JPS6245378A - 塗布装置 - Google Patents

塗布装置

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Publication number
JPS6245378A
JPS6245378A JP18421885A JP18421885A JPS6245378A JP S6245378 A JPS6245378 A JP S6245378A JP 18421885 A JP18421885 A JP 18421885A JP 18421885 A JP18421885 A JP 18421885A JP S6245378 A JPS6245378 A JP S6245378A
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JP
Japan
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wafer
coating
coated
spin chuck
suction
Prior art date
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Pending
Application number
JP18421885A
Other languages
English (en)
Inventor
Junichi Manda
万田 純一
Takashi Yamagami
孝 山上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP18421885A priority Critical patent/JPS6245378A/ja
Publication of JPS6245378A publication Critical patent/JPS6245378A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野1 本発明は、塗布技術、特に、21−導体装置の製造にお
けるフォトレジストの回転塗布技術に適用して有効な技
術に関する。
[背景技術] 一般に、゛ト導体装置の製造においては、シリコンなど
の半導体からなる円盤状の括板、すなわちウがウエハに
光蝕刻法を用いて半導体素子などを形成する過程で、ウ
がウエハの全面にわたってフォトレジストを塗布するこ
とが行われる。
この場合、ウがウエハの全面にわたってフォトレジスト
を均一に塗布するため、ウがウエハとの接触面に全面に
わたって形成され真空源に連通される溝を有する回転自
在なスピンチャックに、真空吸着によってウがウエハを
保持して回転させ、回転されるウがウエハの1−にフォ
トレノスI・を滴下さ仕、遠心力によってツメ1し7フ
ストをウがウエハの全面に均一に分布さ−ける、い0ゆ
るスピンナと呼ば1する回転塗布装置を用いることが考
えられる。
しかしながら、前記の回転塗布装置の場合、スピンチャ
ックのウがウエハとの接触面に全面にわたって形成され
た溝のため、ウがウエハ内においてスピン手中、りに接
触される部分と非接触の部分とが生してウがウエハ内の
温度分布が不均一となることは避けられず、ウがウエハ
に塗布されるフォトレジストの膜Iγが不均一になると
いう欠点があることを本発明者は見いだした。
なお、フォI・レジストのウがウエハに対する回転塗布
技術について説明されている文献としては、株式会社]
二業調査会、昭和58年11月15日発行「電子材料J
 1984年別冊、P67〜P71がある。
[発明の目的] 本発明の目的は、均一な塗布結果を得ることが可能な塗
布技(ネiを提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添イ]図面から明らかになるであろ
う。
[発明の概要] 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
をnW ’i’−に説明ずれば、つぎの通りである。
すなわら、回転台の周辺部の少なくとも一部に吸着部を
突出して開設し、中央部に前記吸着部に保持される)1
1i記彼塗布吻を点接触で支持する複数の突起部を設け
、または前記回転台を、周i71部に全周にわたって突
設される支持部と、前記支持部の内側に設けられrii
i記支持部ととち乙こ被塗布物を点接触で支持する複数
の突起部と、前記支持部の内側に開設される吸引孔とで
構成し、または前記回転台の周辺部の少なくとも一部に
前記被塗布物を吸着保持する吸着部を突設し、または前
記回転台の周辺部に前記被塗布物を吸着する複数の吸着
Tしを開設することにより、回転台と回転台に真空吸着
によって固定される被塗布物との間に生しる接触部分ま
たは非接触部分の面積が最小となるようにして、回転台
に載置される被塗布物の内部において回転台との接触に
起因する不均一な温度分布の発生を防止し、均一な塗布
結果が得られるようにしたものである。
[実施例11 第1図は、本発明の一実施例である塗布装置の要部を取
り出して示す断面図である。
塗布力、プlの内部中央には、スピンチャック2 (回
転台)が水平に設けられ、塗布カップ1の底部を0if
flして設置られた回転軸3を介してサーボモータ(図
示ゼず)などに接続され、所定の回転速度で回転される
構造とされている。
そして 前記スピンチャック2の北には、ウがウエハ4
 (被塗布物)が真空吸着の方法で着脱自在に[i’i
l 定されてスピンチャック2とともに回転され、スピ
ンチャック2の中央部上方に垂下された滴下ノズル5か
らウがウエハ4の中央部に滴下されるフォI−レジス)
6(i8a、)が遠心力によってウがウエハ4の全面に
わたって分散され、塗布されるように構成されている。
この場合、前記スピンチャック2のウがウエハ4との接
触面は、第2図(alように構成され同図(1))は前
記第2図に(alにおいて線FIB−1113で示され
る部分の断面図である。
すなわら、スピンチャック2の周辺部には、複数の複数
の吸着部7が突設され、この吸着部7は、スピンチャッ
ク2および回転軸3の内部に形成された真空ボー1−8
を介して所定の真空源(図示せず)に1妾続され、スピ
ンチャック2の上にM置されるウがウエハ4の周辺部が
真空吸着によって固定されるように構成され、さらに、
スピンチャック2の中央部には、先端部が鋭角に形成さ
れた複数の突起部9が設けられ、ウがウエハ4の中央部
が点接触で支持され、ウがウエハ4の平坦度が維持され
る構造とされている。
以下、本実施例の作用について説明する。
はじめに、ウがウエハ4がスピンチャック2の上に位置
され、スピンチャック2の周辺部に設けられたr■数の
吸着部7によって周辺部が真空吸着されて固定されると
ともに、スピンチャック2の中央部に配設された?ii
Dの突起部9によってウがウエハ4の中央部が点接触で
支持され、平坦度を維持した状態でスピンチャック2に
保持される。
次に、スピンチャック2に載置されたウがウエハ4の中
央部に、スピンチャック2の1一方に設けられた摘[:
ノズル5から所定量のフォトレジスト16が滴下された
後、ウがウエハ4はスピンチャック2とともに所定の回
転数で回転され、ウがウエハ4の上に滴下されたフォト
レジスト6ハ4の表面に分散されて塗布される。
この場合、ウがウエハ4は周辺部乙こおいてスピンチャ
ック2の吸着部7に吸着固定され、中央部は先・端部が
鋭角な複数の突起部9によって点接触で支持されるよう
に構成され、平坦度を)員なうことなくスピンチャック
2との接触面積が最小にされているため、ウがウエハ4
の内部の温度分布が、スピンチャック2に接触すること
に起因して不均一となることが防止される。
この結果、ウがウエハ4の表面に遠心力によって分散さ
れるフAI・レジスト6に含有さ比る揮発性の溶媒など
のウがウエハ4各部における揮散速度などが、ウがウエ
ハ4各部の温度分布の不均一さに起因してばらつきを生
しることが回避され、ウがウエハ4の表面には均一な厚
さにフォトレジスト6が塗布される。
そして、所定時間経過後スピンチャ,り2の回転は停止
され、さらに吸着孔部7による真空吸着が解除されたの
ち、フォトレジスト6が均一に塗布されたウがウエハ4
は取り除かれる。
上記の一連のI桑作を繰り返すことによって、多数のウ
がウエハ4にフォトレジスト6が均一に塗布されろ。
[実施例2] 第3図[alは、本発明の他の実施例である塗布装置の
スピンチャック2を取り出して示す平面図であり、同図
fblは前記第3図ia+において線III B −I
IIBで示される部分の断面図である。
本実施例においては、スピンチャック2に載置されろう
エバ4は、周辺部がスピンチャック2の周辺部に全周に
わたって突設される支持部10によって支持されるとと
もに、中央部がスピンチャ2り2の中央部に配設された
複数の突起部9によって点接触で支持されるように構成
され、さらに支持部10の内側に真空ボート23に連通
される複数の吸引孔11が開設されているところが前記
実施例1と異なる。
ずなわら、ウがウエハ4は周辺部にt,Hいて支持部l
Oに支持され、中央部は先端部が鋭角な複数の突起部9
によって点接触で支持されるように構成され、平坦度を
)員なうことなくスピンチャック2との接触面積が最小
にされているため、ウがウエハ4の内部の温度分布が、
スピンチャック2に接触することに起因して不均一とな
ることが防止され、さらに、スピンチャック2に戴置さ
れるウがウエハ4とスピンチャック2の周辺部に突設さ
れた支持部10とで構成される空間は、前記吸引孔11
によって負圧にされウがウエハ4のほぼ全面にわたって
大気圧が作用されるため、ウがウエハ4はスピンチャッ
ク2により確実に固定されるものである。
この結果、スピンチャック2により安定に同定されて回
転されるウがウエハ4の表面に遠心力によって分散さね
、るフ、1ルジスI・6に含有される揮発性の溶媒など
の・リエハ4各部における揮散速度などが、ウがウエハ
4各部の71M度分布の不均一さに起因してばらつきを
生(しることが回避され、ウク:ハ4の表面には均一な
厚さにツメ[−レジスト6が塗布される。
[実施例31 第4図talは、本発明のさらに他の実施例であるくv
布装置のスピンチャック2を取り出して示す平面図であ
り、同U23 (b)は、前記第4図(alにおいて線
IV 13−IV Bで示される部分の断面図である。
本実施例3においては、スピンチャック2の周辺部に全
周にわたってリング状の吸着孔7bを持つリング状の吸
着部7aが突設され、この吸着部7aのみによってウが
ウエハ4が支持されて固定されるように構成されている
ものである。
この場合、スピンチャック2にitされるウがウエハ4
1の中央部は、スピンチャック2に全く接触されないた
め、ウがウエハ4の内部の温度分布が、スビンチ、−,
/り2に接触することに起因して不均一となることが防
止さね、ウがウエハ4の表面に遠心力によって分散され
る)A トレンストロ揮発性の溶媒などのウがウエハ4各部にお
けろ連敗速度などが、ウがウエハ4各部の温度分布の不
均一さに起因してぼろつきを生しることが回避され、ウ
がウエハ4の表面には均一な厚さにフォ[−レジス16
が塗布できる。
なお、iri記吸着部7aは第4図tc+に示されるよ
うに、スピンチャック2の周辺部に部分的に設け、各吸
着部7aに弧状の吸着孔7cを形成するようにL7ても
良い。
[実施例4] 第5図fatは、本発明の実施例4である塗布装置のス
ビンチhツク2を取り出して示す平面図、同図(blは
前記第5図(alにおいて.VAVB−VBで示される
部分の断面図である。
本実施例4においては、平坦なスピンチャック2のウが
ウエハ4との接触面の周辺部に複数の吸引孔11aが開
設され、ウがウエハ4が吸着固定されるように構成され
ているものである。
この場合、スピンチャック2に載置されるウがウエハ、
15よ1,王)ヱ全面にわたって均一にスピンチャック
2 ニtD i!にされるため、スピンチャック2にt
妾触さ11、ることによるスピンチャック2からの熱的
な影古が、ウがウエハ4の全面において均一となり、ウ
がウエハ4の各部において温度分布が不均一となること
が防止される。
この結果、ウがウエハ4の表面に遠心力によって分(1
′iされるフォトレジスト6に含有される揮発性の溶媒
などのウがウエハ4各部における連敗速度などが、ウが
ウエハ4の各部の温度分布の不均一さに起因してばらつ
きを生しることが回避され、ウがウエハ4の表面には均
一な厚さにフォトレジスト6を塗布することができる。
[効果] (1)、回転台に真空吸着によって載置されて回転され
る被塗布物に溶液を滴下することによって塗布を行う塗
布装置の回転台の周辺部の少なくとも一部に吸着部が突
出して開設され、中央部に前記吸着部に保持される前記
被塗布物を点接触で支持する複数の突起部が設けられる
構造であるため、回転台と回転台乙こ11空吸着によっ
て固定される被塗布物との間に生しる接触部分の面積を
最小にでき、回転台に載置される被塗4J物の内部にお
いて回転台との接触に起因する不均一な温度分布の発生
がli/j止され、被塗布物の表面に均一な塗布膜が形
成できる。
(2)、回転台に真空吸着によって代置さね,て回転さ
れる被塗布物に溶液を滴下することによって・丈41を
行う塗布′A置の回転台が、周辺部に全周にわたって突
設される支持部と、11i記支持部の内側に設けられ前
記支持部とともに被塗布物を点接触で支持する複数の突
起部と、前記支持部の内側に開設される吸引孔とで構成
される構造であるため、被塗布物に比較的大きな吸引力
が作用されて回転台により安定に固定され、さらに回転
台と回転台に真空吸着によって固定される破くの重力と
の間に生しる接触部分の面積を最小にでき、回転台に載
置される被塗布物の内部において回転台との接触に起因
する不均一な温度分布の発生が防止され、被塗布物の表
面に均一な塗布膜が形成できる。
(3)2回転台に真空吸着によって載置されて回転され
る被塗布物に溶液を滴下することによって塗布を行う塗
布装置の回転台の周辺部の少なくとも一部に…1記被塗
布物を吸着保持する吸着部が突設される構造であるため
、被塗布物の中央部が回転台に接触されず、回転台に載
置される被塗布物の内部において回転台との部分的な接
触に起因する不均一な温度分布の発生が防止され、被塗
布物の表面に均一な塗布膜が形成できる。
(4)1回転台に真空吸着によって載置されて回転され
る被塗布物にl8液を滴下することによって塗布を行う
塗布装置の回転台の周辺部に面塗被塗布物を吸着する複
数の吸着孔が開設される構造であるため、被塗布物のほ
ぼ全面が回転台に均一に接触され、回転台からの熱的な
影響が被塗布物の全面において均一となり、回転台に載
置される被塗布物の内部において回転台との部分的な接
触に起因する不均一な温度分布の発生が防止され、被塗
布物の表面に均一な塗布膜が形成できる。
(5)  前記(1)〜(4)の結果、V導体装置の豐
造乙こ4居Jる」−産+’tが向上される。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に恭づき具
体的ζこ説明したが、本発明は面塗実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲でTJi々変
更1杜能であることはいうまでもない。
たとえば、突起部の形状は 球面などであっても良い。
[fす用分野] 以十の説明で(J主として本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野であるウがウエハのフメ
トレジス1塗布技術に適用した場合について説明したが
、それに限定されるものではなく、板状の物品に溶液を
均一に塗布することが必要とされる技術に広く適用でき
る。
