JP2004244298A - ダイヤモンド気相合成用基板ホルダ及びダイヤモンド気相合成方法 - Google Patents
ダイヤモンド気相合成用基板ホルダ及びダイヤモンド気相合成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004244298A JP2004244298A JP2003148426A JP2003148426A JP2004244298A JP 2004244298 A JP2004244298 A JP 2004244298A JP 2003148426 A JP2003148426 A JP 2003148426A JP 2003148426 A JP2003148426 A JP 2003148426A JP 2004244298 A JP2004244298 A JP 2004244298A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- holder
- substrate holder
- diamond
- phase synthesis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】マイクロ波を使用してダイヤモンドを気相合成する際に、多種類の基板に対応することが可能で、プラズマ分布を一定に保つことができるダイヤモンド気相合成用基板ホルダ及びそこの基板ホルダが最も効果を発揮するダイヤモンド気相合成方法を提供する。
【解決手段】ホルダ本体21の上面に基板14を配置するための凹状の基板収納部25が形成され、基板収納部25の中央部には反応ガスを排気するための孔であるオリフィス22が設けられ、オリフィス22からは放射線状に8本の溝23が設けられ、基板収納部25の底面には、同心円状に配置された環状溝26a乃至dが設けられ、更に、基板ホルダ15の上面における基板収納部18の外側部分には、横断面が曲面である部材19が設けられているダイヤモンド気相合成用基板ホルダとする。
【選択図】 図3
【解決手段】ホルダ本体21の上面に基板14を配置するための凹状の基板収納部25が形成され、基板収納部25の中央部には反応ガスを排気するための孔であるオリフィス22が設けられ、オリフィス22からは放射線状に8本の溝23が設けられ、基板収納部25の底面には、同心円状に配置された環状溝26a乃至dが設けられ、更に、基板ホルダ15の上面における基板収納部18の外側部分には、横断面が曲面である部材19が設けられているダイヤモンド気相合成用基板ホルダとする。
【選択図】 図3
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ダイヤモンド気相合成用基板ホルダ及びダイヤモンド気相合成方法に関し、特に、マイクロ波プラズマ発生装置を使用するダイヤモンド気相合成用基板ホルダ及びダイヤモンド気相合成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
ダイヤモンドを気相合成する方法としては、マイクロ波CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相蒸着)法(例えば、特許文献1及び2参照)、高周波プラズマCVD法、熱フィラメントCVD法、直流プラズマCVD法、プラズマジェット法、燃焼法及び熱CVD法等が知られている。これらの気相合成法を使用すると、膜状のダイヤモンドが得られる。
【0003】
前述のマイクロ波CVD法においては、従来、2450MHzの周波数を使用し、最大出力が1.5kW(ダイヤモンド気相合成時の投入電力は400W程度)の小型装置が使用されている。この小型装置は、マイクロ波を導波管により反応容器に導入し、メタン及び水素等の反応ガスをガス圧が約30Torrの条件下でプラズマ化して、シリコンウエハ等の基板上にダイヤモンドを析出させるものであり、ダイヤモンドの成長速度が1時間あたり約0.1乃至0.5μm、実用的な合成面積は50mm以下である。近時、周波数が915MHzで、最大出力が10乃至100kWのマイクロ波を使用し、反応ガス圧が80乃至200Torrである大型の装置(以下、大型装置という)が市販されるようになった。この装置では、ダイヤモンドの成長速度が1時間あたり約0.3乃至10μmであり、実用的な合成面積は150mm以上が得られる。
【0004】
ダイヤモンドの気相合成における基板の最適温度は約800乃至1000℃とされているが、前述の小型装置を使用した場合、マイクロ波を投入することにより発生する反応ガスのプラズマにより加熱され、基板の温度は適温に維持される。一方、前述の大型装置では、投入するマイクロ波電力が大きいため、発生するプラズマの温度が高く、基板の温度が最適温度以上に上昇してしまう。このため、基板の冷却が必要となり、通常、基板を冷却する構造が設けられた基板ホルダが使用されている。一般に、基板を加熱することは容易であるが、基板を冷却し、更にその温度を制御することは技術的及び装置的に極めて困難であり、未だ十分な制御方法が確立されていないのが現状である。
【0005】
図20(a)は基板温度制御を図った従来の基板ホルダの断面図であり、図20(b)はその平面図である。図20(a)に示すように、従来の基板ホルダ18のホルダ本体2の上面には、基板1を配置するための凹状の基板収納部4が形成されており、基板収納部4の中央部には直径約1mmのオリフィス(管)3が設けられている。従来の基板ホルダ18は、真空ポンプを使用し、オリフィス3から反応ガスを排気し、反応室のガス圧及び基板1と基板ホルダ2との間に残留する反応ガスとの差圧(ΔP)を維持する。例えば、ΔPがほぼ0の場合と、ΔPが−2Torrの場合とでは、後者の方が残留ガスによる熱伝導が小さくなり、基板の温度は上昇する。そこで、従来の基板ホルダでは、図20(b)に示すように、前記差圧(ΔP)の効果を基板全体に行き渡らせるため、オリフィス3から放射線状に4本の細い溝6が設けられている。
【0006】
また、基板を効率的に冷却するため、通常、基板ホルダは熱伝導性の良い金属により構成されている。特に、基板ホルダの構成部品のうち基板に接する部分は、プラズマに曝されて800℃以上の高温になる可能性があるため、モリブデン又はタングステン等の高融点金属が使用される。そして、その下層は、銅等の高熱伝導性金属が使用され、この部分が水等の冷媒に接する。このような金属により構成された基板ホルダは、反応容器中におけるマイクロ波共振器の構成部品でもある。このため、その形状を変えることによりマイクロ波電界の分布をある程度変化させることが可能である。通常、基板ホルダは、基板が配置される位置にできるだけ均一なプラズマが発生するように設計されている。このように、均一なプラズマを発生させることにより、品質が均一なダイヤモンドを合成又は成膜することができる。
【0007】
通常、基板にはシリコンウエハ又はモリブデン板等が使用されるが、その形状及び大きさは1種類に決まっているわけではない。よって、前述の基板ホルダの最適設計においても、各々の形状及び大きさの基板に対応した基板ホルダを用意する必要がある。仮に、基板形状に合わない基板ホルダを使用してもダイヤモンドの合成又は成膜は可能であるが、反応容器中におけるプラズマ分布が最適にならないため、基板上に合成又は成膜されたダイヤモンドの品質及び膜厚が均一になりにくい。例えば、円盤状のシリコン基板上にダイヤモンドを成膜する場合、同心円状に限らず、品質又は膜厚にむらを生じることがある。
【0008】
ダイヤモンド膜の応用製品においては、品質又は膜厚のむらは、できるだけ少ない方が望ましい。例えば、シリコン基板を除去して赤外線等の窓に応用する場合、粒径が不均一であると透過率にむらが生じる。また、ダイヤモンド膜上にダイオード又はトランジスタを形成する場合、フォトリソグラフィ等の工程を高精度に行うため、ダイヤモンド膜の表面が平坦でなければならない。このとき、合成したダイヤモンド膜の膜厚が不均一であると、研磨によりその表面が平坦化されるが、膜厚が均一であれば研磨工程を簡略化できることは自明である。
【0009】
【特許文献1】
特公昭59−27754号公報 (第1−3頁、第1−2図)
【特許文献2】
特公昭61−3320号公報 (第1−3頁、第1図)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述の従来の基板ホルダには、以下に示す問題点がある。図21は従来の基板ホルダを使用して作製したダイヤモンド膜の膜厚分布を示す図である。従来の基板ホルダの第1の問題点は、図20(a)に示すように、基板収納部4が基板1の厚さより浅いため、基板ホルダ2の縁部より基板1の上面の方が高くなり、ダイヤモンドを気相合成する際に発生するプラズマが基板1の縁部に集中して、基板縁部では極めて高速でダイヤモンドが成長することである。この結果、例えば、直径6インチのシリコン基板上に、平均200μmのダイヤモンド膜を合成した場合、図21に示すように、基板縁部及びプラズマ中心に近い基板中央部で膜厚が厚くなるといった不均一な膜厚分布が生じる。このような膜厚が不均一なダイヤモンド膜は、通常、研磨により表面を平坦化して使用されるが、膜厚が厚い部分と薄い部分との差が大きいものは、そのコストが増大する。そのため、ダイヤモンド膜製造においては、プラズマの集中を防ぎ、更に基板の中心部及び周辺部の温度を制御して、膜厚の均一化を図ることが求められている。
【0011】
また、第2の問題点は、溝6の周辺と他の領域とで、ダイヤモンド膜の膜質が異なることである。図22は従来の基板を使用してダイヤモンド膜を気相合成した場合の基板の温度分布を示す図である。同一基板上で膜質が不均一になるのは、図22に示すように、基板1と基板ホルダ2とが接しないオリフィス3及び溝6の部分の基板温度が、他の部分より高くなっているためである。
【0012】
更に、従来、ダイヤモンド膜の品質及び膜厚を均一化するためには、例えば、円盤状のモリブデン製ブロックに基板形状に整合する凹部を設けることにより、基板表面とモリブデン製ブロックの表面の高さを揃えて、容器内の共振器形状を一定に保つ方法が適用されているが、この方法は、種々の形状及び大きさの基板毎に、それらに適合する凹部が形成された基板ホルダを用意しなければならない。基板に標準規格品であるシリコンウエハを使用するのであれば、用意する基板ホルダも少数で済むが、そうでない場合、規格外品及び種々の形状の基板に対して1種類の基板ホルダを使用することができると、基板ホルダを作製するための手間及び費用、並びにホルダ交換の手間を省くことができるため、非常に便利である。
【0013】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、マイクロ波を使用してダイヤモンドを気相合成する際に、多種類の基板に対応することが可能で、プラズマ分布を一定に保つことができるダイヤモンド気相合成用基板ホルダ及びそこの基板ホルダが最も効果を発揮するダイヤモンド気相合成方法を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本願第1発明に係るダイヤモンド気相合成用基板ホルダは、ホルダ本体と、このホルダ本体の上面に形成された基板を配置するための凸状の基板収納部と、を有し、前記基板収納部は前記基板の厚さより深いことを特徴とする。
【0015】
本発明においては、基板上面より基板ホルダ上面を高くすることにより、基板縁部にプラズマが集中することを防ぎ、基板表面に均一にダイヤモンドを合成することができる。
【0016】
前記基板収納部の底面には、ガスを排気するための孔と、前記孔から前記基板の縁部に向けて延びる溝とが設けられていてもよい。この孔及び溝により前記基板の温度を調整することができる。
【0017】
また、前記ホルダ本体の上面における前記基板収納部の外側部分には、横断面が曲面である部材を設けることができる。これにより、基板縁部周辺に角部がなくなり、基板縁部にプラズマが集中することを防ぐことができる。
【0018】
更に、前記孔は前記基板収納部の底面中央に設けられ、前記溝は前記孔から放射線状に延び、更に、前記基板収納部の底面には同心円状に配置された複数個の環状の溝が設けられており、前記環状の溝間の間隔は外周部になるに従い狭くしてもよい。前記環状の溝の幅は、例えば、0.1乃至3.0mmである。
【0019】
更にまた、前記孔及び前記基板収納部は、複数個設けることができる。この基板収納部の直径は、例えば、5cm以上である。
【0020】
更にまた、前記基板収納部の底面には、ガスを排気するための孔及び複数個の突起が形成されている場合、前記基板は前記突起の上面で接触し、前記突起上面により構成される面の深さは前記基板の厚さより深いことが好ましい。これにより、基板中央部の冷却効率を向上させることができる。
【0021】
前記基板収納部の深さと前記基板の厚さとの差は、0.5乃至20mmであることが好ましい。これにより、マイクロ波が基板に集中することを緩和し、且つ合成速度を低下させずに、基板上に均一にダイヤモンドを合成することができる。
【0022】
前記ホルダ本体における外径と内径との差は、5乃至50mmであることが好ましく、また、反応容器内部に配置される場合、前記ホルダ本体の外径が前記反応容器の内径の(1/10)乃至(1/3)であることが好ましい。これにより、基板上のプラズマの状態が適性化され、均一なダイヤモンドを合成することができる。
【0023】
また、前記基板収納部には、前記基板より直径が大きい1個以上の内枠を設けることができる。前記内枠は、例えば、厚さが0.2乃至5mmであり、高さがホルダ本体の上面と同等又は基板上面より高くホルダ本体の上面より低くする。これにより、基板の基板の大きさが基板収納部より小さい場合においても、前記基板に対応したプラズマを発生させることができる。
【0024】
また、このダイヤモンド気相合成用基板ホルダは、マイクロ波を使用し、反応室への投入電力が10kW以上で、反応ガス圧が80乃至200Torrであるマイクロ波プラズマ化学気相蒸着において使用することができる。
【0025】
更に、反応室への投入電力が50kW以上で、周波数が915MHzであるマイクロ波を使用し、反応ガス圧が80乃至150Torrであるマイクロ波プラズマ化学気相蒸着において使用してもよい。
【0026】
本願第2発明に係るダイヤモンド気相合成方法は、前述のダイヤモンド気相合成用基板ホルダを使用し、反応ガス圧が80乃至200Torrである反応容器内に、電力が10kW以上のマイクロ波を導入してプラズマを発生させることにより、ダイヤモンドを合成することを特徴とする。前記マイクロ波は、例えば、915±10MHzである。
【0027】
本発明においては、前述の基板ホルダを使用することにより、基板温度及び基板のプラズマを均一化することができるため、膜厚及び膜質が均一なダイヤモンドを気相合成することができる。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に係るダイヤモンド気相合成用基板ホルダについて、添付の図面を参照して具体的に説明する。
【0029】
第1実施形態
図1(a)は本発明の第1実施形態に係る基板ホルダを示す断面図であり、図1(b)はその平面図である。本発明の第1実施形態の基板ホルダ15は、図1(a)に示すように、ホルダ本体10の上面に基板9を配置するための凹状の基板収納部13が形成されており、基板収納部13の中央部には反応ガスを排気するための孔である直径約1mmのオリフィス(管)11が設けられている。また、オリフィス11からは放射線状に4本の溝12が設けられている。そして、基板収納部13の深さは基板9の厚さより深く、従って、基板9を基板収納部13に収納すると、その上面はホルダ本体10の上面よりも下になる。
【0030】
本実施形態の基板収納部13は、直径が5cm以上であることが好ましい。小径の基板を使用すると、プラズマの集中又は基板の温度分布等の問題は起こりにくいが、生産コストを考慮すると、直径が5cm以上の基板を使用することが望ましい。従って、基板収納部13の直径も5cm以上であることが好ましい。また、基板9の厚さと基板収納部13の深さの差(基板9の上面とホルダ本体10の上端との差)は、0.5乃至20mmであることが好ましい。基板9の上面とホルダ本体10の上端との差は、合成したダイヤモンド膜の均一性に影響を及ぼす。その差が0.5mmより少ない場合は基板周辺の膜厚が厚くなり、20mmより多い場合は基板中央部のみに成膜され、膜厚が不均一となる。
【0031】
このように構成された本実施形態の基板ホルダ15においては、基板収納部13に基板9を収納し、例えば、915±10MHzのマイクロ波を使用し、反応室への投入電力が50kW以上のマイクロ波プラズマCVD装置に挿入して、反応ガス圧が80乃至150Torrで、ダイヤモンド膜を気相合成する。本実施形態の基板ホルダ15は、基板収納部13を基板9の厚さより深くし、基板9の上面よりホルダ本体10の上端が高くなるようにしたため、前記気相合成中に基板9の縁部へのプラズマの集中がなく、基板縁部の厚膜化を防ぐことができる。また、オリフィス11から反応ガスを排気し、反応室のガス圧と基板9とホルダ本体10との間に残留する反応ガスのガス圧との差圧(ΔP)を一定に保持し、更に、オリフィス11から基板の縁部方向設けられた溝12により、基板内での差圧(ΔP)を均一化し、基板9の全面において基板温度を一定に保つことができる。
【0032】
第2実施形態
図2(a)は本発明の第2実施形態に係る基板ホルダを示す断面図であり、図2(b)はその平面図である。本発明の第2実施形態の基板ホルダ16は、前記第1実施形態のホルダ本体10の上面における基板収納部13の外側部分に、横断面が曲面である部材14を設けたものである。
【0033】
このように構成された本実施形態の基板ホルダ16においては、前記第1実施形態同様に、基板収納部13に基板9を収納し、例えば、915±10MHzのマイクロ波を使用し、反応室への投入電力が50kW以上のマイクロ波プラズマCVD装置に挿入して、反応ガス圧が80乃至150Torrで、ダイヤモンド膜を気相合成する。本実施形態の基板ホルダ16は、ホルダ本体10の上面の基板9縁部周辺に横断面が曲面である部材14を設けることにより、基板9の縁部及びホルダ本体10にプラズマが集中すること防ぐことができる。マイクロ波によるプラズマの集中は角部に生じやすいため、ホルダ本体10に取り付ける部材上面は曲面で構成されていることが好ましい。本実施形態では、部材14を基板9の上まで配置しているが、そのような構造に限定するものではなく、部材14はホルダ本体10の上面部に配置されていれば、同様の効果が得られる。また、基板9の上面とホルダ本体10の上端との差は、第1実施形態と同様の理由から、0.5乃至20mmであることが好ましい。
【0034】
第3実施形態
図3(a)は本発明の第3実施形態に係る基板ホルダを示す断面図であり、図3(b)はその基板収納部を示す平面図である。本発明の第3実施形態の基板ホルダ17は、図3(a)に示すように、ホルダ本体21の上面に基板20を配置するための凹状の基板収納部25が形成されており、基板収納部25の中央部には反応ガスを排気するための孔である直径約1mmのオリフィス(管)22が設けられている。基板収納部25の底面には、オリフィス22から放射線状に基板20の縁部まで延びている8本の溝23及び、オリフィス22を中心にして同心円状に配置された環状溝26a乃至dの2種類の溝が設けられている。また、ホルダ本体21の上面における基板収納部18の外側部分には、横断面が曲面である部材24が設けられている。
【0035】
このように構成された本実施形態の基板ホルダ17においては、前記第1及び第2実施形態同様に、基板収納部25に基板20を収納し、例えば、915±10MHzのマイクロ波を使用し、反応室への投入電力が50kW以上のマイクロ波プラズマCVD装置に挿入して、反応ガス圧が80乃至150Torrで、ダイヤモンド膜を気相合成する。本実施形態の基板ホルダ17は、基板収納部25の底面に、オリフィス22から放射線状に延びる溝23に加え、環状溝26a乃至dを設けることにより、基板20とホルダ本体21との間に残留する反応ガスのガス圧を基板20の全面において均一化することができる。また、基板ホルダ17では、個々の環状溝を形成する間隔が、中心部から外周部に向かうに従い狭くなっている。環状溝間の間隔、所謂基板20とホルダ本体21とが接触する面積を、基板温度が上昇しやすい基板中央部分では広くすることにより基板20の冷却効率を上げ、基板温度が上昇しにくい基板縁部では狭くして基板20が冷却されすぎるのを防ぐ。これらの効果により、基板ホルダ17は、基板20の温度分布をなくなり、その全面において基板温度が均一化されるため、膜厚及び膜質が均一なダイヤモンド膜を気相合成することができる。
【0036】
基板ホルダ17において、環状溝26a乃至dの幅は、0.1乃至3.0mmであることが好ましい。溝の幅が0.1mmより狭いと、溝を設けた効果が得られず、基板が冷却されすぎてしまう。また、溝の幅が3.0mmより広いと基板温度にむらが生じ、溝が設けられている部分だけ基板表面の温度が低くなってしまう。
【0037】
前記第3実施形態の基板ホルダ17では、溝23の数を8本とし、その長さを基板縁部までとしたが、その数、長さ及び深さは特に限定するものではなく、例えば溝の数を16本とし、長さを前記第3実施形態の半分程度とすることもできる。
【0038】
本発明のダイヤモンド気相合成用基板ホルダにおいては、1つの基板収納部に複数個のオリフィスを設けることもできる。これにより、溝におけるΔPをより均一化することができる。また、1つの基板ホルダ上に前記実施形態で示した構造を有する基板収納部を複数個設けることができ、それにより、複数個の基板を搭載することができ、製造効率を向上することができる。
【0039】
第4実施形態
図4は本発明の第4実施形態に係る基板ホルダ19を示す平面図である。本発明の第4実施形態の基板ホルダ19は、図4に示すように、ホルダ本体31の上面に基板を配置するための凹状の基板収納部33が形成されており、基板収納部33の中央部には反応ガスを排気するための孔である直径約1mmのオリフィス(管)32が設けられている。また、基板収納部33の底面には複数個の突起34が形成されており、基板は突起34の上面で接する。そして、突起34の上面により形成される面の深さは基板の厚さより深く、従って、基板を基板収納部33に収納すると、その上面はホルダ本体31の上端よりも下になる。
【0040】
このように構成された本実施形態の基板ホルダ19においては、前記第1乃至第3実施形態同様に、基板収納部33に基板を収納し、例えば、915±10MHzのマイクロ波を使用し、反応室への投入電力が50kW以上のマイクロ波プラズマCVD装置に挿入して、反応ガス圧が80乃至150Torrで、ダイヤモンド膜を気相合成する。本実施形態の基板ホルダ19は、基板収納部33の底面に複数個の突起34を設け、突起34の上面と基板が接するようにしたことにより、突起34間の空隙が前記第1乃至第3実施形態における溝と同様の効果を有するため、基板温度をより均一化することができる。
【0041】
