JPH05335253A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH05335253A JPH05335253A JP14024692A JP14024692A JPH05335253A JP H05335253 A JPH05335253 A JP H05335253A JP 14024692 A JP14024692 A JP 14024692A JP 14024692 A JP14024692 A JP 14024692A JP H05335253 A JPH05335253 A JP H05335253A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 気相成長後における結晶基板を支持した結晶
基板支持部材の取り外しならびに載置を容易にし、か
つ、これらの破損を防止できるとともに、頻繁に装置の
洗浄を行う必要がない気相成長装置を提供することを目
的とする。 【構成】 反応管１内には回転軸２上に固定されたザグ
リ部６を有するサセプタ３が配置されており、また、サ
セプタ３の下部にはサセプタ３を介して結晶基板４を加
熱するためのヒータ７が設置されており、さらに、反応
管１の上方には成長ガスを供給するための給気口８が形
成され、反応管１の下方には反応管１内の圧力を一定に
したり未反応ガスを排気するための排気口９が設けられ
ている気相成長装置であって、上記したサセプタ３のザ
グリ部６に結晶基板４を支持した結晶基板支持部材５を
載置したとき、結晶基板支持部材５の上面の位置がサセ
プタ３の上面の位置よりも高くなるように構成すること
を特徴とする気相成長装置。
基板支持部材の取り外しならびに載置を容易にし、か
つ、これらの破損を防止できるとともに、頻繁に装置の
洗浄を行う必要がない気相成長装置を提供することを目
的とする。 【構成】 反応管１内には回転軸２上に固定されたザグ
リ部６を有するサセプタ３が配置されており、また、サ
セプタ３の下部にはサセプタ３を介して結晶基板４を加
熱するためのヒータ７が設置されており、さらに、反応
管１の上方には成長ガスを供給するための給気口８が形
成され、反応管１の下方には反応管１内の圧力を一定に
したり未反応ガスを排気するための排気口９が設けられ
ている気相成長装置であって、上記したサセプタ３のザ
グリ部６に結晶基板４を支持した結晶基板支持部材５を
載置したとき、結晶基板支持部材５の上面の位置がサセ
プタ３の上面の位置よりも高くなるように構成すること
を特徴とする気相成長装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばヘテロ構造の化
合物半導体などの製造に用いられる気相成長装置に関す
る。
合物半導体などの製造に用いられる気相成長装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図６は、結晶基板上に化合物半導体の薄
膜を気相成長させる従来の気相成長装置の概略を示した
ものである。図に示すように、反応管１０１内には回転
軸１０２上に固定されたサセプタ１０３が配置され、サ
セプタ１０３の上面には結晶基板１０４を支持した結晶
基板支持部材１０５を載置するためのザグリ部１０形成
されている。また、サセプタ１０３の下部にはサセプタ
１０３を介して結晶基板１０４を加熱するためのヒータ
１０７が設置されている。さらに、反応管１０１の上方
には成長ガスを供給するための給気口１０８が形成さ
れ、反応管１０１の下方には反応管１０１内の圧力を一
定にしたり未反応ガスを排気するための排気口１０９が
設けられている。
膜を気相成長させる従来の気相成長装置の概略を示した
ものである。図に示すように、反応管１０１内には回転
軸１０２上に固定されたサセプタ１０３が配置され、サ
セプタ１０３の上面には結晶基板１０４を支持した結晶
基板支持部材１０５を載置するためのザグリ部１０形成
されている。また、サセプタ１０３の下部にはサセプタ
１０３を介して結晶基板１０４を加熱するためのヒータ
１０７が設置されている。さらに、反応管１０１の上方
には成長ガスを供給するための給気口１０８が形成さ
れ、反応管１０１の下方には反応管１０１内の圧力を一
定にしたり未反応ガスを排気するための排気口１０９が
設けられている。
