JPH0341715A - スピンコーター - Google Patents
スピンコーターInfo
- Publication number
- JPH0341715A JPH0341715A JP1176485A JP17648589A JPH0341715A JP H0341715 A JPH0341715 A JP H0341715A JP 1176485 A JP1176485 A JP 1176485A JP 17648589 A JP17648589 A JP 17648589A JP H0341715 A JPH0341715 A JP H0341715A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- vacuum chuck
- spin coater
- held
- center
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ業上の利用分野）
本発明は、フォトリソグラフィ工程において半導体ウェ
ーハの表面にフォトレジスト等を塗布するスピンコータ
ーに関する。
ーハの表面にフォトレジスト等を塗布するスピンコータ
ーに関する。
〔従来の技術］
従来のスピンコーターは、垂直な軸線を中心にして数千
乙ｐ、＋ｍ、程度で高速回転され、半導体つ工−ハ（以
下、車に「ウェーハ」という。）の裏面を吸着してこれ
を水平に保持する真空チャックと、真空チャックに保持
されたウェーハの表面中央部にフォトレジスト等の塗布
液を滴下するノズルとを備えており、滴下された塗布液
を強力な遠心力で中心部から周辺部に移動させて、ウェ
ーハ表面に塗布膜を形成するものである。
乙ｐ、＋ｍ、程度で高速回転され、半導体つ工−ハ（以
下、車に「ウェーハ」という。）の裏面を吸着してこれ
を水平に保持する真空チャックと、真空チャックに保持
されたウェーハの表面中央部にフォトレジスト等の塗布
液を滴下するノズルとを備えており、滴下された塗布液
を強力な遠心力で中心部から周辺部に移動させて、ウェ
ーハ表面に塗布膜を形成するものである。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記従来のスピンコーターによれば、ウ
ェーハ表面に形成される塗布膜の膜厚にバラツキが大き
いと共に、任意の膜厚の分布、例えば周辺部のみ中央部
より膜厚を大きくした分布が得られなかった。
ェーハ表面に形成される塗布膜の膜厚にバラツキが大き
いと共に、任意の膜厚の分布、例えば周辺部のみ中央部
より膜厚を大きくした分布が得られなかった。
そこで、本発明は、ウェーハ表面の塗布膜の膜厚を均一
にし得、かつ任意の膜厚の分布とし得るスピンコーター
の提供を目的とする。
にし得、かつ任意の膜厚の分布とし得るスピンコーター
の提供を目的とする。
前記課題を解決するため、本発明は、垂直な軸線を中心
にして高速回転され、ウェーハの裏面を吸着してこれを
水平に保持する真空チャックと、真空チャックに保持さ
れたウェーハの表面中央部に塗布液を滴下するノズルと
を備えたスピンコーターにおいて、前記真空チャックに
保持されたウェーハの所要部分を適宜に加熱する加熱手
段を付設したものである。
にして高速回転され、ウェーハの裏面を吸着してこれを
水平に保持する真空チャックと、真空チャックに保持さ
れたウェーハの表面中央部に塗布液を滴下するノズルと
を備えたスピンコーターにおいて、前記真空チャックに
保持されたウェーハの所要部分を適宜に加熱する加熱手
段を付設したものである。
（作用）
上記手段においては、真空チャックに保持されたウェー
ハの各部の温度が所望の分布となると共に、その表面を
中心部から周辺部へ移動する塗布液の粘度が上記温度分
相に相関して変化する。
ハの各部の温度が所望の分布となると共に、その表面を
中心部から周辺部へ移動する塗布液の粘度が上記温度分
相に相関して変化する。
加熱手段としては、ヒーター ドライヤー又はランプが
用いられる。
用いられる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を図面と共に説明する。。
第１図は本発明に係るスピンコーターの概略構成図であ
る。
る。
図中１は垂直な軸心を中心にしてモータ（図示省略）に
より数千ｒ、ｐ、ａ＋、で高速回転され、シリコンウェ
ーハ等のウェーハ２の裏面を吸着してこれを水平に保持
する真空チャックで、スピンカップ３によって囲まれて
いる。真空チャック１の上方には、真空チャック１に保
持されたウェーハ２の表面中央部にフォトレジストや現
像液を滴下するノズル４が配設されている。そして、ス
ピンカップ３内には、上記ウェーハ２の周辺部を下方か
ら加熱するファン付ヒーター５がリング状に配設されて
いる。
より数千ｒ、ｐ、ａ＋、で高速回転され、シリコンウェ
ーハ等のウェーハ２の裏面を吸着してこれを水平に保持
する真空チャックで、スピンカップ３によって囲まれて
いる。真空チャック１の上方には、真空チャック１に保
持されたウェーハ２の表面中央部にフォトレジストや現
像液を滴下するノズル４が配設されている。そして、ス
ピンカップ３内には、上記ウェーハ２の周辺部を下方か
ら加熱するファン付ヒーター５がリング状に配設されて
いる。
上記構成のスピンコーターを用い、直径１００ｍｍのシ
リコンウェーハにｏ ＣＤ ？１ｉを０ 、３ ＣＣｔ
’ｆ４下し、コーティングしたところ、シリコンウェー
ハ中心からの距離と塗布膜厚及びシリコンウェーハ温度
との関係は、第２図に示すようになった。
リコンウェーハにｏ ＣＤ ？１ｉを０ 、３ ＣＣｔ
’ｆ４下し、コーティングしたところ、シリコンウェー
ハ中心からの距離と塗布膜厚及びシリコンウェーハ温度
との関係は、第２図に示すようになった。
なお、真空チャックの回転数は、２０００ｒ、ｐ、ｍ。
ＯＣＤ液の温度は、２５℃、ファン付ヒーターは、真空
チャックの回転中心から５０ｍｍ、シリコンウェーハか
ら２０ｉ＋ｍ１ｌａ隔して配置し、１５０ ｗのものを
用いた。
チャックの回転中心から５０ｍｍ、シリコンウェーハか
ら２０ｉ＋ｍ１ｌａ隔して配置し、１５０ ｗのものを
用いた。
従って、シリコンウェーハの中心部の塗布膜厚を均一に
し得る共に、周辺部の塗布膜厚を中心部より厚くするこ
とができ、従来のように周辺部の酸化膜が取れることが
なくなった。
し得る共に、周辺部の塗布膜厚を中心部より厚くするこ
とができ、従来のように周辺部の酸化膜が取れることが
なくなった。
（発明の効果）
以上のように本発明によれば、真空チャックに保持され
たウェーハの各部の温度が所望の分布となると共に、そ
