JP3116290B2 - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JP3116290B2 JP3116290B2 JP04084624A JP8462492A JP3116290B2 JP 3116290 B2 JP3116290 B2 JP 3116290B2 JP 04084624 A JP04084624 A JP 04084624A JP 8462492 A JP8462492 A JP 8462492A JP 3116290 B2 JP3116290 B2 JP 3116290B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、基板上に薄膜をエピ
タキシャル成長などにより形成する薄膜形成装置に関す
る。
タキシャル成長などにより形成する薄膜形成装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、真空容器内にシリコンウェハー等
の基板を配置し、該基板を所定の温度に加熱すると共
に、真空容器内にＳｉＨ4 （シラン）、Ｓｉ2 Ｈ6 （ジ
シラン）等の反応ガスを導入して、基板表面にシリコン
膜その他の薄膜を堆積させるようにした薄膜形成装置が
知られている（例えば特開平１−２５７３２２号、同２
３０２２５号、同２３０２２６号）。
の基板を配置し、該基板を所定の温度に加熱すると共
に、真空容器内にＳｉＨ4 （シラン）、Ｓｉ2 Ｈ6 （ジ
シラン）等の反応ガスを導入して、基板表面にシリコン
膜その他の薄膜を堆積させるようにした薄膜形成装置が
知られている（例えば特開平１−２５７３２２号、同２
３０２２５号、同２３０２２６号）。
【０００３】このような薄膜形成装置では、基板表面以
外でも高温部分（基板加熱手段、基板保持手段等）には
反応ガスから生成した薄膜が堆積し、薄膜形成を繰り返
して、堆積膜が厚くなるに従って、下地との応力差が大
きくなり、膜剥離を起して、基板表面に形成した薄膜に
有害な塵の原因となっていた。
外でも高温部分（基板加熱手段、基板保持手段等）には
反応ガスから生成した薄膜が堆積し、薄膜形成を繰り返
して、堆積膜が厚くなるに従って、下地との応力差が大
きくなり、膜剥離を起して、基板表面に形成した薄膜に
有害な塵の原因となっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】出願人は、前記のよう
に、基板表面以外の高温部分に薄膜が堆積することに起
因する問題点を解決する目的で、内側縁が基板の縁部を
支持し、外側縁が真空容器の内壁に設けたリムに当接す
るようにした環状部材を有する基板保持手段を備え、前
記基板および環状部材で仕切られた、真空容器の一方の
空間（第一の真空槽）に基板加熱手段が設置されると共
に、他方の空間（第二の真空槽）に、薄膜形成の為のガ
ス供給手段を接続してなる薄膜形成装置を提案した（特
願平２−２５３１９１号）。
に、基板表面以外の高温部分に薄膜が堆積することに起
因する問題点を解決する目的で、内側縁が基板の縁部を
支持し、外側縁が真空容器の内壁に設けたリムに当接す
るようにした環状部材を有する基板保持手段を備え、前
記基板および環状部材で仕切られた、真空容器の一方の
空間（第一の真空槽）に基板加熱手段が設置されると共
に、他方の空間（第二の真空槽）に、薄膜形成の為のガ
ス供給手段を接続してなる薄膜形成装置を提案した（特
願平２−２５３１９１号）。
【０００５】薄膜形成の為に導入した反応ガスが、基板
加熱手段を設置した第一の真空槽に流入しないようにし
たものである。
加熱手段を設置した第一の真空槽に流入しないようにし
たものである。
【０００６】この装置では、前記基板保持手段の環状部
材を、基板表面に堆積する薄膜と同一物質による材料、
