体流动阻力，保证气体自泵送通道进入排气通道的流动速度，本发明实施例中，所有冷却流体通道2104的纵截面面积之和与泵环纵截面面积的比例为1:3～1:5。

在衬底加工时，如图6所示，尽管衬底支承座206上升至第二位置会对泵环进行热辐射。通过本发明的冷却流体通道2104能够降低泵环210的温度，避免泵环210被过度加热将自身热量辐射至衬底，造成衬底边缘温度不均匀。因此，通过本发明可以保证衬底表面薄膜厚度的均匀性，有效防止衬底表面滑移。

未发生反应的处理气体能够在进入排气通道之前，通过与冷却流体通道2104进行热交换而降低温度，有效减少处理气体因温度过高而在排气通道内发生沉积。因此本发明通过在泵送通道内设置冷却流体通道2104，解决了无法在薄的腔壁内设置冷却系统以减少排气通道内沉积物的技术问题。

传统的衬底处理设备中，由于衬底支承座206的热能不可避免的辐射至反应腔腔壁，导致处理气体在反应腔腔壁沉积形成薄膜，随着薄膜变厚、薄膜应力不断累积，导致薄膜逐渐从反应腔壁剥落，并在反应腔内产生颗粒污染，造成衬底的缺陷。为减少反应腔内的颗粒污染，一般都只能够打开腔室盖201对反应腔200进行清洁处理，这些操作均会影响反应腔200的可用时间，降低衬底生产效率。同时，打开反应腔200后往往需要再次对反应腔200进行抽真空处理，这些都是额外的时间消耗。

本发明中通过冷却流体通道2104降低了进入排气通道的气体温度，因此排气通道成为反应腔腔壁的气冷通道，能够防止腔壁温度过高，有效减少了处理气体在腔壁沉积。因此通过本发明可以降低对反应腔200进行清洁处理的频率，提高衬底生产效率和衬底成品率。

在本实施例中，如图3至图6所示，至少一个冷却流体通道2104设置在内环2102上，且避让通气孔211。通过设置在内环2102上的冷却流体通道2104，能够更好的与内环2102进行热交换，防止处理气体在内环2102沉积并堵塞通气孔211。另一方面，通过设置在内环2102上的冷却流体通道2104，还能够大大减少处理气体在内环内侧(内环2102与喷淋头203相对的一侧)沉积，有效减少因所述内环内侧的沉积物剥落而在反应腔200内产生的颗粒污染物，降低了反应腔200的清洁频率。通过本发明进一步提高了衬底成品率和衬底生产效率。

实施例二

本实施例中，内环2102上的通气孔211至少为60个。实验证明，增加的通气孔211数量能够使衬底表面处理气体的均匀性或一致性更好。根据通气孔211与泵送口212的距离，将内环2102上的通气孔211分为多组，通过控制每组通气孔211的孔间距、孔径，实现按区域控制衬底表面的气体压力和流速。

在本实施例中，泵环210通过一个泵送口212连通腔壁内的排气通道。泵送口处的压差在不同位置的通气孔211上施加不同的抽吸力。或者更确切地说，靠近泵送口212的通气孔211与远离泵送口212的通气孔211相比，通过通气孔211的气体流速不同。不同气体流速影响衬底W的不同区域暴露于处理气体的时间，从而影响在这些区域形成的膜厚度。

当处理气体以第一速率从衬底表面的第一区域移除，并以第二速率从衬底表面的第二区域移除，因此形成在衬底第一区域上的膜具有第一厚度，形成在衬底第二区域上的膜具有第二厚度，且第二厚度不同于第一厚度。因此，在衬底表面上产生膜厚度的变化或膜厚度的梯度。

在本实施例中，如图7所示，内环2102的通气孔211被划分为第一组A和第二组B。第二组B的通气孔211比第一组A的通气孔211更靠近泵送口212，第一组A的通气孔211分布更紧密，第二组B的通气孔211更稀疏，使得从第一组A、第二组B的通气孔211流出反应腔200的气体流速基本上相等，以在衬底表面形成基本均匀的薄膜。

