JPH1060674A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPH1060674A JPH1060674A JP22259096A JP22259096A JPH1060674A JP H1060674 A JPH1060674 A JP H1060674A JP 22259096 A JP22259096 A JP 22259096A JP 22259096 A JP22259096 A JP 22259096A JP H1060674 A JPH1060674 A JP H1060674A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- processed
- vacuum
- rotating
- vacuum processing
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】回転支持体の被処理物との接触点近傍のみ薄膜
形成速度が変化し、所望の膜厚が得られないこと。 【解決手段】真空処理室内に円形の被処理物を配置し、
これを回転させながら被処理物に対しエッチングや膜堆
積等の処理を行う真空処理装置において、ガス導入口
(2) 及び排気口(3) を有する真空容器(1) と、この真空
容器(1) 内に配置され、上部にシリコンウェハ(4) が載
置される回転支持体(5) と、この回転支持体(5) を回転
させる駆動源(9) とを具備し、前記ウェハ(4) が回転し
た場合に該ウェハ(4) の中心より遠心力により移動する
方向に位置する前記回転支持体(5) の上部又は側部に、
ウェハ(4) と２点で接触してウェハ(4) の動きを規制す
る突起物(7a ，7b) を設けたことを特徴とする真空処理
装置。
形成速度が変化し、所望の膜厚が得られないこと。 【解決手段】真空処理室内に円形の被処理物を配置し、
これを回転させながら被処理物に対しエッチングや膜堆
積等の処理を行う真空処理装置において、ガス導入口
(2) 及び排気口(3) を有する真空容器(1) と、この真空
容器(1) 内に配置され、上部にシリコンウェハ(4) が載
置される回転支持体(5) と、この回転支持体(5) を回転
させる駆動源(9) とを具備し、前記ウェハ(4) が回転し
た場合に該ウェハ(4) の中心より遠心力により移動する
方向に位置する前記回転支持体(5) の上部又は側部に、
ウェハ(4) と２点で接触してウェハ(4) の動きを規制す
る突起物(7a ，7b) を設けたことを特徴とする真空処理
装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は真空処理装置に関
し、特に被処理物を支持する回転支持体に改良を施した
真空処理装置に関する。
し、特に被処理物を支持する回転支持体に改良を施した
真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、真空処理室内に回転支持体を配置
し、この回転支持体上に被処理物を載せて回転処理する
真空処理装置は、種々の分野，例えばドライエッチグ、
膜堆積等に用いられている。こうした装置の内、ドライ
エッチング装置では、回転支持体を回転させその上に被
処理物を回転させることにより、被処理物上に均一な気
流の境界層が形成され、被処理物上の薄膜を均一にエッ
チングすることができる。
し、この回転支持体上に被処理物を載せて回転処理する
真空処理装置は、種々の分野，例えばドライエッチグ、
膜堆積等に用いられている。こうした装置の内、ドライ
エッチング装置では、回転支持体を回転させその上に被
処理物を回転させることにより、被処理物上に均一な気
流の境界層が形成され、被処理物上の薄膜を均一にエッ
チングすることができる。
【０００３】ところで、被処理物上の薄膜を均一にエッ
チングするためには、被処理物を高速で回転させる必要
がある。また、被処理物の形状により必ずしも回転の中
心軸と被処理物の重心が同一の位置であるとは限らな
い。従って、被処理物は、遠心力により任意位置に設け
られた回転支持体に１点で押さえ付けられ固定されるこ
ととなる。
チングするためには、被処理物を高速で回転させる必要
がある。また、被処理物の形状により必ずしも回転の中
心軸と被処理物の重心が同一の位置であるとは限らな
い。従って、被処理物は、遠心力により任意位置に設け
られた回転支持体に１点で押さえ付けられ固定されるこ
ととなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、例えばケミ
カルドライエッチング（ＣＤＥ）装置の場合、均一なエ
ッチングを行うためには被処理物面内の温度を均一にす
ることが重要であり、１点のみ強い力で被処理物が押さ
えつけられると、回転支持体との接触による熱伝導によ
り、接触点近傍のみエッツチング速度が変化して均一な
エッチングがなされない問題があった。
カルドライエッチング（ＣＤＥ）装置の場合、均一なエ
ッチングを行うためには被処理物面内の温度を均一にす
ることが重要であり、１点のみ強い力で被処理物が押さ
えつけられると、回転支持体との接触による熱伝導によ
り、接触点近傍のみエッツチング速度が変化して均一な
エッチングがなされない問題があった。
【０００５】本発明はこうした事情を考慮してなされた
もので、被処理物が回転した場合に該被処理物の中心よ
り遠心力により移動する方向に位置する回転支持体の上
部又は側部に、被処理物と２点以上あるいは線接触して
被処理物の動きを規制するストッパーを設けることによ
り、回転支持体の被処理物に対する接触力を軽減させ、
もって被処理物上に均一な薄膜を形成しえる真空処理装
置を提供することを目的とする。
もので、被処理物が回転した場合に該被処理物の中心よ
り遠心力により移動する方向に位置する回転支持体の上
部又は側部に、被処理物と２点以上あるいは線接触して
被処理物の動きを規制するストッパーを設けることによ
り、回転支持体の被処理物に対する接触力を軽減させ、
もって被処理物上に均一な薄膜を形成しえる真空処理装
置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、被処理物が
回転するときに被処理物が遠心力が働く一方向に片寄る
ことに着目し、予め被処理物をストッパーに２点以上あ
るいは線接触させて、被処理物の動きを規制するように
した。
回転するときに被処理物が遠心力が働く一方向に片寄る
ことに着目し、予め被処理物をストッパーに２点以上あ
るいは線接触させて、被処理物の動きを規制するように
した。
【０００７】即ち、本発明は、真空処理室内に円形の被
処理物を配置し、これを回転させながら被処理物に対し
エッチングや膜堆積等の処理を行う真空処理装置におい
て、ガス導入口及び排気口を有する真空容器と、この真
空容器内に配置され、上部に被処理物が載置される回転
支持体と、この回転支持体を回転させる駆動源とを具備
し、前記被処理物が回転した場合に該被処理物の中心よ
り遠心力により移動する方向に位置する前記回転支持体
の上部又は側部に、被処理物と２点以上あるいは線接触
して被処理物の動きを規制するストッパーを設けたこと
を特徴とする真空処理装置である。
処理物を配置し、これを回転させながら被処理物に対し
エッチングや膜堆積等の処理を行う真空処理装置におい
て、ガス導入口及び排気口を有する真空容器と、この真
空容器内に配置され、上部に被処理物が載置される回転
支持体と、この回転支持体を回転させる駆動源とを具備
し、前記被処理物が回転した場合に該被処理物の中心よ
り遠心力により移動する方向に位置する前記回転支持体
の上部又は側部に、被処理物と２点以上あるいは線接触
して被処理物の動きを規制するストッパーを設けたこと
を特徴とする真空処理装置である。
【０００８】本発明において、前記ストッパーとして
は、被処理物が回転した場合に該被処理物の中心より遠
心力により移動する方向に対して＋−９０度未満，好ま
しくは＋−６０度未満の位置に設けられた２つの突起物
が挙げられる。このように角度を制限したのは、被処理
物の回転とき図２に示すように被処理物21が２つの突起
物22ａ，22ｂで動かないようにするためである。回転時
被処理物には大きな遠心力Ｆが矢印ａの如く働くので、
突起物22ａ，22ｂの位置は矢印ａに対する突起物の位置
までの角度θは大きすぎたり，あるいは小さすぎないよ
うにする。
は、被処理物が回転した場合に該被処理物の中心より遠
心力により移動する方向に対して＋−９０度未満，好ま
しくは＋−６０度未満の位置に設けられた２つの突起物
が挙げられる。このように角度を制限したのは、被処理
物の回転とき図２に示すように被処理物21が２つの突起
物22ａ，22ｂで動かないようにするためである。回転時
被処理物には大きな遠心力Ｆが矢印ａの如く働くので、
突起物22ａ，22ｂの位置は矢印ａに対する突起物の位置
までの角度θは大きすぎたり，あるいは小さすぎないよ
うにする。
【０００９】例えば、角度θが＋−９０度を越えるよう
な場合、被処理物がストッパーに係止しない。また、角
度θが＋−６０度未満の場合であっても、角度θが極端
に小さい場合、被処理物がストッパーから外れてしまう
恐れがある。更に、前記ストッパーとしては、例えば図
３に示すように平面図が弧状の突起物31が回転支持体上
に設けられて、被処理物がこの突起物31の内側に線接触
するようなものでもよい。なお、前記突起物等のストッ
パーは回転支持体上に限らず、回転支持体の側部に設け
られていてもよい。
な場合、被処理物がストッパーに係止しない。また、角
度θが＋−６０度未満の場合であっても、角度θが極端
に小さい場合、被処理物がストッパーから外れてしまう
恐れがある。更に、前記ストッパーとしては、例えば図
３に示すように平面図が弧状の突起物31が回転支持体上
に設けられて、被処理物がこの突起物31の内側に線接触
するようなものでもよい。なお、前記突起物等のストッ
パーは回転支持体上に限らず、回転支持体の側部に設け
られていてもよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例に係る真
空処理装置を図１（Ａ），（Ｂ）を参照して説明する。