即ち、シリコン系のエピタキシャル膜を堆積させる場合
には、シリコン製環状部材とし、この環状部材内に、基
板とリムの温度差による温度勾配を与えるようにして、
基板および環状部材以外の部材を低温状態にできるよう
にしていた。
材を、基板表面に堆積する薄膜と同一物質による材料、
即ち、シリコン系のエピタキシャル膜を堆積させる場合
には、シリコン製環状部材とし、この環状部材内に、基
板とリムの温度差による温度勾配を与えるようにして、
基板および環状部材以外の部材を低温状態にできるよう
にしていた。
【０００７】然し乍ら、前記環状部材を多結晶シリコン
製とした場合、材料そのものが、既に内部応力（残留応
力）を有しており、この環状部材内に温度勾配による応
力を加えることによって、クラック等の破壊が生じる問
題点があり、基板加熱に許容される温度領域が制限され
ていた。又、環状部材に温度勾配を与えないように基板
加熱手段を大型のものとすると、前記リムの部分が高温
となって、塵の原因となる薄膜が堆積し、前記装置の目
的が阻害されていた。
製とした場合、材料そのものが、既に内部応力（残留応
力）を有しており、この環状部材内に温度勾配による応
力を加えることによって、クラック等の破壊が生じる問
題点があり、基板加熱に許容される温度領域が制限され
ていた。又、環状部材に温度勾配を与えないように基板
加熱手段を大型のものとすると、前記リムの部分が高温
となって、塵の原因となる薄膜が堆積し、前記装置の目
的が阻害されていた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、以上のよう
な問題点に鑑みてなされたもので、基板保持手段を構成
した環状部材に堆積した膜が、剥離して塵の原因となる
のを防止すると共に、前記環状部材に温度勾配を与えて
も破壊するおそれが無く、従って高い温度領域において
も薄膜の形成が可能な装置を提供することを目的として
いる。
な問題点に鑑みてなされたもので、基板保持手段を構成
した環状部材に堆積した膜が、剥離して塵の原因となる
のを防止すると共に、前記環状部材に温度勾配を与えて
も破壊するおそれが無く、従って高い温度領域において
も薄膜の形成が可能な装置を提供することを目的として
いる。
【０００９】斯る目的を達成するこの発明の薄膜形成装
置は、環状部材の内側縁が基板の縁部を支持し、該環状
部材の外側縁が真空容器の内壁に設けたリムに当接する
ようにした基板保持手段を備え、前記基板および環状部
材で仕切られた、前記真空容器の一方の空間に、基板加
熱手段が設置されると共に、前記真空容器の他方の空間
に、薄膜形成の為のガス供給手段を接続してなる薄膜形
成装置において、前記環状部材が、前記基板表面に堆積
する薄膜と同一物質の単結晶で構成してあることを特徴
とした薄膜形成装置である。
置は、環状部材の内側縁が基板の縁部を支持し、該環状
部材の外側縁が真空容器の内壁に設けたリムに当接する
ようにした基板保持手段を備え、前記基板および環状部
材で仕切られた、前記真空容器の一方の空間に、基板加
熱手段が設置されると共に、前記真空容器の他方の空間
に、薄膜形成の為のガス供給手段を接続してなる薄膜形
成装置において、前記環状部材が、前記基板表面に堆積
する薄膜と同一物質の単結晶で構成してあることを特徴
とした薄膜形成装置である。
【００１０】又、この発明の薄膜形成装置は、環状部材
の内側縁が基板の縁部を支持し、該環状部材の外側縁が
真空容器の内壁に設けたリムに当接するようした基板保
持手段を備え、前記基板および環状部材で仕切られた、
前記真空容器の一方の空間に基板加熱手段が設置される
と共に、前記真空容器の他方の空間に、薄膜形成の為の
ガス供給手段を接続してなる薄膜形成装置において、前
記環状部材が同心状に配された複数のリングで構成さ
れ、各リングが前記基板表面に堆積する薄膜と同一物質
の単結晶又は多結晶で構成してあることを特徴とした薄