の表面を中心部から周辺部へ移動する塗布液の粘度が上
記温度分布に相関して変化するので、ウェーハ表面の塗
布膜の膜厚を均一にすることができ、かつ任意の膜厚の
分布とすることができる。
たウェーハの各部の温度が所望の分布となると共に、そ
の表面を中心部から周辺部へ移動する塗布液の粘度が上
記温度分布に相関して変化するので、ウェーハ表面の塗
布膜の膜厚を均一にすることができ、かつ任意の膜厚の
分布とすることができる。
図は本発明の一実施例を示すもので、第１図はスピンコ
ーターの概略構成図、第２図は塗布膜厚とシリコンウェ
ーハ温度の分布図である。 １・・・・・・真空チャック ２・・・・・・ウェー
ハ４・・・・・・ノズル ５・・・・・・ファ
ン付ヒーター第 図 第 図 ウェーハｐ〆０り゛うの、ｆＪｊｉ Ｎ（ｍ ｍ ）Ｏ
更今積１ ０フェー／！境度
ーターの概略構成図、第２図は塗布膜厚とシリコンウェ
ーハ温度の分布図である。 １・・・・・・真空チャック ２・・・・・・ウェー
ハ４・・・・・・ノズル ５・・・・・・ファ
ン付ヒーター第 図 第 図 ウェーハｐ〆０り゛うの、ｆＪｊｉ Ｎ（ｍ ｍ ）Ｏ
更今積１ ０フェー／！境度
Claims (1)
- （１）垂直な軸線を中心にして高速回転され、半導体ウ
ェーハの裏面を吸着してこれを水平に保持する真空チャ
ックと、真空チャックに保持された半導体ウェーハの表
面中央部に塗布液を滴下するノズルとを備えたスピンコ
ーターにおいて、前記真空チャックに保持された半導体
ウェーハの所要部分を適宜に加熱する加熱手段を付設し
たことを特徴とするスピンコーター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1176485A JPH0341715A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | スピンコーター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1176485A JPH0341715A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | スピンコーター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0341715A true JPH0341715A (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=16014491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1176485A Pending JPH0341715A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | スピンコーター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0341715A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03124017A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-27 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| JPH06310496A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-11-04 | Korea Electron Telecommun | 半導体製造装置および半導体素子の製造方法 |
| US5670210A (en) * | 1994-10-27 | 1997-09-23 | Silicon Valley Group, Inc. | Method of uniformly coating a substrate |
| US6977098B2 (en) | 1994-10-27 | 2005-12-20 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7018943B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-03-28 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7030039B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-04-18 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| WO2019045773A1 (en) * | 2017-08-29 | 2019-03-07 | Raytheon Company | METHOD FOR FORMING FLAT MATRIX |
| US10475664B2 (en) | 2016-09-07 | 2019-11-12 | Raytheon Company | Wafer stacking to form a multi-wafer-bonded structure |
| US10847569B2 (en) | 2019-02-26 | 2020-11-24 | Raytheon Company | Wafer level shim processing |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226817A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-04 | Canon Inc | スピンナ−装置 |
| JPS62174916A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-31 | Rohm Co Ltd | レジスト塗布装置 |
| JPS62225269A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-03 | Hitachi Ltd | 塗布装置 |
| JPH01236626A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-21 | Tokyo Electron Ltd | レジストコーティング方法 |
-
1989