实施例三

在本实施例中，如图8所示，内环2102的通气孔211被划分三组，第一组A的通气孔211距离泵送口212最远，第三组C的通气孔211距离泵送口212最近。通过使第一组通气孔的孔径小于第二组通气孔的孔径，并使第二组通气孔的孔径小于第三组通气孔的孔径，保证通过不同组通气孔211的气体流速基本相同，以在衬底表面形成基本均匀的薄膜。

本发明还提供一种衬底处理装置，如图3所示，其包含一反应腔，通过腔室盖201密封反应腔顶部，反应腔内设有用作加热器的衬底支承座206，衬底W放置在所述加热器的上表面，加热器上方设有向反应腔输入处理气体的喷淋头203，反应腔腔壁内设有排气通道，所述衬底处理装置还包含如本发明所述的泵送系统。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (17)

1.一种泵送系统，用于衬底处理设备，所述衬底处理设备包含一反应腔，反应腔内设有向反应腔输入处理气体的喷淋头，反应腔腔壁内设有排气通道，其特征在于，所述泵送系统包含：

泵环，围绕设置在所述喷淋头的外周；泵环内部形成连通所述排气通道、反应腔内部空间的泵送通道；泵送通道内设有至少一个冷却流体通道，用于对所述泵环进行降温。

2.如权利要求1所述的泵送系统，其特征在于，还包含抽真空装置，用于将排气通道内的气体抽出反应腔。

3.如权利要求1所述的泵送系统，其特征在于，所述冷却流体通道为冷却液体通道。

4.如权利要求1所述的泵送系统，其特征在于，所述冷却流体通道环绕所述泵环的内侧壁设置且与泵环同心。

5.如权利要求4所述的泵送系统，其特征在于，泵送通道内设有多个在水平方向同心布置的冷却流体通道。

6.如权利要求4所述的泵送系统，其特征在于，泵送通道内设有多个在竖直方向层叠布置的冷却流体通道。

7.如权利要求1所述的泵送系统，其特征在于，所有冷却流体通道的纵截面面积之和与泵环纵截面面积的比例为1:3～1:5。

8.如权利要求1所述的泵送系统，其特征在于，冷却流体通道的纵截面为圆形、椭圆形、多边形中的任一种。

9.如权利要求1所述的泵送系统，其特征在于，所述泵环包含内环、外环以及连接所述内环和外环的环底面；通过反应腔顶部的腔室盖封堵泵环顶部；沿泵环的周向方向，在所述内环开有多个均匀或非均匀分布的通气孔。

10.如权利要求9所述的泵送系统，其特征在于，至少一个冷却流体通道设置在内环上；设置在内环上的冷却流体通道避让通气孔。

11.如权利要求9所述的泵送系统，其特征在于，泵环设有至少一个连通排气通道的泵送口。

12.如权利要求11所述的泵送系统，其特征在于，所述泵送口设置在外环和/或环底面。

13.如权利要求9所述的泵送系统，其特征在于，所述通气孔至少为60个。

14.如权利要求9所述的泵送系统，其特征在于，多个通气孔的大小相同或不相同。

15.如权利要求1所述的泵送系统，其特征在于，泵环为导热材质。

16.如权利要求1所述的泵送系统，其特征在于，泵送通道内设有至少一个液冷管，液冷管内部形成冷却流体通道；所述液冷管为导热材质。

17.一种衬底处理装置，其包含一反应腔，通过腔室盖密封反应腔顶部，反应腔内设有加热器，衬底放置在所述加热器的上表面，加热器上方设有向反应腔输入处理气体的喷淋头，反应腔腔壁内设有排气通道，其特征在于，所述衬底处理装置还包含如权利要求1至16任一所述的泵送系统。

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