ここで、図１（Ａ）は真空処理装置の全体を示す断面
図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿う断面図で
ある。
空処理装置を図１（Ａ），（Ｂ）を参照して説明する。
ここで、図１（Ａ）は真空処理装置の全体を示す断面
図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿う断面図で
ある。
【００１１】図中の１は、上部にガス導入口２が設けら
れかつ下部に排気口３が設けられた真空容器である。こ
の真空容器１内には、シリコンウェハ４を支持する回転
支持体５が配置されている。この回転支持体５は空洞部
を有し、この空洞部に前記ウェハ４を回転支持体５を介
して加熱するヒータ６が内蔵されている。ウェハ４が回
転した場合に該ウェハ４の中心より遠心力により移動す
る方向Ｆに対しほぼ４５度である前記回転支持体５上部
には、２つの突起部７ａ，７ｂが設けられている。これ
らの突起物７ａ，７ｂの内側面は、ウェハ４の縁部に対
応するように湾曲してる。前記回転支持体５には、回転
導入機構８を介してモータ９が連結されている。
れかつ下部に排気口３が設けられた真空容器である。こ
の真空容器１内には、シリコンウェハ４を支持する回転
支持体５が配置されている。この回転支持体５は空洞部
を有し、この空洞部に前記ウェハ４を回転支持体５を介
して加熱するヒータ６が内蔵されている。ウェハ４が回
転した場合に該ウェハ４の中心より遠心力により移動す
る方向Ｆに対しほぼ４５度である前記回転支持体５上部
には、２つの突起部７ａ，７ｂが設けられている。これ
らの突起物７ａ，７ｂの内側面は、ウェハ４の縁部に対
応するように湾曲してる。前記回転支持体５には、回転
導入機構８を介してモータ９が連結されている。
【００１２】こうした構成の真空処理装置を用いてウェ
ハ４に例えばＣＤＥ法により薄膜をエッチングする場
合、ウェハ４のオリフラ面４ａを前記方向Ｆとは反対側
に位置させると共に、シリコンウェハ４の縁部を突起部
７ａ，７ｂに接触させた状態で回転支持体５上にシリコ
ンウェハ４を載置する。しかして、上記実施例に係る真
空処理装置によれば、回転支持体５の上部に回転時ウェ
ハ４が係止する突起部７ａ，７ｂが設けられているた
め、ウェハ４が接触する力が従来の１点接触の場合と比
べ減少し、ウェハ４面内の温度均一性が改善され、ウェ
ハ４上に薄膜を均一に形成することができる。また、前
記突起物７ａ，７ｂは回転支持体上に設けるだけでよい
ため、簡単に製作できる。更に、突起物７ａ，７ｂの内
側面は、ウェハ４の縁部に対応するように湾曲してる
為、回転時ウェハ４が安定した状態で突起物７ａ，７ｂ
に係止する。
ハ４に例えばＣＤＥ法により薄膜をエッチングする場
合、ウェハ４のオリフラ面４ａを前記方向Ｆとは反対側
に位置させると共に、シリコンウェハ４の縁部を突起部
７ａ，７ｂに接触させた状態で回転支持体５上にシリコ
ンウェハ４を載置する。しかして、上記実施例に係る真
空処理装置によれば、回転支持体５の上部に回転時ウェ
ハ４が係止する突起部７ａ，７ｂが設けられているた
め、ウェハ４が接触する力が従来の１点接触の場合と比
べ減少し、ウェハ４面内の温度均一性が改善され、ウェ
ハ４上に薄膜を均一に形成することができる。また、前
記突起物７ａ，７ｂは回転支持体上に設けるだけでよい
ため、簡単に製作できる。更に、突起物７ａ，７ｂの内
側面は、ウェハ４の縁部に対応するように湾曲してる
為、回転時ウェハ４が安定した状態で突起物７ａ，７ｂ
に係止する。
【００１３】なお、上記実施例では、突起物が回転支持
体上に２つ設けられている場合について述べたが、これ
に限定されず、３つ以上設けてもよい。また、上記実施
例では、ウェハ上の薄膜をＣＶＤ法によりドライエッチ
ングする場合について述べたが、これに限らず、例えば
ＣＶＤを行う場合についても同様に用いることができ
る。
体上に２つ設けられている場合について述べたが、これ
に限定されず、３つ以上設けてもよい。また、上記実施
例では、ウェハ上の薄膜をＣＶＤ法によりドライエッチ
ングする場合について述べたが、これに限らず、例えば
ＣＶＤを行う場合についても同様に用いることができ
る。
【００１４】
【発明の効果】以上詳述した如くこの発明によれば、被
処理物が回転した場合に該被処理物の中心より遠心力に
より移動する方向に位置する回転支持体の上部又は側部
に、被処理物と２点以上あるいは線接触して被処理物の
動きを規制するストッパーを設けることにより、回転支
持体の被処理物に対する接触力を軽減させ、もって被処
理物上に均一な薄膜を形成しえる真空処理装置を提供で
きる。
処理物が回転した場合に該被処理物の中心より遠心力に
より移動する方向に位置する回転支持体の上部又は側部
に、被処理物と２点以上あるいは線接触して被処理物の
動きを規制するストッパーを設けることにより、回転支
持体の被処理物に対する接触力を軽減させ、もって被処
理物上に均一な薄膜を形成しえる真空処理装置を提供で
きる。
【図１】本発明の一実施例に係る真空処理装置の説明図
であり、図１（Ａ）は同装置の全体を示す断面図、図１