- 1989-07-07 JP JP1176485A patent/JPH0341715A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226817A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-04 | Canon Inc | スピンナ−装置 |
| JPS62174916A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-31 | Rohm Co Ltd | レジスト塗布装置 |
| JPS62225269A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-03 | Hitachi Ltd | 塗布装置 |
| JPH01236626A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-21 | Tokyo Electron Ltd | レジストコーティング方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03124017A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-27 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| JPH06310496A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-11-04 | Korea Electron Telecommun | 半導体製造装置および半導体素子の製造方法 |
| US5670210A (en) * | 1994-10-27 | 1997-09-23 | Silicon Valley Group, Inc. | Method of uniformly coating a substrate |
| US6977098B2 (en) | 1994-10-27 | 2005-12-20 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7018943B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-03-28 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7030039B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-04-18 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US10475664B2 (en) | 2016-09-07 | 2019-11-12 | Raytheon Company | Wafer stacking to form a multi-wafer-bonded structure |
| WO2019045773A1 (en) * | 2017-08-29 | 2019-03-07 | Raytheon Company | METHOD FOR FORMING FLAT MATRIX |
| US10300649B2 (en) | 2017-08-29 | 2019-05-28 | Raytheon Company | Enhancing die flatness |
| US10847569B2 (en) | 2019-02-26 | 2020-11-24 | Raytheon Company | Wafer level shim processing |
| US11393869B2 (en) | 2019-02-26 | 2022-07-19 | Raytheon Company | Wafer level shim processing |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5580607A (en) | Coating apparatus and method | |
| US4822639A (en) | Spin coating method and device | |
| JPH0341715A (ja) | スピンコーター | |
| JPS61214520A (ja) | 塗布装置 | |
| JPS61125017A (ja) | 塗布装置 | |
| JPH10150095A (ja) | ウエーハ処理装置 | |
| JPS6245378A (ja) | 塗布装置 | |
| JPS61206224A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPS6226817A (ja) | スピンナ−装置 | |
| JPH04293571A (ja) | 回転処理装置 | |
| JPH0246465A (ja) | 現像機 | |
| JPH08293460A (ja) | 薬液塗布装置 | |
| JPH04253320A (ja) | 回転塗布装置 | |
| US4588379A (en) | Configuration for temperature treatment of substrates, in particular semi-conductor crystal wafers | |
| JP2005005303A (ja) | 溶液塗布方法および溶液塗布装置 | |
| US5272118A (en) | Photolithographic masking process | |
| JPH0582433A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JP2591360B2 (ja) | フォトレジストの塗布方法 | |
| JPH02219213A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JP2883467B2 (ja) | 回転処理装置 | |
| JPH0342816A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH05283330A (ja) | レジスト塗布装置及びレジスト塗布方法 | |
| JPH01236626A (ja) | レジストコーティング方法 | |
| JP2892533B2 (ja) | 塗布方法および塗布装置 | |
| JPH05228413A (ja) | 塗布装置 |