JPH03104867A

JPH03104867A - Ｃｖｄ装置

Info

Publication number: JPH03104867A
Application number: JP23989789A
Authority: JP
Inventors: Takaaki Kamimura; 孝明上村; Masahito Hiramatsu; 雅人平松
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1989-09-18
Filing date: 1989-09-18
Publication date: 1991-05-01

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、化学反応を利用して基板上に薄膜を形成する
ＣＶＤ装置の改良に関する。

（従来の技術）光化学反応を利用して薄膜を形成する光ＣＶＤ法では、
膜堆積に寄与している反応種がラジカルであるため、荷
電粒子による基板への損傷が極力抑えられ、しかも高い
制御性を有しているので、高品質の薄膜を形成する方法
として期待されている。

第２図は、従来の光ＣＶＤ装置を模式的に示した概略構
成図である。膜形成室５１内には、基板５２を載置した
サセプタ５３が収容されている。

このサセプタ５３の内部には、基板５２を加熱するため
のヒータ５４が設けられている。膜形成室５１の上部に
はランプハウス５５がある。このランプハウス５５内に
例えば低圧水銀ランプからなる光源５６およびこの先源
５６からの光を反射する反射板５７が設けられている。

不活性ガスライン５８は、ランプハウス５５内を不活性
ガスでパージするためのものである。光源５６からの光
は、窓５つを介して基板５２に照射されるようになって
る。また、膜形成室５１内には、ガス供給部６０から原
料ガスが供給され、膜形成室５１内のガスは、排気ボン
ブ６１により排気される。

この様な光ＣＶＤ装置を用いて膜形成成を行うと、基板
以外にも膜が付着する。基板以外の場所に付着した膜は
、膜形戊を繰返すと積層され厚い膜となるため、剥離す
る可能性が高い。この剥離したものは、基板上に形成し
た膜にピンホール等の欠陥を生成する原因となり、薄膜
デバイスの歩留まりを低下させる。

特に従来の光ＣＶＤ装置においては、サセプタ５３の基
板５２が載置されていない部分や、膜形成室５１とラン
プハウス５５の隔壁６２の窓に近い光の当る部分に多量
に膜が付着しやすく、これらの部分からの膜剥離が多い
という問題があった。

サセプタへの無用な膜付着は、光ＣＶＤ装置に限らず、
プラズマＣＶＤ装置など他のＣＶＤ装置でもある。

（発明が解決しようとする課題）以上のように従来のＣＶＤ装置には、膜形成室内の基板
以外の個所にも膜が付着し、これがその後の膜形成工程
で形戊てされる膜の品質に悪影響を与えるという問題が
あった。

本発明は、作記！１ｒ情を考慮してなされたもので、そ
の目的とするところは、基板以外の部分への膜の付着を
防止することにより、欠陥の少ない膜を得て、デバイス
の歩留まりを向上させることのできるＣＶＤ装置を提供
することにある。

［発明の構成］（課題を解決するための手段）本発明に係わるＣＶＤ装置は、膜形成室に収容するサヤ
ブタの基板をのせる面の面積を基板の面積より小さくし
たことを特徴とする。

さらに、光ＣＶＤ装置においては、サセプタ面積を基板
面積より小さくすると同時に、光源からの光を導入する
窓の面積を基板の面積よわ大きくし、窓の光源側に、光
照射面積を限定するマスクを設けることが望ましい。

（作用）本発明によるＣＶＤ装置では、サセプタの面積のほうが
基板より小さいので、サセプタ上への膜付着はほとんど
ない。さらに、光ＣＶＤ装置において先照射領域を限定
することによって、隔壁の窓に近い部分への膜付着も防
止される。

（実施例）以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。

第ｌ図は、本発明の一実施例に係わる枚葉式の光ＣＶＤ
装置を模式的に示す概略構或図である。膜形戊室１内に
は、例えばガラス基板からなる基板２を載置したサセプ
タ３及び基板搬送時に用いるアーム４が収容されている
。サセプタ３の内部には、基板２を加熱すためのヒータ
５が設けられている。膜形成室１内には、ガス供給部１
３から原料ガスが供給され、膜形或室１内のガスは、俳
気ボンブ１４により排気される。また、膜形成室１の上
部にはランプハウス６があり、このランプハウス６内に
は、例えば低圧水銀ランプからなる光源７及び光源７か
らの光を反射する反射板８が設けられている。不活性ガ
スライン９は、ランプハウス６内を不活性ガスでパージ
するためのものである。光源７からの光は、膜形成室１
の上部に設けられた窓１０を介して基板２に照削される
ようになっている。窓１０は、膜付着防止処理が施され
た合成石英ガラスにより構成されている。図中１１は、
光シャッターであり、１２は、膜形成室１内への光照１
１面積を限定するマスクである。一方、図中１５は搬送
室であり、膜形威室１とゲートバルブ１６により接続さ
れている。搬送室１５内には、基板２を膜形成室１に搬
送する搬送系１７が設けられており、搬送室１５内への
基板２の搬入、搬出は、扉１８を介して行なわれる。ま
た、搬送室１５は、排気ポンブ１９により排気される。

次に、上記のごとく構或された本装置でアモルファス・
シリコン（ａ−．Ｓｉ）の形成を例にとり操作順序を説
明する。

まず、扉１８を開いて基板２を搬送室１５内に搬入し、
扉１８を閉じて、排気ポンプ１つにより搬送室１５内を
排気する。ついで、ゲートバルブ１６を開いて、基板２
を搬送系１７により、膜形成室工内に搬入し、アーム４
を介して、サセプタ３に基板２を装着する。

膜形成室１内の圧力を排気ボンブ１４により５　Ｘ　１
　０−６Ｔｏｒｒ以下まで排気する。次いで、ガス供給
部１３から原料ガスとして水銀を含んだモノシランガス
（ＳＩＨ４）を膜形或室１内に流量５０ＳＣＣＭ，圧力
０　．　　２　Ｔｏｒｒで導入し、基板２を抵抗加熱等
のヒータ５１により２３０℃に加熱する。光シャッター
１１を開き、低圧水銀ランブ７から波長が２５４ｎｍ，
１８５ｎｍの紫外光を基板２の表面に照射し、膜形成を
行う。

従来装置においては、ａ−Ｓｉ膜を累積して１０μｍ形
成した後、５ｉｎｃｈウエハー上に付着した０．３μｍ
以上のゴミの数は２０００個以上であったのに対して、
本実施例によれば、同条件でゴミの数は、２００個以下
と、１桁以上低減された。

なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではない
。例えば、膜形成室は１つに限るものではなく、複数の
膜形成室が搬送室に接続されていてもよく、予備加熱室
等が含まれていてもかまわない。また、サセプタ面積を
基板面積より小さくすることは、光ＣＶＤ装置に限らず
、プラズマＣＶＤ装置など、他のＣＶＤ装置でも有効で
ある。

［発明の効果］本発明によれば、膜形成室内への無用な膜付着を防止す
ることができる。従ってこれらのｊ漠の剥離によって、
基板上に形成した膜に生成されるビンホール等の欠陥を
減少させることができるので、薄膜デバイスの歩留まり
の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例に係わる光ＣｖＤ′ｇ置の
概略構成図、第２図は従来の光ＣＶＤ装置の概略構成図
である。１・・・膜形成室，２・・・基板，３・・・サセプタ，
４・・・アーム，５・・・ヒータ，６・・・ランプノ＼
ウス，７・・・光源，８・・・反射阪，９・・・不活性
ガスライン，１０・・・窓，１１・・・光シャッター，
１２・・・マスク，１３・・・ガス供給部，１４・・・
排気ポンプ，１５・・・搬送室，１６・・・ゲートバル
ブ，１７・・・搬送系、１８・・・扉，１つ・・・排気
ポンプ，２０・・・隔壁。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板を載置するサセプタが収容された薄膜形成室
、この薄膜形成室を排気する排気手段および薄膜形成室
に原料ガスを供給するガス供給手段を有するＣＶＤ装置
において、前記サセプタの基板載置面の面積が、載置す
る基板の面積より小さいことを特徴とするＣＶＤ装置。
（２）光源と、この光源からの光が導入される窓を有し
、基板を載置するサセプタが収容された膜形成室と、こ
の膜形成室内を排気する手段と、前記膜形成室に原料ガ
スを供給するガス供給手段とを有するＣＶＤ装置におい
て、前記サセプタの基板載置面が前期基板の面積より小
さく、かつ前記の窓の面積が前記基板の面積より大きい
ことを特徴とするＣＶＤ装置。