【０００３】図７は、結晶基板を支持した結晶基板支持
部材を載置したサセプタ部分を拡大した図である。図中
で、図６に示した部分と同一部分に関しては、同一番号
を付すことにより重複説明を省略する。図に示すよう
に、従来の気相成長装置においては、結晶基板支持部材
１０５の上面の位置とサセプタ１０３上面の位置を比較
すると、サセプタ１０３上面の方が高い位置にある構成
になっている。このような構成としているのは、気相成
長過程において、サセプタ１０３が高速回転（例えば１
０００ｒｐｍ程度）するため、その遠心力によりサセプ
タ１０３上から結晶基板１０４が離脱飛散するのを防止
するためである。
部材を載置したサセプタ部分を拡大した図である。図中
で、図６に示した部分と同一部分に関しては、同一番号
を付すことにより重複説明を省略する。図に示すよう
に、従来の気相成長装置においては、結晶基板支持部材
１０５の上面の位置とサセプタ１０３上面の位置を比較
すると、サセプタ１０３上面の方が高い位置にある構成
になっている。このような構成としているのは、気相成
長過程において、サセプタ１０３が高速回転（例えば１
０００ｒｐｍ程度）するため、その遠心力によりサセプ
タ１０３上から結晶基板１０４が離脱飛散するのを防止
するためである。
【０００４】次に、本装置を用いて結晶基板上に化合物
半導体の薄膜を気相成長させる方法について説明する。
結晶基板１０４を載置した結晶基板支持部材１０５をサ
セプタ１０３上のザグリ部１０６に載置する。その後、
反応管１０１をＯリング１１０を介して閉鎖することに
より反応管１０１内を機密状態にする。
半導体の薄膜を気相成長させる方法について説明する。
結晶基板１０４を載置した結晶基板支持部材１０５をサ
セプタ１０３上のザグリ部１０６に載置する。その後、
反応管１０１をＯリング１１０を介して閉鎖することに
より反応管１０１内を機密状態にする。
【０００５】次に、回転軸１０２を介して、図示しない
モータの回転により、サセプタ１０３を適宜回転させ、
反応管１０１内の空気を不活性ガスで置換した後、所定
のガス、例えば水素（Ｈ２）やアルシン（ＡｓＨ３）を
流して反応管１０１内の圧力を一定にする。そして、ヒ
ータ１０７に通電することによりサセプタ１０３を加熱
し、それによって結晶基板１０４の温度を上昇させる。
ここで、結晶基板１０４は、結晶基板支持部材１０５に
よってサセプタ１０３表面から一定の間隔を隔てた位置
に載置されているため、結晶基板１０４の温度は、サセ
プタ１０３表面からの輻射により、結晶基板１０４上で
均一かつ一定になるようになっている。このため、サセ
プタ１０３のザグリ部１０６の表面粗さは、適正値に維
持される必要がある。
モータの回転により、サセプタ１０３を適宜回転させ、
反応管１０１内の空気を不活性ガスで置換した後、所定
のガス、例えば水素（Ｈ２）やアルシン（ＡｓＨ３）を
流して反応管１０１内の圧力を一定にする。そして、ヒ
ータ１０７に通電することによりサセプタ１０３を加熱
し、それによって結晶基板１０４の温度を上昇させる。
ここで、結晶基板１０４は、結晶基板支持部材１０５に
よってサセプタ１０３表面から一定の間隔を隔てた位置
に載置されているため、結晶基板１０４の温度は、サセ
プタ１０３表面からの輻射により、結晶基板１０４上で
均一かつ一定になるようになっている。このため、サセ
プタ１０３のザグリ部１０６の表面粗さは、適正値に維
持される必要がある。
【０００６】しかる後に、給気口１０８から反応管１０
１内に成長ガス、例えばトリメチルガリウム（ＴＭＧ）
やトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を導入し、結晶基
板１０４上に化合物半導体の薄膜を気相成長させる。
１内に成長ガス、例えばトリメチルガリウム（ＴＭＧ）
やトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を導入し、結晶基
板１０４上に化合物半導体の薄膜を気相成長させる。
【０００７】ここで問題となるのは、成長ガスが図６に
示す矢印の方向に流れることにより、サセプタ１０３の
ザグリ部１０６の側壁部やサセプタ１０３および結晶基
板支持部材１０４の上面にも化合物半導体の薄膜が成長
してしまうことである。これは、気相成長の回数を重ね
るごとにその膜厚が厚くなり、そのまま放置すると、図