図面の節iitな説明 第1図は、本発明の実施例1である塗布装置の要部を取
り出して示す断面図、 第2図falは、曲記実、応例1のスピンチャックのモ
面図、 第2図tb+は、前記第2図ta+において%9 II
 B−i[Bで示される部分の断面図、 第3図(alは、本発明の実施例2である塗布装置のス
ピンチャックの平面図、 第3図fbl +11、前記第3図(ajにおいてbq
 III B −mBで示される部分の断面図、 第4図ta+は、本発明の実施例3である塗布装置のス
ピンチャ、りの平面図、 第4図(b)は、前記第4図(、+1において線IV 
+3− IVBで示される部分の断面図、 第4図(C1は、本発明の実施例3の変形例である塗布
Wtffのスピンチャックの平面図、第5図ta+は、
本発明の実施例4である塗布1のスピンチャックの平面
図、 第5図fb)は、前記第5図(alにおいて線VB−V
Bで示される部分の断面図である。
1・・・塗布カップ、2・・・スピンチャック(回転台
)、3・・・回転軸、4・・・ウがウエハ(被塗布物)
、5・ ・滴下ノズル、6・・・フォトし・シスト(冷
液)、7.’、a    吸着部、71)、7c   
−吸γ1孔、8 ・ 真空ボー1、″)・・突起部、I
C)・支持部、11.]]、、1・・・吸引イL0 f−5,\ 代理人 弁理士  小 川 勝 lj3.。
第   1  図 第  2  図 (の)(b) 第  3  図 (b)  74 第   4  図 (昆) 第  5  図 (a−) (b) 2./4

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、回転台に真空吸着によって載置されて回転される被
    塗布物に溶液を滴下することによって塗布を行う塗布装
    置であって、前記回転台の周辺部の少なくとも一部に吸
    着部が突出して開設され、中央部に前記吸着部に保持さ
    れる前記被塗布物を点接触で支持する複数の突起部が設
    けられてなることを特徴とする塗布装置。 2、前記被塗布物がウエハであることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項記載の塗布装置。 3、前記溶液がフォトレジストであることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の塗布装置。 4、回転台に真空吸着によって載置されて回転される被
    塗布物に溶液を滴下することによって塗布を行う塗布装
    置であって、前記回転台が、周辺部に全周にわたって突
    設される支持部と、前記支持部の内側に設けられ前記支
    持部とともに被塗布物を点接触で支持する複数の突起部
    と、前記支持部の内側に開設される吸引孔とからなるこ
    とを特徴とする塗布装置。 5、前記被塗布物がウエハであることを特徴とする特許
    請求の範囲第4項記載の塗布装置。 6、前記溶液がフォトレジストであることを特徴とする
    特許請求の範囲第4項記載の塗布装置。 7、回転台に真空吸着によって載置されて回転される被
    塗布物に溶液を滴下することによって塗布を行う塗布装
    置であって、前記回転台の周辺部の少なくとも一部に前
    記被塗布物を吸着保持する吸着部が突設されてなること
    を特徴とする塗布装置。 8、前記被塗布物がウエハであることを特徴とする特許
    請求の範囲第7項記載の塗布装置。 9、前記溶液がフォトレジストであることを特徴とする
    特許請求の範囲第7項記載の塗布装置。 10、回転台に真空吸着によって載置されて回転される
    被塗布物に溶液を滴下することによって塗布を行う塗布
    装置であって、前記回転台の周辺部に前記被塗布物を吸
    着する複数の吸着孔が開設されてなることを特徴とする
    塗布装置。 11、前記被塗布物がウエハであることを特徴とする特
    許請求の範囲第10項記載の塗布装置。 12、前記溶液がフォトレジストであることを特徴とす
    る特許請求の範囲第10項記載の塗布装置。
JP18421885A 1985-08-23 1985-08-23 塗布装置 Pending JPS6245378A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02186656A (ja) * 1989-01-13 1990-07-20 Hitachi Ltd 低発塵装置
JPH0488045U (ja) * 1990-12-18 1992-07-30
JP2002231609A (ja) * 2001-02-02 2002-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薬液塗布装置及び薬液塗布方法
US6518548B2 (en) 1997-04-02 2003-02-11 Hitachi, Ltd. Substrate temperature control system and method for controlling temperature of substrate

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