JP5830026B2 - 基板キャリアの性能を改善する方法 - Google Patents
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Description
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
(項目1)
処理性能を改善するために基板キャリアを修正する方法であって、
a.基板キャリアによって支持された基板上に少なくとも1つの層を蒸着させることと、
b.前記基板キャリア上のその対応する位置の関数として前記少なくとも1つの層のパラメータを測定することと、
c.前記基板キャリア上の複数の位置に対応する前記基板キャリアの複数の物理的特徴を得るために、前記基板キャリア上の複数の位置のうちの少なくともいくつかに対応する測定されたパラメータを、前記基板キャリアの物理的特徴に関連付けることと、
d.前記基板キャリア上の位置の関数として前記少なくとも1つの蒸着された層の所望のパラメータを得るために、前記基板キャリア上の複数の対応する位置のうちの1つ以上において、前記基板キャリアの物理的特徴を修正することと
を含む、方法。
(項目2)
前記基板キャリアは、黒鉛、SiC、金属、およびセラミック材料のうちの少なくとも1つから形成される、項目1に記載の方法。
(項目3)
前記基板は、半導体、金属、および絶縁体材料のうちの少なくとも1つから形成される、項目1に記載の方法。
(項目4)
前記基板上に蒸着される前記少なくとも1つの層の測定されたパラメータを、前記基板キャリアの物理的特徴に関連付けることは、数学的モデルを使用することを含む、項目1に記載の方法。
(項目5)
前記基板上に蒸着される前記少なくとも1つの層の測定されたパラメータを、前記基板キャリアの物理的特徴に関連付けることは、実験によって得られるデータを関連付けることを含む、項目1に記載の方法。
(項目6)
前記基板キャリアの物理的特徴は、前記基板キャリアの局所深さを含む、項目1に記載の方法。
(項目7)
前記基板キャリアの物理的特徴は、前記基板キャリアの局所熱伝導率を含む、項目1に記載の方法。
(項目8)
前記基板キャリアの物理的特徴は、前記基板キャリアの局所放射率を含む、項目1に記載の方法。(項目9)
前記基板キャリアの物理的特徴は、前記基板キャリアの局所機械的特性を含む、項目1に記載の方法。
(項目10)
前記パラメータは、性能測定基準を含む、項目1に記載の方法。
(項目11)
前記パラメータは、前記基板上に蒸着される前記少なくとも1つの層の光学的パラメータである、項目1に記載の方法。
(項目12)
前記パラメータは、前記基板上に蒸着される前記少なくとも1つの層の電気パラメータである、項目1に記載の方法。
(項目13)
前記パラメータは、前記基板上に蒸着される前記少なくとも1つの層の電気光学的パラメータである、項目1に記載の方法。
(項目14)
前記基板キャリア上の前記複数の対応する位置のうちの少なくともいくつかに関連する測定されたパラメータを関連付けることは、特定の場所における前記少なくとも1つの層の放射波長を、前記基板キャリアの対応する局所深さに関連付けることを含む、項目1に記載の方法。
(項目15)
前記位置の関数として前記基板キャリアの物理的特徴を修正することは、前記基板キャリア上の複数の対応する位置のうちの少なくとも1つにおいて、前記基板キャリアから材料を取り除くことを含む、項目1に記載の方法。
(項目16)
前記材料は、機械加工、レーザー切断、化学エッチング、および静電放電のうちの少なくとも1つによって、前記基板キャリア上の対応する位置のうちの少なくとも1つにおいて、前記基板キャリアから取り除かれる、項目15に記載の方法。
(項目17)
前記基板キャリアの物理的特徴を修正することは、前記基板キャリアに材料を追加することを含む、項目1に記載の方法。
(項目18)
前記基板キャリアの物理的特徴を修正することは、前記基板キャリアの局所領域における熱伝導率を変化させることを含む、項目1に記載の方法。
(項目19)
前記局所領域の熱伝導率は、材料を前記局所領域に挿入することによって変化させられる、項目18に記載の方法。
(項目20)
前記局所領域の熱伝導率は、前記局所領域において材料処理を行うことによって変化させられる、項目18に記載の方法。
(項目21)
前記基板キャリアの物理的特徴を修正することは、前記基板キャリアの局所領域における放射率を変化させることを含む、項目1に記載の方法。
(項目22)
前記基板キャリアの物理的特徴を修正することは、前記基板キャリアの局所領域における局所機械的特性を変化させることを含む、項目1に記載の方法。
(項目23)
基板キャリアの性能測定基準を改善するための方法であって、
a.材料処理のために基板を支持するための基板キャリアを製造することであって、前記基板キャリアは、位置の関数として物理的特徴を有する、ことと、
b.基板キャリアによって支持される基板上に少なくとも1つの層を蒸着させることと、
c.前記基板キャリア上のその対応する位置の関数として前記基板上に蒸着される前記少なくとも1つの層の性能測定基準を測定することと、
d.前記基板キャリア上の複数の位置に対応する前記基板キャリアの複数の物理的特徴を得るために、前記基板キャリア上の少なくともいくつかの位置に対応する前記測定された性能測定基準を、前記基板キャリアの物理的特徴に関連付けることと、
e.前記基板キャリア上の位置の関数として蒸着された前記少なくとも1つの層の所望の性能測定基準を得るために、前記基板キャリア上の複数の対応する位置のうちの1つ以上において、前記基板キャリアの物理的特徴を修正することと
を含む、方法。
(項目24)
前記製造された基板キャリアは、所定の深さ輪郭を有する、項目23に記載の方法。
(項目25)
前記製造された基板キャリアは、所定の熱輪郭を有する、項目23に記載の方法。
(項目26)
処理性能を改善するために基板キャリアを修正する方法であって、
a.基板キャリアによって支持された基板上に少なくとも1つの層を蒸着させることと、
b.前記基板キャリア上のその対応する位置の関数として、前記基板上に蒸着される前記少なくとも1つの層の温度依存性処理パラメータを測定することと、
c.前記基板キャリア上の複数の位置に対応する前記基板キャリアの複数の深さを得るために、前記基板キャリア上に製造された前記少なくとも1つの層の前記測定されたパラメータを、基板キャリアの深さに関連付けることと、
