JPH01236626A - レジストコーティング方法 - Google Patents
レジストコーティング方法Info
- Publication number
- JPH01236626A JPH01236626A JP6391888A JP6391888A JPH01236626A JP H01236626 A JPH01236626 A JP H01236626A JP 6391888 A JP6391888 A JP 6391888A JP 6391888 A JP6391888 A JP 6391888A JP H01236626 A JPH01236626 A JP H01236626A
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- Japan
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- resist
- temperature
- semiconductor wafer
- substrate
- processed
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Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、レジストコーティング方法に関する。
（従来の技術）
例えば、半導体デバイスの製造においては、精密写真転
写技術を用いて回路パターンの転写を行うため、半導体
ウェハに均一にレジストをコーティングする工程がある
。
写技術を用いて回路パターンの転写を行うため、半導体
ウェハに均一にレジストをコーティングする工程がある
。
このように、半導体ウェハにレジストをコーティングす
る方法としては、半導体ウェハの中央部付近にレジスト
を供給し、半導体ウェハを高速回転させることにより、
レジストを半導体ウェハ全面に拡散させるスピンコーテ
ィングによる方法が一般的である。
る方法としては、半導体ウェハの中央部付近にレジスト
を供給し、半導体ウェハを高速回転させることにより、
レジストを半導体ウェハ全面に拡散させるスピンコーテ
ィングによる方法が一般的である。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記説明の従来のレジストコーティング
方法では、中心から周辺へレジストが遠心力により振り
切られ、一定の膜厚を形成する過程で、回転する半導体
ウェハ各部の周速の違いにより、雰囲気中へのレジスト
溶媒の揮発速度（揮発量）に違いが生じ、レジストの見
掛けの粘度が異なり、半導体ウニ八周辺部のレジスト膜
厚が、半導体ウェハ中央部のレジスト膜厚より厚くなり
、レジスト膜厚が不均一になるという問題がある。この
ようなレジスト膜厚の違いは、特に大口径の半導体ウェ
ハはど大きくなるが、近年、半導体ウェハは大口径化さ
れる傾向にあり、特に大きな問題となる可能性がある。
方法では、中心から周辺へレジストが遠心力により振り
切られ、一定の膜厚を形成する過程で、回転する半導体
ウェハ各部の周速の違いにより、雰囲気中へのレジスト
溶媒の揮発速度（揮発量）に違いが生じ、レジストの見
掛けの粘度が異なり、半導体ウニ八周辺部のレジスト膜
厚が、半導体ウェハ中央部のレジスト膜厚より厚くなり
、レジスト膜厚が不均一になるという問題がある。この
ようなレジスト膜厚の違いは、特に大口径の半導体ウェ
ハはど大きくなるが、近年、半導体ウェハは大口径化さ
れる傾向にあり、特に大きな問題となる可能性がある。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、半導体ウェハ等の被処理基板にレジストを均一にコー
ティングすることのできるレジストコーティング方法を
提供しようとするものである。
、半導体ウェハ等の被処理基板にレジストを均一にコー
ティングすることのできるレジストコーティング方法を
提供しようとするものである。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
すなわち本発明は、被処理基板の中央部にレジストを供
給し、被処理基板を回転させて前記レジストを前記被処
理基板面にコーティングする方法において、前記被処理
基板中央部の温度が、前記被処理基板周辺部の温度より
高くなるよう温度調節した状態でレジストをコーティン
グすることを特徴とする。
給し、被処理基板を回転させて前記レジストを前記被処
理基板面にコーティングする方法において、前記被処理
基板中央部の温度が、前記被処理基板周辺部の温度より
高くなるよう温度調節した状態でレジストをコーティン
グすることを特徴とする。
（作 用）
上記構成の本発明のレジストコーティング方法では、被
処理基板中央部の温度が、周辺部の温度より高くなるよ
う温度調節する。
処理基板中央部の温度が、周辺部の温度より高くなるよ
う温度調節する。
なお、この温度調節は、例えば被処理基板の中央部に供
給するレジストの温度を被処理基板の温度より高くしレ
ジストの熱を被処理基板に伝える、処理基板を保持する
保持台の温度を制御する、被処理基板周囲の雰囲気の温
度を制御する等して行うことができる。
給するレジストの温度を被処理基板の温度より高くしレ
ジストの熱を被処理基板に伝える、処理基板を保持する
保持台の温度を制御する、被処理基板周囲の雰囲気の温
度を制御する等して行うことができる。
したがって、周速の差によるレジスト溶媒の揮発速度の
違いを温度差によって相殺し、揮発速度を被処理基板各
部で均一化することにより、被処理基板全面に渡って均
一にレジストをコーティングすることができる。
違いを温度差によって相殺し、揮発速度を被処理基板各
部で均一化することにより、被処理基板全面に渡って均
一にレジストをコーティングすることができる。
（実施例）
以下本発明方法を半導体ウェハのレジストコーティング
に適用した実施例を図面を参照して説明する。