また、本実施形態の基板ホルダ19における基板と1個の突起34の上面とが接触する面積は、基板の外周部になるに従い小さくなることが好ましい。そうすることにより、基板温度が上昇しやすい基板中央部の冷却効率を上げ、基板温度が上昇しにくい基板縁部が冷却されすぎるのを防ぐことができるため、基板全面でその温度を均一化することができる。更に、基板収納部底面に設けられた突起を、基板と突起とが面ではなく点で接触するような形状にすることもできる。基板と突起とが点で接している場合でも、基板の冷却効果は失われない。
【0042】
第5実施形態
図5(a)は本発明の第5実施形態の基板ホルダ40を示す平面図であり、図5(b)は図5(a)に示すA−A線による平面図である。なお、図5(a)には、基板に接する部品のみ記載し、それ以外の部品及び基板は省略している。図5(a)及び(b)に示すように、本発明の第5実施形態の基板ホルダ40は、ホルダ本体41の上面に基板42が配置される凹状の基板収納部43が形成されている。この基板収納部43には、基板収納部43と同軸状の環状溝46が形成されており、この溝46の内周部と外周部との中間点には、反応ガスを排気するための4個のオリフィス45が設けられている。また、基板収納部43の深さは基板42の厚さより深く、従って、基板42を基板収納部43に収納すると、その上面はホルダ本体41の上端よりも下になる。
【0043】
このように、本実施形態の基板ホルダ40は、基板42の上面よりホルダ本体41の上端が高いため、マイクロ波電界をホルダ本体41の外縁(外縁枠44)に集中させて、基板42へマイクロ波電界が集中することを緩和することができる。これにより、基板ホルダ40上のプラズマ分布が基板42の形状に左右されず、種々の形状の基板に対しても均一なプラズマを得ることができる。従って、種々の形状の基板を使用しても、安定して均一なダイヤモンドを合成又は成膜することができる。
【0044】
このとき、基板42の厚さより基板収納部43の深さが浅い(基板本体41の上端の方が低い)と、外縁枠44への電界集中の効果が小さくなる。一方、基板42の厚さより基板収納部43の深さが高すぎる(基板本体41の上端の方が高すぎる)と、基板に接するプラズマの強度が弱くなりすぎるため、ダイヤモンドの合成速度が著しく低下する。そこで、本実施形態の基板ホルダ40においては、基板42の上面とホルダ本体41の上端との差は、0.5乃至20mmの範囲にする。
【0045】
更に、この基板ホルダ40を前述の大型装置に使用する場合、ホルダ本体41の外径はマイクロ波の共振器の一部を担うため、特に重要である。そこで、本発明者等は、種々の実験の結果、ホルダ本体41の外径は、基板ホルダ40を配置する反応容器の内径の(1/10)乃至(1/3)が最適であることを見出した。ホルダ本体41の外径が反応容器の内径の(1/10)より小さいと電界集中の効果が小さくなり、プラズマが外側に広がってしまう。これにより、基板ホルダ40の以外の場所に堆積するカーボン膜の量が増し、メタン等の原料ガスが基板42上にダイヤモンドとして成膜される割合が減る。即ち、ダイヤモンド合成効率が悪くなる。一方、ホルダ本体41の外径が反応容器の(1/3)より大きいと、基板42近傍への電界集中が強くなり、ホルダ本体41の外縁への電界集中効果が小さくなってしまう。このように、ホルダ本体41の大きさ及び形状により、反応容器内のプラズマの分布形状を整えることができる。
【0046】
更にまた、本実施形態の基板ホルダ40におけるホルダ本体41の内径と外径の差(外縁枠44の厚さ)は5乃至50mmであることが好ましい。これにより、電界集中、即ち、プラズマが集中する程度を制御することができる。前述の外径枠44の厚さを5mm以上にすると、過度のプラズマ集中を防ぐことができ、冷却効果を高めることができる。但し、外縁枠44の厚さが50mmより厚くなると、電界集中効果が薄れ、プラズマが不必要に広がったり、円形又は楕円形ではなくいびつに変形したりする。また、外縁枠44の断面形状は、プラズマに接する部分が滑らかな曲線であることが望ましく、逆U字型、角を滑らかに面取りした矩形若しくは台形、又はこれらの組み合わせ等が使用できるが、これらに限定するものではない。なお、本発明における外径枠44の厚さとは、平均の厚さをいう。
【0047】
図6は本実施形態の基板ホルダ40の使用形態を示す断面図である。図6に示すように、基板ホルダ40においては、基板収納部43に基板42が収納され、基板ホルダ下部48と、この基板ホルダ下部48の上に配置された基板ホルダ中部47の上に配置される。図7(a)は基板ホルダ下部48の一例を示す平面図であり、図7(b)は図7(a)に示すB−B線による断面図である。また、図8(a)は基板ホルダ中部の一例を示す平面図であり、図8(b)は図8(b)に示すC−C線に示す断面図である。基板ホルダ40は、例えば、モリブデン等の高融点金属からなり、基板ホルダ下部48及び基板ホルダ中部47は、例えば、銅等からなる既存のものを使用することができる。そして、これらを反応容器中に配置し、周波数が約915±10MHz、電力が10kW以上のマイクロ波により発生させるプラズマを使用し、反応ガス圧が80乃至200Torrの条件下で、ダイヤモンド膜を気相合成する。一般に、共振器を兼ねた反応容器及び基板ホルダの大きさがある程度限定されるため、共振器の大きさはマイクロ波の波長により決定される。このため、本実施形態の基板ホルダ40を使用すると、その外径と同等の直径を有し、ほぼ回転楕円形又はそれに準じた形状のプラズマを発生させることができる。
【0048】
第6実施形態
図9(a)は本発明の第6実施形態の基板ホルダ50を示す平面図であり、図9(b)は図9(a)に示すD−D線に示す断面図である。図9(a)及び(b)に示すように、本発明の第6実施形態の基板ホルダ50は、ホルダ本体51の上面に基板52が配置される凹状の基板収納部53が形成されている。この基板収納部53の深さは基板52の厚さより深く、従って、基板52を基板収納部53に収納すると、その上面はホルダ本体51の上端よりも下になる。また、基板収納部53には、同心円状に内枠54a、54b及び54cが設けられている。この内枠54a乃至54cの高さは、最も内側に配置されている(最も直径が小さい)内枠54aが最も低く、外側に(半径が大きく)なるに従い高くなり、内枠54cの上面はホルダ本体51の上端と同等の高さになっている。但し、内枠54aの高さは基板52の厚さよりも高くすることが好ましい。
【0049】
前述の実施形態1乃至5の基板ホルダにおいては、基板収納部よりもかなり小さい基板を使用してもダイヤモンドの合成は可能であるが、本実施形態の基板ホルダ50のように、基板収納部53に基板52より直径が大きい内枠を、適当な間隔で設けることより、より均一にダイヤモンドを合成することができる。なお、本実施形態の基板ホルダ50においては、内枠を3個設けた場合について述べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、1枚以上であればよく、基板の大きさに応じて適宜選択することができる。また、その厚さは、前述した外縁枠55と同様に、電界及びプラズマの制御性と過剰加熱を両立することが必要であるが、外縁枠55より電界の集中は少ないため、より薄くすることができる。本発明者等は、種々の実験の結果、内枠の厚さは0.2乃至5mmとすることが好ましいことを見出した。更に、内枠の高さは、基板ホルダ本体51の上端と同じにするか、基板52上面より高く、基板ホルダ本体51の上端より低くすることにより、基板ホルダ本体51上面においてほぼ均一になったプラズマを、基板収納部53より小さい基板52の近傍まで均一にすることができる。
【0050】
更に、本実施形態の基板ホルダ50においては、同心円状の内枠を設けた場合について述べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、横断面が八角形状等、基板の形状に応じて適宜選択することができる。図10(a)は本実施形態の変形例の基板ホルダ60を示す平面図であり、図10(b)は図10(a)に示すE−E線による断面図である。図10(a)及び(b)に示すように、本実施形態の変形例の基板ホルダ60は、ホルダ本体61の上面に基板62が配置される凹状の基板収納部63が形成されている。この基板収納部63の深さは基板62の厚さより深く、従って、基板62を基板収納部63に収納すると、その上面はホルダ本体61の上端よりも下になる。また、また、基板62は横断面が正方形であり、基板収納部63には、最も内側に横断面が八角形状の内枠64aが形成され、その外側に横断面が円形の内枠64b及び64cが設けられている。この内枠64a乃至64cの高さは、最も内側に配置されている内枠64aが最も低く、外側になるに従い高くなり、内枠64cの上面はホルダ本体61の上端と同等の高さになっている。
【0051】
なお、本発明のダイヤモンド気相合成用基板ホルダの構造は、使用する基板の形状、面積又は材質に制限されるものではない。
【0052】
【実施例】
以下、本発明の実施例の効果について、本発明の範囲から外れる比較例と比較して説明する。
【0053】
実施例1
先ず、本発明の実施例1として、図3に示したダイヤモンド気相合成用基板ホルダを使用し、マイクロ波CVD法により、6インチシリコン基板上に厚さ400μmのダイヤモンド膜を気相合成した。表1にはその条件を示す。
【0054】
【表1】
【0055】
図11は本実施例により得られたダイヤモンド膜の膜厚分布を示す図である。本実施例で作製した実施例1のダイヤモンド膜は、中央部の膜厚と縁部の膜厚との差は約5%であり、縁部の厚膜化及び不均一な温度分布は見られなかった。以上の結果より、本実施例では、従来の課題であった膜厚及び基板温度の均一化を実現することができた。
【0056】
実施例2
次に、本発明の実施例2として、図5に示す第5実施形態の基板ホルダ40を使用してダイヤモンド膜を気相合成した。本実施例においては、直径150mm、厚さ10mmのシリコン基板を使用した。また、基板ホルダ40は、材料にモリブデンを使用し、基板ホルダ本体41の外径は170.0mm、基板収納部の外径は152.0mmとし、内径と外径の差(外縁枠44の厚さ)を18.0mmとし、基板収納部43の深さは15.0mmとした。よって、基板ホルダ本41の上端と基板42上面との高さの差は5.0mmであった。更に、環状溝45の内径は55.0mm、外周が140.0mmであり、この環状溝45における直径が100.0mmの円周上に形成されている4個のオリフィス45の直径は1.6mmであった。更にまた、本実施形態の基板ホルダ40の底面には凹部が形成されており、その直径は154.0mm、深さは0.25mmであった。更にまた、外縁枠44の先端はR5.0の曲面により形成し、外縁枠44の上端から9.0mmの間には傾斜を形成した。この基板ホルダ40を図8及図9に示す基板ホルダ下部48及び基板ホルダ中部47の上に配置した。基板ホルダ下部48の厚さは5.0mm、基板ホルダ中部47の厚さは4.8mmにした。なお、これら以外の仕様については、既存の基板ホルダと同様にした。
【0057】
図12は本実施例で使用したマイクロ波プラズマ気相合成装置を模式的に示す断面図である。図12に示すように、本実施例においては、最大部の直径が約1mである反応容器70を有するマイクロ波プラズマ気相合成装置を使用した。先ず、反応容器70の中央付近に設けられ、銅製の冷却ステージ71上に、前述の基板ホルダ40及び基板42を設置し、基板42の上方に基板温度を測定する赤外放射式温度計72を設置した。また、反応容器70には、石英製のマイクロ波窓73が設けられている。反応容器70内にメタン2%、水素98%からなる反応ガスを導入した。そして、反応容器内の圧力を80乃至200Torrに保ち、周波数約915MHz、電力が10kW以上のマイクロ波によりプラズマを発生させ、冷却ステージ71の内部に冷却水を循環させて基板42を冷却しながらダイヤモンド合成を行った。
【0058】
また、比較例1として、外縁枠がない基板ホルダを使用し、前述の実施例2と同じ装置及び条件でダイヤモンド合成を行った。更に、比較例2として、基板ホルダ本体の上端と基板上面の高さが同等である基板ホルダを使用し、同様にダイヤモンド合成を行った。
【0059】
赤外放射式温度計72により、実施例2、比較例1及び2における基板の温度を測定したところ、基板及び基板ホルダの形状に依存した分布が確認された。図13(a)は比較例1におけるプラズマ分布を示す断面図であり、図13(b)は比較例2におけるプラズマ分布を示す断面図であり、図13(c)は実施例2におけるプラズマ分布を示す断面図である。また、図14は比較例1、2及び実施例2の基板表面における温度分布を示すグラフ図である。図13(a)に示すように、外縁枠がない基板ホルダ75を使用した比較例1の場合、プラズマは基板ホルダ外へ広く広がっていた。また、基板42の端部及び基板ホルダ本体の端部には電界が集中し、プラズマ発光が非常に強かった。図14に示すように、基板温度分布もこれを反映しており、基板の端部は非常に高温になり、中間部は低いが、中心部は高くなっていた。
【0060】
また、図13(b)及び図14に示すように、基板ホルダ本体上端と基板上面とが同程度の高さである基板ホルダ76を使用した比較例2の場合、プラズマ分布がやや小さくなり、温度は全体的にやや下がり、分布もやや均一化した。しかしながら、外縁枠と基板42との間に僅かながら隙間があったため、基板の端部の角近傍に電界が集中し、基板端部における温度も高かった。
【0061】
一方、図13(c)及び図14に示すように、基板ホルダ40を使用した実施例2の場合、プラズマ分布は小さく、温度分布も均一になった。また、基板の上面が基板ホルダ本体の上端より低いため、電界集中もほとんどなく、前述の比較例1及び2で見られた基板の端部における異常な温度上昇もなかった。
【0062】
そして、所定の時間合成を行った後、基板42を反応容器から取り出したところ、基板上にはダイヤモンド膜が成膜されていたが、その膜厚は図11に示す基板温度分布にほぼ一致し、基板温度が高い箇所ではダイヤモンド膜の膜厚が厚くなっていた。また、結晶形態、欠陥密度等、ダイヤモンドの品質は、温度分布をほぼ反映したものであった。
【0063】
実施例3
次に、本発明の実施例3として、基板収納部より大幅に小さい基板を使用し、図9に示す第6実施形態の基板ホルダ50を使用してダイヤモンド膜を気相合成した。本実施例においては、直径50mm、厚さ5mmのシリコン基板を使用した。また、外径枠55の厚さを18mm、基板収納部53の深さを15.0mmとし、基板収納部43に3重の内枠54a乃至54dを設けた。夫々の内縁枠の高さは、内側なるに従い低くし、最も内側の内枠54aの上面は基板52の上面より5.0mm高くし、その外側の内枠54bは基板52の上面より9.0mm高くし、最も外側の内枠54cは基板ホルダ本体51の上端と同じ高さに(基板52より10.0mm高く)した。その他の仕様は、前述の実施例2で使用した基板ホルダと同様にした。
【0064】
また、比較例3として、外縁枠がない基板ホルダ75を使用して、前述の実施例3と同じ装置及び条件でダイヤモンド合成を行った。更に、比較例4として、外縁枠はあるが内枠がない基板ホルダ77を使用して、同様にダイヤモンド合成を行った。図15(a)は比較例3におけるプラズマ分布を示す模式図であり、図15(b)は比較例4におけるプラズマ分布を示す模式図であり、図15(c)は実施例3におけるプラズマ分布を示す模式図である。また、図16は比較例3、4及び実施例2の基板表面における温度分布を示すグラフ図である。
【0065】
図15(a)に示すように、外縁枠がない基板ホルダ75を使用した比較例3の場合、プラズマは基板ホルダ外へ広く広がった。また、基板52の端部及び基板ホルダ本体の端部には、電界が集中し、プラズマ発光が非常に強かった。図16に示すように、基板温度分布もこれを反映しており、基板の端部は非常に高温になった。更に、基板が前述の実施例2で使用したものより小さいため、温度分布は内側にいくほど低くなった。図15(b)及び図16に示すように、内枠がない基板ホルダ77を使用した比較例4の場合、プラズマ分布はやや小さくなり、温度は全体的にやや下がり、分布もやや均一化した。しかしながら、基板52の端部の角部近傍に電界が集中し、やや高温になった。一方、図15(c)及び図16に示すように、内枠を設けた基板ホルダ50を使用した実施例3の場合、プラズマ分布はやや小さく、温度分布も均一になった。また、基板52の端部への電界集中もほとんどなく、異常な温度上昇もなくなった。
【0066】
そして、所定の時間合成を行った後、基板52を反応容器から取り出したところ、基板上にはダイヤモンド膜が成膜されていたが、その膜厚は前述の基板温度分布にほぼ一致し、基板温度が高い箇所ではダイヤモンド膜の膜厚が厚くなっていた。また、結晶形態、欠陥密度等、ダイヤモンドの品質は、温度分布をほぼ反映したものであった。
【0067】
実施例4
次に、本発明の実施例4として、基板収納部より大幅に小さく、厚さが薄く、横断面が円形状ではない基板を使用し、図10に示す基板ホルダ60を使用してダイヤモンド合成を行った。本実施例においては、縦横の長さが35mm、厚さが0.5mmの正方形状のシリコン基板を使用した。また、基板収納部63の深さは、前述の実施例2及び3と同様に15.0mmとした。よって、基板ホルダ本体61の上端と基板62上面との高さの差は14.5mmであった。また、本実施例で使用した基板ホルダ60にも、前述の実施例3で使用した基板ホルダ50と同様に、基板収納部63に3重の内枠64a乃至64cを設けた。そして、その最も内側に配置された内枠64aは、基板62の形状に近い形状にした。これら以外の仕様は前述の実施例3で使用した基板ホルダと同様とした。
【0068】
また、比較例5として、外縁枠がない基板ホルダ75を使用し、前述の実施例4と同じ装置及び条件でダイヤモンド合成を行った。更に、比較例6として、外縁枠はあるが内枠がない基板ホルダ77を使用し、同様にダイヤモンド合成を行った。図17(a)は比較例5におけるプラズマ分布を示す模式図であり、図17(b)は比較例6におけるプラズマ分布を示す模式図であり、図17(c)は実施例4におけるプラズマ分布を示す模式図である。また、図18(a)は比較例5の基板表面における温度分布を示す平面図であり、図18(b)は比較例6の基板表面における温度分布を示す平面図であり、図18(c)は実施例4の基板表面における温度分布を示す平面図である。更に、図19はこれらの基板表面における温度分布を示すグラフ図である。
【0069】
外縁枠がない基板ホルダ75を使用した比較例5の場合、プラズマは基板ホルダ外へ広く広がっていた。また、基板62の端部及び基板ホルダ75の端部には、やや電界が集中し、プラズマの発光が強かった。基板温度分布もこれを反映しており、基板62の端部は高温になった。基板収納部の内側の温度分布は、前述の比較例3と基本的には同様であるが、基板62が薄いため、プラズマ中心から基板62表面の距離があること、及び基板ホルダ75からの冷却が効率よく行われたこと等により、全体的にはやや低くなった。また、内枠を設けなかった基板ホルダ77を使用した比較例6の場合、プラズマ分布はやや小さくなり、温度は全体的にやや下がり、分布もやや均一化した。それでも基板62の端部近傍の電界集中により、やや高温になった。一方、基板形状に対応した内枠を設けた基板ホルダ60を使用した実施例4の場合、プラズマ分布はやや小さく、温度分布もかなり均一になった。また、基板62の端部への電界集中もほとんどなく、異常な温度上昇もなくなった。この実施例4は、内枠を基板形状と円形の中間としたため、基板62の角部への電界の偏りも少なくなり、均一なダイヤモンド成膜ができた。
【0070】
そして、所定の時間合成を行った後、基板62を反応容器から取り出したところ、基板上にはダイヤモンド膜が成膜されていたが、その膜厚は前述の基板温度分布にほぼ一致し、基板温度が高い箇所ではダイヤモンド膜の膜厚が厚くなっていた。また、結晶形態、欠陥密度等、ダイヤモンドの品質は、温度分布をほぼ反映したものであった。
【0071】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、基板収納部を基板の厚さより深くすることにより、基板にマイクロ波電界が集中することが緩和されるため、基板の形状に左右されずに均一なプラズマが得られ、基板上に均一にダイヤモンドを合成することができる。また、本発明のダイヤモンド気相合成用基板ホルダを使用することにより、915±10MHzのマイクロ波を使用し、反応室への投入電力が10kW以上で、反応ガス圧が80乃至200Torrであるマイクロ波プラズマ化学気相蒸着装置においても、膜厚及び膜質が均一なダイヤモンド膜を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の第1実施形態の基板ホルダを示す断面図であり、(b)はその平面図である。
【図2】(a)は本発明の第2実施形態の基板ホルダを示す断面図であり、(b)はその平面図である。
【図3】(a)は本発明の第3実施形態の基板ホルダを示す断面図であり、(b)はその基板収納部の底面を示す平面図である。
【図4】本発明の第4実施形態の基板ホルダを示す平面図である。
【図5】(a)は本発明の第5実施形態の基板ホルダ40を示す平面図であり、(b)は(a)に示すA−A線による断面図である。
【図6】本実施形態の基板ホルダ40の使用形態を示す断面図である。
【図7】(a)は図6に示す基板ホルダ下部48を示す平面図であり、(b)は(a)に示すB−B線による断面図である。
【図8】(a)は図6に示す基板ホルダ中部47を示す平面図であり、(b)は(a)に示すC−C線による断面図である。
【図9】(a)は本発明の第6実施形態の基板ホルダ50を示す平面図であり、(b)は(a)に示すD−D線による断面図である。
【図10】(a)は本発明の第6実施形態における変形例の基板ホルダ60を示す平面図であり、(b)は(a)に示すE−E線による断面図である。
【図11】本発明の第1の実施例において作製されたダイヤモンド膜の膜厚分布を示すグラフ図である。
【図12】本発明の第2の実施例で使用したダイヤモンド合成装置を模式的に示す断面図である。
【図13】(a)は比較例1におけるプラズマ分布を示す断面図であり、(b)は比較例2におけるプラズマ分布を示す断面図であり、(c)は実施例2におけるプラズマ分布を示す断面図である。
【図14】比較例1、2及び実施例2の基板表面における温度分布を示すグラフ図である。
【図15】(a)は比較例3におけるプラズマ分布を示す模式図であり、(b)は比較例4におけるプラズマ分布を示す模式図であり、(c)は実施例3におけるプラズマ分布を示す模式図である。
【図16】比較例3、4及び実施例3の基板表面における温度分布を示すグラフ図である。
【図17】(a)は比較例5におけるプラズマ分布を示す模式図であり、(b)は比較例6におけるプラズマ分布を示す模式図であり、(c)は実施例4におけるプラズマ分布を示す模式図である。
【図18】(a)は比較例5の基板表面における温度分布を示す平面図であり、(b)は比較例6の基板表面における温度分布を示す平面図であり、(c)は実施例4の基板表面における温度分布を示す平面図である。