７に示すように顕著な反応生成物１１１となる。
示す矢印の方向に流れることにより、サセプタ１０３の
ザグリ部１０６の側壁部やサセプタ１０３および結晶基
板支持部材１０４の上面にも化合物半導体の薄膜が成長
してしまうことである。これは、気相成長の回数を重ね
るごとにその膜厚が厚くなり、そのまま放置すると、図
７に示すように顕著な反応生成物１１１となる。
【０００８】結晶基板１０４を気相成長装置内から取り
外す際には、通常、結晶基板支持部材１０５ごとサセプ
タ１０３上から取り外す。その際、上記したような反応
生成物１１１が付着していると、結晶基板支持部材１０
５がサセプタ１０３上から取り外しにくくなったり、場
合によっては取り外せなくなったりする。また、この取
り外しを無理に行おうとすると、結晶基板１０４や結晶
基板支持部材１０５を破損するおそれがある。特に、結
晶基板１０４は、厚さが３５０ミクロン程度のものであ
るため非常に破損し易く、とりわけ結晶基板１０４が砒
化ガリウム製の場合は破損する危険性が高い。さらに、
上記したような反応生成物１１１が付着していると、結
晶基板１０４を支持した結晶基板支持部材１０５をサセ
プタ１０３のザグリ部１０６内に載置する際の障害にな
ると同時に、サセプタ１０３のザグリ部１０６の表面を
汚したり、傷つけたりするおそれもある。
外す際には、通常、結晶基板支持部材１０５ごとサセプ
タ１０３上から取り外す。その際、上記したような反応
生成物１１１が付着していると、結晶基板支持部材１０
５がサセプタ１０３上から取り外しにくくなったり、場
合によっては取り外せなくなったりする。また、この取
り外しを無理に行おうとすると、結晶基板１０４や結晶
基板支持部材１０５を破損するおそれがある。特に、結
晶基板１０４は、厚さが３５０ミクロン程度のものであ
るため非常に破損し易く、とりわけ結晶基板１０４が砒
化ガリウム製の場合は破損する危険性が高い。さらに、
上記したような反応生成物１１１が付着していると、結
晶基板１０４を支持した結晶基板支持部材１０５をサセ
プタ１０３のザグリ部１０６内に載置する際の障害にな
ると同時に、サセプタ１０３のザグリ部１０６の表面を
汚したり、傷つけたりするおそれもある。
【０００９】このような事態を防止するためには、気相
成長を行うごとにサセプタ１０３を洗浄する必要があ
る。しかし、サセプタ１０３は回転軸１０２上に固定さ
れており、また、上記したようにサセプタ１０３のザグ
リ部１０６の表面粗さを適正値に維持するため、その洗
浄は慎重に行わなければならず、結晶基板１０４を交換
する度にサセプタ１０３を装置から取り外して洗浄しよ
うとすれば、作業効率を著しく低下させることにもな
る。
成長を行うごとにサセプタ１０３を洗浄する必要があ
る。しかし、サセプタ１０３は回転軸１０２上に固定さ
れており、また、上記したようにサセプタ１０３のザグ
リ部１０６の表面粗さを適正値に維持するため、その洗
浄は慎重に行わなければならず、結晶基板１０４を交換
する度にサセプタ１０３を装置から取り外して洗浄しよ
うとすれば、作業効率を著しく低下させることにもな
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来の気相成長装置においては、気相成長過程でサセプ
タ上に付着した反応生成物の影響により、結晶基板を支
持した結晶基板支持部材がサセプタ上から取り外しにく
くなったり、場合によっては取り外せなくなったりする
といった問題があった。また、この取り外しを無理に行
うと、結晶基板や結晶基板支持部材を破損するおそれも
あった。さらに、結晶基板を支持した結晶基板支持部材
をサセプタのザグリ部内に載置する際の障害になると同
時に、サセプタのザグリ部の表面を汚したり、傷つける
おそれもあった。このような事態を防止するためには気
相成長を行う度にサセプタを洗浄する必要があり、その
作業効率を著しく低下させるといった問題もあった。
従来の気相成長装置においては、気相成長過程でサセプ
タ上に付着した反応生成物の影響により、結晶基板を支
持した結晶基板支持部材がサセプタ上から取り外しにく
くなったり、場合によっては取り外せなくなったりする
といった問題があった。また、この取り外しを無理に行
うと、結晶基板や結晶基板支持部材を破損するおそれも
あった。さらに、結晶基板を支持した結晶基板支持部材
をサセプタのザグリ部内に載置する際の障害になると同
時に、サセプタのザグリ部の表面を汚したり、傷つける
おそれもあった。このような事態を防止するためには気
相成長を行う度にサセプタを洗浄する必要があり、その
作業効率を著しく低下させるといった問題もあった。
【００１１】そこで、本発明では、上記問題を解決し、
気相成長後の結晶基板および結晶基板支持部材の取り外
しならびに載置を容易にし、かつ、これらの破損を防止
できるとともに、頻繁に装置の洗浄を行う必要がない気
相成長装置を提供することを目的としている。
気相成長後の結晶基板および結晶基板支持部材の取り外
しならびに載置を容易にし、かつ、これらの破損を防止
できるとともに、頻繁に装置の洗浄を行う必要がない気
相成長装置を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、基板を支持する基板支持部材と、前記
基板支持部材を載置するザグリ部を有するサセプタとを
具備してなる気相成長装置において、前記基板支持部材
の上面の位置が前記サセプタの上面の位置よりも高くな
るように構成されていることを特徴とする気相成長装置
を提供する。
に、本発明では、基板を支持する基板支持部材と、前記
基板支持部材を載置するザグリ部を有するサセプタとを
具備してなる気相成長装置において、前記基板支持部材
の上面の位置が前記サセプタの上面の位置よりも高くな
るように構成されていることを特徴とする気相成長装置
を提供する。
【００１３】
【作用】本発明に係る気相成長装置においては、結晶基
板支持部材の上面の位置がサセプタの上面の位置よりも
高くなるように構成されているため、サセプタのザグリ
部の側壁部分には反応生成物が付着しないため、結晶基
板および結晶基板支持部材を、サセプタから取り外す際
ならびにサセプタ上のザグリ部に載置する際の障害を除
去することができる。このため、結晶基板４を交換する
際に結晶基板４を破損するおそれがなくなるとともに、
サセプタ３のザグリ部６の表面を汚したり、傷つけたり
するおそれもなくなる。これにより、気相成長の度にサ
セプタ３の洗浄を行う必要がなくなり作業効率を向上さ
せることがでる。
板支持部材の上面の位置がサセプタの上面の位置よりも
高くなるように構成されているため、サセプタのザグリ
部の側壁部分には反応生成物が付着しないため、結晶基
板および結晶基板支持部材を、サセプタから取り外す際
ならびにサセプタ上のザグリ部に載置する際の障害を除
去することができる。このため、結晶基板４を交換する
際に結晶基板４を破損するおそれがなくなるとともに、
サセプタ３のザグリ部６の表面を汚したり、傷つけたり
するおそれもなくなる。これにより、気相成長の度にサ
セプタ３の洗浄を行う必要がなくなり作業効率を向上さ
せることがでる。
【００１４】
【実施例】本発明の実施例について、図面を参照しつつ
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１５】図１は、本発明に係る気相成長装置の概略
を示したものである。図に示すように、反応管１内には
回転軸２上に固定されたサセプタ３が配置され、サセプ
タ３の上面には結晶基板４を支持した結晶基板支持部材
５を載置するためのザグリ部６が形成されている。ま
た、サセプタ３の下部にはサセプタ３を介して結晶基板
４を加熱するためのヒータ７が設置されている。さら
に、反応管１の上方には成長ガスを供給するための給気
口８が形成され、反応管１の下方には反応管１内の圧力
を一定にしたり未反応ガスを排気するための排気口９が
設けられている。
を示したものである。図に示すように、反応管１内には
回転軸２上に固定されたサセプタ３が配置され、サセプ
タ３の上面には結晶基板４を支持した結晶基板支持部材
５を載置するためのザグリ部６が形成されている。ま
た、サセプタ３の下部にはサセプタ３を介して結晶基板
４を加熱するためのヒータ７が設置されている。さら
に、反応管１の上方には成長ガスを供給するための給気
口８が形成され、反応管１の下方には反応管１内の圧力
を一定にしたり未反応ガスを排気するための排気口９が
設けられている。
【００１６】実際に気相成長をさせる際は、結晶基板４
を載置した結晶基板支持部材５をサセプタ３上のザグリ
部６に載置する。その後、反応管１をＯリング１０を介
