JPS60117712A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPS60117712A JPS60117712A JP58225765A JP22576583A JPS60117712A JP S60117712 A JPS60117712 A JP S60117712A JP 58225765 A JP58225765 A JP 58225765A JP 22576583 A JP22576583 A JP 22576583A JP S60117712 A JPS60117712 A JP S60117712A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、価電子制御された所望の薄膜を高速に成膜す
るに有効な薄膜形成方法に関する。
るに有効な薄膜形成方法に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
従来、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アモルファス
シリコン（ａ−８ｉ ）膜などの薄膜形成には、ＣＶＤ
法やプラズマＣＶＤ法が用いられてきた。しかし、ＣＶ
Ｄ法では高い基板温度（５００〜ｉ ｏｏｏ℃）を必要
とするためその濃度に耐えられない基板を用いることが
できない。プラズマＣＶＤ法では基板温度を２００〜４
００℃に下げられるが、膜形成速度が数１０〜１０００
人／分と小さいため、例えば１０〜数１０μの膜厚を冑
るには、非常に長い堆積時間を要するという欠点がある
。
シリコン（ａ−８ｉ ）膜などの薄膜形成には、ＣＶＤ
法やプラズマＣＶＤ法が用いられてきた。しかし、ＣＶ
Ｄ法では高い基板温度（５００〜ｉ ｏｏｏ℃）を必要
とするためその濃度に耐えられない基板を用いることが
できない。プラズマＣＶＤ法では基板温度を２００〜４
００℃に下げられるが、膜形成速度が数１０〜１０００
人／分と小さいため、例えば１０〜数１０μの膜厚を冑
るには、非常に長い堆積時間を要するという欠点がある
。
このため、低温でかつ高速に膜形成ができる装置の研究
がなされて来た。そのなかの一つに、マイクロ波と磁場
による電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）によって生成
したプラズマを利用する薄膜形成方法がある。これは例
えば、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を矩形導波管を用い
てプラズマ生成室に導入し、このプラズマ生成室に導入
された所定のガスをプラズマ化して引出し窓からプラズ
マ流どして反応室内に引出し、反応室に導入した原料ガ
スと相互作用させる事により基板上に薄膜を形成づるも
のである。
がなされて来た。そのなかの一つに、マイクロ波と磁場
による電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）によって生成
したプラズマを利用する薄膜形成方法がある。これは例
えば、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を矩形導波管を用い
てプラズマ生成室に導入し、このプラズマ生成室に導入
された所定のガスをプラズマ化して引出し窓からプラズ
マ流どして反応室内に引出し、反応室に導入した原料ガ
スと相互作用させる事により基板上に薄膜を形成づるも
のである。
しかしこの方法では、例えば非晶質シリコン（ａ−８ｉ
）ＩＩ！を形成する場合、原料ガスとともに不純物ドー
ピングガスを反応室に導入して価電子制御をしてもその
制御性が余り良くないという問題があった。
）ＩＩ！を形成する場合、原料ガスとともに不純物ドー
ピングガスを反応室に導入して価電子制御をしてもその
制御性が余り良くないという問題があった。
［発明の目的］
本発明は、膜特性、とりわけ価電子制御性の良好な薄膜
を高速で形成することを可能とした薄膜形成方法を提供
することを目的とする。
を高速で形成することを可能とした薄膜形成方法を提供
することを目的とする。
［発明のｌＩ！を要コ
本発明は、ＥＣＲプラズマによる原料ガスの分解を利用
して薄膜を形成する方法において、価電子制御のための
不純物ドーピングガスを、原料ガスとともに反応室に入
れるのではなく、プラズマ生成用ガスとともにプラズマ
生成室に導入するようにしたことを特徴とする。
