JPH01134945A - ウエハ保持装置 - Google Patents

ウエハ保持装置

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Publication number
JPH01134945A
JPH01134945A JP62292694A JP29269487A JPH01134945A JP H01134945 A JPH01134945 A JP H01134945A JP 62292694 A JP62292694 A JP 62292694A JP 29269487 A JP29269487 A JP 29269487A JP H01134945 A JPH01134945 A JP H01134945A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
resist
vacuum
holding device
porous
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62292694A
Other languages
English (en)
Inventor
Masashi Moriyama
森山 雅司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP62292694A priority Critical patent/JPH01134945A/ja
Publication of JPH01134945A publication Critical patent/JPH01134945A/ja
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、半導体製造装置等に配置されるウェハ保持装
置に間する。
(従来の技術) 例えば、レジスト塗布装置、現像装置等の半導体製造装
置には、ウェハを保持するためのウェハ保持装置が配置
されている。
第2図および第3図は、このような従来のウェハ保持装
置の一例としてレジスト塗布装置に配置されるウェハ保
持装置を示すもので、例えば円板状に形成されたウェハ
保持部1の上面には、例えば同心的に配置された溝と径
方向に配置されこれらの溝を接続する消等からなる真空
チャック用の11aが形成されている。これらの渭1a
内には、複数の小孔1bが形成されており、これらの小
孔1bは、ウェハ保持部1内に形成された真空流路IC
を介して図示しない真空装置に接続されている。
また、ウェハ保持部1の下側中央部には、駆動軸2が接
続されており、この駆動軸2はモータ等からなる図示し
ない駆動装置に接続されている。
そして、レジスト塗布装置においては、上記ウェハ保持
部1の上面にウェハ3を載置して真空チャックにより吸
着保持し、ウェハ3上の中央部付近にレジストを滴下し
、駆動装置により、ウェハ保持部1上に保持されたウェ
ハ3を高速回転させてレジストをウェハ全面に拡散させ
る。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記説明の従来のウェハ保持装置を用い
た場合、例えばレジスト塗布装置においては、例えば真
空チャラグ用の渭等のパターンを転写したようにウェハ
上に拡散したレジストに塗布むらが生じる場合がある。
本発明者等がこのようなレジストの塗布むらについて詳
査したところ、この塗布むらは、特に水溶性高分子から
なるレジストを用いた場合に現れることが多く、ウェハ
の温度が不均一になっているために生じるものであるこ
とが判明した。すなわち、ウェハ保持装置のウェハ保持
部は、例えば回転用のモータからの熱等によって、ある
程度加熱されており、真空チャック用の溝等の上部に位
置するウェハ部分と、その他ウェハ保持部に接触してい
る部分との間に温度差が生じ、この温度差によって塗布
むらが生じると思われることが判った。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもめで
、ウェハを均一に保持し、例えばレジストの塗布むらを
減少させたウェハ保持装置を提供しようとするものであ
る。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段) すなわち本発明は、ウェハを真空チャックにより吸着保
持するウェハ保持装置において、前記ウェハの吸着面を
多孔質部材を介して真空吸引を行うよう構成したことを
特徴とする。
(作 用) 従来のウェハ保持装置では、ウェハ保持部分に真空チャ
ック用の消が形成されているため、この真空チャック用
の溝部分に位置するウェハ部位は、部材と接触していな
い状態となり、他の部分すなわち部材と接触状態にある
部分との間に温度差が生じる。
そこで、本発明のウェハ保持装置では、前記ウェハ吸着
面を、例えば多孔質のステンレス板からなりウェハより
やや径小の円板状に形成された多孔質部材を配置し、こ
の多孔質部材を介して真空チャックによる吸引を行う。
したがって、従来のウェハ保持装置のように、真空チャ
ック用の溝がなく、ウェハの温度を均一に保つことがで
き、レジストの塗布等の温度依存性のある処理を均一に
行うことができる。
(゛実施例) 以下本発明のウェハ保持装置をレジスト塗布装置用ウェ
ハ保持装置に適用した実施例を図面を参照して説明する
上面が円形に凹陥された円板状の保持部材11には、こ
の凹陥部底部と図示しない真空装置とを接続するための
真空路12が形成されている。また、上記保持部材11
の凹陥部には、例えば多孔質のステンレスからなる円板
状の多孔質部材13が上面平坦となる如く配置されてい
る。上記多孔質部材13は、多孔質ステンレス以外の多
孔質体を用いることもできるが、温度均一性を向上させ
るためには、熱伝導の良好な多孔質体を用いることが好
ましい。また、多孔質部材13の径は、大径とすること
が好ましく、この実施例では、ウェハ14よりやや小径
とされている。
上記保持部材11の下側中央部には、筒状駆動軸15が
接続されており、この駆動軸15はモータ等からなる図