【図19】比較例5、6及び実施例4の基板表面における温度分布を示すグラフ図である。
【図20】(a)は従来の基板ホルダの断面図であり、(b)はその平面図である。
【図21】従来の基板ホルダを使用して合成したダイヤモンド膜の膜厚分布を示す図である。
【図22】従来の基板ホルダを使用した場合の基板の温度分布を示す平面図である。
【符号の説明】
1、9、20、42、52、62;基板
2、10、21、31、41、51、61;ホルダ本体
3、11、22、32、45;オリフィス
4、13、25、33、43、53、63;基板収納部
5;プラズマ集中部
6、12、23;溝
7;高温部
8;低温部
14、24;横断面が曲面である部材
15、16、17、18、19、40、50、60、75、76、77:基板ホルダ
26、46;環状溝
34;突起
44、55、65;外縁枠
47;基板ホルダ中部
48;基板ホルダ下部
54a、54b、54c、64、64a、64b、64c;内枠
70;反応容器
71;冷却ステージ
72;赤外放射式温度計
73;マイクロ波窓
74;プラズマ
【発明の属する技術分野】
本発明は、ダイヤモンド気相合成用基板ホルダ及びダイヤモンド気相合成方法に関し、特に、マイクロ波プラズマ発生装置を使用するダイヤモンド気相合成用基板ホルダ及びダイヤモンド気相合成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
ダイヤモンドを気相合成する方法としては、マイクロ波CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相蒸着)法(例えば、特許文献1及び2参照)、高周波プラズマCVD法、熱フィラメントCVD法、直流プラズマCVD法、プラズマジェット法、燃焼法及び熱CVD法等が知られている。これらの気相合成法を使用すると、膜状のダイヤモンドが得られる。
【0003】
前述のマイクロ波CVD法においては、従来、2450MHzの周波数を使用し、最大出力が1.5kW(ダイヤモンド気相合成時の投入電力は400W程度)の小型装置が使用されている。この小型装置は、マイクロ波を導波管により反応容器に導入し、メタン及び水素等の反応ガスをガス圧が約30Torrの条件下でプラズマ化して、シリコンウエハ等の基板上にダイヤモンドを析出させるものであり、ダイヤモンドの成長速度が1時間あたり約0.1乃至0.5μm、実用的な合成面積は50mm以下である。近時、周波数が915MHzで、最大出力が10乃至100kWのマイクロ波を使用し、反応ガス圧が80乃至200Torrである大型の装置(以下、大型装置という)が市販されるようになった。この装置では、ダイヤモンドの成長速度が1時間あたり約0.3乃至10μmであり、実用的な合成面積は150mm以上が得られる。
【0004】
ダイヤモンドの気相合成における基板の最適温度は約800乃至1000℃とされているが、前述の小型装置を使用した場合、マイクロ波を投入することにより発生する反応ガスのプラズマにより加熱され、基板の温度は適温に維持される。一方、前述の大型装置では、投入するマイクロ波電力が大きいため、発生するプラズマの温度が高く、基板の温度が最適温度以上に上昇してしまう。このため、基板の冷却が必要となり、通常、基板を冷却する構造が設けられた基板ホルダが使用されている。一般に、基板を加熱することは容易であるが、基板を冷却し、更にその温度を制御することは技術的及び装置的に極めて困難であり、未だ十分な制御方法が確立されていないのが現状である。
【0005】
図20(a)は基板温度制御を図った従来の基板ホルダの断面図であり、図20(b)はその平面図である。図20(a)に示すように、従来の基板ホルダ18のホルダ本体2の上面には、基板1を配置するための凹状の基板収納部4が形成されており、基板収納部4の中央部には直径約1mmのオリフィス(管)3が設けられている。従来の基板ホルダ18は、真空ポンプを使用し、オリフィス3から反応ガスを排気し、反応室のガス圧及び基板1と基板ホルダ2との間に残留する反応ガスとの差圧(ΔP)を維持する。例えば、ΔPがほぼ0の場合と、ΔPが−2Torrの場合とでは、後者の方が残留ガスによる熱伝導が小さくなり、基板の温度は上昇する。そこで、従来の基板ホルダでは、図20(b)に示すように、前記差圧(ΔP)の効果を基板全体に行き渡らせるため、オリフィス3から放射線状に4本の細い溝6が設けられている。
【0006】
また、基板を効率的に冷却するため、通常、基板ホルダは熱伝導性の良い金属により構成されている。特に、基板ホルダの構成部品のうち基板に接する部分は、プラズマに曝されて800℃以上の高温になる可能性があるため、モリブデン又はタングステン等の高融点金属が使用される。そして、その下層は、銅等の高熱伝導性金属が使用され、この部分が水等の冷媒に接する。このような金属により構成された基板ホルダは、反応容器中におけるマイクロ波共振器の構成部品でもある。このため、その形状を変えることによりマイクロ波電界の分布をある程度変化させることが可能である。通常、基板ホルダは、基板が配置される位置にできるだけ均一なプラズマが発生するように設計されている。このように、均一なプラズマを発生させることにより、品質が均一なダイヤモンドを合成又は成膜することができる。
【0007】
通常、基板にはシリコンウエハ又はモリブデン板等が使用されるが、その形状及び大きさは1種類に決まっているわけではない。よって、前述の基板ホルダの最適設計においても、各々の形状及び大きさの基板に対応した基板ホルダを用意する必要がある。仮に、基板形状に合わない基板ホルダを使用してもダイヤモンドの合成又は成膜は可能であるが、反応容器中におけるプラズマ分布が最適にならないため、基板上に合成又は成膜されたダイヤモンドの品質及び膜厚が均一になりにくい。例えば、円盤状のシリコン基板上にダイヤモンドを成膜する場合、同心円状に限らず、品質又は膜厚にむらを生じることがある。
【0008】
ダイヤモンド膜の応用製品においては、品質又は膜厚のむらは、できるだけ少ない方が望ましい。例えば、シリコン基板を除去して赤外線等の窓に応用する場合、粒径が不均一であると透過率にむらが生じる。また、ダイヤモンド膜上にダイオード又はトランジスタを形成する場合、フォトリソグラフィ等の工程を高精度に行うため、ダイヤモンド膜の表面が平坦でなければならない。このとき、合成したダイヤモンド膜の膜厚が不均一であると、研磨によりその表面が平坦化されるが、膜厚が均一であれば研磨工程を簡略化できることは自明である。
【0009】
【特許文献1】
特公昭59−27754号公報 (第1−3頁、第1−2図)
【特許文献2】
特公昭61−3320号公報 (第1−3頁、第1図)
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述の従来の基板ホルダには、以下に示す問題点がある。図21は従来の基板ホルダを使用して作製したダイヤモンド膜の膜厚分布を示す図である。従来の基板ホルダの第1の問題点は、図20(a)に示すように、基板収納部4が基板1の厚さより浅いため、基板ホルダ2の縁部より基板1の上面の方が高くなり、ダイヤモンドを気相合成する際に発生するプラズマが基板1の縁部に集中して、基板縁部では極めて高速でダイヤモンドが成長することである。この結果、例えば、直径6インチのシリコン基板上に、平均200μmのダイヤモンド膜を合成した場合、図21に示すように、基板縁部及びプラズマ中心に近い基板中央部で膜厚が厚くなるといった不均一な膜厚分布が生じる。このような膜厚が不均一なダイヤモンド膜は、通常、研磨により表面を平坦化して使用されるが、膜厚が厚い部分と薄い部分との差が大きいものは、そのコストが増大する。そのため、ダイヤモンド膜製造においては、プラズマの集中を防ぎ、更に基板の中心部及び周辺部の温度を制御して、膜厚の均一化を図ることが求められている。
【0011】
また、第2の問題点は、溝6の周辺と他の領域とで、ダイヤモンド膜の膜質が異なることである。図22は従来の基板を使用してダイヤモンド膜を気相合成した場合の基板の温度分布を示す図である。同一基板上で膜質が不均一になるのは、図22に示すように、基板1と基板ホルダ2とが接しないオリフィス3及び溝6の部分の基板温度が、他の部分より高くなっているためである。
【0012】
更に、従来、ダイヤモンド膜の品質及び膜厚を均一化するためには、例えば、円盤状のモリブデン製ブロックに基板形状に整合する凹部を設けることにより、基板表面とモリブデン製ブロックの表面の高さを揃えて、容器内の共振器形状を一定に保つ方法が適用されているが、この方法は、種々の形状及び大きさの基板毎に、それらに適合する凹部が形成された基板ホルダを用意しなければならない。基板に標準規格品であるシリコンウエハを使用するのであれば、用意する基板ホルダも少数で済むが、そうでない場合、規格外品及び種々の形状の基板に対して1種類の基板ホルダを使用することができると、基板ホルダを作製するための手間及び費用、並びにホルダ交換の手間を省くことができるため、非常に便利である。
【0013】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、マイクロ波を使用してダイヤモンドを気相合成する際に、多種類の基板に対応することが可能で、プラズマ分布を一定に保つことができるダイヤモンド気相合成用基板ホルダ及びそこの基板ホルダが最も効果を発揮するダイヤモンド気相合成方法を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本願第1発明に係るダイヤモンド気相合成用基板ホルダは、ホルダ本体と、このホルダ本体の上面に形成された基板を配置するための凸状の基板収納部と、を有し、前記基板収納部は前記基板の厚さより深いことを特徴とする。
【0015】
本発明においては、基板上面より基板ホルダ上面を高くすることにより、基板縁部にプラズマが集中することを防ぎ、基板表面に均一にダイヤモンドを合成することができる。
【0016】
前記基板収納部の底面には、ガスを排気するための孔と、前記孔から前記基板の縁部に向けて延びる溝とが設けられていてもよい。この孔及び溝により前記基板の温度を調整することができる。
【0017】
また、前記ホルダ本体の上面における前記基板収納部の外側部分には、横断面が曲面である部材を設けることができる。これにより、基板縁部周辺に角部がなくなり、基板縁部にプラズマが集中することを防ぐことができる。
【0018】
更に、前記孔は前記基板収納部の底面中央に設けられ、前記溝は前記孔から放射線状に延び、更に、前記基板収納部の底面には同心円状に配置された複数個の環状の溝が設けられており、前記環状の溝間の間隔は外周部になるに従い狭くしてもよい。前記環状の溝の幅は、例えば、0.1乃至3.0mmである。
【0019】
更にまた、前記孔及び前記基板収納部は、複数個設けることができる。この基板収納部の直径は、例えば、5cm以上である。
【0020】
更にまた、前記基板収納部の底面には、ガスを排気するための孔及び複数個の突起が形成されている場合、前記基板は前記突起の上面で接触し、前記突起上面により構成される面の深さは前記基板の厚さより深いことが好ましい。これにより、基板中央部の冷却効率を向上させることができる。
【0021】
前記基板収納部の深さと前記基板の厚さとの差は、0.5乃至20mmであることが好ましい。これにより、マイクロ波が基板に集中することを緩和し、且つ合成速度を低下させずに、基板上に均一にダイヤモンドを合成することができる。
【0022】
前記ホルダ本体における外径と内径との差は、5乃至50mmであることが好ましく、また、反応容器内部に配置される場合、前記ホルダ本体の外径が前記反応容器の内径の(1/10)乃至(1/3)であることが好ましい。これにより、基板上のプラズマの状態が適性化され、均一なダイヤモンドを合成することができる。
【0023】
また、前記基板収納部には、前記基板より直径が大きい1個以上の内枠を設けることができる。前記内枠は、例えば、厚さが0.2乃至5mmであり、高さがホルダ本体の上面と同等又は基板上面より高くホルダ本体の上面より低くする。これにより、基板の基板の大きさが基板収納部より小さい場合においても、前記基板に対応したプラズマを発生させることができる。
【0024】
また、このダイヤモンド気相合成用基板ホルダは、マイクロ波を使用し、反応室への投入電力が10kW以上で、反応ガス圧が80乃至200Torrであるマイクロ波プラズマ化学気相蒸着において使用することができる。
【0025】
更に、反応室への投入電力が50kW以上で、周波数が915MHzであるマイクロ波を使用し、反応ガス圧が80乃至150Torrであるマイクロ波プラズマ化学気相蒸着において使用してもよい。
【0026】
本願第2発明に係るダイヤモンド気相合成方法は、前述のダイヤモンド気相合成用基板ホルダを使用し、反応ガス圧が80乃至200Torrである反応容器内に、電力が10kW以上のマイクロ波を導入してプラズマを発生させることにより、ダイヤモンドを合成することを特徴とする。前記マイクロ波は、例えば、915±10MHzである。
【0027】
本発明においては、前述の基板ホルダを使用することにより、基板温度及び基板のプラズマを均一化することができるため、膜厚及び膜質が均一なダイヤモンドを気相合成することができる。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に係るダイヤモンド気相合成用基板ホルダについて、添付の図面を参照して具体的に説明する。
【0029】
第1実施形態
図1(a)は本発明の第1実施形態に係る基板ホルダを示す断面図であり、図1(b)はその平面図である。本発明の第1実施形態の基板ホルダ15は、図1(a)に示すように、ホルダ本体10の上面に基板9を配置するための凹状の基板収納部13が形成されており、基板収納部13の中央部には反応ガスを排気するための孔である直径約1mmのオリフィス(管)11が設けられている。また、オリフィス11からは放射線状に4本の溝12が設けられている。そして、基板収納部13の深さは基板9の厚さより深く、従って、基板9を基板収納部13に収納すると、その上面はホルダ本体10の上面よりも下になる。
【0030】
本実施形態の基板収納部13は、直径が5cm以上であることが好ましい。小径の基板を使用すると、プラズマの集中又は基板の温度分布等の問題は起こりにくいが、生産コストを考慮すると、直径が5cm以上の基板を使用することが望ましい。従って、基板収納部13の直径も5cm以上であることが好ましい。また、基板9の厚さと基板収納部13の深さの差(基板9の上面とホルダ本体10の上端との差)は、0.5乃至20mmであることが好ましい。基板9の上面とホルダ本体10の上端との差は、合成したダイヤモンド膜の均一性に影響を及ぼす。その差が0.5mmより少ない場合は基板周辺の膜厚が厚くなり、20mmより多い場合は基板中央部のみに成膜され、膜厚が不均一となる。
【0031】
このように構成された本実施形態の基板ホルダ15においては、基板収納部13に基板9を収納し、例えば、915±10MHzのマイクロ波を使用し、反応室への投入電力が50kW以上のマイクロ波プラズマCVD装置に挿入して、反応ガス圧が80乃至150Torrで、ダイヤモンド膜を気相合成する。本実施形態の基板ホルダ15は、基板収納部13を基板9の厚さより深くし、基板9の上面よりホルダ本体10の上端が高くなるようにしたため、前記気相合成中に基板9の縁部へのプラズマの集中がなく、基板縁部の厚膜化を防ぐことができる。また、オリフィス11から反応ガスを排気し、反応室のガス圧と基板9とホルダ本体10との間に残留する反応ガスのガス圧との差圧(ΔP)を一定に保持し、更に、オリフィス11から基板の縁部方向設けられた溝12により、基板内での差圧(ΔP)を均一化し、基板9の全面において基板温度を一定に保つことができる。
【0032】
第2実施形態
図2(a)は本発明の第2実施形態に係る基板ホルダを示す断面図であり、図2(b)はその平面図である。本発明の第2実施形態の基板ホルダ16は、前記第1実施形態のホルダ本体10の上面における基板収納部13の外側部分に、横断面が曲面である部材14を設けたものである。
【0033】
このように構成された本実施形態の基板ホルダ16においては、前記第1実施形態同様に、基板収納部13に基板9を収納し、例えば、915±10MHzのマイクロ波を使用し、反応室への投入電力が50kW以上のマイクロ波プラズマCVD装置に挿入して、反応ガス圧が80乃至150Torrで、ダイヤモンド膜を気相合成する。本実施形態の基板ホルダ16は、ホルダ本体10の上面の基板9縁部周辺に横断面が曲面である部材14を設けることにより、基板9の縁部及びホルダ本体10にプラズマが集中すること防ぐことができる。マイクロ波によるプラズマの集中は角部に生じやすいため、ホルダ本体10に取り付ける部材上面は曲面で構成されていることが好ましい。本実施形態では、部材14を基板9の上まで配置しているが、そのような構造に限定するものではなく、部材14はホルダ本体10の上面部に配置されていれば、同様の効果が得られる。また、基板9の上面とホルダ本体10の上端との差は、第1実施形態と同様の理由から、0.5乃至20mmであることが好ましい。
【0034】
第3実施形態
図3(a)は本発明の第3実施形態に係る基板ホルダを示す断面図であり、図3(b)はその基板収納部を示す平面図である。本発明の第3実施形態の基板ホルダ17は、図3(a)に示すように、ホルダ本体21の上面に基板20を配置するための凹状の基板収納部25が形成されており、基板収納部25の中央部には反応ガスを排気するための孔である直径約1mmのオリフィス(管)22が設けられている。基板収納部25の底面には、オリフィス22から放射線状に基板20の縁部まで延びている8本の溝23及び、オリフィス22を中心にして同心円状に配置された環状溝26a乃至dの2種類の溝が設けられている。また、ホルダ本体21の上面における基板収納部18の外側部分には、横断面が曲面である部材24が設けられている。
【0035】
このように構成された本実施形態の基板ホルダ17においては、前記第1及び第2実施形態同様に、基板収納部25に基板20を収納し、例えば、915±10MHzのマイクロ波を使用し、反応室への投入電力が50kW以上のマイクロ波プラズマCVD装置に挿入して、反応ガス圧が80乃至150Torrで、ダイヤモンド膜を気相合成する。本実施形態の基板ホルダ17は、基板収納部25の底面に、オリフィス22から放射線状に延びる溝23に加え、環状溝26a乃至dを設けることにより、基板20とホルダ本体21との間に残留する反応ガスのガス圧を基板20の全面において均一化することができる。また、基板ホルダ17では、個々の環状溝を形成する間隔が、中心部から外周部に向かうに従い狭くなっている。環状溝間の間隔、所謂基板20とホルダ本体21とが接触する面積を、基板温度が上昇しやすい基板中央部分では広くすることにより基板20の冷却効率を上げ、基板温度が上昇しにくい基板縁部では狭くして基板20が冷却されすぎるのを防ぐ。これらの効果により、基板ホルダ17は、基板20の温度分布をなくなり、その全面において基板温度が均一化されるため、膜厚及び膜質が均一なダイヤモンド膜を気相合成することができる。
【0036】
基板ホルダ17において、環状溝26a乃至dの幅は、0.1乃至3.0mmであることが好ましい。溝の幅が0.1mmより狭いと、溝を設けた効果が得られず、基板が冷却されすぎてしまう。また、溝の幅が3.0mmより広いと基板温度にむらが生じ、溝が設けられている部分だけ基板表面の温度が低くなってしまう。
【0037】
前記第3実施形態の基板ホルダ17では、溝23の数を8本とし、その長さを基板縁部までとしたが、その数、長さ及び深さは特に限定するものではなく、例えば溝の数を16本とし、長さを前記第3実施形態の半分程度とすることもできる。
【0038】
本発明のダイヤモンド気相合成用基板ホルダにおいては、1つの基板収納部に複数個のオリフィスを設けることもできる。これにより、溝におけるΔPをより均一化することができる。また、1つの基板ホルダ上に前記実施形態で示した構造を有する基板収納部を複数個設けることができ、それにより、複数個の基板を搭載することができ、製造効率を向上することができる。
【0039】
第4実施形態
図4は本発明の第4実施形態に係る基板ホルダ19を示す平面図である。本発明の第4実施形態の基板ホルダ19は、図4に示すように、ホルダ本体31の上面に基板を配置するための凹状の基板収納部33が形成されており、基板収納部33の中央部には反応ガスを排気するための孔である直径約1mmのオリフィス(管)32が設けられている。また、基板収納部33の底面には複数個の突起34が形成されており、基板は突起34の上面で接する。そして、突起34の上面により形成される面の深さは基板の厚さより深く、従って、基板を基板収納部33に収納すると、その上面はホルダ本体31の上端よりも下になる。
【0040】
このように構成された本実施形態の基板ホルダ19においては、前記第1乃至第3実施形態同様に、基板収納部33に基板を収納し、例えば、915±10MHzのマイクロ波を使用し、反応室への投入電力が50kW以上のマイクロ波プラズマCVD装置に挿入して、反応ガス圧が80乃至150Torrで、ダイヤモンド膜を気相合成する。本実施形態の基板ホルダ19は、基板収納部33の底面に複数個の突起34を設け、突起34の上面と基板が接するようにしたことにより、突起34間の空隙が前記第1乃至第3実施形態における溝と同様の効果を有するため、基板温度をより均一化することができる。
【0041】
また、本実施形態の基板ホルダ19における基板と1個の突起34の上面とが接触する面積は、基板の外周部になるに従い小さくなることが好ましい。そうすることにより、基板温度が上昇しやすい基板中央部の冷却効率を上げ、基板温度が上昇しにくい基板縁部が冷却されすぎるのを防ぐことができるため、基板全面でその温度を均一化することができる。更に、基板収納部底面に設けられた突起を、基板と突起とが面ではなく点で接触するような形状にすることもできる。基板と突起とが点で接している場合でも、基板の冷却効果は失われない。
【0042】
第5実施形態
図5(a)は本発明の第5実施形態の基板ホルダ40を示す平面図であり、図5(b)は図5(a)に示すA−A線による平面図である。なお、図5(a)には、基板に接する部品のみ記載し、それ以外の部品及び基板は省略している。図5(a)及び(b)に示すように、本発明の第5実施形態の基板ホルダ40は、ホルダ本体41の上面に基板42が配置される凹状の基板収納部43が形成されている。この基板収納部43には、基板収納部43と同軸状の環状溝46が形成されており、この溝46の内周部と外周部との中間点には、反応ガスを排気するための4個のオリフィス45が設けられている。また、基板収納部43の深さは基板42の厚さより深く、従って、基板42を基板収納部43に収納すると、その上面はホルダ本体41の上端よりも下になる。
【0043】
このように、本実施形態の基板ホルダ40は、基板42の上面よりホルダ本体41の上端が高いため、マイクロ波電界をホルダ本体41の外縁(外縁枠44)に集中させて、基板42へマイクロ波電界が集中することを緩和することができる。これにより、基板ホルダ40上のプラズマ分布が基板42の形状に左右されず、種々の形状の基板に対しても均一なプラズマを得ることができる。従って、種々の形状の基板を使用しても、安定して均一なダイヤモンドを合成又は成膜することができる。
【0044】
このとき、基板42の厚さより基板収納部43の深さが浅い(基板本体41の上端の方が低い)と、外縁枠44への電界集中の効果が小さくなる。一方、基板42の厚さより基板収納部43の深さが高すぎる(基板本体41の上端の方が高すぎる)と、基板に接するプラズマの強度が弱くなりすぎるため、ダイヤモンドの合成速度が著しく低下する。そこで、本実施形態の基板ホルダ40においては、基板42の上面とホルダ本体41の上端との差は、0.5乃至20mmの範囲にする。
【0045】
更に、この基板ホルダ40を前述の大型装置に使用する場合、ホルダ本体41の外径はマイクロ波の共振器の一部を担うため、特に重要である。そこで、本発明者等は、種々の実験の結果、ホルダ本体41の外径は、基板ホルダ40を配置する反応容器の内径の(1/10)乃至(1/3)が最適であることを見出した。ホルダ本体41の外径が反応容器の内径の(1/10)より小さいと電界集中の効果が小さくなり、プラズマが外側に広がってしまう。これにより、基板ホルダ40の以外の場所に堆積するカーボン膜の量が増し、メタン等の原料ガスが基板42上にダイヤモンドとして成膜される割合が減る。即ち、ダイヤモンド合成効率が悪くなる。一方、ホルダ本体41の外径が反応容器の(1/3)より大きいと、基板42近傍への電界集中が強くなり、ホルダ本体41の外縁への電界集中効果が小さくなってしまう。このように、ホルダ本体41の大きさ及び形状により、反応容器内のプラズマの分布形状を整えることができる。
【0046】
更にまた、本実施形態の基板ホルダ40におけるホルダ本体41の内径と外径の差(外縁枠44の厚さ)は5乃至50mmであることが好ましい。これにより、電界集中、即ち、プラズマが集中する程度を制御することができる。前述の外径枠44の厚さを5mm以上にすると、過度のプラズマ集中を防ぐことができ、冷却効果を高めることができる。但し、外縁枠44の厚さが50mmより厚くなると、電界集中効果が薄れ、プラズマが不必要に広がったり、円形又は楕円形ではなくいびつに変形したりする。また、外縁枠44の断面形状は、プラズマに接する部分が滑らかな曲線であることが望ましく、逆U字型、角を滑らかに面取りした矩形若しくは台形、又はこれらの組み合わせ等が使用できるが、これらに限定するものではない。なお、本発明における外径枠44の厚さとは、平均の厚さをいう。
【0047】
図6は本実施形態の基板ホルダ40の使用形態を示す断面図である。図6に示すように、基板ホルダ40においては、基板収納部43に基板42が収納され、基板ホルダ下部48と、この基板ホルダ下部48の上に配置された基板ホルダ中部47の上に配置される。図7(a)は基板ホルダ下部48の一例を示す平面図であり、図7(b)は図7(a)に示すB−B線による断面図である。また、図8(a)は基板ホルダ中部の一例を示す平面図であり、図8(b)は図8(b)に示すC−C線に示す断面図である。基板ホルダ40は、例えば、モリブデン等の高融点金属からなり、基板ホルダ下部48及び基板ホルダ中部47は、例えば、銅等からなる既存のものを使用することができる。そして、これらを反応容器中に配置し、周波数が約915±10MHz、電力が10kW以上のマイクロ波により発生させるプラズマを使用し、反応ガス圧が80乃至200Torrの条件下で、ダイヤモンド膜を気相合成する。一般に、共振器を兼ねた反応容器及び基板ホルダの大きさがある程度限定されるため、共振器の大きさはマイクロ波の波長により決定される。このため、本実施形態の基板ホルダ40を使用すると、その外径と同等の直径を有し、ほぼ回転楕円形又はそれに準じた形状のプラズマを発生させることができる。
【0048】
第6実施形態
図9(a)は本発明の第6実施形態の基板ホルダ50を示す平面図であり、図9(b)は図9(a)に示すD−D線に示す断面図である。図9(a)及び(b)に示すように、本発明の第6実施形態の基板ホルダ50は、ホルダ本体51の上面に基板52が配置される凹状の基板収納部53が形成されている。この基板収納部53の深さは基板52の厚さより深く、従って、基板52を基板収納部53に収納すると、その上面はホルダ本体51の上端よりも下になる。また、基板収納部53には、同心円状に内枠54a、54b及び54cが設けられている。この内枠54a乃至54cの高さは、最も内側に配置されている(最も直径が小さい)内枠54aが最も低く、外側に(半径が大きく)なるに従い高くなり、内枠54cの上面はホルダ本体51の上端と同等の高さになっている。但し、内枠54aの高さは基板52の厚さよりも高くすることが好ましい。
【0049】
前述の実施形態1乃至5の基板ホルダにおいては、基板収納部よりもかなり小さい基板を使用してもダイヤモンドの合成は可能であるが、本実施形態の基板ホルダ50のように、基板収納部53に基板52より直径が大きい内枠を、適当な間隔で設けることより、より均一にダイヤモンドを合成することができる。なお、本実施形態の基板ホルダ50においては、内枠を3個設けた場合について述べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、1枚以上であればよく、基板の大きさに応じて適宜選択することができる。また、その厚さは、前述した外縁枠55と同様に、電界及びプラズマの制御性と過剰加熱を両立することが必要であるが、外縁枠55より電界の集中は少ないため、より薄くすることができる。本発明者等は、種々の実験の結果、内枠の厚さは0.2乃至5mmとすることが好ましいことを見出した。更に、内枠の高さは、基板ホルダ本体51の上端と同じにするか、基板52上面より高く、基板ホルダ本体51の上端より低くすることにより、基板ホルダ本体51上面においてほぼ均一になったプラズマを、基板収納部53より小さい基板52の近傍まで均一にすることができる。
【0050】
更に、本実施形態の基板ホルダ50においては、同心円状の内枠を設けた場合について述べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、横断面が八角形状等、基板の形状に応じて適宜選択することができる。図10(a)は本実施形態の変形例の基板ホルダ60を示す平面図であり、図10(b)は図10(a)に示すE−E線による断面図である。図10(a)及び(b)に示すように、本実施形態の変形例の基板ホルダ60は、ホルダ本体61の上面に基板62が配置される凹状の基板収納部63が形成されている。この基板収納部63の深さは基板62の厚さより深く、従って、基板62を基板収納部63に収納すると、その上面はホルダ本体61の上端よりも下になる。また、また、基板62は横断面が正方形であり、基板収納部63には、最も内側に横断面が八角形状の内枠64aが形成され、その外側に横断面が円形の内枠64b及び64cが設けられている。この内枠64a乃至64cの高さは、最も内側に配置されている内枠64aが最も低く、外側になるに従い高くなり、内枠64cの上面はホルダ本体61の上端と同等の高さになっている。
【0051】
なお、本発明のダイヤモンド気相合成用基板ホルダの構造は、使用する基板の形状、面積又は材質に制限されるものではない。
【0052】
【実施例】
以下、本発明の実施例の効果について、本発明の範囲から外れる比較例と比較して説明する。
【0053】
実施例1
先ず、本発明の実施例1として、図3に示したダイヤモンド気相合成用基板ホルダを使用し、マイクロ波CVD法により、6インチシリコン基板上に厚さ400μmのダイヤモンド膜を気相合成した。表1にはその条件を示す。
【0054】
【表1】
【0055】
図11は本実施例により得られたダイヤモンド膜の膜厚分布を示す図である。本実施例で作製した実施例1のダイヤモンド膜は、中央部の膜厚と縁部の膜厚との差は約5%であり、縁部の厚膜化及び不均一な温度分布は見られなかった。以上の結果より、本実施例では、従来の課題であった膜厚及び基板温度の均一化を実現することができた。
【0056】
実施例2
次に、本発明の実施例2として、図5に示す第5実施形態の基板ホルダ40を使用してダイヤモンド膜を気相合成した。本実施例においては、直径150mm、厚さ10mmのシリコン基板を使用した。また、基板ホルダ40は、材料にモリブデンを使用し、基板ホルダ本体41の外径は170.0mm、基板収納部の外径は152.0mmとし、内径と外径の差(外縁枠44の厚さ)を18.0mmとし、基板収納部43の深さは15.0mmとした。よって、基板ホルダ本41の上端と基板42上面との高さの差は5.0mmであった。更に、環状溝45の内径は55.0mm、外周が140.0mmであり、この環状溝45における直径が100.0mmの円周上に形成されている4個のオリフィス45の直径は1.6mmであった。更にまた、本実施形態の基板ホルダ40の底面には凹部が形成されており、その直径は154.0mm、深さは0.25mmであった。更にまた、外縁枠44の先端はR5.0の曲面により形成し、外縁枠44の上端から9.0mmの間には傾斜を形成した。この基板ホルダ40を図8及図9に示す基板ホルダ下部48及び基板ホルダ中部47の上に配置した。基板ホルダ下部48の厚さは5.0mm、基板ホルダ中部47の厚さは4.8mmにした。なお、これら以外の仕様については、既存の基板ホルダと同様にした。
【0057】
図12は本実施例で使用したマイクロ波プラズマ気相合成装置を模式的に示す断面図である。図12に示すように、本実施例においては、最大部の直径が約1mである反応容器70を有するマイクロ波プラズマ気相合成装置を使用した。先ず、反応容器70の中央付近に設けられ、銅製の冷却ステージ71上に、前述の基板ホルダ40及び基板42を設置し、基板42の上方に基板温度を測定する赤外放射式温度計72を設置した。また、反応容器70には、石英製のマイクロ波窓73が設けられている。反応容器70内にメタン2%、水素98%からなる反応ガスを導入した。そして、反応容器内の圧力を80乃至200Torrに保ち、周波数約915MHz、電力が10kW以上のマイクロ波によりプラズマを発生させ、冷却ステージ71の内部に冷却水を循環させて基板42を冷却しながらダイヤモンド合成を行った。
【0058】
また、比較例1として、外縁枠がない基板ホルダを使用し、前述の実施例2と同じ装置及び条件でダイヤモンド合成を行った。更に、比較例2として、基板ホルダ本体の上端と基板上面の高さが同等である基板ホルダを使用し、同様にダイヤモンド合成を行った。
【0059】
赤外放射式温度計72により、実施例2、比較例1及び2における基板の温度を測定したところ、基板及び基板ホルダの形状に依存した分布が確認された。図13(a)は比較例1におけるプラズマ分布を示す断面図であり、図13(b)は比較例2におけるプラズマ分布を示す断面図であり、図13(c)は実施例2におけるプラズマ分布を示す断面図である。また、図14は比較例1、2及び実施例2の基板表面における温度分布を示すグラフ図である。図13(a)に示すように、外縁枠がない基板ホルダ75を使用した比較例1の場合、プラズマは基板ホルダ外へ広く広がっていた。また、基板42の端部及び基板ホルダ本体の端部には電界が集中し、プラズマ発光が非常に強かった。図14に示すように、基板温度分布もこれを反映しており、基板の端部は非常に高温になり、中間部は低いが、中心部は高くなっていた。
【0060】
また、図13(b)及び図14に示すように、基板ホルダ本体上端と基板上面とが同程度の高さである基板ホルダ76を使用した比較例2の場合、プラズマ分布がやや小さくなり、温度は全体的にやや下がり、分布もやや均一化した。しかしながら、外縁枠と基板42との間に僅かながら隙間があったため、基板の端部の角近傍に電界が集中し、基板端部における温度も高かった。
【0061】
一方、図13(c)及び図14に示すように、基板ホルダ40を使用した実施例2の場合、プラズマ分布は小さく、温度分布も均一になった。また、基板の上面が基板ホルダ本体の上端より低いため、電界集中もほとんどなく、前述の比較例1及び2で見られた基板の端部における異常な温度上昇もなかった。
【0062】
そして、所定の時間合成を行った後、基板42を反応容器から取り出したところ、基板上にはダイヤモンド膜が成膜されていたが、その膜厚は図11に示す基板温度分布にほぼ一致し、基板温度が高い箇所ではダイヤモンド膜の膜厚が厚くなっていた。また、結晶形態、欠陥密度等、ダイヤモンドの品質は、温度分布をほぼ反映したものであった。
【0063】
実施例3
次に、本発明の実施例3として、基板収納部より大幅に小さい基板を使用し、図9に示す第6実施形態の基板ホルダ50を使用してダイヤモンド膜を気相合成した。本実施例においては、直径50mm、厚さ5mmのシリコン基板を使用した。また、外径枠55の厚さを18mm、基板収納部53の深さを15.0mmとし、基板収納部43に3重の内枠54a乃至54dを設けた。夫々の内縁枠の高さは、内側なるに従い低くし、最も内側の内枠54aの上面は基板52の上面より5.0mm高くし、その外側の内枠54bは基板52の上面より9.0mm高くし、最も外側の内枠54cは基板ホルダ本体51の上端と同じ高さに(基板52より10.0mm高く)した。その他の仕様は、前述の実施例2で使用した基板ホルダと同様にした。
【0064】
また、比較例3として、外縁枠がない基板ホルダ75を使用して、前述の実施例3と同じ装置及び条件でダイヤモンド合成を行った。更に、比較例4として、外縁枠はあるが内枠がない基板ホルダ77を使用して、同様にダイヤモンド合成を行った。図15(a)は比較例3におけるプラズマ分布を示す模式図であり、図15(b)は比較例4におけるプラズマ分布を示す模式図であり、図15(c)は実施例3におけるプラズマ分布を示す模式図である。また、図16は比較例3、4及び実施例2の基板表面における温度分布を示すグラフ図である。
【0065】
図15(a)に示すように、外縁枠がない基板ホルダ75を使用した比較例3の場合、プラズマは基板ホルダ外へ広く広がった。また、基板52の端部及び基板ホルダ本体の端部には、電界が集中し、プラズマ発光が非常に強かった。図16に示すように、基板温度分布もこれを反映しており、基板の端部は非常に高温になった。更に、基板が前述の実施例2で使用したものより小さいため、温度分布は内側にいくほど低くなった。図15(b)及び図16に示すように、内枠がない基板ホルダ77を使用した比較例4の場合、プラズマ分布はやや小さくなり、温度は全体的にやや下がり、分布もやや均一化した。しかしながら、基板52の端部の角部近傍に電界が集中し、やや高温になった。一方、図15(c)及び図16に示すように、内枠を設けた基板ホルダ50を使用した実施例3の場合、プラズマ分布はやや小さく、温度分布も均一になった。また、基板52の端部への電界集中もほとんどなく、異常な温度上昇もなくなった。
【0066】
そして、所定の時間合成を行った後、基板52を反応容器から取り出したところ、基板上にはダイヤモンド膜が成膜されていたが、その膜厚は前述の基板温度分布にほぼ一致し、基板温度が高い箇所ではダイヤモンド膜の膜厚が厚くなっていた。また、結晶形態、欠陥密度等、ダイヤモンドの品質は、温度分布をほぼ反映したものであった。
【0067】
実施例4
次に、本発明の実施例4として、基板収納部より大幅に小さく、厚さが薄く、横断面が円形状ではない基板を使用し、図10に示す基板ホルダ60を使用してダイヤモンド合成を行った。本実施例においては、縦横の長さが35mm、厚さが0.5mmの正方形状のシリコン基板を使用した。また、基板収納部63の深さは、前述の実施例2及び3と同様に15.0mmとした。よって、基板ホルダ本体61の上端と基板62上面との高さの差は14.5mmであった。また、本実施例で使用した基板ホルダ60にも、前述の実施例3で使用した基板ホルダ50と同様に、基板収納部63に3重の内枠64a乃至64cを設けた。そして、その最も内側に配置された内枠64aは、基板62の形状に近い形状にした。これら以外の仕様は前述の実施例3で使用した基板ホルダと同様とした。
【0068】
また、比較例5として、外縁枠がない基板ホルダ75を使用し、前述の実施例4と同じ装置及び条件でダイヤモンド合成を行った。更に、比較例6として、外縁枠はあるが内枠がない基板ホルダ77を使用し、同様にダイヤモンド合成を行った。図17(a)は比較例5におけるプラズマ分布を示す模式図であり、図17(b)は比較例6におけるプラズマ分布を示す模式図であり、図17(c)は実施例4におけるプラズマ分布を示す模式図である。また、図18(a)は比較例5の基板表面における温度分布を示す平面図であり、図18(b)は比較例6の基板表面における温度分布を示す平面図であり、図18(c)は実施例4の基板表面における温度分布を示す平面図である。更に、図19はこれらの基板表面における温度分布を示すグラフ図である。
【0069】
外縁枠がない基板ホルダ75を使用した比較例5の場合、プラズマは基板ホルダ外へ広く広がっていた。また、基板62の端部及び基板ホルダ75の端部には、やや電界が集中し、プラズマの発光が強かった。基板温度分布もこれを反映しており、基板62の端部は高温になった。基板収納部の内側の温度分布は、前述の比較例3と基本的には同様であるが、基板62が薄いため、プラズマ中心から基板62表面の距離があること、及び基板ホルダ75からの冷却が効率よく行われたこと等により、全体的にはやや低くなった。また、内枠を設けなかった基板ホルダ77を使用した比較例6の場合、プラズマ分布はやや小さくなり、温度は全体的にやや下がり、分布もやや均一化した。それでも基板62の端部近傍の電界集中により、やや高温になった。一方、基板形状に対応した内枠を設けた基板ホルダ60を使用した実施例4の場合、プラズマ分布はやや小さく、温度分布もかなり均一になった。また、基板62の端部への電界集中もほとんどなく、異常な温度上昇もなくなった。この実施例4は、内枠を基板形状と円形の中間としたため、基板62の角部への電界の偏りも少なくなり、均一なダイヤモンド成膜ができた。
【0070】
そして、所定の時間合成を行った後、基板62を反応容器から取り出したところ、基板上にはダイヤモンド膜が成膜されていたが、その膜厚は前述の基板温度分布にほぼ一致し、基板温度が高い箇所ではダイヤモンド膜の膜厚が厚くなっていた。また、結晶形態、欠陥密度等、ダイヤモンドの品質は、温度分布をほぼ反映したものであった。
【0071】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、基板収納部を基板の厚さより深くすることにより、基板にマイクロ波電界が集中することが緩和されるため、基板の形状に左右されずに均一なプラズマが得られ、基板上に均一にダイヤモンドを合成することができる。また、本発明のダイヤモンド気相合成用基板ホルダを使用することにより、915±10MHzのマイクロ波を使用し、反応室への投入電力が10kW以上で、反応ガス圧が80乃至200Torrであるマイクロ波プラズマ化学気相蒸着装置においても、膜厚及び膜質が均一なダイヤモンド膜を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の第1実施形態の基板ホルダを示す断面図であり、(b)はその平面図である。
【図2】(a)は本発明の第2実施形態の基板ホルダを示す断面図であり、(b)はその平面図である。
【図3】(a)は本発明の第3実施形態の基板ホルダを示す断面図であり、(b)はその基板収納部の底面を示す平面図である。
【図4】本発明の第4実施形態の基板ホルダを示す平面図である。
【図5】(a)は本発明の第5実施形態の基板ホルダ40を示す平面図であり、(b)は(a)に示すA−A線による断面図である。
【図6】本実施形態の基板ホルダ40の使用形態を示す断面図である。
【図7】(a)は図6に示す基板ホルダ下部48を示す平面図であり、(b)は(a)に示すB−B線による断面図である。
【図8】(a)は図6に示す基板ホルダ中部47を示す平面図であり、(b)は(a)に示すC−C線による断面図である。
【図9】(a)は本発明の第6実施形態の基板ホルダ50を示す平面図であり、(b)は(a)に示すD−D線による断面図である。
【図10】(a)は本発明の第6実施形態における変形例の基板ホルダ60を示す平面図であり、(b)は(a)に示すE−E線による断面図である。
【図11】本発明の第1の実施例において作製されたダイヤモンド膜の膜厚分布を示すグラフ図である。
【図12】本発明の第2の実施例で使用したダイヤモンド合成装置を模式的に示す断面図である。
【図13】(a)は比較例1におけるプラズマ分布を示す断面図であり、(b)は比較例2におけるプラズマ分布を示す断面図であり、(c)は実施例2におけるプラズマ分布を示す断面図である。
【図14】比較例1、2及び実施例2の基板表面における温度分布を示すグラフ図である。
【図15】(a)は比較例3におけるプラズマ分布を示す模式図であり、(b)は比較例4におけるプラズマ分布を示す模式図であり、(c)は実施例3におけるプラズマ分布を示す模式図である。
【図16】比較例3、4及び実施例3の基板表面における温度分布を示すグラフ図である。
【図17】(a)は比較例5におけるプラズマ分布を示す模式図であり、(b)は比較例6におけるプラズマ分布を示す模式図であり、(c)は実施例4におけるプラズマ分布を示す模式図である。
【図18】(a)は比較例5の基板表面における温度分布を示す平面図であり、(b)は比較例6の基板表面における温度分布を示す平面図であり、(c)は実施例4の基板表面における温度分布を示す平面図である。
【図19】比較例5、6及び実施例4の基板表面における温度分布を示すグラフ図である。
【図20】(a)は従来の基板ホルダの断面図であり、(b)はその平面図である。
【図21】従来の基板ホルダを使用して合成したダイヤモンド膜の膜厚分布を示す図である。
【図22】従来の基板ホルダを使用した場合の基板の温度分布を示す平面図である。
【符号の説明】
1、9、20、42、52、62;基板
2、10、21、31、41、51、61;ホルダ本体
3、11、22、32、45;オリフィス
4、13、25、33、43、53、63;基板収納部
5;プラズマ集中部
6、12、23;溝
7;高温部
8;低温部
14、24;横断面が曲面である部材
15、16、17、18、19、40、50、60、75、76、77:基板ホルダ
26、46;環状溝
34;突起
44、55、65;外縁枠
47;基板ホルダ中部
48;基板ホルダ下部
54a、54b、54c、64、64a、64b、64c;内枠
70;反応容器
71;冷却ステージ
72;赤外放射式温度計
73;マイクロ波窓
74;プラズマ
Claims (18)
- ホルダ本体と、このホルダ本体の上面に形成された基板を配置するための凸状の基板収納部と、を有し、前記基板収納部は前記基板の厚さより深いことを特徴とするダイヤモンド気相合成用基板ホルダ。