して閉鎖することにより反応管１内を機密状態にする。
なお、本実施例により結晶基板上に化合物半導体の薄膜
を気相成長させる方法は、従来の技術において説明した
従来の気相成長装置の場合と同様なので、ここでは重複
説明を省略する。
を載置した結晶基板支持部材５をサセプタ３上のザグリ
部６に載置する。その後、反応管１をＯリング１０を介
して閉鎖することにより反応管１内を機密状態にする。
なお、本実施例により結晶基板上に化合物半導体の薄膜
を気相成長させる方法は、従来の技術において説明した
従来の気相成長装置の場合と同様なので、ここでは重複
説明を省略する。
【００１７】図２は、本発明の気相成長装置において、
結晶基板を支持した結晶基板支持部材を載置したサセプ
タ部分を拡大した図である。図中で、図１に示した部分
と同一部分に関しては、同一番号を付すことにより重複
説明を省略する。以下、各図においても同様とする。
結晶基板を支持した結晶基板支持部材を載置したサセプ
タ部分を拡大した図である。図中で、図１に示した部分
と同一部分に関しては、同一番号を付すことにより重複
説明を省略する。以下、各図においても同様とする。
【００１８】図に示すように、結晶基板支持部材５の上
面の位置とサセプタ３の上面の位置とを比較すると、結
晶基板支持部材５の上面の方が高い位置にある構成にな
っている。
面の位置とサセプタ３の上面の位置とを比較すると、結
晶基板支持部材５の上面の方が高い位置にある構成にな
っている。
【００１９】このような構成にすることにより、図に示
すように、サセプタ３のザグリ部６の側壁部分には反応
生成物１１が付着しないため、結晶基板４を支持した結
晶基板支持部材５をサセプタ３から取り外す際ならびに
サセプタ３上のザグリ部６に載置する際の障害が除去さ
れる。このため、結晶基板４を交換する際に結晶基板４
を破損するおそれがなくなるとともに、サセプタ３のザ
グリ部６の表面を汚したり、傷つけたりするおそれもな
くなる。これにより、気相成長の度にサセプタ３の洗浄
を行う必要がなくなるため作業効率を向上させることが
でる。また、気相成長過程において、サセプタ３が高速
回転（例えば１０００ｒｐｍ）する際は、結晶基板４
は、結晶基板支持部材５の内側壁に支持されるため、遠
心力により離脱飛散することはない。
すように、サセプタ３のザグリ部６の側壁部分には反応
生成物１１が付着しないため、結晶基板４を支持した結
晶基板支持部材５をサセプタ３から取り外す際ならびに
サセプタ３上のザグリ部６に載置する際の障害が除去さ
れる。このため、結晶基板４を交換する際に結晶基板４
を破損するおそれがなくなるとともに、サセプタ３のザ
グリ部６の表面を汚したり、傷つけたりするおそれもな
くなる。これにより、気相成長の度にサセプタ３の洗浄
を行う必要がなくなるため作業効率を向上させることが
でる。また、気相成長過程において、サセプタ３が高速
回転（例えば１０００ｒｐｍ）する際は、結晶基板４
は、結晶基板支持部材５の内側壁に支持されるため、遠
心力により離脱飛散することはない。
【００２０】なお、本実施例においては、結晶基板支持
部材５の内側壁にも気相成長が生じるが、一回の気相成
長過程で成長する薄膜はせいぜい１０ミクロン程度であ
り、結晶基板４を結晶基板支持部材５から取り外す際の
障害にはならない。また、結晶基板支持部材５はガラス
等の材料で製作することにより、取り外した際に、王水
等につけるだけで容易に洗浄することができるため、作
業効率を損なうことなく反応生成物１１の付着を防止す
ることができる。図３および図４は、上記実施例におい
て、結晶基板と結晶基板支持部材の位置関係を変化させ
た場合の変形例を示したものである。
部材５の内側壁にも気相成長が生じるが、一回の気相成
長過程で成長する薄膜はせいぜい１０ミクロン程度であ
り、結晶基板４を結晶基板支持部材５から取り外す際の
障害にはならない。また、結晶基板支持部材５はガラス
等の材料で製作することにより、取り外した際に、王水
等につけるだけで容易に洗浄することができるため、作
業効率を損なうことなく反応生成物１１の付着を防止す
ることができる。図３および図４は、上記実施例におい
て、結晶基板と結晶基板支持部材の位置関係を変化させ
た場合の変形例を示したものである。
【００２１】図３に示す変形例においては、結晶基板支
持部材５の上面の位置と結晶基板４の上面の位置が同じ