示しない駆動装置に結合されている。駆動軸15の中空
路16は真空ポンプに結合される。
上記構成のこの実施例のウェハ保持装置は、レジスト塗
布装置に配置される。そして、上記多孔質部材13の上
面にウェハ14を載置して真空チャックにより吸着保持
し、ウェハ14上の中央部付近にレジストを供給し、ウ
ェハ14を回転させてレジストをウェハ全面に拡散させ
る。
上記説明のこの実施例のウェハ保持装置では、従来のウ
ェハ保持装置と興なり、ウェハ14を保持する部分に真
空チャック用の溝等が形成されていない、すなわち、ウ
ェハ14の裏面側は、その周縁部を除いてほとんどの部
分が多孔質部材13と接触した状態となる。
したがって、従来真空チャック用の渭等によって引起さ
れていたウェハ14温度の不均一を解消することができ
、ウェハ14温度を均一に保つことができる。このため
、例えば水溶性高分子からなるレジストを用いても、従
来のように例えば真空チャック用の消等のパターンを転
写したようにレジストにむらが生じることがなく、ウェ
ハ全面に均一にレジストを塗布することができる。
上記多孔質部材13の孔の密度は、吸引の程度によって
選択する。さらに、上記多孔質部材13の厚さを選択す
ることにより所望の状態に設定できる。
なお、上記実施例では、本発明をレジスト塗布装置用の
ウェハ保持装置に適用した例について説明したが、本発
明は同様にして他の半導体製造装置、例えば現像状態が
温度に依存する現像装置、ウエハプローバのウェハステ
ージ、プラズマエツチング装置のウェハステージ等ウェ
ハステージであれば何れにも適用することができる。
[発明の効果] 上述のように、本発明のウェハ保持装置によれば、ウェ
ハの温度を均一に保つことができ、例えばレジストの塗
布等の温度依存性のある処理を均一に行うことができる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のウェハ保持装置を示す縦断
面図、第2図は従来のウェハ保持装置を示す縦断面図、
第3図は第2図に示すウェハ保持装置の上面図である。 11・・・・・・保持部材、12・・・・・・真空路、
13・・・・・・多孔質部材、14・・・・・・ウェハ
、15・・・・・・駆動軸。 出願人  東京エレクトロン株式会社 代理人 弁理士  須 山 佐 − 第1図 第2図 第3図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ウェハを真空チャックにより吸着保持するウェハ
    保持装置において、前記ウェハの吸着面を多孔質部材を
    介して真空吸引を行うよう構成したことを特徴とするウ
    ェハ保持装置。
  2. (2)前記多孔質部材は、多孔質のステンレスからなり
    前記ウェハよりやや小径の円板状に形成されていること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のウェハ保持装
    置。
JP62292694A 1987-11-19 1987-11-19 ウエハ保持装置 Pending JPH01134945A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997021243A1 (en) * 1995-12-04 1997-06-12 Hitachi, Ltd. Method for processing semiconductor wafer, method for manufacturing ic card, and carrier
JPH1022184A (ja) * 1996-06-28 1998-01-23 Sony Corp 基板張り合わせ装置
JP2009033178A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Applied Materials Inc 軸対称及び均一熱プロファイルの真空チャック型ヒーター

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997021243A1 (en) * 1995-12-04 1997-06-12 Hitachi, Ltd. Method for processing semiconductor wafer, method for manufacturing ic card, and carrier
US6342434B1 (en) 1995-12-04 2002-01-29 Hitachi, Ltd. Methods of processing semiconductor wafer, and producing IC card, and carrier
US6573158B2 (en) 1995-12-04 2003-06-03 Hitachi, Ltd. Methods of processing semiconductor wafer and producing IC card, and carrier
US6589855B2 (en) 1995-12-04 2003-07-08 Hitachi, Ltd. Methods of processing semiconductor wafer and producing IC card, and carrier
JPH1022184A (ja) * 1996-06-28 1998-01-23 Sony Corp 基板張り合わせ装置
JP2009033178A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Applied Materials Inc 軸対称及び均一熱プロファイルの真空チャック型ヒーター
JP2014053645A (ja) * 2007-07-30 2014-03-20 Applied Materials Inc 軸対称及び均一熱プロファイルの真空チャック型ヒーター

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