して薄膜を形成する方法において、価電子制御のための
不純物ドーピングガスを、原料ガスとともに反応室に入
れるのではなく、プラズマ生成用ガスとともにプラズマ
生成室に導入するようにしたことを特徴とする。
［発明の効果］
本発明によれば、不純物ドーピングガスがＥＣＲプラズ
マにより十分に分解され、価電子制御性に優れた良質の
薄膜を成膜することができる。
マにより十分に分解され、価電子制御性に優れた良質の
薄膜を成膜することができる。
［発明の実施例コ
以下に本発明の詳細な説明する。図は一実施例に用いた
装置を示す断面図である。１は所定の圧力に減圧される
反応室であり、内部に加熱ヒータ付の基板載置台２が設
けられこの上に基板３が設置される。反応室１の上部に
はこれと連通してＥＣＲプラズマ生成室４が設けられて
いる。このプラズマ生成室４には石英製のマイクロ波導
入窓５を介して矩形導波管６が接続され、またその周囲
には磁気コイル７が設置されている。８は原料ガスの導
入管、１０はプラズマ生成用ガス導入管、１２は不純物
ドーピングガス導入管、９．１１および１３はバルブで
ある。また反応室１の側壁には石英製の光導入窓１４が
設けられ、その外に２６００Å以下の波長成分を含む光
源として５００Ｗの低圧水銀ランプ１５が設けられて（
Ｘる。ランプ容器１６には紫外光によるオゾン光生防止
とランプの）品度上臂防止のため窒素やアルゴンなどの
不活性ガスを流すようになっている。
装置を示す断面図である。１は所定の圧力に減圧される
反応室であり、内部に加熱ヒータ付の基板載置台２が設
けられこの上に基板３が設置される。反応室１の上部に
はこれと連通してＥＣＲプラズマ生成室４が設けられて
いる。このプラズマ生成室４には石英製のマイクロ波導
入窓５を介して矩形導波管６が接続され、またその周囲
には磁気コイル７が設置されている。８は原料ガスの導
入管、１０はプラズマ生成用ガス導入管、１２は不純物
ドーピングガス導入管、９．１１および１３はバルブで
ある。また反応室１の側壁には石英製の光導入窓１４が
設けられ、その外に２６００Å以下の波長成分を含む光
源として５００Ｗの低圧水銀ランプ１５が設けられて（
Ｘる。ランプ容器１６には紫外光によるオゾン光生防止
とランプの）品度上臂防止のため窒素やアルゴンなどの
不活性ガスを流すようになっている。
なお、プラズマ生成室４内で満たすべきＥＣＲ条件は、
導波管６に接続されたマイクロ波発生器によって発生し
たマイクロ波の周波数をωとすると、 ω−（ｅ−８）／（ｌη・Ｃ） で与えられる。ｒｒｌ、ｅはそれぞれ電子の質量と電荷
、Ｃは光速、Ｂは磁束密度である。
導波管６に接続されたマイクロ波発生器によって発生し
たマイクロ波の周波数をωとすると、 ω−（ｅ−８）／（ｌη・Ｃ） で与えられる。ｒｒｌ、ｅはそれぞれ電子の質量と電荷
、Ｃは光速、Ｂは磁束密度である。
この装置によって、−例としてａ−８ｉｌｌｔを形成す
る場合を具体的に説明する。
る場合を具体的に説明する。
まず拡ｎｋポンプおよび油回転ポンプを用いて反応室１
およびプラズマ生成室４内を２Ｘ１０−６１’−ｏｒｒ
程度まで排気する。このとき加熱ヒータにより基（反３
は２００℃となっている。次にバルブ９，１１および１
３を開き、反応室１内に濃度１００％のジシランガスを
、プラズマ生成室４内に溌１１２０００ｐｐｍのジボラ
ンガスを含むＡｒガスを導入すると同時に、排気系を」
］ム散／ｆ；ンブ。
およびプラズマ生成室４内を２Ｘ１０−６１’−ｏｒｒ
程度まで排気する。このとき加熱ヒータにより基（反３
は２００℃となっている。次にバルブ９，１１および１
３を開き、反応室１内に濃度１００％のジシランガスを
、プラズマ生成室４内に溌１１２０００ｐｐｍのジボラ
ンガスを含むＡｒガスを導入すると同時に、排気系を」
］ム散／ｆ；ンブ。
油回転ポンプ系からメカニカルブースター・ポンプ、油
回転ポンプ系に切替える。。そしてマスフローコントロ
ーラによってジシランガスを含むＡｒガスの流量を５０
ＳＣＣＭ、ジシランガスの流量を２０ＳＣＣＭとし、ス
ロツ］ヘルツくバルブ【こより反応室１の圧力を０．０
５Ｔｏｒｒｌこ轟９定する。
回転ポンプ系に切替える。。そしてマスフローコントロ
ーラによってジシランガスを含むＡｒガスの流量を５０
ＳＣＣＭ、ジシランガスの流量を２０ＳＣＣＭとし、ス
ロツ］ヘルツくバルブ【こより反応室１の圧力を０．０
５Ｔｏｒｒｌこ轟９定する。
この状態でマイクロ波発生器をオンとして周波数２．４
５ＧＨｚのマイクロ波３００ワツトを光生させ、同時に
磁気コイル７により磁束密度８７５Ｇａｕｓｓの磁場を
