JP6826554B2 - サセプタ、半導体の製造方法、及び半導体の製造装置 - Google Patents
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Description
以下、本発明の実施の形態を添付図面にしたがって説明する。
次に、サセプタの製造方法について説明する。図3は、サセプタの製造方法を示すフローチャートである。
d=(T−Tmin)×a ・・・(1)
但し、aは10以上15以下の定数
を満たすように、ポケット31の底面形状を加工するとよい。
d=(x−xmin)×b ・・・(2)
但し、bは15以上25以下の定数
を満たすように決定するとよい。
以上説明したように、本実施の形態に係るサセプタの製造方法では、結晶成長中のウエハ5表面の温度分布を推定する温度分布推定工程と、温度分布推定工程で推定した温度分布に応じた凹凸形状にポケット31の底面形状を加工するポケット加工工程と、を備えている。
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。
d=(T−Tmin)×a
但し、aは10以上15以下の定数
を満たす、[3]に記載のサセプタ。
2…リアクタ
2a…導入口
2b…排出口
3…サセプタ
4…ヒータ
5…ウエハ
30…加工前サセプタ
31…ポケット
31a…底面
31b…溝
32…軸取付孔
33…回転軸
Claims (4)
- 縦型の有機金属気相成長装置に用いられ、ウエハを収容する凹状のポケットを有し、前記ポケットに収容したウエハ上に、有機金属気相成長法によりAlGaN系の窒化物半導体結晶を成長させるために用いられるサセプタであって、
前記ポケットは、その底面に、結晶成長中のウエハ表面の温度分布に応じた凹凸形状を有すると共に、その底面に、前記ウエハ表面の温度分布における最も温度が低い位置を基準とし、温度が高い位置ほど深くなる溝を有し、
加工前の前記ポケットに前記ウエハを収容して化合物半導体結晶を成長させた発光ダイオードの発光波長分布に応じて決定された前記温度分布に応じて、前記ポケットの底面を構成する前記サセプタの基材が直接削られており、
前記ポケットは、前記溝を形成されていない部分の底面が、サセプタ回転軸を中心とした径方向に対して垂直方向に伸びるように形成されている、
サセプタ。 - 前記ウエハ表面の温度分布における最も低い温度をTmin(℃)とすると、前記ウエハ表面の温度分布において温度T(℃)である位置の前記溝の深さd(μm)が、下式
d=(T−Tmin)×a
但し、aは10以上15以下の定数
を満たす、
請求項1に記載のサセプタ。 - 請求項1または2に記載のサセプタを用い、
前記ポケットにウエハを収容し、前記サセプタを介してウエハを加熱しつつ原料ガスを供給することで、ウエハ上に化合物半導体結晶を成長させる工程を備えた、
半導体の製造方法。 - 窒化物半導体を成長させるために用いられる縦型の有機金属気相成長装置であって、
請求項1または2に記載のサセプタを備えた、
半導体の製造装置。
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