d.前記基板キャリア上の対応する位置の関数として、蒸着された前記少なくとも1つの層の所望のパラメータを得るために、前記基板キャリア上の複数の対応する位置のうちの1つ以上において、前記基板キャリアの深さを修正することと
を含む、方法。
(項目27)
前記少なくとも1つの層を蒸着させることは、気相成長法により多重量子井戸構造を製造することを含む、項目26に記載の方法。
(項目28)
前記パラメータは、光学強度を含む、項目26に記載の方法。
(項目29)
前記パラメータは、光学的放射波長を含む、項目26に記載の方法。
(項目30)
前記パラメータは、電気パラメータを含む、項目26に記載の方法。
(項目31)
前記パラメータは、電気光学的パラメータを含む、項目26に記載の方法。
(項目32)
前記基板上に蒸着された前記少なくとも1つの層の測定されたパラメータを、前記基板キャリアの深さに関連付けることは、数学的モデルを使用することを含む、項目26に記載の方法。
(項目33)
前記基板上に蒸着された前記少なくとも1つの層の測定されたパラメータを、前記基板キャリアの深さに関連付けることは、実験データを関連付けることを含む、項目26に記載の方法。
(項目34)
前記蒸着された少なくとも1つの層の所望のパラメータを得るために、位置の関数として前記基板キャリアの深さを修正することは、局所において前記基板キャリアから材料を取り除くことを含む、項目26に記載の方法。
(項目35)
前記材料は、個別の局所において取り除かれる、項目34に記載の方法。
(項目36)
前記材料は、連続する輪郭を形成するために取り除かれる、項目34に記載の方法。
(項目37)
前記蒸着された少なくとも1つの層の所望のパラメータを得るために、位置の関数として前記基板キャリアの深さを修正することは、局所において前記基板キャリアに材料を追加することを含む、項目26に記載の方法。
本出願人の教示が、種々の実施形態と併せて説明されたが、本出願人の教示が、そのような実施形態に限定されることを意図するものではない。対照的に、本出願人の教示は、当業者によって理解されるように、本教示の精神および範囲から逸脱することなく、本明細書に成され得る、種々の代替、修正、および均等物を包含する。
Claims (37)
- 処理性能を改善するために基板キャリアを修正する方法であって、前記方法は、
a.基板キャリアによって支持された基板上に少なくとも1つの層を堆積させることと、
b.前記基板キャリア上のその対応する位置の関数として前記基板上の前記少なくとも1つの層のパラメータを測定することと、
c.前記基板キャリア上の複数の位置に対応する前記基板キャリアの複数の物理的特徴を得るために、前記基板上の複数の位置のうちの少なくともいくつかに対応する前記測定されたパラメータを、前記基板キャリアの物理的特徴に関連付けることと、
d.前記基板キャリア上の位置の関数として前記基板上の前記少なくとも1つの堆積された層の所望のパラメータを得るために、前記基板上の複数の位置に対応する複数の位置において、前記基板キャリアの物理的特徴を修正することと
を含む、方法。 - 前記基板キャリアは、黒鉛、SiC、金属、およびセラミック材料のうちの少なくとも1つから形成される、請求項1に記載の方法。
- 前記基板は、半導体、金属、および絶縁体材料のうちの少なくとも1つから形成される、請求項1に記載の方法。
- 前記基板上に堆積される前記少なくとも1つの層の前記測定されたパラメータを、前記基板キャリアの物理的特徴に関連付けることは、数学的モデルを使用することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記基板上に堆積される前記少なくとも1つの層の前記測定されたパラメータを、前記基板キャリアの物理的特徴に関連付けることは、実験データを関連付けることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記基板キャリアの物理的特徴は、前記基板キャリアの局所深さを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記基板キャリアの物理的特徴は、前記基板キャリアの局所熱伝導率を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記基板キャリアの物理的特徴は、前記基板キャリアの局所放射率を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記基板キャリアの物理的特徴は、前記基板キャリアの局所機械的特性を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記パラメータは、性能測定基準を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記パラメータは、前記基板上に堆積される前記少なくとも1つの層の光学的パラメータである、請求項1に記載の方法。
- 前記パラメータは、前記基板上に堆積される前記少なくとも1つの層の電気パラメータである、請求項1に記載の方法。
- 前記パラメータは、前記基板上に堆積される前記少なくとも1つの層の電気光学的パラメータである、請求項1に記載の方法。
- 前記基板キャリア上の前記複数の対応する位置のうちの少なくともいくつかに関連する前記測定されたパラメータを関連付けることは、特定の場所における前記少なくとも1つの層の放射波長を、前記基板キャリアの対応する局所深さに関連付けることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記位置の関数として前記基板キャリアの物理的特徴を修正することは、前記基板キャリア上の複数の対応する位置のうちの少なくとも1つにおいて、前記基板キャリアから材料を取り除くことを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記材料は、機械加工、レーザー切断、化学エッチング、および静電放電のうちの少なくとも1つによって、前記基板キャリア上の対応する位置のうちの少なくとも1つにおいて、前記基板キャリアから取り除かれる、請求項15に記載の方法。
- 前記基板キャリアの物理的特徴を修正することは、前記基板キャリアに材料を追加することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記基板キャリアの物理的特徴を修正することは、前記基板キャリアの局所領域における熱伝導率を変化させることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記局所領域の熱伝導率は、材料を前記局所領域に挿入することによって変化させられる、請求項18に記載の方法。