形成してＡｒガスプラズマを発生させる。次に水銀ラン
プ１５を点灯して、１８５０人、２５３７人の波長の紫
外光を反応室１に導入する。
５ＧＨｚのマイクロ波３００ワツトを光生させ、同時に
磁気コイル７により磁束密度８７５Ｇａｕｓｓの磁場を
形成してＡｒガスプラズマを発生させる。次に水銀ラン
プ１５を点灯して、１８５０人、２５３７人の波長の紫
外光を反応室１に導入する。
これにより、反応室１において（まジシラン分子が紫外
光によって光化学反応を起こしてその一部。
光によって光化学反応を起こしてその一部。
が分解し、またプラズマ生成室４ ｆｆｉら弓１出さ４
ｔたＡｒイオンまたはＡｒラジカルとジシラン５）子ま
たはその分解物とが反応して更に分解が促３筐され、そ
れらが基板３上に輸送されて、ｄ？ロンを取ｊΔみなが
らａ−、Ｓｉ膜として堆積することになる。
ｔたＡｒイオンまたはＡｒラジカルとジシラン５）子ま
たはその分解物とが反応して更に分解が促３筐され、そ
れらが基板３上に輸送されて、ｄ？ロンを取ｊΔみなが
らａ−、Ｓｉ膜として堆積することになる。
本実施例ではこの状態で１０分間の膜形成を行なった。
そしてバルブ９，１１および１３を閉じてガス導入を停
止し、反応室１およびプラズマ生成室４内を１０′４Ｔ
ｏｒｒ台まで排気し、加熱ヒータをオフどして基板３が
１００℃になるのを持ってこれを取出す。
止し、反応室１およびプラズマ生成室４内を１０′４Ｔ
ｏｒｒ台まで排気し、加熱ヒータをオフどして基板３が
１００℃になるのを持ってこれを取出す。
こうして形成されたａ−３ｉ膜の膜厚は２μであった。
またこの膜の光導電特性を測定したどころ、暗５．１
’ＦＭ率が１０′４／Ω・ｃｍの値を示し、またその）
黒度特性からめた活性化エネルギーは０゜２ｅＶであり
、ボロンが十分にドーピングされていることが確認され
た。
’ＦＭ率が１０′４／Ω・ｃｍの値を示し、またその）
黒度特性からめた活性化エネルギーは０゜２ｅＶであり
、ボロンが十分にドーピングされていることが確認され
た。
また通常のグロー放電分解法によって１ｑられるａ−３
１膜の形成速度が１０〜２０人／秒であるのに対し、本
実施例では光化学反応を併用している結果、３０〜４０
人／秒の膜形成速度が得られた。
１膜の形成速度が１０〜２０人／秒であるのに対し、本
実施例では光化学反応を併用している結果、３０〜４０
人／秒の膜形成速度が得られた。
また本実施例では、光導入窓１４が反応室１の側壁の一
部を外部に突出させてた位置に設けられているため光導
入窓１４への膜形成が非常に少ない。
部を外部に突出させてた位置に設けられているため光導
入窓１４への膜形成が非常に少ない。
Ａ−８ｉ膜は通常その照射光に対する透過率が低く、光
導入窓に製膜されると不都合を生じるが、本実施例の装
置ではこれが効果的に防止される。
導入窓に製膜されると不都合を生じるが、本実施例の装
置ではこれが効果的に防止される。
特にこの光導入窓１４の反応室側に不活性ガスを流して
エアカーテンをつくることにより、一層効果的に光導入
窓１４への製膜を防止することができる。またこの実施
例では、照射光は基板３と平行であり基板３には直接照
射されないため、基板３が照射光によりダメージを受け
ることがない。
エアカーテンをつくることにより、一層効果的に光導入
窓１４への製膜を防止することができる。またこの実施
例では、照射光は基板３と平行であり基板３には直接照
射されないため、基板３が照射光によりダメージを受け
ることがない。
このことは特に、光源にエネルギー密度の高いレーザを
用いた場合に大きな意味を持つ。
用いた場合に大きな意味を持つ。
なお本発明は上記実施例に限られるものではない。例え
ば、実施例では光化学反応を併用しているが、本発明は
ＥＣＲプラズマを用いた薄膜形成方法での薄膜の価電子
制御性の改善を趣旨とするものであり、光照射を利用し
ない場合にも適用づることができる。またａ−３ｉ１１
１を形成するための原料ガスとしてのＳｉ化合物ガスは
ジシランに限らず、他の高次シランガスでもよいし、モ
ノシランガスでもよい。またこれらの原料ガスは不活性
ガスや水素ガスで希釈したものであってもよい。
ば、実施例では光化学反応を併用しているが、本発明は
ＥＣＲプラズマを用いた薄膜形成方法での薄膜の価電子
制御性の改善を趣旨とするものであり、光照射を利用し
ない場合にも適用づることができる。またａ−３ｉ１１
１を形成するための原料ガスとしてのＳｉ化合物ガスは
ジシランに限らず、他の高次シランガスでもよいし、モ
ノシランガスでもよい。またこれらの原料ガスは不活性
ガスや水素ガスで希釈したものであってもよい。
またプラズマ生成用ガスも、Ａｒの他Ｈｅ、Ｎｅ、 Ｘ
ｅなどの不活性ガスあるいは水素ガスを用いることがで
きる。また、ａ−３ｉ膜を形成する場合の価電子制御用
の不純物ドーピングガスとしては、ジボランの他に他の
■族化合物ガスやホスフィンなどのＶ族化合物ガスが用
いられる。
ｅなどの不活性ガスあるいは水素ガスを用いることがで
きる。また、ａ−３ｉ膜を形成する場合の価電子制御用
の不純物ドーピングガスとしては、ジボランの他に他の
■族化合物ガスやホスフィンなどのＶ族化合物ガスが用
いられる。
図は本発明方法の一実施例に用いた薄膜形成装置を示す
断面図である。 １・・・反応室、２・・・基板載置台、３・・・基板、
４・・・プラズマ生成室、５・・・マイクロ波導入窓、
６・・・矩形導波管、７・・・磁気コイル、８・・・原
料ガス導入筈、１０・・・プラズマ生成用ガス導入管、
１２・・・不純物ドーピングガス導入管、９．１１．１
３・・・バルブ、１４・・・光導入窓、１５・・・低圧
水銀ランプ、１６・・・ランプ容器。
断面図である。 １・・・反応室、２・・・基板載置台、３・・・基板、
４・・・プラズマ生成室、５・・・マイクロ波導入窓、
６・・・矩形導波管、７・・・磁気コイル、８・・・原
料ガス導入筈、１０・・・プラズマ生成用ガス導入管、
１２・・・不純物ドーピングガス導入管、９．１１．１
３・・・バルブ、１４・・・光導入窓、１５・・・低圧
水銀ランプ、１６・・・ランプ容器。
Claims (2)
- （１） 基板が配置され所定圧に減圧される反応室に、
これと連通して設けられたプラズマ生成室においてマイ
クロ波と磁場による電子サイクロトロン共鳴により生成
したプラズマ流を導入して、前記反応空白に導入された
原料ガスを分解して前記基板上に薄膜を形成するノ′、
法において、形成される薄膜の価電子制御用の不純物ド
ーピングガスを、プラズマ生成用ガスと同時に前記プラ
ズマ生成室に導入づることを特徴とする薄膜形成方法。 - （２） 前記反応室に導入する原料ガスはＳｉ化合物ガ
スであり、前記プラズマ生成室に導入する１−一ピング
ガスは■族またはＶ族の元素を含むガスであって、形成
される薄膜が非晶質シリコン膜−Ｃある特許請求の範囲
第１項記載の薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58225765A JPS60117712A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58225765A JPS60117712A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117712A true JPS60117712A (ja) | 1985-06-25 |
Family
ID=16834452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58225765A Pending JPS60117712A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60117712A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS627859A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-14 | Hitachi Ltd | アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
| JPS62229823A (ja) * | 1986-03-29 | 1987-10-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 不純物添加化合物半導体結晶の成長方法 |
| JPS62295411A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-22 | Hitachi Ltd | シリコン系アモルフアス膜の形成方法 |
| JPS6351680A (ja) * | 1986-02-18 | 1988-03-04 | ソラレツクス コ−ポレ−シヨン | 水素化非晶質ケイ素合金をつくる方法、半導体装置とそれをつくる方法 |
| JPS63152116A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-24 | Hitachi Ltd | シリコン系アモルフアス合金膜の形成方法 |
| JPS63152115A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-24 | Hitachi Ltd | シリコン系アモルフアス膜の形成方法 |
| JPH0198221A (ja) * | 1988-01-23 | 1989-04-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH01128425A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01295412A (ja) * | 1988-05-24 | 1989-11-29 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ気相成長装置 |
| JPH02208928A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非晶質薄膜の製造方法 |
| WO2023112171A1 (ja) * | 2021-12-14 | 2023-06-22 | 日本電信電話株式会社 | シリコンボライド膜の形成方法 |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP58225765A patent/JPS60117712A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS627859A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-14 | Hitachi Ltd | アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
| JPH0521983B2 (ja) * | 1985-07-05 | 1993-03-26 | Hitachi Ltd | |
| JPS6351680A (ja) * | 1986-02-18 | 1988-03-04 | ソラレツクス コ−ポレ−シヨン | 水素化非晶質ケイ素合金をつくる方法、半導体装置とそれをつくる方法 |
| JPS62229823A (ja) * | 1986-03-29 | 1987-10-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 不純物添加化合物半導体結晶の成長方法 |
| JPS62295411A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-22 | Hitachi Ltd | シリコン系アモルフアス膜の形成方法 |
| JPS63152116A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-24 | Hitachi Ltd | シリコン系アモルフアス合金膜の形成方法 |
| JPS63152115A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-24 | Hitachi Ltd | シリコン系アモルフアス膜の形成方法 |
| JPH01128425A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0198221A (ja) * | 1988-01-23 | 1989-04-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH01295412A (ja) * | 1988-05-24 | 1989-11-29 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ気相成長装置 |
| JPH02208928A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非晶質薄膜の製造方法 |
| WO2023112171A1 (ja) * | 2021-12-14 | 2023-06-22 | 日本電信電話株式会社 | シリコンボライド膜の形成方法 |
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