高さになるように構成されている。本変形例において
も、上記実施例と同様の効果が得られる。
持部材５の上面の位置と結晶基板４の上面の位置が同じ
高さになるように構成されている。本変形例において
も、上記実施例と同様の効果が得られる。
【００２２】一方、図４に示す変形例においては、結晶
基板４の上面の位置が結晶基板支持部材５の上面の位置
よりも高くなるように構成されている。本変形例におい
ても、上記実施例と同様の効果が得られる。ただし、こ
うのような構成にする場合、結晶基板支持部材５の上面
の位置が結晶基板４の厚さ方向の中心位置よりも高くな
るようにすることが望ましい。これは、気相成長過程に
おいて、サセプタ３の高速回転にともなう遠心力によ
り、サセプタ３上から結晶基板４が離脱飛散するのを防
止するためである。
基板４の上面の位置が結晶基板支持部材５の上面の位置
よりも高くなるように構成されている。本変形例におい
ても、上記実施例と同様の効果が得られる。ただし、こ
うのような構成にする場合、結晶基板支持部材５の上面
の位置が結晶基板４の厚さ方向の中心位置よりも高くな
るようにすることが望ましい。これは、気相成長過程に
おいて、サセプタ３の高速回転にともなう遠心力によ
り、サセプタ３上から結晶基板４が離脱飛散するのを防
止するためである。
【００２３】以上説明した各実施例において、サセプタ
３上のザグリ部６上に載置される結晶基板支持部材５に
は少なくとも１枚の結晶基板が載置できれば良く、複数
枚の結晶基板を同時に載置できる構造でもかまわない。
例えば、図５は、４枚の結晶基板を同時に載置できるサ
セプタを示したものである。図５（ａ）は、結晶基板４
および結晶基板支持部材５を載置したサセプタ３の上面
図、図５（ｂ）は、図５（ａ）中のＡ−Ａ断面図をそれ
ぞれ表している。図に示すようにサセプタ３には結晶基
板４および結晶基板支持部材５を載置するためのザグリ
部６が形成され、そこに結晶基板４を４枚載置すること
が可能な結晶基板支持部材５が載置されている。
３上のザグリ部６上に載置される結晶基板支持部材５に
は少なくとも１枚の結晶基板が載置できれば良く、複数
枚の結晶基板を同時に載置できる構造でもかまわない。
例えば、図５は、４枚の結晶基板を同時に載置できるサ
セプタを示したものである。図５（ａ）は、結晶基板４
および結晶基板支持部材５を載置したサセプタ３の上面
図、図５（ｂ）は、図５（ａ）中のＡ−Ａ断面図をそれ
ぞれ表している。図に示すようにサセプタ３には結晶基
板４および結晶基板支持部材５を載置するためのザグリ
部６が形成され、そこに結晶基板４を４枚載置すること
が可能な結晶基板支持部材５が載置されている。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
結晶基板を支持した結晶基板支持部材をサセプタから取
り外す際ならびに載置する際の障害が除去されるため、
結晶基板を交換する際に結晶基板を破損するおそれがな
くなるとともに、サセプタのザグリ部の表面を傷つける
おそれもなくなる。これにより、気相成長の度にサセプ
タの洗浄を行う必要がなくなり作業効率を向上させるこ
とがでる。
結晶基板を支持した結晶基板支持部材をサセプタから取
り外す際ならびに載置する際の障害が除去されるため、
結晶基板を交換する際に結晶基板を破損するおそれがな
くなるとともに、サセプタのザグリ部の表面を傷つける
おそれもなくなる。これにより、気相成長の度にサセプ
タの洗浄を行う必要がなくなり作業効率を向上させるこ
とがでる。
【図１】本発明の実施例に係る気相成長装置の概略図。
【図２】同実施例に係る気相成長装置のサセプタ部分の
拡大図。
拡大図。
【図３】同実施例の変形例に係る気相成長装置のサセプ
タ部分の拡大図。
タ部分の拡大図。
【図４】同実施例の変形例に係る気相成長装置のサセプ
タ部分の拡大図。
タ部分の拡大図。
【図５】４枚の結晶基板を同時に載置した同実施例に係
る気相成長装置のサセプタ部分を示した図。
る気相成長装置のサセプタ部分を示した図。
【図６】従来の気相成長装置の概略図。
【図７】従来の気相成長装置のサセプタ部分の拡大図。
１，１０１ 反応管 ２，１０２ 回転軸 ３，１０３ サセプタ ４，１０４ 結晶基板 ５，１０５ 結晶基板支持部材 ６，１０６ ザグリ部 ７，１０７ ヒータ ８，１０８ 給気孔 ９，１０９ 排気孔 １０，１１０ Ｏリング １１，１１１ 反応生成物
Claims (1)
- 【請求項１】 基板を支持するための基板支持部材と、
この基板支持部材を載置するザグリ部を有するサセプタ
とを具備してなる気相成長装置において、前記基板支持
部材の上面の位置が前記サセプタの上面の位置よりも高
くなるように構成されていることを特徴とする気相成長
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14024692A JPH05335253A (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14024692A JPH05335253A (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335253A true JPH05335253A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15264318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14024692A Pending JPH05335253A (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335253A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5830277A (en) * | 1995-05-26 | 1998-11-03 | Mattson Technology, Inc. | Thermal processing system with supplemental resistive heater and shielded optical pyrometry |
| JP2000021788A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 薄膜成長装置およびこれを用いた薄膜成長方法 |
| JP2006049770A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
| JP2009200322A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Hitachi Cable Ltd | 化合物半導体エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法 |
| CN102144280A (zh) * | 2008-08-29 | 2011-08-03 | 威科仪器有限公司 | 具有变化热阻的晶片载体 |
| JP2014216605A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | 住友電気工業株式会社 | 半導体基板の製造方法および製造装置 |
| US10167571B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-01 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems |
| US10316412B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-06-11 | Veeco Instruments Inc. | Wafter carrier for chemical vapor deposition systems |
-
1992
- 1992-06-01 JP JP14024692A patent/JPH05335253A/ja active Pending
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| JP2012501541A (ja) * | 2008-08-29 | 2012-01-19 | ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド | 一様でない熱抵抗を有するウエハキャリア |
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