- 前記基板収納部の底面には、ガスを排気するための孔と、前記孔から前記基板の縁部に向けて延びる溝とが設けられていることを特徴とする請求項1に記載のダイヤモンド気相合成用基板ホルダ。
- 前記ホルダ本体の上面における前記基板収納部の外側部分に、横断面が曲面である部材が設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載のダイヤモンド気相合成用基板ホルダ。
- 前記孔は前記基板収納部の底面中央に設けられ、前記溝は前記孔から放射線状に延び、更に、前記基板収納部の底面には、同心円状に配置された複数個の環状の溝が設けられており、前記環状の溝間の間隔は外周部になるに従い狭くなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のダイヤモンド気相合成用基板ホルダ。
- 前記環状の溝の幅が0.1乃至3.0mmであることを特徴とする請求項4に記載のダイヤモンド気相合成用基板ホルダ。
- 前記基板収納部の直径が5cm以上であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のダイヤモンド気相合成用基板ホルダ。
- 前記孔は複数個設けられていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のダイヤモンド気相合成用基板ホルダ。
- 前記基板収納部は複数個設けられていること特徴とする請求項1乃至7に記載のダイヤモンド気相合成用基板ホルダ。
- 前記基板収納部の底面には、ガスを排気するための孔及び複数個の突起が形成されており、前記基板は前記突起の上面で接触し、前記突起上面により構成される面の深さは前記基板の厚さより深いことを特徴とする請求項1に記載のダイヤモンド気相合成用基板ホルダ。
- 前記基板収納部の深さと前記基板の厚さとの差は、0.5乃至20mmであることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載のダイヤモンド気相合成用基板ホルダ。
- 前記ホルダ本体における外径と内径との差が、5乃至50mmであることを特徴とする請求項10に記載のダイヤモンド気相合成用基板ホルダ。
- 反応容器内部に配置されるとき、前記ホルダ本体の外径が前記反応容器の内径の(1/10)乃至(1/3)であることを特徴とする請求項10又は11に記載のダイヤモンド気相合成用基板ホルダ。
- 前記基板収納部には、前記基板より直径が大きい1個以上の内枠が設けられていることを特徴とする請求項10乃至12のいずれか1項に記載のダイヤモンド気相合成用基板ホルダ。
- 前記内枠は、厚さが0.2乃至5mmであり、高さがホルダ本体の上面と同等又は基板上面より高くホルダ本体の上面より低いことを特徴とする請求項10乃至13のいずれか1項に記載のダイヤモンド気相合成用基板ホルダ。
- マイクロ波を使用し、反応室への投入電力が10kW以上で、反応ガス圧が80乃至200Torrであるマイクロ波プラズマ化学気相蒸着において使用されることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載のダイヤモンド気相合成用基板ホルダ。
- 反応室への投入電力が50kW以上で、周波数が915MHzであるマイクロ波を使用し、反応ガス圧が80乃至150Torrであるマイクロ波プラズマ化学気相蒸着において使用されることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載のダイヤモンド気相合成用基板ホルダ。
- 請求項1乃至16に記載のダイヤモンド気相合成用基板ホルダを使用し、反応ガス圧が80乃至200Torrである反応容器内に、電力が10kW以上のマイクロ波を導入してプラズマを発生させることにより、ダイヤモンドを合成することを特徴とするダイヤモンド気相合成方法。
- 前記マイクロ波が915±10MHzであることを特徴とする請求項17に記載のダイヤモンド気相合成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003148426A JP2004244298A (ja) | 2002-12-17 | 2003-05-26 | ダイヤモンド気相合成用基板ホルダ及びダイヤモンド気相合成方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002364892 | 2002-12-17 | ||
JP2003148426A JP2004244298A (ja) | 2002-12-17 | 2003-05-26 | ダイヤモンド気相合成用基板ホルダ及びダイヤモンド気相合成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004244298A true JP2004244298A (ja) | 2004-09-02 |
Family
ID=33031679
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003148426A Withdrawn JP2004244298A (ja) | 2002-12-17 | 2003-05-26 | ダイヤモンド気相合成用基板ホルダ及びダイヤモンド気相合成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004244298A (ja) |
Cited By (206)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007518249A (ja) * | 2003-08-01 | 2007-07-05 | エスゲーエル カーボン アクチエンゲゼルシャフト | 半導体製造時にウェハを支持するホルダ |
JP2007331955A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ダイヤモンド製造方法 |
KR100841195B1 (ko) * | 2005-07-29 | 2008-06-24 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 기상 성장 장치와 기상 성장 방법 |
GB2486783A (en) * | 2010-12-23 | 2012-06-27 | Element Six Ltd | A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
JP2013513236A (ja) * | 2009-12-02 | 2013-04-18 | ビーコ インストゥルメンツ インコーポレイテッド | 基板担体の性能を改善する方法 |
JP2013245393A (ja) * | 2012-05-29 | 2013-12-09 | Shimadzu Corp | サンプルホルダ |
US8859058B2 (en) | 2010-12-23 | 2014-10-14 | Element Six Limited | Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture |
US8955456B2 (en) | 2010-12-23 | 2015-02-17 | Element Six Limited | Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
JP2015518088A (ja) * | 2012-04-12 | 2015-06-25 | トゥーエイ テクノロジーズ プライベート リミテッド | マイクロ波プラズマ化学気相成長装置 |
US9142389B2 (en) | 2010-12-23 | 2015-09-22 | Element Six Technologies Limited | Microwave power delivery system for plasma reactors |
US20150315700A1 (en) * | 2012-12-12 | 2015-11-05 | Element Six Technologies Limited | Method for making diamond layers by cvd |
JP2016015429A (ja) * | 2014-07-03 | 2016-01-28 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | プラズマキャビティ用フランジ、プラズマキャビティ及びプラズマcvd装置 |
CN106048719A (zh) * | 2016-07-08 | 2016-10-26 | 武汉大学 | 一种微波等离子体化学气相法生长单晶金刚石的基片台和方法 |
US9637838B2 (en) | 2010-12-23 | 2017-05-02 | Element Six Limited | Methods of manufacturing synthetic diamond material by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition from a microwave generator and gas inlet(s) disposed opposite the growth surface area |
CN106811737A (zh) * | 2015-12-02 | 2017-06-09 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 一种用于制备金刚石的基台组件 |
JP2018505304A (ja) * | 2014-12-17 | 2018-02-22 | ツーシックス、インコーポレイテッドIi−Vi Incorporated | 自立型cvd多結晶ダイアモンド膜を製造する装置および方法 |
US10403477B2 (en) | 2010-12-23 | 2019-09-03 | Element Six Technologies Limited | Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
CN111020699A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-04-17 | 上海征世科技有限公司 | 一种提高微波等离子体生长单晶钻石生长速度的基片台 |
CN111441037A (zh) * | 2019-03-08 | 2020-07-24 | 上海征世科技有限公司 | 一种用于微波等离子体沉积金刚石膜装置中的刀具托盘 |
CN113417007A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-09-21 | 秦皇岛本征晶体科技有限公司 | 一种基于气流系统结构控制金刚石沉积速率的方法 |
US11274369B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-03-15 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition method |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
US11296189B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US11315794B2 (en) | 2019-10-21 | 2022-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching films |
US11342216B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
US11339476B2 (en) | 2019-10-08 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device having connection plates, substrate processing method |
US11345999B2 (en) | 2019-06-06 | 2022-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas |
CN114561698A (zh) * | 2022-03-02 | 2022-05-31 | 河南天璇半导体科技有限责任公司 | 一种mpcvd法批量生产金刚石单晶的方法、钼质基片台 |
US11355338B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-06-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method |
US11361990B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-06-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
US11371147B2 (en) | 2010-12-23 | 2022-06-28 | Element Six Technologies Limited | Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
US11378337B2 (en) | 2019-03-28 | 2022-07-05 | Asm Ip Holding B.V. | Door opener and substrate processing apparatus provided therewith |
US11387120B2 (en) | 2017-09-28 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US11387106B2 (en) | 2018-02-14 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11393690B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
US11390945B2 (en) | 2019-07-03 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
US11390946B2 (en) | 2019-01-17 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US11396702B2 (en) | 2016-11-15 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit |
US11398382B2 (en) | 2018-03-27 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
US11401605B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-08-02 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11411088B2 (en) | 2018-11-16 | 2022-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US11410851B2 (en) | 2017-02-15 | 2022-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US11414760B2 (en) | 2018-10-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same |
US11417545B2 (en) | 2017-08-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shield |
US11424119B2 (en) | 2019-03-08 | 2022-08-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
US11430640B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11437241B2 (en) | 2020-04-08 | 2022-09-06 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films |
US11443926B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-09-13 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11476109B2 (en) | 2019-06-11 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
US11482418B2 (en) | 2018-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and apparatus |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
US11488854B2 (en) | 2020-03-11 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate handling device with adjustable joints |
US11488819B2 (en) | 2018-12-04 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning substrate processing apparatus |
US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US11495459B2 (en) | 2019-09-04 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer |
US11501973B2 (en) | 2018-01-16 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US11499226B2 (en) | 2018-11-02 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
US11515187B2 (en) | 2020-05-01 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Fast FOUP swapping with a FOUP handler |
US11515188B2 (en) | 2019-05-16 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
US11521851B2 (en) | 2020-02-03 | 2022-12-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures including a vanadium or indium layer |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US11530876B2 (en) | 2020-04-24 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply |
US11530483B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing system |
US11551925B2 (en) | 2019-04-01 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for manufacturing a semiconductor device |
US11551912B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film |
US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587821B2 (en) | 2017-08-08 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
US11605528B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
US11610775B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11610774B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process |
US11615970B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Radical assist ignition plasma system and method |
US11615980B2 (en) | 2019-02-20 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
US11626308B2 (en) | 2020-05-13 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Laser alignment fixture for a reactor system |
US11626316B2 (en) | 2019-11-20 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure |
US11629407B2 (en) | 2019-02-22 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method for processing substrates |
US11637011B2 (en) | 2019-10-16 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
US11639548B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device |
US11644758B2 (en) | 2020-07-17 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and methods for use in photolithography |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
US11646204B2 (en) | 2020-06-24 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a layer provided with silicon |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
US11646197B2 (en) | 2018-07-03 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11646184B2 (en) | 2019-11-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11649546B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-05-16 | Asm Ip Holding B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US11658035B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
US11658029B2 (en) | 2018-12-14 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same |
US11664267B2 (en) | 2019-07-10 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
US11664199B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US11664245B2 (en) | 2019-07-16 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
US11676812B2 (en) | 2016-02-19 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on top/bottom portions |
US11674220B2 (en) | 2020-07-20 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing molybdenum layers using an underlayer |
US11680839B2 (en) | 2019-08-05 | 2023-06-20 | Asm Ip Holding B.V. | Liquid level sensor for a chemical source vessel |
US11682572B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-06-20 | Asm Ip Holdings B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
US11688603B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium structures |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
US11695054B2 (en) | 2017-07-18 | 2023-07-04 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
US11694892B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-07-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11705333B2 (en) | 2020-05-21 | 2023-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11725277B2 (en) | 2011-07-20 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
US11735445B2 (en) | 2018-10-31 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11735414B2 (en) | 2018-02-06 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US11735422B2 (en) | 2019-10-10 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a photoresist underlayer and structure including same |
US11742189B2 (en) | 2015-03-12 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
US11749562B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769670B2 (en) | 2018-12-13 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781221B2 (en) | 2019-05-07 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical source vessel with dip tube |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
US11795545B2 (en) | 2014-10-07 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US11804388B2 (en) | 2018-09-11 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11804364B2 (en) | 2020-05-19 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11802338B2 (en) | 2017-07-26 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US11810788B2 (en) | 2016-11-01 | 2023-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US11814747B2 (en) | 2019-04-24 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor system-with a reaction chamber, a solid precursor source vessel, a gas distribution system, and a flange assembly |
US11823876B2 (en) | 2019-09-05 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11823866B2 (en) | 2020-04-02 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
US11830738B2 (en) | 2020-04-03 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device |
US11828707B2 (en) | 2020-02-04 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for transmittance measurements of large articles |
US11827981B2 (en) | 2020-10-14 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material on stepped structure |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11840761B2 (en) | 2019-12-04 | 2023-12-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11848200B2 (en) | 2017-05-08 | 2023-12-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11876008B2 (en) | 2019-07-31 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
US11873557B2 (en) | 2020-10-22 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing vanadium metal |
US11885023B2 (en) | 2018-10-01 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same |
US11887857B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer comprising vanadium, nitrogen, and a further element |
US11885020B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Transition metal deposition method |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
US11891696B2 (en) | 2020-11-30 | 2024-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus |
US11901179B2 (en) | 2020-10-28 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and device for depositing silicon onto substrates |
US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
US11923181B2 (en) | 2019-11-29 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for minimizing the effect of a filling gas during substrate processing |
US11923190B2 (en) | 2018-07-03 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11929251B2 (en) | 2019-12-02 | 2024-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus having electrostatic chuck and substrate processing method |
US11939673B2 (en) | 2018-02-23 | 2024-03-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
US11956977B2 (en) | 2015-12-29 | 2024-04-09 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US11961741B2 (en) | 2020-03-12 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for fabricating layer structure having target topological profile |
US11959168B2 (en) | 2020-04-29 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Solid source precursor vessel |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
US11976359B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply assembly, components thereof, and reactor system including same |
US11986868B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | System dedicated for parts cleaning |
US11987881B2 (en) | 2020-05-22 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for depositing thin films using hydrogen peroxide |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
US11996292B2 (en) | 2019-10-25 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
US11996309B2 (en) | 2019-05-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
US12006572B2 (en) | 2019-10-08 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system including a gas distribution assembly for use with activated species and method of using same |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
US12020934B2 (en) | 2020-07-08 | 2024-06-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
US12027365B2 (en) | 2020-11-24 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap and related systems and devices |
US12033861B2 (en) | 2017-10-05 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US12033885B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Channeled lift pin |
US12033849B2 (en) | 2019-08-23 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by PEALD using bis(diethylamino)silane |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US12040184B2 (en) | 2017-10-30 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US12051567B2 (en) | 2020-10-07 | 2024-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including gas supply unit |
US12051602B2 (en) | 2020-05-04 | 2024-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing system for processing substrates with an electronics module located behind a door in a front wall of the substrate processing system |
US12057314B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors |
US12068154B2 (en) | 2020-04-13 | 2024-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a nitrogen-containing carbon film and system for performing the method |
US12074022B2 (en) | 2020-08-27 | 2024-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for forming patterned structures using multiple patterning process |
US12087586B2 (en) | 2020-04-15 | 2024-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming chromium nitride layer and structure including the chromium nitride layer |
-
2003
- 2003-05-26 JP JP2003148426A patent/JP2004244298A/ja not_active Withdrawn
Cited By (245)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007518249A (ja) * | 2003-08-01 | 2007-07-05 | エスゲーエル カーボン アクチエンゲゼルシャフト | 半導体製造時にウェハを支持するホルダ |
JP4669476B2 (ja) * | 2003-08-01 | 2011-04-13 | エスゲーエル カーボン ソシエタス ヨーロピア | 半導体製造時にウェハを支持するホルダ |
KR100841195B1 (ko) * | 2005-07-29 | 2008-06-24 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 기상 성장 장치와 기상 성장 방법 |
JP2007331955A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ダイヤモンド製造方法 |
KR20170076813A (ko) * | 2009-12-02 | 2017-07-04 | 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 기판 캐리어의 성능을 향상시키기 위한 방법 및 기판 캐리어 |
JP2013513236A (ja) * | 2009-12-02 | 2013-04-18 | ビーコ インストゥルメンツ インコーポレイテッド | 基板担体の性能を改善する方法 |
KR102033085B1 (ko) * | 2009-12-02 | 2019-11-08 | 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 기판 캐리어의 성능을 향상시키기 위한 방법 및 기판 캐리어 |
US10262883B2 (en) | 2009-12-02 | 2019-04-16 | Veeco Instruments Inc. | Method for improving performance of a substrate carrier |
KR101617491B1 (ko) * | 2009-12-02 | 2016-05-02 | 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 기판 캐리어의 성능을 향상시키기 위한 방법 및 기판 캐리어 |
US9269565B2 (en) | 2009-12-02 | 2016-02-23 | Veeco Instruments Inc. | Method for improving performance of a substrate carrier |
US11488805B2 (en) | 2010-12-23 | 2022-11-01 | Element Six Technologies Limited | Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
US9410242B2 (en) | 2010-12-23 | 2016-08-09 | Element Six Technologies Limited | Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
US11371147B2 (en) | 2010-12-23 | 2022-06-28 | Element Six Technologies Limited | Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
US10403477B2 (en) | 2010-12-23 | 2019-09-03 | Element Six Technologies Limited | Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
US8955456B2 (en) | 2010-12-23 | 2015-02-17 | Element Six Limited | Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
US9738970B2 (en) | 2010-12-23 | 2017-08-22 | Element Six Limited | Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture |
US8859058B2 (en) | 2010-12-23 | 2014-10-14 | Element Six Limited | Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture |
US9142389B2 (en) | 2010-12-23 | 2015-09-22 | Element Six Technologies Limited | Microwave power delivery system for plasma reactors |
GB2486783B (en) * | 2010-12-23 | 2014-02-12 | Element Six Ltd | A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
US9637838B2 (en) | 2010-12-23 | 2017-05-02 | Element Six Limited | Methods of manufacturing synthetic diamond material by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition from a microwave generator and gas inlet(s) disposed opposite the growth surface area |
GB2486783A (en) * | 2010-12-23 | 2012-06-27 | Element Six Ltd | A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
US11725277B2 (en) | 2011-07-20 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
JP2015518088A (ja) * | 2012-04-12 | 2015-06-25 | トゥーエイ テクノロジーズ プライベート リミテッド | マイクロ波プラズマ化学気相成長装置 |
JP2013245393A (ja) * | 2012-05-29 | 2013-12-09 | Shimadzu Corp | サンプルホルダ |
US20150315700A1 (en) * | 2012-12-12 | 2015-11-05 | Element Six Technologies Limited | Method for making diamond layers by cvd |
US11384426B2 (en) * | 2012-12-12 | 2022-07-12 | Element Six Technologies Limited | Method for making diamond layers by CVD |
JP2016506450A (ja) * | 2012-12-12 | 2016-03-03 | エレメント シックス テクノロジーズ リミテッド | Cvdによりダイヤモンド層を作製する方法 |
US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
JP2016015429A (ja) * | 2014-07-03 | 2016-01-28 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | プラズマキャビティ用フランジ、プラズマキャビティ及びプラズマcvd装置 |
US11795545B2 (en) | 2014-10-07 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
JP2018505304A (ja) * | 2014-12-17 | 2018-02-22 | ツーシックス、インコーポレイテッドIi−Vi Incorporated | 自立型cvd多結晶ダイアモンド膜を製造する装置および方法 |
US11742189B2 (en) | 2015-03-12 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
CN106811737A (zh) * | 2015-12-02 | 2017-06-09 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 一种用于制备金刚石的基台组件 |
US11956977B2 (en) | 2015-12-29 | 2024-04-09 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US11676812B2 (en) | 2016-02-19 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on top/bottom portions |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US11649546B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-05-16 | Asm Ip Holding B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
CN106048719A (zh) * | 2016-07-08 | 2016-10-26 | 武汉大学 | 一种微波等离子体化学气相法生长单晶金刚石的基片台和方法 |
US11749562B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
US11610775B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11694892B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-07-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US11810788B2 (en) | 2016-11-01 | 2023-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US11396702B2 (en) | 2016-11-15 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit |
US12000042B2 (en) | 2016-12-15 | 2024-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11970766B2 (en) | 2016-12-15 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11851755B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-12-26 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US12043899B2 (en) | 2017-01-10 | 2024-07-23 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US11410851B2 (en) | 2017-02-15 | 2022-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US11848200B2 (en) | 2017-05-08 | 2023-12-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11976361B2 (en) | 2017-06-28 | 2024-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US11695054B2 (en) | 2017-07-18 | 2023-07-04 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
US11802338B2 (en) | 2017-07-26 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US11417545B2 (en) | 2017-08-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shield |
US11587821B2 (en) | 2017-08-08 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11581220B2 (en) | 2017-08-30 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11387120B2 (en) | 2017-09-28 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US12033861B2 (en) | 2017-10-05 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US12040184B2 (en) | 2017-10-30 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
US11682572B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-06-20 | Asm Ip Holdings B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
US11501973B2 (en) | 2018-01-16 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
US11972944B2 (en) | 2018-01-19 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
US11393690B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
US11735414B2 (en) | 2018-02-06 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11387106B2 (en) | 2018-02-14 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11482418B2 (en) | 2018-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and apparatus |
US11939673B2 (en) | 2018-02-23 | 2024-03-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11398382B2 (en) | 2018-03-27 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
US12020938B2 (en) | 2018-03-27 | 2024-06-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
US11908733B2 (en) | 2018-05-28 | 2024-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
US11361990B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-06-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11296189B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
US11530483B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing system |
US11952658B2 (en) | 2018-06-27 | 2024-04-09 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US11814715B2 (en) | 2018-06-27 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US11646197B2 (en) | 2018-07-03 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11923190B2 (en) | 2018-07-03 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11274369B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-03-15 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition method |
US11804388B2 (en) | 2018-09-11 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11885023B2 (en) | 2018-10-01 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same |
US11414760B2 (en) | 2018-10-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same |
US11664199B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US11735445B2 (en) | 2018-10-31 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11866823B2 (en) | 2018-11-02 | 2024-01-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
US11499226B2 (en) | 2018-11-02 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11798999B2 (en) | 2018-11-16 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US11411088B2 (en) | 2018-11-16 | 2022-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11488819B2 (en) | 2018-12-04 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning substrate processing apparatus |
US11769670B2 (en) | 2018-12-13 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11658029B2 (en) | 2018-12-14 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same |
US11959171B2 (en) | 2019-01-17 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11390946B2 (en) | 2019-01-17 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11615980B2 (en) | 2019-02-20 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
US11342216B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
US11798834B2 (en) | 2019-02-20 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
US11629407B2 (en) | 2019-02-22 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method for processing substrates |
CN111441037A (zh) * | 2019-03-08 | 2020-07-24 | 上海征世科技有限公司 | 一种用于微波等离子体沉积金刚石膜装置中的刀具托盘 |
CN111441037B (zh) * | 2019-03-08 | 2024-05-14 | 上海征世科技股份有限公司 | 一种用于微波等离子体沉积金刚石膜装置中的刀具托盘 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
US11424119B2 (en) | 2019-03-08 | 2022-08-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
US11901175B2 (en) | 2019-03-08 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
US11378337B2 (en) | 2019-03-28 | 2022-07-05 | Asm Ip Holding B.V. | Door opener and substrate processing apparatus provided therewith |
US11551925B2 (en) | 2019-04-01 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for manufacturing a semiconductor device |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11814747B2 (en) | 2019-04-24 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor system-with a reaction chamber, a solid precursor source vessel, a gas distribution system, and a flange assembly |
US11781221B2 (en) | 2019-05-07 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical source vessel with dip tube |
US11355338B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-06-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method |
US11996309B2 (en) | 2019-05-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
US11515188B2 (en) | 2019-05-16 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
US11345999B2 (en) | 2019-06-06 | 2022-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas |
US11476109B2 (en) | 2019-06-11 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
US11908684B2 (en) | 2019-06-11 | 2024-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
US11390945B2 (en) | 2019-07-03 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
US11746414B2 (en) | 2019-07-03 | 2023-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
US11605528B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method |
US11664267B2 (en) | 2019-07-10 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
US11664245B2 (en) | 2019-07-16 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
US11996304B2 (en) | 2019-07-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
US11688603B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium structures |
US11615970B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Radical assist ignition plasma system and method |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
US11443926B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-09-13 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11430640B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11876008B2 (en) | 2019-07-31 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11680839B2 (en) | 2019-08-05 | 2023-06-20 | Asm Ip Holding B.V. | Liquid level sensor for a chemical source vessel |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
US11639548B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device |
US12040229B2 (en) | 2019-08-22 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11898242B2 (en) | 2019-08-23 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a polycrystalline molybdenum film over a surface of a substrate and related structures including a polycrystalline molybdenum film |
US11827978B2 (en) | 2019-08-23 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
US12033849B2 (en) | 2019-08-23 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by PEALD using bis(diethylamino)silane |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
US11495459B2 (en) | 2019-09-04 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer |
US11823876B2 (en) | 2019-09-05 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
US11610774B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process |
US11339476B2 (en) | 2019-10-08 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device having connection plates, substrate processing method |
US12006572B2 (en) | 2019-10-08 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system including a gas distribution assembly for use with activated species and method of using same |
US11735422B2 (en) | 2019-10-10 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a photoresist underlayer and structure including same |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
US11637011B2 (en) | 2019-10-16 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
US11315794B2 (en) | 2019-10-21 | 2022-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching films |
US11996292B2 (en) | 2019-10-25 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
US11626316B2 (en) | 2019-11-20 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure |
US11915929B2 (en) | 2019-11-26 | 2024-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
US11401605B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-08-02 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11646184B2 (en) | 2019-11-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11923181B2 (en) | 2019-11-29 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for minimizing the effect of a filling gas during substrate processing |
US11929251B2 (en) | 2019-12-02 | 2024-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus having electrostatic chuck and substrate processing method |
US11840761B2 (en) | 2019-12-04 | 2023-12-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
CN111020699A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-04-17 | 上海征世科技有限公司 | 一种提高微波等离子体生长单晶钻石生长速度的基片台 |
US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
US12033885B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Channeled lift pin |
US11976359B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply assembly, components thereof, and reactor system including same |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
US11551912B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film |
US11521851B2 (en) | 2020-02-03 | 2022-12-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures including a vanadium or indium layer |
US11828707B2 (en) | 2020-02-04 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for transmittance measurements of large articles |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
US11986868B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | System dedicated for parts cleaning |
US11488854B2 (en) | 2020-03-11 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate handling device with adjustable joints |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
US11837494B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-12-05 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate handling device with adjustable joints |
US11961741B2 (en) | 2020-03-12 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for fabricating layer structure having target topological profile |
US11823866B2 (en) | 2020-04-02 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
US11830738B2 (en) | 2020-04-03 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device |
US11437241B2 (en) | 2020-04-08 | 2022-09-06 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films |
US12068154B2 (en) | 2020-04-13 | 2024-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a nitrogen-containing carbon film and system for performing the method |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US12087586B2 (en) | 2020-04-15 | 2024-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming chromium nitride layer and structure including the chromium nitride layer |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
US11530876B2 (en) | 2020-04-24 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply |
US11887857B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer comprising vanadium, nitrogen, and a further element |
US11959168B2 (en) | 2020-04-29 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Solid source precursor vessel |
US11515187B2 (en) | 2020-05-01 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Fast FOUP swapping with a FOUP handler |
US11798830B2 (en) | 2020-05-01 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Fast FOUP swapping with a FOUP handler |
US12051602B2 (en) | 2020-05-04 | 2024-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing system for processing substrates with an electronics module located behind a door in a front wall of the substrate processing system |
US11626308B2 (en) | 2020-05-13 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Laser alignment fixture for a reactor system |
US12057314B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors |
US11804364B2 (en) | 2020-05-19 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11705333B2 (en) | 2020-05-21 | 2023-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same |
US11987881B2 (en) | 2020-05-22 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for depositing thin films using hydrogen peroxide |
US11646204B2 (en) | 2020-06-24 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a layer provided with silicon |
US11658035B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
US12020934B2 (en) | 2020-07-08 | 2024-06-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
US11644758B2 (en) | 2020-07-17 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and methods for use in photolithography |
US12055863B2 (en) | 2020-07-17 | 2024-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and methods for use in photolithography |
US11674220B2 (en) | 2020-07-20 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing molybdenum layers using an underlayer |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
US12074022B2 (en) | 2020-08-27 | 2024-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for forming patterned structures using multiple patterning process |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
US12051567B2 (en) | 2020-10-07 | 2024-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including gas supply unit |
US11827981B2 (en) | 2020-10-14 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material on stepped structure |
US11873557B2 (en) | 2020-10-22 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing vanadium metal |
US11901179B2 (en) | 2020-10-28 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and device for depositing silicon onto substrates |
US12027365B2 (en) | 2020-11-24 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap and related systems and devices |
US11891696B2 (en) | 2020-11-30 | 2024-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
US11885020B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Transition metal deposition method |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
CN113417007A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-09-21 | 秦皇岛本征晶体科技有限公司 | 一种基于气流系统结构控制金刚石沉积速率的方法 |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
CN114561698A (zh) * | 2022-03-02 | 2022-05-31 | 河南天璇半导体科技有限责任公司 | 一种mpcvd法批量生产金刚石单晶的方法、钼质基片台 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004244298A (ja) | ダイヤモンド気相合成用基板ホルダ及びダイヤモンド気相合成方法 | |
US11488805B2 (en) | Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material | |
US7024105B2 (en) | Substrate heater assembly | |
KR101854069B1 (ko) | 합성 다이아몬드 물질을 제조하기 위한 극초단파 플라즈마 반응기 | |
JP5142074B2 (ja) | マイクロ波プラズマcvd装置 | |
KR100518617B1 (ko) | 플라즈마처리장치 및 플라즈마 처리방법 | |
JP5540162B2 (ja) | 化学気相成長法により合成ダイヤモンド材料を製造する方法 | |
EP2276328B1 (en) | Microwave plasma processing device | |
US20050000430A1 (en) | Showerhead assembly and apparatus for manufacturing semiconductor device having the same | |
US20140048016A1 (en) | Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material | |
TW200816278A (en) | Shower plate, plasma processing device using the same, plasma processing method and manufacturing method of electronic apparatus | |
JP6700118B2 (ja) | プラズマ成膜装置および基板載置台 | |
JP2007053359A (ja) | 均一な膜を形成するためのプラズマcvd装置及び方法 | |
EP0519608A1 (en) | Substrate holder of thermally anisotropic material used for enhancing uniformity of grown epitaxial layers | |
EP3665715B1 (en) | Microwave reactor for deposition or treatment of carbon compounds | |
JP3041844B2 (ja) | 成膜又はエッチング装置 | |
RU2644216C2 (ru) | СВЧ плазменный реактор для получения однородной нанокристаллической алмазной пленки | |
JP2007095923A (ja) | 半導体結晶の成長装置 | |
CN110846636A (zh) | 用于处理腔室的涂覆材料 | |
RU214891U1 (ru) | Устройство для газоструйного осаждения алмазных покрытий | |
RU2792526C1 (ru) | Устройство для нанесения алмазных покрытий | |
JP2005255507A (ja) | マイクロ波プラズマcvd装置の基板支持体 | |
JP2006128529A (ja) | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
KR20230139097A (ko) | 링형 전극을 구비하는 마이크로웨이브 다이아몬드 성막 장치 | |
JP2024060106A (ja) | ダイヤモンド合成用プラズマcvd装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051121 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Effective date: 20061003 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 |