膜形成装置である。
の内側縁が基板の縁部を支持し、該環状部材の外側縁が
真空容器の内壁に設けたリムに当接するようした基板保
持手段を備え、前記基板および環状部材で仕切られた、
前記真空容器の一方の空間に基板加熱手段が設置される
と共に、前記真空容器の他方の空間に、薄膜形成の為の
ガス供給手段を接続してなる薄膜形成装置において、前
記環状部材が同心状に配された複数のリングで構成さ
れ、各リングが前記基板表面に堆積する薄膜と同一物質
の単結晶又は多結晶で構成してあることを特徴とした薄
膜形成装置である。
【００１１】更に、基板表面にシリコン膜を形成する場
合に好適なこの発明の薄膜形成装置は、環状部材の内側
縁が基板の縁部を支持し、該環状部材の外側縁が真空容
器の内壁に設けたリムに当接するようした基板保持手段
を備え、前記基板および環状部材で仕切られた、前記真
空容器の一方の空間に基板加熱手段が設置されると共
に、前記真空容器の他方の空間に、薄膜形成の為のガス
供給手段を接続してなる薄膜形成装置において、前記環
状部材が同心状に配された複数のリングで構成され、各
リングが基板側からリム側に向って、シリコン単結晶、
シリコン多結晶、石英製と変化させたことを特徴とした
薄膜形成装置である。
合に好適なこの発明の薄膜形成装置は、環状部材の内側
縁が基板の縁部を支持し、該環状部材の外側縁が真空容
器の内壁に設けたリムに当接するようした基板保持手段
を備え、前記基板および環状部材で仕切られた、前記真
空容器の一方の空間に基板加熱手段が設置されると共
に、前記真空容器の他方の空間に、薄膜形成の為のガス
供給手段を接続してなる薄膜形成装置において、前記環
状部材が同心状に配された複数のリングで構成され、各
リングが基板側からリム側に向って、シリコン単結晶、
シリコン多結晶、石英製と変化させたことを特徴とした
薄膜形成装置である。
【００１２】
【作用】環状部材を、基板表面に堆積する薄膜と同一物
質の単結晶で構成したこの発明の薄膜形成装置によれ
ば、環状部材上に堆積した薄膜と下地の応力差を無く
し、膜の剥離を防止できると共に、単結晶の環状部材に
は残留応力が無いので、温度上昇もしくは温度勾配に起
因する内部応力が生じても、この応力に耐える余裕があ
る。
質の単結晶で構成したこの発明の薄膜形成装置によれ
ば、環状部材上に堆積した薄膜と下地の応力差を無く
し、膜の剥離を防止できると共に、単結晶の環状部材に
は残留応力が無いので、温度上昇もしくは温度勾配に起
因する内部応力が生じても、この応力に耐える余裕があ
る。
【００１３】環状部材を、同心状に配された複数のリン
グで構成し、各リングを基板表面に堆積する薄膜と同一
物質の単結晶又は多結晶としたこの発明の薄膜形成装置
によれば、前記と同様、膜の剥離を防止できると共に、
各リングの嵌合部で大きな温度勾配を持たせることがで
きるので、各リング自体の内部応力を低減することがで
きる。
グで構成し、各リングを基板表面に堆積する薄膜と同一
物質の単結晶又は多結晶としたこの発明の薄膜形成装置
によれば、前記と同様、膜の剥離を防止できると共に、
各リングの嵌合部で大きな温度勾配を持たせることがで
きるので、各リング自体の内部応力を低減することがで
きる。
【００１４】
【実施例】以下、この発明の実施例を図を参照して説明
する。
する。
【００１５】尚、図面は、この発明が理解できる程度に
各構成部材の大きさ、形状および配置関係を概略的に示
してあるにすぎない。
各構成部材の大きさ、形状および配置関係を概略的に示
してあるにすぎない。
【００１６】図１は、Ｓｉ2 Ｈ6 ガスを用いて、基板表
面にシリコン膜を堆積させるようにした、実施例の薄膜
形成装置であって、真空容器１内に円盤状のシリコン基
板２を支持する為に、基板保持手段３が設置してある。
基板保持手段３は、環状部材４、支柱５および直線導入
機６で構成されているもので、環状部材４に植設した支
柱５のうち、１本の支柱５が真空容器１の上部に設置し
た直線導入機６に連結されて、直線導入機６を介して環
状部材４が上下の方向に移動できるようになっている。
支柱５、５は、上下の方向の移動が、ガイド板７で案内
されるようになっている。
面にシリコン膜を堆積させるようにした、実施例の薄膜
形成装置であって、真空容器１内に円盤状のシリコン基
板２を支持する為に、基板保持手段３が設置してある。
基板保持手段３は、環状部材４、支柱５および直線導入
機６で構成されているもので、環状部材４に植設した支
柱５のうち、１本の支柱５が真空容器１の上部に設置し
た直線導入機６に連結されて、直線導入機６を介して環
状部材４が上下の方向に移動できるようになっている。
支柱５、５は、上下の方向の移動が、ガイド板７で案内
されるようになっている。
【００１７】環状部材４はシリコン単結晶で構成してあ
り、内側縁に基板２の縁部を支持する環状の段部４ａが
設けてあると共に、外側縁には、真空容器１の内壁に設
けたリム８と嵌合する環状の段部４ｂが設けてある。
り、内側縁に基板２の縁部を支持する環状の段部４ａが
設けてあると共に、外側縁には、真空容器１の内壁に設
けたリム８と嵌合する環状の段部４ｂが設けてある。
【００１８】然して、環状部材４に基板２を保持させ、
かつ外側縁をリム８に嵌合させると、真空容器１は上下
２つの空間に仕切られるようになっている。上部の空間
（第１の真空槽）１ａおよび下部の空間（第２の真空
槽）１ｂには、夫々、排気の為のターボ分子ポンプ９お
よび１０が接続されて、各真空槽１ａ、１ｂが独立に排
気できるようになっている。この実施例ではターボ分子
ポンプ９の排気能力は３００ｌ／ｓｅｃ、ターボ分子ポ
ンプ１０の排気能力は１０００ｌ／ｓｅｃとした。
かつ外側縁をリム８に嵌合させると、真空容器１は上下
２つの空間に仕切られるようになっている。上部の空間
（第１の真空槽）１ａおよび下部の空間（第２の真空
槽）１ｂには、夫々、排気の為のターボ分子ポンプ９お
よび１０が接続されて、各真空槽１ａ、１ｂが独立に排
気できるようになっている。この実施例ではターボ分子
ポンプ９の排気能力は３００ｌ／ｓｅｃ、ターボ分子ポ
ンプ１０の排気能力は１０００ｌ／ｓｅｃとした。
【００１９】第１の真空槽１ａの内側には、筒状のホル
ダ１１で支持された基板加熱手段１２が、基板２に対向
するように設置してある。基板加熱手段１２は、ヒータ
１３と直流電源１４で構成した。
ダ１１で支持された基板加熱手段１２が、基板２に対向
するように設置してある。基板加熱手段１２は、ヒータ
１３と直流電源１４で構成した。
【００２０】図２は、前記基板加熱手段１２と基板２の
対向部分の概略を示したもので、ホルダ１１と一体の容
器１５の下面に石英製の受け皿１６が設けられ、該受け
皿１６に、前記ヒータ１３を載置して、ヒータ１３の熱
線が受け皿１６を通して基板２に放射されるようになっ
ている。受け皿１６と基板２は略同一の径としてあり、
互いに正対するようになっている。
対向部分の概略を示したもので、ホルダ１１と一体の容
器１５の下面に石英製の受け皿１６が設けられ、該受け
皿１６に、前記ヒータ１３を載置して、ヒータ１３の熱
線が受け皿１６を通して基板２に放射されるようになっ
ている。受け皿１６と基板２は略同一の径としてあり、
互いに正対するようになっている。
【００２１】一方、第２の真空槽１ｂには、側壁を貫通
してガス導入管１７が導入してあり、先端のノズル１８
を上向きとして、基板２と対向するようにしてあり、ガ
ス導入管１７とノズル１８でガス供給手段を構成してい
る。
してガス導入管１７が導入してあり、先端のノズル１８
を上向きとして、基板２と対向するようにしてあり、ガ
ス導入管１７とノズル１８でガス供給手段を構成してい
る。
【００２２】上記実施例の薄膜形成装置において、基板
２を基板加熱手段１２を介して所定の温度（例えば８０
０℃）に加熱すると共に、ガス導入管１７を通してＳｉ
2 Ｈ6 ガスを基板２に吹き付けると、基板２の表面にシ
リコンの薄膜が堆積する。導入したＳｉ2 Ｈ6 ガスは第
１の真空槽１ａには流れないので、高温になる基板加熱
手段１２にはシリコンの析出は起らない。
２を基板加熱手段１２を介して所定の温度（例えば８０
０℃）に加熱すると共に、ガス導入管１７を通してＳｉ
2 Ｈ6 ガスを基板２に吹き付けると、基板２の表面にシ
リコンの薄膜が堆積する。導入したＳｉ2 Ｈ6 ガスは第
１の真空槽１ａには流れないので、高温になる基板加熱
手段１２にはシリコンの析出は起らない。
【００２３】又、基板加熱手段１２は、基板２と略同一
の径としたので、基板２が限定的に加熱され、かつ基板
保持機構３の環状部材４の部分において、低温のリム８
との間の温度勾配が形成される。この結果、リム８には
シリコンの析出を無くし、塵の原因となるのを防ぐこと
ができる。環状部材４は、第２の真空槽１ｂに露出した
部分にシリコンが析出するが、析出した薄膜と環状部材
４は同一物質であるので、加熱時の応力差が無く、析出
した薄膜の剥離を防ぐことができる。そして更に、シリ
コン単結晶による環状部材の残留応力は無いので、温度
勾配による内部応力が生じても、クラック等を生じるお
それを少くでき、基板２に許容される加熱温度領域を大
きくすることができる。
の径としたので、基板２が限定的に加熱され、かつ基板
保持機構３の環状部材４の部分において、低温のリム８
との間の温度勾配が形成される。この結果、リム８には
シリコンの析出を無くし、塵の原因となるのを防ぐこと
ができる。環状部材４は、第２の真空槽１ｂに露出した
部分にシリコンが析出するが、析出した薄膜と環状部材
４は同一物質であるので、加熱時の応力差が無く、析出
した薄膜の剥離を防ぐことができる。そして更に、シリ
コン単結晶による環状部材の残留応力は無いので、温度
勾配による内部応力が生じても、クラック等を生じるお
それを少くでき、基板２に許容される加熱温度領域を大
きくすることができる。
【００２４】次に、図３は、前記環状部材４を、同心状
に配された複数のリング４ｃ、４ｄ、４ｅで構成した実
施例である。各リング４ｃ、４ｄ、４ｅは内外縁に形成
した環状段部による嵌合部１９で係合してある。リング
４ｃは単結晶シリコン製、リング４ｄ、４ｅは多結晶シ
リコン製とした。図３（ｂ）は基板２を８００℃に加熱
した時の温度分布である。
に配された複数のリング４ｃ、４ｄ、４ｅで構成した実
施例である。各リング４ｃ、４ｄ、４ｅは内外縁に形成
した環状段部による嵌合部１９で係合してある。リング
４ｃは単結晶シリコン製、リング４ｄ、４ｅは多結晶シ
リコン製とした。図３（ｂ）は基板２を８００℃に加熱
した時の温度分布である。
【００２５】この実施例によれば、環状部材４内で形成
される温度勾配を、ほとんどリング４ｃ、４ｄ、４ｅの
嵌合部１９で吸収し、各リング内には急峻な温度勾配が
形成されないようにし、加熱時に生ずる内部応力を抑制
することができる。単結晶シリコンと多結晶シリコンの
熱膨張率は、ほぼ同一である。しかし、多結晶シリコン
は製造時に、内部に応力が残留応力として残るので、実
際に加熱した時の内部応力は、温度勾配から計算される
値より大きくなり、これが原因となって破壊が起る。こ
れに対して単結晶シリコンは、残留応力が無いので、温
度勾配によって生ずる内部応力に十分耐えることができ
る。従って、高温側となる基板側のリング４ｃを単結晶
シリコン製とし、比較的低温であるリング４ｂ、４ｅを
多結晶シリコン製とすることが有効であり、コスト的に
も有利である。尚、各リングに析出したシリコン薄膜と
リング間では応力差が生じないので、剥離が生じるおそ
れが無いのは、前記の実施例と同様である。