- 前記局所領域の熱伝導率は、前記局所領域において材料処理を行うことによって変化させられる、請求項18に記載の方法。
- 前記基板キャリアの物理的特徴を修正することは、前記基板キャリアの局所領域における放射率を変化させることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記基板キャリアの物理的特徴を修正することは、前記基板キャリアの局所領域における局所機械的特性を変化させることを含む、請求項1に記載の方法。
- 基板キャリアの性能測定基準を改善するための方法であって、前記方法は、
a.材料処理のために基板を支持するための基板キャリアを製造することであって、前記基板キャリアは、位置の関数として物理的特徴を有する、ことと、
b.基板キャリアによって支持される基板上に少なくとも1つの層を堆積させることと、
c.前記基板キャリア上のその対応する位置の関数として前記基板上に堆積される前記少なくとも1つの層の性能測定基準を測定することと、
d.前記基板上の複数の位置に対応する前記基板キャリアの複数の物理的特徴を得るために、前記基板上の少なくともいくつかの位置に対応する前記測定された性能測定基準を、前記基板キャリアの物理的特徴に関連付けることと、
e.前記基板キャリア上の位置の関数として前記基板上の前記堆積された少なくとも1つの層の所望の性能測定基準を得るために、前記基板上の複数の位置に対応する複数の位置において、前記基板キャリアの物理的特徴を修正することと
を含む、方法。 - 前記製造された基板キャリアは、所定の深さ輪郭を有する、請求項23に記載の方法。
- 前記製造された基板キャリアは、所定の熱輪郭を有する、請求項23に記載の方法。
- 処理性能を改善するために基板キャリアを修正する方法であって、前記方法は、
a.基板キャリアによって支持された基板上に少なくとも1つの層を堆積させることと、
b.前記基板キャリア上のその対応する位置の関数として、前記基板上に堆積される前記少なくとも1つの層の温度依存性処理パラメータを測定することと、
c.前記基板上の複数の位置に対応する前記基板キャリアの複数の深さを得るために、前記基板上に製造された前記少なくとも1つの層の前記測定されたパラメータを、前記基板キャリアの深さに関連付けることと、
d.前記基板上の対応する位置の関数として、前記基板上の前記堆積された少なくとも1つの層の所望のパラメータを得るために、前記基板上の複数の位置に対応する複数の位置において、前記基板キャリアの深さを修正することと
を含む、方法。 - 前記少なくとも1つの層を堆積させることは、気相成長法により多重量子井戸構造を製造することを含む、請求項26に記載の方法。
- 前記パラメータは、光学強度を含む、請求項26に記載の方法。
- 前記パラメータは、光学的放射波長を含む、請求項26に記載の方法。
- 前記パラメータは、電気パラメータを含む、請求項26に記載の方法。
- 前記パラメータは、電気光学的パラメータを含む、請求項26に記載の方法。
- 前記基板上に堆積された前記少なくとも1つの層の前記測定されたパラメータを、前記基板キャリアの深さに関連付けることは、数学的モデルを使用することを含む、請求項26に記載の方法。
- 前記基板上に堆積された前記少なくとも1つの層の前記測定されたパラメータを、前記基板キャリアの深さに関連付けることは、実験データを関連付けることを含む、請求項26に記載の方法。
- 前記堆積された少なくとも1つの層の所望のパラメータを得るために、位置の関数として前記基板キャリアの深さを修正することは、局所において前記基板キャリアから材料を取り除くことを含む、請求項26に記載の方法。
- 前記材料は、個別の局所において取り除かれる、請求項34に記載の方法。
- 前記材料は、連続する輪郭を形成するために取り除かれる、請求項34に記載の方法。
- 前記堆積された少なくとも1つの層の所望のパラメータを得るために、位置の関数として前記基板キャリアの深さを修正することは、局所において前記基板キャリアに材料を追加することを含む、請求項26に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/629,467 US8486726B2 (en) | 2009-12-02 | 2009-12-02 | Method for improving performance of a substrate carrier |
US12/629,467 | 2009-12-02 | ||
PCT/US2010/056622 WO2011068660A2 (en) | 2009-12-02 | 2010-11-12 | Method for improving performance of a substrate carrier |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015149375A Division JP2015213195A (ja) | 2009-12-02 | 2015-07-29 | 基板キャリアの性能を改善する方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013513236A JP2013513236A (ja) | 2013-04-18 |
JP2013513236A5 JP2013513236A5 (ja) | 2015-09-17 |
JP5830026B2 true JP5830026B2 (ja) | 2015-12-09 |
Family
ID=44069205
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012542044A Active JP5830026B2 (ja) | 2009-12-02 | 2010-11-12 | 基板キャリアの性能を改善する方法 |
JP2015149375A Pending JP2015213195A (ja) | 2009-12-02 | 2015-07-29 | 基板キャリアの性能を改善する方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015149375A Pending JP2015213195A (ja) | 2009-12-02 | 2015-07-29 | 基板キャリアの性能を改善する方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8486726B2 (ja) |
EP (1) | EP2507826A4 (ja) |
JP (2) | JP5830026B2 (ja) |
KR (3) | KR102033085B1 (ja) |
CN (3) | CN105140166A (ja) |
SG (2) | SG193143A1 (ja) |
TW (2) | TWI523137B (ja) |
WO (1) | WO2011068660A2 (ja) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011500961A (ja) | 2007-10-11 | 2011-01-06 | バレンス プロセス イクウィップメント,インコーポレイテッド | 化学気相成長反応器 |
US8486726B2 (en) * | 2009-12-02 | 2013-07-16 | Veeco Instruments Inc. | Method for improving performance of a substrate carrier |
JP2012256737A (ja) * | 2011-06-09 | 2012-12-27 | Sony Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
CN103733020A (zh) | 2011-07-25 | 2014-04-16 | 伊雷克托科学工业股份有限公司 | 用于特征化对象并监视制造过程的方法与设备 |
TWI541928B (zh) | 2011-10-14 | 2016-07-11 | 晶元光電股份有限公司 | 晶圓載具 |
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US10316412B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-06-11 | Veeco Instruments Inc. | Wafter carrier for chemical vapor deposition systems |
US8765493B2 (en) * | 2012-11-20 | 2014-07-01 | Ultratech, Inc. | Methods of characterizing semiconductor light-emitting devices based on product wafer characteristics |
TWI486477B (zh) * | 2012-11-23 | 2015-06-01 | Chemical vapor deposition equipment and its vehicles | |
US10167571B2 (en) * | 2013-03-15 | 2019-01-01 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems |
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TWI650832B (zh) | 2013-12-26 | 2019-02-11 | 維克儀器公司 | 用於化學氣相沉積系統之具有隔熱蓋的晶圓載具 |
DE102014114220A1 (de) * | 2014-09-30 | 2016-03-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren für das Aufwachsen von Halbleiterschichten und Träger zum Aufwachsen von Halbleiterschichten |
US10438795B2 (en) | 2015-06-22 | 2019-10-08 | Veeco Instruments, Inc. | Self-centering wafer carrier system for chemical vapor deposition |
EP3311396A4 (en) | 2015-06-22 | 2019-02-20 | Veeco Instruments Inc. | SELF-CENTERING WAFER SUPPORTING SYSTEM FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION |
WO2017031106A1 (en) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | Veeco Instruments Inc. | Process-specific wafer carrier correction to improve thermal uniformity in chemical vapor deposition systems and processes |
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USD860146S1 (en) | 2017-11-30 | 2019-09-17 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with a 33-pocket configuration |
USD866491S1 (en) | 2018-03-26 | 2019-11-12 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
USD860147S1 (en) | 2018-03-26 | 2019-09-17 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
USD858469S1 (en) | 2018-03-26 | 2019-09-03 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
USD854506S1 (en) | 2018-03-26 | 2019-07-23 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