に適用した実施例を図面を参照して説明する。
この実施例方法では、まず、第１図（ａ）に示すように
、半導体ウェハ１を、レジストコーティング装置の保持
台２上に載置し、例えば真空チャック等で半導体ウェハ
１を吸着保持する。
、半導体ウェハ１を、レジストコーティング装置の保持
台２上に載置し、例えば真空チャック等で半導体ウェハ
１を吸着保持する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、半導体ウェハ１の中
央部に半導体ウェハ１より高温としたレジスト３を滴下
する。
央部に半導体ウェハ１より高温としたレジスト３を滴下
する。
この後、第１図（ｃ）に示すように、例えば毎分致方回
転程度の回転速度で保持台２、半導体ウェハ１を回転さ
せ、レジスト３を半導体ウェハ１の全面に拡散させる。
転程度の回転速度で保持台２、半導体ウェハ１を回転さ
せ、レジスト３を半導体ウェハ１の全面に拡散させる。
なお、レジスト３の温度は、室温および半導体ウェハ１
の温度等によって適宜選択する必要がある。例えば、第
２図のグラフは、室温２１．６℃、半導体ウェハ温度２
１，５℃の条件下におけるレジスト温度と膜厚のばらつ
きとの関係を測定した結果を示すもので、曲線ａｓ ｂ
ｓ Ｃｓ ｄｓ ｅｓ ｆｓ ｇｓｈは、それぞれレジ
スト温度が１６．２℃、ｉｇ、ｔ’ｃ、１９．９℃、２
０．９℃、２１，３℃、２１，８℃、２２．７℃、２４
．４℃の場合を示している。
の温度等によって適宜選択する必要がある。例えば、第
２図のグラフは、室温２１．６℃、半導体ウェハ温度２
１，５℃の条件下におけるレジスト温度と膜厚のばらつ
きとの関係を測定した結果を示すもので、曲線ａｓ ｂ
ｓ Ｃｓ ｄｓ ｅｓ ｆｓ ｇｓｈは、それぞれレジ
スト温度が１６．２℃、ｉｇ、ｔ’ｃ、１９．９℃、２
０．９℃、２１，３℃、２１，８℃、２２．７℃、２４
．４℃の場合を示している。
このグラフに曲線ｇで示されるよう、上記条件下ではレ
ジスト温度が２２．７℃程度でほぼ均一な膜厚を得るこ
とができる。なお、レジスト温度を上げ過ぎると、曲線
りで示されるように、半導体ウェハ１の中央部の膜厚が
厚くなる。これは、周速の差によるレジスト溶媒の揮発
速度の違い以上に温度差によるレジスト溶媒の揮発速度
の違いが生じるためである。
ジスト温度が２２．７℃程度でほぼ均一な膜厚を得るこ
とができる。なお、レジスト温度を上げ過ぎると、曲線
りで示されるように、半導体ウェハ１の中央部の膜厚が
厚くなる。これは、周速の差によるレジスト溶媒の揮発
速度の違い以上に温度差によるレジスト溶媒の揮発速度
の違いが生じるためである。
第３図は他の実施例方法を示すもので、この実施例方法
では、レジストコーティング装置の保持台２に、中央部
で温度が高く、周辺部で温度が低くなるように温度勾配
を形成する温度制御機構を配置する。なお、このような
温度制御機構は、例えば保持台２内の中央部のみにヒー
タ４を配置し、このヒータ４により、保持台２の中央部
のみを所定温度に加熱することによって実現することが
できる。
では、レジストコーティング装置の保持台２に、中央部
で温度が高く、周辺部で温度が低くなるように温度勾配
を形成する温度制御機構を配置する。なお、このような
温度制御機構は、例えば保持台２内の中央部のみにヒー
タ４を配置し、このヒータ４により、保持台２の中央部
のみを所定温度に加熱することによって実現することが
できる。
そして、まず第３図（ａ）に示すように、予め中央部で
温度が高く、周辺部で温度が低くなるように温度勾配を
形成した保持台２上に半導体ウニ／１１を載置し、例え
ば真空チャック等で半導体ウェハ１を吸着保持する。
温度が高く、周辺部で温度が低くなるように温度勾配を
形成した保持台２上に半導体ウニ／１１を載置し、例え
ば真空チャック等で半導体ウェハ１を吸着保持する。
次に、第３図（ｂ）に示すように、半導体ウェハ１の中
央部にシスト３を滴下する。
央部にシスト３を滴下する。
この後、第３図（Ｃ）に示すように、例えば毎分致方回
転程度の回転速度で保持台２、半導体つエバ１を回転さ
せ、レジスト３を半導体ウェハ１の全面に拡散させる。
転程度の回転速度で保持台２、半導体つエバ１を回転さ
せ、レジスト３を半導体ウェハ１の全面に拡散させる。
すなわち、この実施例では、保持台２に、中央部で温度
が高く、周辺部で温度が低くなるように温度勾配を形成
する温度制御機構を配置し、前述の実施例と同様に、半
導体ウェハ１各部の周速の差によるレジスト溶媒の揮発
速度の違いを温度差によって相殺し、レジスト溶媒の揮
発速度を各部で均一化することにより、半導体ウェハ１
全面に渡って均一にレジスト３をコーティングすること
ができる。なおヒータ４による加熱設定温度は、前述の
実施例と同様に適宜選択する必要がある。
が高く、周辺部で温度が低くなるように温度勾配を形成
する温度制御機構を配置し、前述の実施例と同様に、半
導体ウェハ１各部の周速の差によるレジスト溶媒の揮発
速度の違いを温度差によって相殺し、レジスト溶媒の揮
発速度を各部で均一化することにより、半導体ウェハ１
全面に渡って均一にレジスト３をコーティングすること
ができる。なおヒータ４による加熱設定温度は、前述の
実施例と同様に適宜選択する必要がある。
なお、これらの実施例では、レジスト３の温度調節によ
り半導体ウェハ１の温度を調節する例と、保持台２の温
度調節により半導体ウェハ１の温度を調節する例につい
て説明したが、例えば半導体ウェハ１の上方から温度の
異なる気体を吹付ける等、雰囲気の温度を調節して半導
体ウェハ１の温度を調節することもできるし、これらの
方法を組合わせて行うこともできる。
り半導体ウェハ１の温度を調節する例と、保持台２の温
度調節により半導体ウェハ１の温度を調節する例につい
て説明したが、例えば半導体ウェハ１の上方から温度の
異なる気体を吹付ける等、雰囲気の温度を調節して半導
体ウェハ１の温度を調節することもできるし、これらの
方法を組合わせて行うこともできる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明のレジストコーティング方
法によれば、半導体ウェハ等の被処理基板にレジストを
均一にコーティングすることができる。
法によれば、半導体ウェハ等の被処理基板にレジストを
均一にコーティングすることができる。
第１図は本発明の一実施例のレジストコーティング方法
を示す説明図、第２図はレジスト温度と膜厚のばらつき
との関係を示すグラフ、第３図は他の実施例のレジスト
コーティング方法を示す説明図である。 １・・・・・・半導体ウェハ、２・・・・・・保持台、
３・・・・・・レジスト、４・・・・・・ヒータ。 出願人 東京エレクトロン株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − 口 （ｂ） 第１図
を示す説明図、第２図はレジスト温度と膜厚のばらつき
との関係を示すグラフ、第３図は他の実施例のレジスト
コーティング方法を示す説明図である。 １・・・・・・半導体ウェハ、２・・・・・・保持台、
３・・・・・・レジスト、４・・・・・・ヒータ。 出願人 東京エレクトロン株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − 口 （ｂ） 第１図
Claims (1)
- （１）被処理基板の中央部にレジストを供給し、被処理
基板を回転させて前記レジストを前記被処理基板面にコ
ーティングする方法において、前記被処理基板中央部の
温度が、前記被処理基板周辺部の温度より高くなるよう
温度調節した状態でレジストをコーティングすることを
特徴とするレジストコーティング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63063918A JPH0797547B2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | レジストコーティング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63063918A JPH0797547B2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | レジストコーティング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01236626A true JPH01236626A (ja) | 1989-09-21 |
| JPH0797547B2 JPH0797547B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=13243201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63063918A Expired - Fee Related JPH0797547B2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | レジストコーティング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797547B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0341715A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | スピンコーター |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226817A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-04 | Canon Inc | スピンナ−装置 |
| JPS62225269A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-03 | Hitachi Ltd | 塗布装置 |
| JPS63250819A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | 塗布装置 |
| JPS63250820A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | 塗布装置 |
-
1988
- 1988-03-17 JP JP63063918A patent/JPH0797547B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226817A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-04 | Canon Inc | スピンナ−装置 |
| JPS62225269A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-03 | Hitachi Ltd | 塗布装置 |
| JPS63250819A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | 塗布装置 |
| JPS63250820A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | 塗布装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0341715A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | スピンコーター |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0797547B2 (ja) | 1995-10-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |