JPH0562912A - 気相成長装置及び装置内のクリーニング方法 - Google Patents
気相成長装置及び装置内のクリーニング方法Info
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- JPH0562912A JPH0562912A JP3223906A JP22390691A JPH0562912A JP H0562912 A JPH0562912 A JP H0562912A JP 3223906 A JP3223906 A JP 3223906A JP 22390691 A JP22390691 A JP 22390691A JP H0562912 A JPH0562912 A JP H0562912A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板ホルダに堆積した堆積物を除去する際
に、基板ホルダの基板が載置されていた部分の腐食等を
防止する。 【構成】 基板４に半導体薄膜を気相成長させた後、基
板受け２０で基板ホルダ１上の基板４を第１予備室１６
に収納する。そして、第２予備室１７から基板ホルダ保
護板２３を基板ホルダ１の基板４が載置されていた部分
に載置して、反応炉３内にエッチングガス供給装置９か
らエッチングガスを流し、基板ホルダ１に堆積した堆積
物を除去する。
に、基板ホルダの基板が載置されていた部分の腐食等を
防止する。 【構成】 基板４に半導体薄膜を気相成長させた後、基
板受け２０で基板ホルダ１上の基板４を第１予備室１６
に収納する。そして、第２予備室１７から基板ホルダ保
護板２３を基板ホルダ１の基板４が載置されていた部分
に載置して、反応炉３内にエッチングガス供給装置９か
らエッチングガスを流し、基板ホルダ１に堆積した堆積
物を除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体等の製造に用い
られる気相成長装置に関する。
られる気相成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】反応炉内にガス（原料ガス，キャリアガ
ス等）を供給し前記反応炉内に配置した基板ホルダ上の
基板に薄膜を気相成長させる気相成長装置では、基板に
薄膜を気相成長させる際に、反応炉内特に基板ホルダ上
に半導体薄膜等の堆積物が堆積する。
ス等）を供給し前記反応炉内に配置した基板ホルダ上の
基板に薄膜を気相成長させる気相成長装置では、基板に
薄膜を気相成長させる際に、反応炉内特に基板ホルダ上
に半導体薄膜等の堆積物が堆積する。
【０００３】このように基板ホルダ上に堆積物が堆積す
ると、基板に気相成長させる際に前記堆積物が剥離する
ことによって、基板上に剥離した堆積物が付着して薄膜
の膜組成に悪影響を及ぼす。
ると、基板に気相成長させる際に前記堆積物が剥離する
ことによって、基板上に剥離した堆積物が付着して薄膜
の膜組成に悪影響を及ぼす。
【０００４】また、堆積物の厚みが大きくなると、成長
した膜の膜厚分布等の均一性も悪化するようになる。
した膜の膜厚分布等の均一性も悪化するようになる。
【０００５】このため、反応炉内の基板ホルダ等に堆積
した堆積物を定期的に除去する必要があり、従来は基板
ホルダから基板を取外した状態で反応炉内に、エッチン
グガス（例えばＨＣｌ）をキャリアガス（例えばＨ2 ）
と共に供給して基板ホルダ等に堆積した堆積物を除去し
ていた。
した堆積物を定期的に除去する必要があり、従来は基板
ホルダから基板を取外した状態で反応炉内に、エッチン
グガス（例えばＨＣｌ）をキャリアガス（例えばＨ2 ）
と共に供給して基板ホルダ等に堆積した堆積物を除去し
ていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
気相成長装置では、図４に示すように基板ホルダ１の外
周側には堆積物２が堆積しているが、その内側の基板が
載置されていた部分１ａには堆積物はないので、基板ホ
ルダ１に堆積した堆積物２をエッチングガスで除去する
際に、基板ホルダ１の基板が載置されていた部分１ａは
エッチングガスに直接触れる。
気相成長装置では、図４に示すように基板ホルダ１の外
周側には堆積物２が堆積しているが、その内側の基板が
載置されていた部分１ａには堆積物はないので、基板ホ
ルダ１に堆積した堆積物２をエッチングガスで除去する
際に、基板ホルダ１の基板が載置されていた部分１ａは
エッチングガスに直接触れる。
【０００７】このため、基板ホルダ１がエッチングガス
によって腐食されることにより、基板ホルダ１の寿命が
短くなる問題点があった。また、基板ホルダ１が腐食さ
れることにより、基板ホルダ１が例えばＳｉＣコートさ
れている場合には、このＳｉＣコートはエッチングガス
（例えばＨＣｌ）で徐々に腐食されることによって、基
板ホルダ中の微量の不純物が放出され、気相成長時に基
板に付着して薄膜の膜組成に悪影響を及ぼす。
によって腐食されることにより、基板ホルダ１の寿命が
短くなる問題点があった。また、基板ホルダ１が腐食さ
れることにより、基板ホルダ１が例えばＳｉＣコートさ
れている場合には、このＳｉＣコートはエッチングガス
（例えばＨＣｌ）で徐々に腐食されることによって、基
板ホルダ中の微量の不純物が放出され、気相成長時に基
板に付着して薄膜の膜組成に悪影響を及ぼす。
【０００８】また、基板ホルダ１上の堆積物２を完全に
除去するために、堆積物２が基板ホルダ１上からほぼ除
去された後も一定時間エッチングガスが供給されていた
ので、基板ホルダ１が腐食されることによって基板ホル
ダ１中の微量の不純物が放出されることにより、気相成
長時に不純物が基板に付着して薄膜の膜組成に悪影響を
及ぼす。
除去するために、堆積物２が基板ホルダ１上からほぼ除
去された後も一定時間エッチングガスが供給されていた
ので、基板ホルダ１が腐食されることによって基板ホル
ダ１中の微量の不純物が放出されることにより、気相成
長時に不純物が基板に付着して薄膜の膜組成に悪影響を
及ぼす。
【０００９】本発明は上記した課題を解決する目的でな
され、反応炉内の堆積物を除去する際に基板ホルダに悪
影響を与えることなく、基板ホルダ上の堆積物を良好に
除去することができる気相成長装置を提供しようとする
ものである。
され、反応炉内の堆積物を除去する際に基板ホルダに悪
影響を与えることなく、基板ホルダ上の堆積物を良好に
除去することができる気相成長装置を提供しようとする
ものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記した課題を解決する
ために第１の本発明は、反応炉内に原料ガスを供給し前
記反応炉内に配置した基板ホルダ上の基板に薄膜を気相
成長させる気相成長装置において、前記基板ホルダ上に
堆積した堆積物を除去するためのガスを前記反応炉内に
供給するガス供給装置と、前記基板ホルダに堆積した堆
積物を除去する際に前記基板ホルダの前記基板が載置さ
れていた部分を前記ガスから保護する保護手段とを具備
したことを特徴としている。
ために第１の本発明は、反応炉内に原料ガスを供給し前
記反応炉内に配置した基板ホルダ上の基板に薄膜を気相
成長させる気相成長装置において、前記基板ホルダ上に
堆積した堆積物を除去するためのガスを前記反応炉内に
供給するガス供給装置と、前記基板ホルダに堆積した堆
積物を除去する際に前記基板ホルダの前記基板が載置さ
れていた部分を前記ガスから保護する保護手段とを具備
したことを特徴としている。
【００１１】また、第２の本発明は、反応炉内に原料ガ
スを供給し前記反応炉内に配置した基板ホルダ上の基板
に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、前記基
板ホルダの前記基板が載置されていた部分を保護しなが
ら、前記反応炉内にガスを流して前記基板ホルダに堆積
した堆積物を除去することを特徴としている。
スを供給し前記反応炉内に配置した基板ホルダ上の基板
に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、前記基
板ホルダの前記基板が載置されていた部分を保護しなが
ら、前記反応炉内にガスを流して前記基板ホルダに堆積
した堆積物を除去することを特徴としている。
【００１２】
【作用】本発明によれば、基板への気相成長により、基
板を載置する基板ホルダに堆積した堆積物をガスによっ
て除去する際に、基板ホルダの基板が載置されていた部
分をガスから保護することにより、基板ホルダ表面の腐
食等を防止して堆積物だけを除去することができる。
板を載置する基板ホルダに堆積した堆積物をガスによっ
て除去する際に、基板ホルダの基板が載置されていた部
分をガスから保護することにより、基板ホルダ表面の腐
食等を防止して堆積物だけを除去することができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を図示の一実施例に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１４】図１は、本発明の一実施例に係る気相成長
装置を示す概略構成図である。この図に示すように、反
応炉３内には基板４を載置した基板ホルダ１と、基板ホ
ルダ１を回転自在に支持する回転軸５と、基板４と基板
ホルダ１を加熱するヒータ６が配設されている。
装置を示す概略構成図である。この図に示すように、反
応炉３内には基板４を載置した基板ホルダ１と、基板ホ
ルダ１を回転自在に支持する回転軸５と、基板４と基板
ホルダ１を加熱するヒータ６が配設されている。
【００１５】反応炉３の上部には供給管７を介して反応
炉３内に原料ガス（例えばＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）を供給する
原料ガス供給装置８と、反応炉３内に堆積する半導体薄
膜等の堆積物を除去するエッチングガス（例えばＨＣ
ｌ）を反応炉３内に供給するエッチングガス供給装置９
が切換えバルブ１０を介して接続されており、反応炉３
の下部には回転軸５を回転駆動するモータ１１と、反応
炉３内の圧力調整及び未反応ガス等を排気する排気装置
１２が排気管１３を介して接続されている。
炉３内に原料ガス（例えばＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）を供給する
原料ガス供給装置８と、反応炉３内に堆積する半導体薄
膜等の堆積物を除去するエッチングガス（例えばＨＣ
ｌ）を反応炉３内に供給するエッチングガス供給装置９
が切換えバルブ１０を介して接続されており、反応炉３
の下部には回転軸５を回転駆動するモータ１１と、反応
炉３内の圧力調整及び未反応ガス等を排気する排気装置
１２が排気管１３を介して接続されている。
【００１６】また、反応炉３の基板ホルダ１上に載置し
た基板４と対向する外側面には、それぞれゲートバルブ
１４，１５を介して第１，第２予備室１６，１７が連通
して形成されており、第１，第２予備室１６，１７の外
側にはそれぞれ搬送装置１８，１９が配設されている。
た基板４と対向する外側面には、それぞれゲートバルブ
１４，１５を介して第１，第２予備室１６，１７が連通
して形成されており、第１，第２予備室１６，１７の外
側にはそれぞれ搬送装置１８，１９が配設されている。
【００１７】第１予備室１６内には、基板受け２０が基
板４方向に移動自在に配設されており、基板受け２０に
は、搬送装置１８によって基板４方向に移動自在な搬送
棒２１がベロー２２を介して気密状態で連結されてい
る。このように、基板受け２０は、搬送装置１８によっ
て移動する搬送棒２１によって反応炉３内の基板ホルダ
１上に移動し、基板ホルダ１に載置される基板４を第１
予備室１６から反応炉３、反応炉３から第１予備室１６
に搬入・搬出する。
板４方向に移動自在に配設されており、基板受け２０に
は、搬送装置１８によって基板４方向に移動自在な搬送
棒２１がベロー２２を介して気密状態で連結されてい
る。このように、基板受け２０は、搬送装置１８によっ
て移動する搬送棒２１によって反応炉３内の基板ホルダ
１上に移動し、基板ホルダ１に載置される基板４を第１
予備室１６から反応炉３、反応炉３から第１予備室１６
に搬入・搬出する。
【００１８】第２予備室１７内には、基板４とほぼ同じ
径の基板ホルダ保護板２３が基板４方向に移動自在に配
設されており、基板ホルダ保護板２３には、搬送装置１
９によって基板４方向に移動自在な搬送棒２４がベロー
２５を介して気密状態で着脱自在に連結されている。基
板ホルダ保護板２３は、例えばＳｉもしくはＳｉＣをコ
ートした高純度カーボンもしくはＳｉＣ板もしくはカー
ボンもしくはＳｉＯ2 等の材質で形成されている。ま
た、他の材質でもよい。このように、基板ホルダ保護板
２３は、搬送装置１９によって移動する搬送棒２４によ
って反応炉３内の基板ホルダ１上に移動し、基板ホルダ
１の基板４が載置される位置に搬入・搬出される。
径の基板ホルダ保護板２３が基板４方向に移動自在に配
設されており、基板ホルダ保護板２３には、搬送装置１
９によって基板４方向に移動自在な搬送棒２４がベロー
２５を介して気密状態で着脱自在に連結されている。基
板ホルダ保護板２３は、例えばＳｉもしくはＳｉＣをコ
ートした高純度カーボンもしくはＳｉＣ板もしくはカー
ボンもしくはＳｉＯ2 等の材質で形成されている。ま
た、他の材質でもよい。このように、基板ホルダ保護板
２３は、搬送装置１９によって移動する搬送棒２４によ
って反応炉３内の基板ホルダ１上に移動し、基板ホルダ
１の基板４が載置される位置に搬入・搬出される。
【００１９】また、第１，第２予備室１６，１７は、そ
れぞれ上部にＯリング２６，２７を介して蓋２８，２９
が着脱自在に配設され、下部には第１，第２予備室１
６，１７内の圧力調整及び未反応ガス等を排気するため
に排気管３０，３１を介して前記排気装置１２が接続さ
れている。
れぞれ上部にＯリング２６，２７を介して蓋２８，２９
が着脱自在に配設され、下部には第１，第２予備室１
６，１７内の圧力調整及び未反応ガス等を排気するため
に排気管３０，３１を介して前記排気装置１２が接続さ
れている。
【００２０】本実施例に係る気相成長装置は上記のよう
に構成されており、排気装置１２で反応炉３内を排気し
て所定の圧力に調整し、ヒータ６の加熱によって基板４
を所定温度に上昇させると共に、モータ１１を回転駆動
して基板ホルダ１及び基板４を回転させて、原料ガス供
給装置８から原料ガス（例えばＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）をキャ
リアガス（例えばＨ2 ）と共に反応炉３内に供給するこ
とによって、基板４上に半導体薄膜を気相成長させる。
この際、薄膜としてシリコンを成長させる場合は、基板
４はＳｉであり、基板ホルダ１はＳｉＣをコートした高
純度カーボンである。この時、反応炉５と第１，第２予
備室１６を仕切るゲートバルブ１４，１５は閉じられて
いる。
に構成されており、排気装置１２で反応炉３内を排気し
て所定の圧力に調整し、ヒータ６の加熱によって基板４
を所定温度に上昇させると共に、モータ１１を回転駆動
して基板ホルダ１及び基板４を回転させて、原料ガス供
給装置８から原料ガス（例えばＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）をキャ
リアガス（例えばＨ2 ）と共に反応炉３内に供給するこ
とによって、基板４上に半導体薄膜を気相成長させる。
この際、薄膜としてシリコンを成長させる場合は、基板
４はＳｉであり、基板ホルダ１はＳｉＣをコートした高
純度カーボンである。この時、反応炉５と第１，第２予
備室１６を仕切るゲートバルブ１４，１５は閉じられて
いる。
【００２１】そして、反応炉３内で半導体薄膜の気相成
長を例えば１ロット２５回行うと、基板ホルダ１の基板
４が載置されている外側には、１回の気相成長につき例
えば５μｍ程度の厚さで半導体薄膜が堆積するので、全
体では１２５μｍ程度の厚さで半導体薄膜（以下、堆積
物という）が堆積する。
長を例えば１ロット２５回行うと、基板ホルダ１の基板
４が載置されている外側には、１回の気相成長につき例
えば５μｍ程度の厚さで半導体薄膜が堆積するので、全
体では１２５μｍ程度の厚さで半導体薄膜（以下、堆積
物という）が堆積する。
【００２２】そして、上記したように基板ホルダ１上に
ある程度堆積物が堆積すると、この堆積物が剥離して基
板４に付着するというような不都合が生じるので、堆積
物を除去する必要がある。以下、基板ホルダ１上に堆積
した堆積物の除去について説明する。
ある程度堆積物が堆積すると、この堆積物が剥離して基
板４に付着するというような不都合が生じるので、堆積
物を除去する必要がある。以下、基板ホルダ１上に堆積
した堆積物の除去について説明する。
【００２３】先ず、第１予備室１６のゲートバルブ１４
を開け、搬送装置１８で搬送棒２１を移動させて連結さ
れている基板受け２０を反応炉３内に移動させる。そし
て、基板４を基板受け２０で保持して再び搬送装置１８
で搬送棒２１を元の位置まで移動させることにより、基
板４が第１予備室１６内に収納される。この時、反応炉
３内と第１予備室１６は、排気装置１２によりほぼ等し
い圧力に調整されている。
を開け、搬送装置１８で搬送棒２１を移動させて連結さ
れている基板受け２０を反応炉３内に移動させる。そし
て、基板４を基板受け２０で保持して再び搬送装置１８
で搬送棒２１を元の位置まで移動させることにより、基
板４が第１予備室１６内に収納される。この時、反応炉
３内と第１予備室１６は、排気装置１２によりほぼ等し
い圧力に調整されている。
【００２４】そして、第１予備室１６のゲートバルブ１
４を閉じた後、今度は第２予備室１７のゲートバルブ１
５を開け、搬送装置１９で搬送棒２４を移動させて着脱
自在に連結されている基板ホルダ保護板２３を反応炉３
内の基板ホルダ１上の基板４が載置されていた位置に設
置する（図２参照）。この時、反応炉３内と第２予備室
１７は、排気装置１２によりほぼ等しい圧力に調整され
ている。
４を閉じた後、今度は第２予備室１７のゲートバルブ１
５を開け、搬送装置１９で搬送棒２４を移動させて着脱
自在に連結されている基板ホルダ保護板２３を反応炉３
内の基板ホルダ１上の基板４が載置されていた位置に設
置する（図２参照）。この時、反応炉３内と第２予備室
１７は、排気装置１２によりほぼ等しい圧力に調整され
ている。
【００２５】そして、第２予備室１７のゲートバルブ１
５を閉じて反応炉３内をヒータ６の加熱によって所定温
度に設定し、切換えバルブ１０を切換えてエッチングガ
ス供給装置９から供給管７を通してエッチングガス（例
えばＨＣｌ）をキャリアガス（例えばＨ2 ）と共に反応
炉３内に供給して基板ホルダ１に堆積している堆積物２
の除去を行う。除去された堆積物２は、排気管１３を通
して排気装置１２で反応炉３の外に排出されて回収装置
（図示省略）に回収される。
５を閉じて反応炉３内をヒータ６の加熱によって所定温
度に設定し、切換えバルブ１０を切換えてエッチングガ
ス供給装置９から供給管７を通してエッチングガス（例
えばＨＣｌ）をキャリアガス（例えばＨ2 ）と共に反応
炉３内に供給して基板ホルダ１に堆積している堆積物２
の除去を行う。除去された堆積物２は、排気管１３を通
して排気装置１２で反応炉３の外に排出されて回収装置
（図示省略）に回収される。
【００２６】また、エッチングガスによる堆積物２の除
去時間は堆積物２の厚さによって調整され、堆積物２が
ほぼ除去された時にエッチングガスの供給を停止するよ
うにする。例えば、半導体薄膜の気相成長を例えば１ロ
ット２５回行った時、基板ホルダ１の外周側には、１回
の気相成長につき例えば５μｍ程度の厚さで堆積物２が
堆積すると、２５回では１２５μｍ程度の厚さで堆積物
２が堆積する。よって、エッチングガスによる堆積物２
の除去速度（エッチング速度）を例えば２０μｍ／min
とすると、６分少しで堆積物２が完全に除去されるの
で、エッチングガスの反応炉３内への供給時間は６分少
しに設定する。
去時間は堆積物２の厚さによって調整され、堆積物２が
ほぼ除去された時にエッチングガスの供給を停止するよ
うにする。例えば、半導体薄膜の気相成長を例えば１ロ
ット２５回行った時、基板ホルダ１の外周側には、１回
の気相成長につき例えば５μｍ程度の厚さで堆積物２が
堆積すると、２５回では１２５μｍ程度の厚さで堆積物
２が堆積する。よって、エッチングガスによる堆積物２
の除去速度（エッチング速度）を例えば２０μｍ／min
とすると、６分少しで堆積物２が完全に除去されるの
で、エッチングガスの反応炉３内への供給時間は６分少
しに設定する。
【００２７】本実施例においては、第１，第２予備室を
具備しているが、第１予備室のみ具備していてもよく、
また、予備室を具備せず、直接、基板や、基板ホルダ保
護板を基板ホルダに置載してもよい。また、予備室に
は、複数の基板や基板ホルダ保護板を収納及び搬送する
手段を有していてもよい。
具備しているが、第１予備室のみ具備していてもよく、
また、予備室を具備せず、直接、基板や、基板ホルダ保
護板を基板ホルダに置載してもよい。また、予備室に
は、複数の基板や基板ホルダ保護板を収納及び搬送する
手段を有していてもよい。
【００２８】図３は、本発明の第２の実施例に係る気相
成長装置の要部を示す概略図である。
成長装置の要部を示す概略図である。
【００２９】本実施例では、基板ホルダ１の基板４が載
置されていた部分１ａに、上方に設けた複数の供給管７
ａ，７ｂ，７ｃからパージガス（例えばＨ2）を流し、
堆積物２が堆積している部分に、上方に設けた複数の供
給管７ｄ，７ｅからエッチングガス（例えばＨＣｌ）を
キャリアガス（例えばＨ2 ）と共に流す構成である。
置されていた部分１ａに、上方に設けた複数の供給管７
ａ，７ｂ，７ｃからパージガス（例えばＨ2）を流し、
堆積物２が堆積している部分に、上方に設けた複数の供
給管７ｄ，７ｅからエッチングガス（例えばＨＣｌ）を
キャリアガス（例えばＨ2 ）と共に流す構成である。
【００３０】このように、本実施例では、基板ホルダ１
の基板４が載置されていた部分１ａをパージガスで保護
することにより、エッチングガスが基板ホルダ１を腐食
することなく堆積物２だけを除去することができる。
の基板４が載置されていた部分１ａをパージガスで保護
することにより、エッチングガスが基板ホルダ１を腐食
することなく堆積物２だけを除去することができる。
【００３１】この実施例においても、堆積物の除去時間
は堆積物の厚みとエッチング速度に応じて設定される。
は堆積物の厚みとエッチング速度に応じて設定される。
【００３２】また、前記した各実施例では、基板ホルダ
１の堆積物２を除去する際に基板ホルダ１を加熱した
が、エッチングガスとして例えばハロゲン化ガスを用い
ることにより、室温で堆積物２だけを除去することがで
きる。
１の堆積物２を除去する際に基板ホルダ１を加熱した
が、エッチングガスとして例えばハロゲン化ガスを用い
ることにより、室温で堆積物２だけを除去することがで
きる。
【００３３】また、前記した各実施例で、エッチングガ
スで基板ホルダ１上の堆積物２を除去する際に、反応炉
３の内壁面等に付着している堆積物も除去することがで
きる。
スで基板ホルダ１上の堆積物２を除去する際に、反応炉
３の内壁面等に付着している堆積物も除去することがで
きる。
【００３４】
【発明の効果】以上、実施例に基づいて具体的に説明し
たように本発明によれば、基板ホルダに堆積した堆積物
をガスで除去する際に、基板ホルダの基板が載置されて
いた部分を保護することにより、基板ホルダ表面の腐食
を防止して基板ホルダに堆積した堆積物だけを除去する
ことができるので、基板ホルダの寿命が長くなり、且つ
基板ホルダから不純物が放出されることもなくなり、高
品質の薄膜を成長させることができる。
たように本発明によれば、基板ホルダに堆積した堆積物
をガスで除去する際に、基板ホルダの基板が載置されて
いた部分を保護することにより、基板ホルダ表面の腐食
を防止して基板ホルダに堆積した堆積物だけを除去する
ことができるので、基板ホルダの寿命が長くなり、且つ
基板ホルダから不純物が放出されることもなくなり、高
品質の薄膜を成長させることができる。
【図１】本発明の第１の実施例に係る気相成長装置を示
す概略図である。
す概略図である。
【図２】基板ホルダに載置した基板ホルダ保護板を示す
側面図である。
側面図である。
【図３】本発明の第２の実施例に係る気相成長装置の要
部を示す概略図である。
部を示す概略図である。
【図４】堆積物が堆積した基板ホルダを示す側面図であ
る。
る。
１ 基板ホルダ ２ 堆積物 ３ 反応炉 ４ 基板 ８ 原料ガス供給装置 ９ エッチングガス供給装置 １２ 排気装置 １６ 第１予備室 １７ 第２予備室 ２０ 基板受け ２３ 基板ホルダ保護板（保護手段）
Claims (2)
- 【請求項１】 反応炉内に原料ガスを供給し前記反応炉
内に配置した基板ホルダ上の基板に薄膜を気相成長させ
る気相成長装置において、前記基板ホルダ上に堆積した
堆積物を除去するためのガスを前記反応炉内に供給する
ガス供給装置と、前記基板ホルダに堆積した堆積物を除
去する際に前記基板ホルダの前記基板が載置されていた
部分を前記ガスから保護する保護手段とを具備したこと
を特徴とする気相成長装置。 - 【請求項２】 反応炉内に原料ガスを供給し前記反応炉
内に配置した基板ホルダ上の基板に薄膜を気相成長させ
る気相成長装置において、前記基板ホルダの前記基板が
載置されていた部分を保護しながら、前記反応炉内にガ
スを流して前記基板ホルダに堆積した堆積物を除去する
ことを特徴とする装置内のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3223906A JP3061455B2 (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | 気相成長装置及び気相成長装置内のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3223906A JP3061455B2 (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | 気相成長装置及び気相成長装置内のクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0562912A true JPH0562912A (ja) | 1993-03-12 |
| JP3061455B2 JP3061455B2 (ja) | 2000-07-10 |
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ID=16805566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3223906A Expired - Fee Related JP3061455B2 (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | 気相成長装置及び気相成長装置内のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3061455B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011159978A (ja) * | 2010-02-03 | 2011-08-18 | Siltronic Ag | エピタキシャル堆積層を有するシリコンから構成される半導体ウェハの製造方法 |
| DE102015205719A1 (de) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | Siltronic Ag | Verfahren zum Beschichten von Halbleiterscheiben |
| JP2019519933A (ja) * | 2016-06-28 | 2019-07-11 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトＳｉｌｔｒｏｎｉｃ ＡＧ | コーティングされた半導体ウエハを製造するための方法および装置 |
| WO2020158656A1 (ja) * | 2019-02-01 | 2020-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
-
1991
- 1991-09-04 JP JP3223906A patent/JP3061455B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| DE102015205719B4 (de) | 2015-03-30 | 2022-08-18 | Siltronic Ag | Verfahren zum Beschichten von Halbleiterscheiben |
| JP2019519933A (ja) * | 2016-06-28 | 2019-07-11 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトＳｉｌｔｒｏｎｉｃ ＡＧ | コーティングされた半導体ウエハを製造するための方法および装置 |
| US10982324B2 (en) | 2016-06-28 | 2021-04-20 | Siltronic Ag | Method and device for producing coated semiconductor wafers |
| WO2020158656A1 (ja) * | 2019-02-01 | 2020-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
| JP2020126883A (ja) * | 2019-02-01 | 2020-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
| EP3919657A4 (en) * | 2019-02-01 | 2022-10-05 | Tokyo Electron Limited | FILM FORMING METHOD AND FILM FORMING APPARATUS |
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