USD863239S1 (en) | 2018-03-26 | 2019-10-15 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
JP6826554B2 (ja) * | 2018-05-25 | 2021-02-03 | 日機装株式会社 | サセプタ、半導体の製造方法、及び半導体の製造装置 |
WO2020213368A1 (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-22 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置の製造方法、保持装置用の構造体の製造方法および保持装置 |
WO2020220189A1 (zh) * | 2019-04-29 | 2020-11-05 | 苏州晶湛半导体有限公司 | 一种晶片承载盘 |
CN110654690B (zh) * | 2019-09-30 | 2021-05-14 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种石墨舟的定位装置及定位方法 |
WO2022047784A1 (zh) * | 2020-09-07 | 2022-03-10 | 苏州晶湛半导体有限公司 | 一种晶片承载盘 |
EP3984747B1 (en) * | 2020-10-16 | 2023-03-29 | B&R Industrial Automation GmbH | Hot foil stamping machine |
CN113622020A (zh) * | 2021-06-17 | 2021-11-09 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 提高外延片均匀度的外延托盘及其制备方法 |
US20230060609A1 (en) * | 2021-08-31 | 2023-03-02 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier assembly with pedestal and cover restraint arrangements that control thermal gaps |
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US5315473A (en) | 1992-01-21 | 1994-05-24 | Applied Materials, Inc. | Isolated electrostatic chuck and excitation method |
JPH05315429A (ja) | 1992-05-07 | 1993-11-26 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置の搬送装置 |
JPH0758041A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | サセプタ |
US5548470A (en) * | 1994-07-19 | 1996-08-20 | International Business Machines Corporation | Characterization, modeling, and design of an electrostatic chuck with improved wafer temperature uniformity |
JPH0936049A (ja) | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 気相成長装置およびこれによって製造された化合物半導体装置 |
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JP4035008B2 (ja) | 2002-07-08 | 2008-01-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
JP2004087576A (ja) | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Nec Kyushu Ltd | 真空処理装置 |
JP2004103799A (ja) | 2002-09-09 | 2004-04-02 | Canon Inc | 基板保持装置、デバイス製造装置及びデバイス製造方法 |
JP2004244298A (ja) * | 2002-12-17 | 2004-09-02 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンド気相合成用基板ホルダ及びダイヤモンド気相合成方法 |
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CN101164156A (zh) | 2005-08-05 | 2008-04-16 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和用于该基板处理装置的基板载置台 |
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JP4802018B2 (ja) | 2006-03-09 | 2011-10-26 | 筑波精工株式会社 | 静電保持装置及びそれを用いた真空環境装置並びにアライメント装置又は貼り合わせ装置 |
KR20070093493A (ko) * | 2006-03-14 | 2007-09-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 서셉터 및 반도체 제조장치 |
JP2007246983A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Seiko Epson Corp | 成膜装置 |
JP4741408B2 (ja) * | 2006-04-27 | 2011-08-03 | 株式会社荏原製作所 | 試料パターン検査装置におけるxy座標補正装置及び方法 |
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JP5112808B2 (ja) | 2007-10-15 | 2013-01-09 | 筑波精工株式会社 | 静電型補強装置 |