される温度勾配を、ほとんどリング４ｃ、４ｄ、４ｅの
嵌合部１９で吸収し、各リング内には急峻な温度勾配が
形成されないようにし、加熱時に生ずる内部応力を抑制
することができる。単結晶シリコンと多結晶シリコンの
熱膨張率は、ほぼ同一である。しかし、多結晶シリコン
は製造時に、内部に応力が残留応力として残るので、実
際に加熱した時の内部応力は、温度勾配から計算される
値より大きくなり、これが原因となって破壊が起る。こ
れに対して単結晶シリコンは、残留応力が無いので、温
度勾配によって生ずる内部応力に十分耐えることができ
る。従って、高温側となる基板側のリング４ｃを単結晶
シリコン製とし、比較的低温であるリング４ｂ、４ｅを
多結晶シリコン製とすることが有効であり、コスト的に
も有利である。尚、各リングに析出したシリコン薄膜と
リング間では応力差が生じないので、剥離が生じるおそ
れが無いのは、前記の実施例と同様である。
【００２６】前記の同心状に配した複数のリングは、数
を多くするのに従って、夫々のリング内の温度勾配を小
さくすることができる。従って、基板側のリング４ｃ
も、内部応力が小さくなるように細分化して多結晶シリ
コン製とすることも可能である図４は、環状部材４を複
数のリングとした場合の他の実施例で、基板２側から単
結晶シリコン製のリング４ｆ、多結晶シリコン製のリン
グ４ｇ、石英製のリング４ｈとしたものである。基板２
はリング４ｆにＡ部で密着して載置されるようにしてあ
る。又、環状部材４の昇降の為の支柱５が第２の真空槽
１ｂ側に露出しないようにする為、リング４ｇに連結片
２０を、Ｂ部で固着し、該連結片２０と支柱５が連結さ
れている。
を多くするのに従って、夫々のリング内の温度勾配を小
さくすることができる。従って、基板側のリング４ｃ
も、内部応力が小さくなるように細分化して多結晶シリ
コン製とすることも可能である図４は、環状部材４を複
数のリングとした場合の他の実施例で、基板２側から単
結晶シリコン製のリング４ｆ、多結晶シリコン製のリン
グ４ｇ、石英製のリング４ｈとしたものである。基板２
はリング４ｆにＡ部で密着して載置されるようにしてあ
る。又、環状部材４の昇降の為の支柱５が第２の真空槽
１ｂ側に露出しないようにする為、リング４ｇに連結片
２０を、Ｂ部で固着し、該連結片２０と支柱５が連結さ
れている。
【００２７】この実施例でも、環状部材４の温度勾配を
各リングの嵌合部に形成し、夫々のリング内の温度勾配
を小さくして、内部応力を抑制することができる。
各リングの嵌合部に形成し、夫々のリング内の温度勾配
を小さくして、内部応力を抑制することができる。
【００２８】以上、基板２の表面にシリコン薄膜を形成
する場合の、いくつかの実施例を説明したが、他の物質
の薄膜を形成する場合でも、同様に実施することができ
る。例えばアルミニウム膜の形成ではアルミニウム材の
単結晶、多結晶で環状部材４を構成する如くである。
する場合の、いくつかの実施例を説明したが、他の物質
の薄膜を形成する場合でも、同様に実施することができ
る。例えばアルミニウム膜の形成ではアルミニウム材の
単結晶、多結晶で環状部材４を構成する如くである。
【００２９】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、基板を支持した環状部材に堆積した薄膜の剥離を防
止して、有害な塵の発生を防止できると共に、環状部材
が、基板の加熱時の内部応力で破壊しないようにできる
ので、基板加熱温度領域の拡大、基板温度の昇温又は降
温の急激な制御なども可能にするなどの効果がある。
ば、基板を支持した環状部材に堆積した薄膜の剥離を防
止して、有害な塵の発生を防止できると共に、環状部材
が、基板の加熱時の内部応力で破壊しないようにできる
ので、基板加熱温度領域の拡大、基板温度の昇温又は降
温の急激な制御なども可能にするなどの効果がある。
【図１】この発明の実施例の概略断面図である。
【図２】同じく実施例の一部拡大断面図である。
【図３】この発明の他の実施例で、（ａ）は一部拡大断
面図、（ｂ）は温度分布のグラフである。
面図、（ｂ）は温度分布のグラフである。
【図４】この発明の更に他の実施例の一部拡大断面図で
ある。
ある。
１ 真空容器 １ａ 第１の真空槽 １ｂ 第２の真空槽 ２ 基板 ３ 基板保持機構 ４ 環状部材 ４ｃ、４ｄ、４ｅ、４ｆ、４ｇ、４ｈ リング ８ リム １２ 基板加熱手段 １３ ヒータ １７ ガス導入管 １８ ノズル
Claims (3)
- 【請求項１】 環状部材の内側縁が基板の縁部を支持
し、該環状部材の外側縁が真空容器の内壁に設けたリム
に当接するようした基板保持手段を備え、前記基板およ
び環状部材で仕切られた、前記真空容器の一方の空間に
基板加熱手段が設置されると共に、前記真空容器の他方
の空間に、薄膜形成の為のガス供給手段を接続してなる
薄膜形成装置において、前記環状部材が、前記基板表面
に堆積する薄膜と同一物質の単結晶で構成してあること
を特徴とした薄膜形成装置。 - 【請求項２】 環状部材の内側縁が基板の縁部を支持
し、該環状部材の外側縁が真空容器の内壁に設けたリム
に当接するようした基板保持手段を備え、前記基板およ
び環状部材で仕切られた、前記真空容器の一方の空間に
基板加熱手段が設置されると共に、前記真空容器の他方
の空間に、薄膜形成の為のガス供給手段を接続してなる
薄膜形成装置において、前記環状部材が、同心状に配さ
れた複数のリングで構成され，各リングが、前記基板表
面に堆積する薄膜と同一物質の単結晶又は多結晶で構成
してあることを特徴とした薄膜形成装置。 - 【請求項３】 環状部材の内側縁が基板の縁部を支持
し、該環状部材の外側縁が真空容器の内壁に設けたリム
に当接するようした基板保持手段を備え、前記基板およ
び環状部材で仕切られた、前記真空容器の一方の空間に
基板加熱手段が設置されると共に、前記真空容器の他方
の空間に、薄膜形成の為のガス供給手段を接続してなる
薄膜形成装置において、前記環状部材が、同心状に配さ
れた複数のリングで構成され、各リングが基板側からリ
ム側に向って、シリコン単結晶、シリコン多結晶、石英
製と変化させたことを特徴とした薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04084624A JP3116290B2 (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04084624A JP3116290B2 (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251370A JPH05251370A (ja) | 1993-09-28 |
| JP3116290B2 true JP3116290B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=13835835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04084624A Expired - Fee Related JP3116290B2 (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3116290B2 (ja) |
-
1992
- 1992-03-06 JP JP04084624A patent/JP3116290B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05251370A (ja) | 1993-09-28 |
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