（Ｂ）は図１（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿う断面図。
であり、図１（Ａ）は同装置の全体を示す断面図、図１
（Ｂ）は図１（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿う断面図。
【図２】本発明に係る回転支持体上に設けた２つの突起
物の説明図。
物の説明図。
【図３】本発明に係る真空処理装置に設けられる回転支
持体の他のストッパーを説明するための平面図。
持体の他のストッパーを説明するための平面図。
１…真空容器、 ２…ガス導入口、 ３…ガス排出口、 ４…シリコンウェハ、 ５…回転支持体、 ６…ヒータ、 ７ａ，７ｂ，22ａ，22ｂ，31…突起物、 ８…回転導入機器、 ９…モータ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ａ 21/68 21/302 Ｂ
Claims (2)
- 【請求項１】 真空処理室内に円形の被処理物を配置
し、これを回転させながら被処理物に対しエッチングや
膜堆積等の処理を行う真空処理装置において、 ガス導入口及び排気口を有する真空容器と、この真空容
器内に配置され、上部に被処理物が載置される回転支持
体と、この回転支持体を回転させる駆動源とを具備し、
前記被処理物が回転した場合に該被処理物の中心より遠
心力により移動する方向に位置する前記回転支持体の上
部又は側部に、被処理物と２点以上あるいは線接触して
被処理物の動きを規制するストッパーを設けたことを特
徴とする真空処理装置。 - 【請求項２】 前記ストッパーは、被処理物が回転した
場合に該被処理物の中心より遠心力により移動する方向
に対して＋−９０度未満の位置に設けられた２つの突起
物であることを特徴とする請求項１記載の真空処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22259096A JPH1060674A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22259096A JPH1060674A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1060674A true JPH1060674A (ja) | 1998-03-03 |
Family
ID=16784861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22259096A Pending JPH1060674A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1060674A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012501541A (ja) * | 2008-08-29 | 2012-01-19 | ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド | 一様でない熱抵抗を有するウエハキャリア |
| US10167571B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-01 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems |
| US10316412B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-06-11 | Veeco Instruments Inc. | Wafter carrier for chemical vapor deposition systems |
-
1996
- 1996-08-23 JP JP22259096A patent/JPH1060674A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012501541A (ja) * | 2008-08-29 | 2012-01-19 | ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド | 一様でない熱抵抗を有するウエハキャリア |
| US10316412B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-06-11 | Veeco Instruments Inc. | Wafter carrier for chemical vapor deposition systems |
| US10167571B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-01 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems |
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