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KR101665242B1 (ko) * | 2015-03-20 | 2016-10-11 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 |
-
2009
- 2009-12-02 US US12/629,467 patent/US8486726B2/en active Active
-
2010
- 2010-11-12 CN CN201510436976.8A patent/CN105140166A/zh active Pending
- 2010-11-12 CN CN201410546852.0A patent/CN104377140B/zh active Active
- 2010-11-12 JP JP2012542044A patent/JP5830026B2/ja active Active
- 2010-11-12 WO PCT/US2010/056622 patent/WO2011068660A2/en active Application Filing
- 2010-11-12 EP EP10834932.5A patent/EP2507826A4/en not_active Withdrawn
- 2010-11-12 KR KR1020177017547A patent/KR102033085B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-12 CN CN201080048148.2A patent/CN102598239B/zh active Active
- 2010-11-12 KR KR1020127010911A patent/KR101617491B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-12 SG SG2013054960A patent/SG193143A1/en unknown
- 2010-11-12 KR KR1020167010860A patent/KR20160054018A/ko active Application Filing
- 2010-11-12 SG SG2012015723A patent/SG179007A1/en unknown
- 2010-12-02 TW TW103101199A patent/TWI523137B/zh active
- 2010-12-02 TW TW099141935A patent/TWI427736B/zh active
-
2013
- 2013-06-18 US US13/920,845 patent/US9269565B2/en active Active
-
2015
- 2015-07-29 JP JP2015149375A patent/JP2015213195A/ja active Pending
-
2016
- 2016-01-10 US US14/991,962 patent/US10262883B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2507826A4 (en) | 2014-11-05 |
US8486726B2 (en) | 2013-07-16 |
KR101617491B1 (ko) | 2016-05-02 |
CN102598239A (zh) | 2012-07-18 |
US9269565B2 (en) | 2016-02-23 |
US10262883B2 (en) | 2019-04-16 |
KR102033085B1 (ko) | 2019-11-08 |
KR20160054018A (ko) | 2016-05-13 |
WO2011068660A3 (en) | 2011-09-22 |
WO2011068660A2 (en) | 2011-06-09 |
US20130284091A1 (en) | 2013-10-31 |
TWI523137B (zh) | 2016-02-21 |
KR20120102613A (ko) | 2012-09-18 |
JP2013513236A (ja) | 2013-04-18 |
CN102598239B (zh) | 2015-07-29 |
CN104377140B (zh) | 2018-04-03 |
US20160126123A1 (en) | 2016-05-05 |
TW201131691A (en) | 2011-09-16 |
TW201434102A (zh) | 2014-09-01 |
JP2015213195A (ja) | 2015-11-26 |
SG193143A1 (en) | 2013-09-30 |
CN105140166A (zh) | 2015-12-09 |
SG179007A1 (en) | 2012-04-27 |
US20110129947A1 (en) | 2011-06-02 |
KR20170076813A (ko) | 2017-07-04 |
EP2507826A2 (en) | 2012-10-10 |
TWI427736B (zh) | 2014-02-21 |
CN104377140A (zh) | 2015-02-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130830 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140526 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150331 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150616 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20150729 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151020 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151023 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5830026 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |