KR101617491B1 - 기판 캐리어의 성능을 향상시키기 위한 방법 및 기판 캐리어 - Google Patents

기판 캐리어의 성능을 향상시키기 위한 방법 및 기판 캐리어 Download PDF

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Abstract

공정 성능을 향상시키기 위해 기판 캐리어를 수정하는 방법은 물질을 증착시키는 것 또는 기판 캐리어에 의해 지지되는 기판상의 디바이스를 제작하는 것을 포함한다. 기판상에 증착된 층의 파라미터는 그 후 기판 캐리어상의 그것들의 상응하는 위치에 관한 함수로서 측정된다. 기판상에서 제작된 적어도 몇몇 소자의 측정된 파라미터 또는 증착된 층의 속성은 기판 캐리어상의 복수의 위치에 상응하는 기판 캐리어의 복수의 물리적 특성을 얻기 위해 기판 캐리어의 물리적 특성과 연관된다. 기판 캐리어의 물리적 특성은 그 후 기판 캐리어상의 위치에 관한 함수로서 증착된 층 또는 제작된 디바이스의 바람직한 파라미터를 얻기 위해 기판 캐리어상의 상응하는 상기 복수의 위치 중 하나 또는 둘 이상에서 수정된다.

Description

기판 캐리어의 성능을 향상시키기 위한 방법 및 기판 캐리어{METHOD FOR IMPROVING PERFORMANCE OF A SUBSTRATE CARRIER AND A SUBSTRATE CARRIER}
본 발명은 기판 캐리어의 성능을 향상시키기 위한 방법에 관한 것이다.
많은 물질 공정 시스템은 공정 과정에서 기판을 지지하고 때때로 운반하기 위한 기판 캐리어를 포함한다. 상기 기판은 통상 웨이퍼라고 불리는 결정성 물질의 디스크인 경우가 많다. 그러한 물질 공정 시스템의 형태로서 하나가 기상 에피택시(Vapor phase epitaxy, VPE) 시스템이다. 기상 에피택시(VPE)는 화학종(chemical species)을 포함하는 하나 또는 그 이상의 가스를 기판의 표면으로 향하게 하여 반응성 종이 기판의 표면상에서 반응하여 막을 형성하도록 하는 단계를 포함하는 일종의 화학 증착법(Chemical vapor deposition, CVD)이다. 예를 들면, VPE는 기판상에 화합물 반도체 물질을 성장시키도록 사용될 수 있다.
물질은 통상 적어도 하나의 전구체 가스를 주입시켜 성장되고, 많은 공정에서, 적어도 제 1 및 제 2 전구체 가스를 상기 결정성 기판을 포함하는 공정 챔버 내로 주입함으로써 성장된다. III-V족 반도체와 같은 화합물 반도체는, 수소화물 전구체 가스 및 유기 금속 전구체 가스를 사용하여 기판상에 다양한 층의 반도체 물질을 성장시킴으로써 형성될 수 있다. 금속 유기 기상 에피택시(Metalorganic vapor phase epitaxy, MOVPE)는 기상 증착 방법으로서, 금속-유기물(metalorganic) 및 필요한 화학 원소를 포함하는 수소화물의 표면 반응을 사용하여 화합물 반도체를 성장시키는데 주로 사용된다. 예를 들면, 인듐 인화물(indium phosphide)은 트리메틸인듐(trimethylindium) 및 포스핀(phosphine)을 도입함으로서 기판상의 반응기 내에서 성장될 수 있을 것이다.
본 기술 분야에서 사용되는 MOVPE의 대체 명칭은 유기 금속 기상 에피택시(organometallic vapor phase epitaxy, OMVPE), 금속 유기 화학 증착법(metalorganic chemical vapor deposition, MOCVD), 및 유기 금속 화학 증착법(organometallic chemical vapor deposition, OMCVD)을 포함한다. 이들 공정에 있어서, 가스는 사파이어(sapphire), 규소(Si), 갈륨비소(GaAs), 인화인듐(InP), 비화인듐(InAs) 또는 인화갈륨(GaP) 기판과 같은 기판의 성장 표면에서 서로 반응하여, 일반식 InxGaYAlzNAAsBPCSbD의 III-V족 화합물을 형성하고, 여기서, X+Y+Z는 대략 1이고, A+B+C+D는 대략 1이며, X, Y, Z, A, B, C, 및 D 각각은 0과 1 사이일 수 있다. 다양한 공정에서 있어서, 상기 기판은 금속, 반도체 또는 절연 기판일 수 있다. 몇몇 예에 있어서, 비스무트(bismuth)는 다른 III족 금속의 일부 또는 전체 대신 사용될 수 있다.
III-V족 반도체와 같은 화합물 반도체는 또한, 수소화물 또는 할로겐화물 전구체 가스 공정을 사용하여 기판상에 반도체 물질의 다양한 층을 성장시킴으로써 형성될 수 있다. 하나의 할로겐화물 기상 에피택시(halide vapor phase epitaxy, HVPE) 공정에 있어서, III족 질화물(예를 들면, 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN))은 고온의 가스 금속 염화물(gaseous metal chloride, 예를 들면, 염화갈륨(GaCl) 또는 염화알루미늄(AlCl))을 암모니아 가스 (NH3)와 반응시킴으로써 형성된다. 금속 염화물은 고온의 III족 금속 위로 고온의 HCl 가스를 통과시킴으로써 생성된다. HVPE의 하나의 특징은 몇몇 최신 공정에서는 시간당 100μm까지의 높은 성장률을 가질 수 있다는 것이다. HVPE의 다른 특징은 막이 무탄소(carbon free) 환경에서 성장되고 고온의 HCl 가스가 자정 효과를 제공하므로 상대적으로 높은 품질의 막을 증착시키는데 사용될 수 있다는 것이다.
이들 공정에 있어서, 기판은 반응 챔버 내의 상승된 온도로 유지된다. 전구체 가스는 일반적으로 불활성 캐리어 가스와 혼합되고 난 후 반응 챔버 내로 유도된다. 통상적으로, 이들 가스는 반응 챔버 내로 유입될 때 상대적으로 낮은 온도에 있게 된다. 가스가 고온 기판에 도달함에 따라, 그 온도 및 그에 따른 반응을 위한 가용 에너지(available energy)가 증가한다. 에피택셜 층의 형성은 구성 화학 물질의 기판 표면에서의 최종 열분해에 의해 발생한다. 결정은 물리적 증착 공정이 아니라 상기 기판 표면 위에서의 화학 반응에 의해 형성된다. 결과적으로, VPE는 열역학적으로 준안정적인 합금을 위한 바람직한 성장 기술이다. 현재, VPE는 통상적으로 레이저 다이오드, 태양 전지, 및 LED를 제조하는데 사용된다.
본 발명의 목적은 공정 성능을 향상시키기 위해 물질 공정 시스템에서 있어서 기판 캐리어를 제조하거나 또는 수정하는 방법을 제공하는 데 있다.
전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 공정 성능을 향상시키기 위한 기판 캐리어를 수정하는 방법에 있어서: a. 기판 캐리어에 의해 지지되는 기판상에 적어도 하나의 층을 증착시키는 단계; b. 상기 적어도 하나의 층의 파라미터를 상기 기판 캐리어상의 이것의 상응하는 위치에 관한 함수로서 측정하는 단계; c. 상기 기판 캐리어상의 상기 복수의 위치 중 적어도 몇몇에 상응하는 상기 측정된 파라미터를 기판 캐리어의 물리적 성질과 상기 기판 캐리어상의 복수의 위치에 상응하는 상기 기판 캐리어의 복수의 물리적 성질을 얻기 위해 연관시키는 단계; 및 d. 상기 기판 캐리어상의 위치에 관한 함수로서 상기 적어도 하나의 증착된 층의 바람직한 파라미터를 얻기 위해 상기 기판 캐리어상의 상응하는 상기 복수의 위치 중 하나 또는 둘 이상에서 상기 기판 캐리어의 상기 물리적 특성을 수정하는 단계를 포함하는 공정 성능을 향상시키기 위한 기판 캐리어를 수정하는 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 공정 성능을 향상시키기 위해 물질 공정 시스템에서 있어서 기판 캐리어를 제조하거나 또는 수정하는 방법을 제공할 수 있다.
도 1a은 본 발명의 사상에 따라 제작 또는 수정된 기판 캐리어의 측면도를 도시한다.
도 1b는 본 발명의 사상에 따라 제작 또는 수정된 기판 캐리어의 평면도를 도시한다.
도 2는 광학 층 또는 디바이스에 의해 발생된 방출 광의 파장을 측정하기 위한 광루미네선스 기구의 도식도를 도시한다.
도 3은 도 1과 관련되어 설명된 광루미네선스 기구에 의해 발생되는 측정 결과를 도시한다.
도 4a내지 도 4c는 본발명의 사상에 따라 광학 층 또는 디바이스의 방출 파장의 측정값을 상응하는 기판 캐리어 단차와 관련시키는 방법의 예를 도시한다.
도 5는 기판상의 각 층 또는 디바이스 영역의 성장 표면에서 바람직한 온도를 달성하기 위해 상대적 기판 캐리어 단차가 맵핑된 기판 캐리어의 픽셀 패킹 지도를 도시한다.
본발명의 사상은, 바람직하고 예시적인 실시예에 따라 그 이상의 이점과 함께, 첨부 도면과 관련하여, 이하의 상세한 설명에서 상세하게 설명된다. 본 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자라면 이하에서 설명되는 도면은 예시적 목적으로만 사용된다는 것을 알 수 있을 것이다. 도면은 반드시 축척에 맞게 도시되어야 하는 것은 아니지만 대신에 본 발명의 사상의 원리를 도시하기 위해 강조 부분이 표시된다. 어쨌든, 도면은 발명의 범주가 출원인에 의해 제한되도록 되지 않는다.
명세서에서 "하나의 실시예" 또는 "일 실시예"에 대한 참조는 실시예와 관련하여 설명되는 특정 특징부, 구조 또는 특성이 본 발명의 사상의 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미한다. 본 명세서의 다양한 위치에서 “일 실시예에 있어서”라는 구절의 기재가 모두 동일한 실시예를 참조하여야 하는 것은 아니다.
본 발명의 방법에서의 개별적 단계는 본 발명의 사상이 실시 가능한 한 어떠한 순서로든 및/또는 동시에 수행될 수 있는 것으로 이해되어야 할 것이다. 또한, 본 발명의 장치 및 방법이 본 발명의 사상이 실시 가능한 한 전술한 실시예들의 어떤 숫자 또는 모든 실시예를 포함할 수 있다는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 발명은 첨부되는 도면에서 도시된 바와 같이 실시예를 참조로 더욱 상세하게 설명될 것이다. 본 발명이 다양한 실시예 및 실시형태와 관련되어 설명되는 동안은, 본 발명의 사상이 이러한 실시예로 제한되도록 의도되지 않는다. 반대로, 본 발명은, 본 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자에게 인식될, 다양한 대안, 변형예 및 균등물을 모두 포함한다. 본 명세서의 내용을 접할 본 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자라면, 본 명세서에서 설명되는 본 발명의 범주 내에서, 다른 분야의 사용뿐만 아니라, 추가적인 구현예, 변형예 및 실시예를 인지할 수 있을 것이다.
본 발명은 공정 성능을 향상시키기 위해 물질 공정 시스템에서 있어서 기판 캐리어(substrate carrier)를 제조하거나 또는 수정(또는 변경)하는 방법에 관한 것이다. 비록 본 발명의 어떤 측면이 VPE 시스템을 위한 기판 캐리어의 성능 향상과 관련되어 설명된다 하더라도, 본 기술 분야에 지식을 가진 자라면 본 발명에서의 방법이 기판 캐리어를 포함하는 임의 형태의 공정 시스템에도 적용될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 또한, 비록 본 발명의 어떤 측면이 LED, 레이저 또는 다른 광학 디바이스(optical device)에 사용되는 광학 층(optical layer)의 수율을 향상시키는 것과 관련되어 설명된다 하더라도, 본 기술 분야에 지식을 가진 자라면 본 발명에서의 본 방법이 임의 형태의 광학, 전기, 전자, 전기 광학 또는 음향 장치가 포함된 임의 형태의 층 및 디바이스에 적용될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
기판의 성장 표면에서의 온도는 기판 캐리어의 온도 및 기판 캐리어와 기판 사이의 열 전달에 의존한다. 열 전달은 전도, 대류, 복사 또는 열 전달 매카니즘의 조합을 통해서 일어날 수 있다. 열 전달의 전도 모델은 모든 열 전달은 전도를 통해서 일어나고 대류에 의한 의미 있는 열 전달은 없다고 가정한다. 상기 전도 모델은 기판과 기판 캐리어 사이가 대략 50 내지 100 마이크론(micron)으로 상대적으로 작은 갭이 있는 더 작은 기판에 대해서는 통상적으로 가장 정확하다. 열 전달의 대류 모델은 모든 열 전달이 대류를 통해서 일어난다고 가정한다. 상기 대류 모델은 많은 VPE 공정 시스템에 대해서는 정확하지 않다. 전도 대류 혼성 모델은 열 전달이 대류 및 전도 둘 다를 통해서 일어난다고 가정한다. 이 모델은 상기 기판과 상기 기판 캐리어 사이의 간격이 대략 300 내지 500 마이크론으로 더 클 수 있는, 큰 기판에 대해서 더욱 정확하다. 예를 들어, 8 인치(inch) 기판은 기판과 기판 캐리어 간에 상대적으로 큰 간격을 가질 수 있어서, 전도 및 대류 열 전달 모두가 상당량 일어날 수 있게 된다. 열 전달의 복사 모델은 열 전달이 복사를 통해 일어난다고 가정한다. 이 모델은 실리콘 기판과 같은 불투명한 기판을 이용하는 몇몇 공정에 대해서는 정확하다.
상기 기판의 성장 표면 온도는 물질 공정 시스템에서의 많은 다른 불균일성들에 의해서도 영향을 받는다. 예를 들면, 상기 기판의 성장 표면 온도는 기판 위 공정 가스 흐름의 불균일성, 공정 챔버의 벽 근처에서의 에지 효과(edge effect) 및 공정 시스템에서의 수많은 다른 결함 및 비대칭성들에 의해 영향을 받는다.
게다가, 상기 기판의 성장 표면 온도는 상기 기판 자체의 형상에 의해 영향을 받는다. 특히, 기판은 보통 완벽하게 원형은 아니다. 기판은 일반적으로 오리엔테이션 플랫(orientation flat)을 포함하고 있고, 공정 과정에서 휘어지거나 뒤틀리는 경향이 있다. 상기 기판의 형상은 공정 중에 변할 수 있다. 기판의 휘어짐은 기판의 공칭 지름보다 작은 특정 크기의 지름을 갖는 하나의 원 상에 동일한 간격의 세 개 점에 의해 형성된 기준 평면의 중심면으로부터 자유롭고 고정되지 않은 기판의 중심면의 중앙 포인트까지의 편차이다. 휘어짐과 같이, 뒤틀림은 기준 평면으로부터 자유롭고 고정되지 않은 기판의 중심면까지의 최대 길이와 최소 길이의 차이의 측정값이다. 기판의 휘어짐과 뒤틀림은 상기 기판의 내부 스트레스, 증착 온도, 상기 기판상에서 성장되는 구조 및 상기 공정 챔버의 온도 변화율과 같은 다양한 요소들에 관한 함수이다.
많은 물질 공정은 업계에서 경쟁력을 갖기 위해서 매우 높은 수율을 요구한다. 예를 들면, LED 및 반도체 레이저의 장비가 업계에서 경쟁력을 갖기 위해서 이들 장비들의 높은 수율을 달성하는 것이 매우 바람직하다. 특히, 최근 업계에서 LED 및 반도체 레이저 장비를 제조하기 위해 VPE 공정의 수율을 향상시키기 위한 요구가 있다. 많은 LED 및 반도체 레이저 응용에 있어서, 시간이 지남에 따라 안정적인 수 나노미터(nanometer) 이내의 정밀한 방출 파장을 달성하는 것이 매우 중요하다. 어느정도 좁은 예정된 범위를 벗어나는 방출 파장을 가진 디바이스는 폐기되거나 할인된 가격에 판매되어 목표 공정 수율을 낮춘다.
이러한 디바이스들의 방출 파장은 적어도 몇몇 반도체 층의 성장 온도 및 고체상 성분에 강하게 의존한다. 특히, 바람직한 방출 파장과 광학 특성을 갖는 다중 양자 우물(multiple quantum well) 구조를 성장시키는 것은 기판의 성장 표면에서의 온도, 층 두께 및 성분에 대한 정밀한 제어를 요구한다. 따라서, 높은 공정 수율을 달성하기 위해 상기 성장 온도는 기판의 전체 성장 표면에 대해 균일한 물성 특성을 달성하도록 정밀하게 제어되어야만 한다. 비록 상기 온도가 상기 기판에 대해서 완벽하게 균일할지라도, 증착 챔버 내부에서의 가스 상태의 소진 또는 성분 차이로 인하여 방출 파장에 있어서 상당한 차이가 여전히 존재할 수 있다. 따라서, 가스 상태 또는 다른 비-균일성을 보상하기 위해 온도의 비-균일성을 의도적으로 유발하는 것이 때때로 바람직하다. 많은 사례에서, 국부적인 가스 상태 성분을 쉽게 조종될 수 없기 때문에 온도를 제어 변수로서 사용하는 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명의 일 면은 기판 캐리어에 의해 지지되는 상기 기판상에서의 온도 균일성을 수정하기 위해, VPE 시스템과 같은 물질 공정 시스템에서의 상기 기판 캐리어를 제조하거나 수정하는 방법이다. 본 발명의 다양한 실시예에서, 온도 균일성은 공정 성능을 향상시키기 위해 향상되거나 의도적으로 감소될 수 있다.
기판의 휘어짐과 뒤틀림은 상기 기판 온도에 관한 함수이다. 본 발명의 몇몇 방법에 있어서, 상기 기판 캐리어는 상기 기판이 상기 성장 표면에서 더욱 균일한 온도를 갖도록 하기 위해서 기판의 표면 곡률에 맞도록 제작되거나 수정된다. 다른 방법에 있어서, 상기 기판 캐리어는 상기 기판 캐리어에 의해 지지되는 상기 기판 상에서 예정된(predertermined) 온도 분석표를 제공하도록 제작되거나 수정된다.
상기 기판의 표면상의 비-균일성과 공정 시스템의 다른 비-균일성을 보상하기 위하여 상기 기판 캐리어를 제작하거나 수정하기 위해 필요한 정보를 얻기 위해서 공정 중인 기판의 상기 온도 및/또는 상기 공정 챔버 내부의 국부의 가스 상태 성분을 정확하게 측정하고 제어하는 것은 많은 경우에 있어서 어려운 일이다. 기판이 광학적으로 투명할 때에 온도 측정은 특히 어렵다. 본 발명에 따라 공정 성능을 향상시키기 위해 기판 캐리어를 수정하는 일 방법은 상기 기판 또는 상기 기판 위에서 제작된 디바이스의 후 성장 측정(post growth measurement) 또는 분석을 포함한다. 상기 측정 및 분석으로부터 얻어진 결과 데이터는 그 후 기판 캐리어를 변경하거나 상기 공정 시스템의 불균일성으로 인한 온도 및/또는 가스 상태 비-균일성과 같은, 상기 기판과 관련된 불균일성 공정 파라미터를 보상하는 사양을 갖춘 새로운 기판 캐리어를 제작하는데 사용된다.
본 발명에 따른 일 방법에서, 상기 기판 위에서 제작된 디바이스의 하나 또는 그 이상의 파라미터는 이후 상기 기판 캐리어 상의 해당하는 이들의 위치에 관한 함수로서 측정된다. 상기 파라미터는 광학 파라미터, 전기적 파라미터 또는 전기-광학적 파라미터를 포함하지만 이것에 한정되지 않는 임의 형태의 파라미터일 수 있다. 예를 들어, 상기 파라미터는 전기 또는 광학 디바이스의 성능 측정 지표(performance metrics)일 수 있다. 특정 실시예에서, 측정된 상기 파라미터는 발광 다이오드 또는 반도체 레이저와 같은 광학 디바이스에 의해 발생되는 방출 광의 파장이다.
도 1a은 본 발명에 따라 제작되거나 또는 수정된 기판 캐리어(100)의 측면도를 도시한다. 상기 기판 캐리어(100)는 탭(tabs)(103)으로 공정 도중 기판(102)을 지지하도록 설계된다. 다양한 형태의 탭이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 탭은 상기 기판의 모서리를 따라 몇몇 위치에 배치된 삼각형 형상의 탭일 수 있다. 상기 기판 캐리어(100)는 흑연, 탄화규소(SiC), 금속 및 세라믹 물질과 같은 다양한 형태의 물질들로 형성될 수 있다. 본 발명의 몇몇 실시예에 있어서, 국한된 영역에서 또는 예정된 윤곽에서 쉽게 가공될 수 있는 물질의 기판 캐리어(100)를 형성하는 것이 바람직하다. 다른 실시예에서, 국한된 영역에서 추가적인 물질을 쉽게 수용할 수 있는 물질의 기판 캐리어(100)를 형성하는 것이 바람직하다. 또 다른 실시예에서, 다른 물질 또는 다른 배향(orientation)을 갖거나 수정된 성질을 갖는 동일한 물질의 첨가물을 국한된 영역에서 수용할 수 있는 물질로 기판 캐리어(100)를 형성하는 것이 바람직하다.
상기 기판 캐리어(100)는 공정 중에 기판을 지지하기 위한 다단계의 리세스(recess)(104)를 갖는다. 상기 리세스(104)는 상기 리세스(104)의 바닥으로부터 상기 기판(102)의 바닥면(102')까지의 단차(step height)(106)를 갖는다. 본 발명의 한 측면은 본 단계에서 상기 기판 캐리어(100)의 상기 단차(106) 및/또는 열 전도성의 작은 변화가 더욱 균일한 온도 분석표 또는 예정된 바람직한 온도 분석표을 갖도록 상기 기판(102)의 성장 표면(102")의 온도를 변화시킬 수 있다는 것이다. 도 1b는 본 발명에 따라 제작되거나 또는 수정된 기판 캐리어(100)의 평면도를 도시한다. 상기 평면도는 상기 전체 기판(102)에 대해 확장된 다른 패턴들에서의 다양한 단차(106)를 보여준다.
도 2는 기판(202)위에서 제작된 광학 층 또는 광학 디바이스에 의해 발생된 방출 광의 파장을 측정하는데 사용되는 광루미네선스(photoluminescence) 기구(200)의 도식도이다. 상기 기구(200)는 좁은 선폭의 광학 빔을 발생시키는 레이저(204)를 포함한다. 상기 레이저(204)는 상기 광학 빔이 광학 디바이스를 탐침(probe)할 수 있도록 광학 층의 작은 영역 또는 하나의 광학 디바이스에 상응하는 상기 기판(202)의 상기 표면상의 작은 영역을 향해 광학 빔을 조사한다. 상기 기판(202)은 상기 광학 빔이 광학 디바이스의 바람직한 영역 또는 임의 수 또는 모든 광학 디바이스에 부딪히도록 상기 광학 빔 아래에서 상기 기판(202)을 변형시키는 X-Y 변형계(translation stage)상에 실장된다. 이 기술은 상기 광학 디바이스가 제작되기 전에 상기 기판상에서 성장된 층의 방출 파장을 측정하기 위해서도 사용될 수 있다. 이 경우에, 상기 기판의 예정된 영역의 상기 방출 파장은 상기 웨이퍼 위에서 디바이스가 제작되기 전에 웨이퍼가 성능 사양을 만족하는지를 결정하기 위해 상기 빔 아래서 상기 기판을 스테핑(stepping)함으로써 맵핑된다.
상기 광학 빔은 상기 광학 층 또는 광학 디바이스로 하여금 그것의 특성 파장에서 방출 광을 발생시키도록 한다. 조준 렌즈(206)는 광학 빔을 단색화 장치(210) 내부로 편향시키는 거울(208)을 향해 상기 조준된 빔이 조사되도록 위치된다. 초점 렌즈(212)는 상기 조준된 빔을 단색화장치(210)의 슬릿(slit) 내부로 집중시키는데 사용된다. 단색화장치(210)는 선택된 파장을 출구 슬릿(exit slit)으로 통과시킨다. 배열 검출기(214, detector array)는 출구 슬릿을 통과한 광학 빔을 검출하도록 배치된다. 데이터 수집부(216)는 파장-위치 데이터를 저장하는데 사용될 수 있다. 상기 X-Y 변형계는 상기 기판(202)을 상기 광학 층의 다른 영역 또는 다른 광학 디바이스로 바꾸고, 그 후 상기 측정이 반복된다. 예를 들어, 상기 광학 디바이스들은 2mm 간격으로 떨어져 위치하고, 상기 X-Y 변형계는 상기 기판(202)을 수평 및 수직 방향으로 2mm 단계로 변형시킬 수 있다.
도 3은 도 2와 연관하여 설명한 상기 광루미네선스 기구(200)에 의해 생성된 측정의 샘플 결과를 도시한다. 도 3은 기판(300)을 도시하는데, 이는 본 예에서, 광학 층의 영역 또는 개별 광학 디바이스를 의미하는 픽셀들로 나뉘어진 반도체 웨이퍼이다. 상기 기판(300)의 일부(302)의 확대도는 픽셀들(304)을 보다 명확하게 설명하고 있다. 상기 픽셀들(304) 각각은 상기 기구(200)에서의 상기 레이저 빔에 의해 탐침되는 광학 디바이스의 나노미터 단위의 방출 파장과 연관된다.
다른 특정 실시예에서, 상기 측정된 파라미터는 발광 다이오드 또는 반도체 레이저와 같은 광학 디바이스의 부분인 광학 층에 의해 발생되는 방출 광의 세기(intensity)이다. 본 실시예에서, 상기 레이저에 의해 발생되는 광학 빔이 도 2와 관련하여 설명된 상기 광학 디바이스를 탐침할 수 있도록 하나의 광학 디바이스와 상응할 수 있는 상기 기판의 상기 표면 위의 작은 영역을 향해 상기 레이저는 상기 광학 빔을 조사한다. 상기 광학 빔은 상기 광학 디바이스로 하여금 방출 광을 생성하도록 한다. 초점 렌즈는 상기 방출 광의 초점을 맞추는데 사용될 수 있다. 탐지기 또는 배열 탐지기는 상기 방출 광의 세기를 검출하는데 사용된다. 데이터 수집 장치는 광학 세기-위치 데이터를 저장하는데 사용될 수 있다.
따라서, 상기 측정의 결과는 상기 광학 층 또는 광학 디바이스에 상응하는 상기 기판(300)상의 위치에 관한 함수로서 나타내어지는 상기 광학 층 또는 광학 디바이스의 파라미터를 구비한 상기 기판(300)의 지도(map)이다. 도 3에서 나타내는 예에서는, 상기 픽셀들(304) 각각은 나노미터 단위의 방출 파장에 해당하는 숫자를 포함한다. 상기 기판(300)상의 상기 위치는, 그 후 상기 측정된 광학 층 또는 광학 디바이스 파라미터의 지도를 얻기 위해 상기 기판 캐리어상의 그것들의 상응하는 위치와 연관되고, 본 예시에서 상기 기판 캐리어 위의 그것들의 상응하는 위치의 함수로서 나타내어지는 나노미터 단위의 방출 파장이다.
상기 기판상의 몇몇 위치에서 증착된 층의 상기 측정된 파라미터들은 이후 상기 기판 캐리어의 물리적 특성과 연관된다. 예를 들면, 상기 측정된 파라미터는 광학적 또는 전기적 성능 측정 지표(performance metric)일 수 있고, 기판 캐리어의 상기 물리적 특성은 측정되는 상기 층 또는 디바이스 아래의 상기 기판 캐리어의 국부 깊이(local depth)일 수 있다. 또한, 상기 측정된 파라미터는 광학적 또는 전기적 성능 측정 지표일 수 있고, 기판 캐리어의 상기 물리적 특성은 측정되는 상기 층 또는 디바이스 아래의 기판 캐리어의 국부적 열 전도성(thermal conductivity) 또는 방사율(emissivity)일 수 있다. 상기 결과는 상기 기판 캐리어상의 복수 위치에 상응하는 상기 기판 캐리어의 복수의 물리적 특성이다.
몇몇 실시예에 있어서, 상기 기판상에서 성장된 층 또는 제작된 디바이스의 상기 측정된 파라미터를 상기 기판 캐리어의 상기 물리적 특성에 연관시키는 단계는 연관을 수행하기 위한 수학적 모델을 사용하는 단계를 포함한다. 예를 들면, 수학적 모델은 방출 파장 또는 방출 세기를 상기 층 또는 디바이스 아래의 웨이퍼 캐리어의 상기 국부 깊이 또는 국부적 열 전도성에 연관시키는데 사용될 수 있다. 더욱 상세하게는, 상기 웨이퍼의 상기 표면 온도는 상기 측정된 방출 파장 또는 상기 기판상의 반도체 층의 막 구성을 사용함으로써 열역학적 또는 동적 반응식으로부터 계산될 수 있다. 열 전송 방정식은 이후 상기 웨이퍼 표면 온도를 웨이퍼 캐리어의 상기 깊이 또는 상기 국부적 열 전도성과 연관시키는데 사용될 수 있다.
또한, 몇몇 실시예에 있어서, 상기 기판상에서 성장된 층 또는 제작된 디바이스의 상기 측정된 파라미터를 상기 기판 캐리어의 상기 물리적 특성에 연관시키는 단계는 실증적인 데이터를 연관시키는 단계를 포함한다. 본 발명의 한 가지 장점은 기판의 상기 성장 표면에서의 균일한 온도 또는 예정된 온도 분석표를 야기하는 상기 기판 캐리어의 형상을 결정하는데 사용될 수 있는 실증적 데이터를 얻기 위해서 간단한 실험이 수행될 수 있다는 것이다. 예를 들면, 방출 파장의 광루미네선스 측정으로부터의 실험 데이터는 측정되는 상기 증착 층 아래의 상기 웨이퍼 캐리어의 상기 국부 깊이 또는 국부적 열 전도성과 연관될 수 있다.
도 4a 내지 도 4c는 본발명에 따라 광학 층 또는 광학 디바이스의 방출 파장의 측정값을 상응하는 기판 캐리어의 단차(step height)에 연관시키는 방법의 일 례를 도시한다. 상기 방법은 상기 기판을 광학 디바이스의 위치에 관한 함수로서 방출 광 파장 데이터에 맵핑하는 제1 단계를 포함한다. 상기 방출 광 파장 데이터는 도 2에 연관되어 설명한 상기 광루미네선스 기구를 이용하여 얻어질 수 있다. 상기 결과는 측정되는 증착 층의 위치에 상응하는 파장 데이터와 함께 기판의 지도(402)로서 도 4a에서 도시된다. 이 특정 예시에서, 바람직한 파장값, 또는 목적하는 파장값, 또는 평균 파장값은 461 nm와 동일하다.
이후 상기 바람직한 방출 파장에 대한 방출 파장의 편차는 결정된다. 상기 결과는 상기 기판상의 위치에 관한 함수로 표현되는 방출 파장의 편차 데이터와 함께 상기 기판의 지도(404)로서 도 4b에서 도시된다. 만약 상기 방출 파장의 편차가 예정된 값보다 크다면, 상기 기판 캐리어의 상기 단차 또는 다른 물리적 특성은 상기 방출 파장의 편차가 감소되도록 수정된다. 예를 들면, 몇몇 공정에서 상기 방출 파장의 편차가 2nm 이하가 되도록 하는 것이 바람직하다.
상기 바람직한 방출 파장으로부터 상기 방출 파장의 차이는 이제 기판 캐리어 단차의 변화와 연관된다. 도시되는 상기 예시에서, 단위 길이당 상기 방출 파장의 차이는 기판 캐리어에 있어서 0.16nm/㎛으로 약 16mm 두께이다. 다시 말해, 파장에서 바람직한 값이 0.16nm 씩 변할 때마다, 상기 기판 캐리어 단차는 1 마이크론 단위로 변화되어야 한다. 이것은, 상기 방출 파장을 상기 바람직한 방출 파장으로 변하게 하는 상기 바람직한 파장 변화의 방향에 의존하여, 상기 웨이퍼 상의 고정된 위치에 상대적으로, 상기 기판 캐리어 단차가 그 후 증가하거나 또는 감소하는 것이다. 상기 결과는 도 4c에서와 같이 상기 파장 편차로부터 캐리어 단차로의 변환을 마이크론 단위로 나타내는 지도(406)로 도시되고, 이는 단위 거리 변환 당 상기 방출 파장 차이로부터 결정되는 것이다.
다른 실시예에 있어서, 상기 방출 파장 값은 상기 기판상의 특정 영역을 지지하는 웨이퍼 캐리어의 일부분의 절대적 두께 값과 직접적으로 연관된다. 이 실시예에서, 상기 기판은 또한 상기 광학 층 또는 상기 광학 디바이스의 위치의 함수로서 방출 광의 파장 데이터로 매핑되고, 상기 결과가 특정 층 또는 디바이스 위치에 상응하는 파장 데이터를 갖는 상기 기판의 지도(402)이다. 상기 방출 파장은 그 후 상기 기판을 지지하는 상기 기판 캐리어의 상기 절대 두께와 직접적으로 연관된다. 상기 기판 캐리어의 상기 절대 두께는 그 후 바람직한 파장 변화의 방향에 따라 증가하거나 또는 감소한다.
상기 기판 캐리어(100)의 상기 물리적 특징은 그 후 상기 기판 캐리어(100)의 위치에 관한 함수로서 바람직한 파라미터, 또는 목적하는 파라미터, 를 얻기 위해서 상기 기판 캐리어상의 상응하는 복수의 위치 중 하나 또는 그 이상의 위치에서 수정된다. 만약 상기 물리적 특징이 상기 기판 캐리어의 단차라면, 그 후 물질이 상기 기판 캐리어(100)에 첨가되거나 제거된다. 물질은 이베포레이션(evaporation), 스퍼터링법(sputtering), 도금 또는 CVD와 같은 다양한 방법에 의해 상기 기판 캐리어에 첨가될 수 있다. 상기 기판 캐리어의 부분은 물질이 단지 상기 기판 캐리어의 특정 영역에만 증착되도록 마스크(mask)될 수 있다.
물질은 다양한 방법 중 임의의 것에 의해서 상기 기판 캐리어(100)로부터 제거될 수 있다. 예를 들면, 상기 기판 캐리어(100)의 상기 리세스(104)에서의 국한된 영역을 가공하는 수많은 방법이 있다. 상기 기판 캐리어는 특화된 절단 도구로 패킹(pecking)함에 의해 연속된 윤곽으로 기계적 가공될 수 있고 또는 국한된 영역에서 기계적 가공될 수 있다. 예를 들면, 작은 직경의 다이아몬드 절단 도구가 사용될 수 있다. 공기 터빈 축을 사용하는 절단 도구와 같이 고속으로 동작하는 절단 도구는 작은 픽셀 가공에서 필요한 상대적으로 높은 정확도를 제공할 수 있다.
도 5는 상기 기판상의 각각의 상기 층 또는 디바이스 영역의 상기 성장 표면에서 바람직한 온도를 달성하기 위해 상대적인 기판 캐리어 단차로 맵핑된 기판 캐리어의 픽셀 패킹 지도(500)를 도시한다. 도 5는 픽셀 위에 위치하는 기판상에 제작된 특정 층 영역 또는 디바이스에 상응하는 각각의 상기 픽셀들의 숫자를 나타내는 지도의 일 영역에 대한 확대도를 나타낸다. 상기 기판 캐리어 단차는 그 후 파라미터 변화의 방향에 따라 증가하거나 감소한다. 예를 들면, 일 실시예에서는, 상기 기판 캐리어 단차는 그 후 상기 바람직한 방출 파장을 달성하기 위해 필요한 상기 바람직한 파장 변화에 따라 증가하거나 감소한다. 본 예시에서는, 각 기판 캐리어 단차는 물질이 각 픽셀 영역에서 제거될 필요가 있는 부정적인(negative) 의미이다. 다양한 실시예에서, 상기 기판 캐리어는 물질이 각각 상기 픽셀들의 상기 성장 표면에서의 바람직한 온도, 또는 목적하는 온도, 를 달성하기 위해 제거되어야 할 필요가 있도록만 설계될 수 있다. 제거되어야 할 물질의 양은 층 영역 또는 디바이스의 개수에 비례한다.
본 발명에 따른 다양한 방법에 있어서, 컴퓨터 제어되는 패킹 엔드 밀(pecking end mill)은 상기 픽셀의 일부 또는 전부에서 기판 캐리어 물질을 제거하는데 사용될 수 있다. 도 5는 또한 특정 픽셀에서 물질을 제거하는데 사용될 수 있는 엔드 밀 그라인딩(end mill griding) 패턴(504)를 도시한다. CNC 패킹 가공 장치는 단차 변화를 요구하는 각각의 상기 픽셀들을 위해 도 5에서 도시되는 그라인딩 패턴(504)에서의 엔드 밀을 움직이는데 사용될 수 있다. 상기 엔드 밀이 하나의 픽셀에서 상기 그라인딩 패턴을 종료하면, 상기 엔드 밀은 들어올진 후 다른 픽셀로 이동한다. 상기 밀링은 모든 픽셀의 단차가 상기 기판 캐리어상에 위치한 기판의 상기 성장 표면에서의 바람직한 온도를 야기하는 상기 단차로 변화될 때까지 연속적으로 수행된다.
다른 방법에 있어서, CNC 또는 다른 형태의 컴퓨터 제어 밀링 공구는 상기 기판 캐리어상에 위치한 기판의 상기 성장 표면에서의 바람직한 온도를 제공하는 연속적인 윤곽을 형성하기 위해 상기 기판 캐리어의 상기 표면을 수정하는데 사용된다. 다양한 다른 방법이 상기 기판 캐리어의 상기 표면의 윤곽을 잡는데 사용될 수 있다. 이러한 방법 중 몇몇은 예정된 픽셀에서의 레이저 절삭, 정전기적 방전 또는 워터 젯 가공을 수행하기 위한 컴퓨터 제어 장치를 사용한다.
다른 방법은 화학적 또는 건식 에칭과 같은 비-선택적 물질 제거 수단을 특정 예정된 영역에서의 제거 수단에 대해 내성 있는 적어도 하나의 물질을 증착시키는 하나 또는 그 이상의 마스킹 단계와 결합시키는 것이다. 몇몇 방법에서, 상기 기판 캐리어는 상기 기판의 상기 성장 표면에서의 바람직한 온도를 제공하는 예정된 형상을 갖는 연속적인 윤곽을 생성하기 위해 상기 기판 캐리어의 비-균등 에칭을 유발시키는 물질에 의해 마스킹 또는 부분적인 마스킹될 수 있다. 다른 방법에서, 제거 방법에 대해 내성 있고, 침식될 수 있고 변형가능한 두께의 마스킹 물질이 기판 캐리어상의 적어도 한 부분에 증착된다. 이 방법에서, 상대적으로 얇은 침식될 수 있는 마스킹 물질로 되어있는 영역은 더 두꺼운 침식될 수 있는 물질로 된 영역보다 많은 에칭이 이뤄지게 되고, 따라서, 이들 영역으로부터 더 많은 캐리어 기판 물질이 제거되게 된다.
몇몇 방법에 있어서, 상기 물리적 특성은 상기 기판 캐리어의 상기 열 전도성이고, 상기 열 전도성은 상기 기판 캐리어의 국부 영역에서 변화한다. 예를 들면, 특정 국한된 영역에서, 물질은 그 영역에서 상기 기판 캐리어 물질의 적어도 일부를 대체하여 상기 국한된 영역 내부로 삽입될 수 있다. 몇몇 방법에서 상기 기판 캐리어의 일부분은 국한된 영역에서 제거되고 다른 열 전도성을 갖는 물질로 대체된다. 다른 열 전도성을 갖는 상기 물질은 다른 물질일 수 있고 아니면 이는 동일한 물질이지만 다른 열 전도성을 보이는 다른 배향을 갖도록 위치된 것일 수도 있다. 다른 방법에서, 상기 열 전도성은 국부 영역에서 물질 공정을 수행함으로써 국한된 영역에서 변화될 수 있다. 예를 들면, 상기 국한된 영역은 상기 열 전도성을 변화시킬 수 있는 이온 빔을 사용하여 방사능 처리를 할 수 있다.
균등물
본 출원인이 개시하는 것이 다양한 실시예를 참조하여 설명되었지만, 본 출원인의 개시가 이러한 실시예에 제한되도록 의도되지는 않는다. 반대로, 본 출원인의 개시는 다양한 대안, 변형예 및 균등물을 포함하며, 본 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자에 의해서도 이해되겠지만, 이들은 본 개시사항의 사상 및 범주를 이탈하지 않고도 실시될 수 있을 것이다.
100 : 기판 캐리어
102 : 기판
200 : 광루미네선스 기구
202 : 기판
204 : 레이저
210 : 단색화 장치
300 : 기판
304 : 픽셀

Claims (40)

  1. 공정 성능을 향상시키기 위한 기판 캐리어를 수정하는 방법에 있어서:
    a. 기판 캐리어에 의해 지지되는 기판상에 적어도 하나의 층을 증착시키는 단계;
    b. 상기 기판 상에 증착된 상기 적어도 하나의 층의 광학적 파라미터, 전기적 파라미터 및 전기-광학적 파라미터로 이루어진 군에서 선택된 파라미터를 상기 기판 캐리어상의 상응하는 위치에 관한 함수로서 측정하는 단계;
    c. 상기 기판의 복수의 위치에 상응하는 상기 기판 캐리어의 복수의 물리적 특성을 얻기 위해 상기 기판의 상기 복수의 위치 중 적어도 몇몇에 상응하는 상기 측정된 파라미터를 상기 기판 캐리어의 국부 깊이, 국부 열 전도성 및 국부 방사율로 이루어진 군에서 선택된 물리적 특성과 연관시키는 단계; 및
    d. 상기 기판 캐리어상의 위치에 관한 함수로서 상기 기판 상의 상기 적어도 하나의 증착된 층의 목적 파라미터를 얻기 위해 상기 기판 상의 복수의 위치에 상응하는 복수의 위치에서의 상기 기판 캐리어의 상기 물리적 특성을 수정하는 단계를 포함하는, 공정 성능을 향상시키기 위한 기판 캐리어를 수정하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기판 캐리어는 흑연, 탄화규소(SiC), 금속 및 세라믹 물질 중 적어도 하나로 형성되는, 공정 성능을 향상시키기 위한 기판 캐리어를 수정하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 반도체, 금속 및 절연 물질 중 적어도 하나로 형성되는, 공정 성능을 향상시키기 위한 기판 캐리어를 수정하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 기판상에 증착된 적어도 하나의 층의 상기 측정된 파라미터를 상기 기판 캐리어의 상기 물리적 특성과 연관시키는 단계는 수학적 모델을 사용하는 단계를 포함하는, 공정 성능을 향상시키기 위한 기판 캐리어를 수정하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 기판상에 증착된 적어도 하나의 층의 상기 측정된 파라미터를 상기 기판 캐리어의 상기 물리적 특성과 연관시키는 단계는 실증적 데이터를 연관시키는 단계를 포함하는, 공정 성능을 향상시키기 위한 기판 캐리어를 수정하는 방법.
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  14. 제 1 항에 있어서, 상기 기판 캐리어상의 상응하는 상기 복수의 위치 중 적어도 몇몇과 관련된 상기 측정된 파라미터를 연관시키는 단계는 특정 위치에서의 상기 적어도 하나의 층의 방출 파장을 상기 기판 캐리어의 상응하는 국부 깊이에 연관시키는 단계를 포함하는, 공정 성능을 향상시키기 위한 기판 캐리어를 수정하는 방법.
  15. 제 1 항에 있어서, 위치에 관한 함수로서 상기 기판 캐리어의 상기 물리적 특성을 수정하는 단계는 상기 기판 캐리어상의 상응하는 상기 복수의 위치 중 적어도 하나에서의 상기 기판 캐리어로부터 물질을 제거하는 단계를 포함하는, 공정 성능을 향상시키기 위한 기판 캐리어를 수정하는 방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 물질은 기계 가공, 레이저 절삭, 화학적 에칭 및 정전기적 방전 중 적어도 하나에 의해 상기 기판 캐리어상의 상기 상응하는 위치 중 적어도 하나에서의 상기 기판 캐리어로부터 제거되는, 공정 성능을 향상시키기 위한 기판 캐리어를 수정하는 방법.
  17. 제 1 항에 있어서, 상기 기판 캐리어의 상기 물리적 특성을 수정하는 단계는 상기 기판 캐리어에 물질을 첨가하는 단계를 포함하는, 공정 성능을 향상시키기 위한 기판 캐리어를 수정하는 방법.
  18. 제 1 항에 있어서, 상기 기판 캐리어의 상기 물리적 특성을 수정하는 단계는 상기 기판 캐리어의 국부 영역에서의 열 전도성을 변화시키는 단계를 포함하는, 공정 성능을 향상시키기 위한 기판 캐리어를 수정하는 방법.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 열 전도성은 상기 국부 영역에서 물질을 상기 국부 영역 내부로 주입함에 의해 변화되는, 공정 성능을 향상시키기 위한 기판 캐리어를 수정하는 방법.
  20. 제 18 항에 있어서, 상기 열 전도성은 상기 국부 영역에서 물질 공정을 수행함에 의해 상기 국부 영역에서 변화되는, 공정 성능을 향상시키기 위한 기판 캐리어를 수정하는 방법.
  21. 제 1 항에 있어서, 상기 기판 캐리어의 상기 물리적 특성을 수정하는 단계는 상기 기판 캐리어의 국부 영역에서의 방사율을 변화시키는 단계를 포함하는, 공정 성능을 향상시키기 위한 기판 캐리어를 수정하는 방법.
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  23. 기판 캐리어의 성능 측정 지표를 향상시키기 위한 방법에 있어서:
    a. 물질 공정에서 기판을 지지하기 위한 기판 캐리어를 제작하는 단계로서, 상기 기판 캐리어는 위치에 관한 함수로서 물리적 특성을 갖는 단계;
    b. 기판 캐리어에 의해 지지되는 기판상에 적어도 하나의 층을 증착시키는 단계;
    c. 상기 기판상에 증착된 상기 적어도 하나의 층의 성능 측정 지표를 상기 기판 캐리어상의 상응하는 위치에 관한 함수로서 측정하는 단계;
    d. 상기 기판 상의 복수의 위치에 상응하는 상기 기판 캐리어의 복수의 물리적 특성을 얻기 위해 상기 기판 상의 적어도 몇몇의 위치에 상응하는 상기 측정된 성능 측정 지표를 상기 기판 캐리어의 예정된 깊이 윤곽 및 예정된 열적 윤곽으로 이루어진 군에서 선택된 물리적 특성과 관련시키는 단계; 및
    e. 상기 기판 캐리어상의 위치에 관한 함수로서 상기 기판 상에 증착된 적어도 하나의 층의 목적 성능 측정 지표를 얻기 위해 상기 기판 상의 복수의 위치에 상응하는 복수의 위치에서의 상기 기판 캐리어의 상기 물리적 특성을 수정하는 단계를 포함하는, 기판 캐리어의 성능 측정 지표를 향상시키기 위한 방법.
  24. 삭제
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  26. 공정 성능을 향상시키기 위해 기판 캐리어를 수정하는 방법에 있어서:
    a. 기판 캐리어에 의해 지지되는 기판상에 적어도 하나의 층을 증착시키는 단계;
    b. 상기 기판상에 증착된 상기 적어도 하나의 층의 광 세기, 방출광 파장, 전기적 파라미터 및 전기-광학적 파라미터로 이루어진 군에서 선택된 온도 의존적 공정 파라미터를 상기 기판 캐리어상의 이것의 상응하는 위치에 관한 함수로서 측정하는 단계;
    c. 상기 기판 상의 복수의 위치에 상응하는 상기 기판 캐리어의 복수의 깊이를 얻기 위해 상기 기판상에서 제작된 상기 적어도 하나의 층의 상기 측정된 파라미터를 상기 기판 캐리어의 깊이와 연관시키는 단계; 및
    d. 상기 기판 상의 상기 상응하는 위치에 관한 함수로서 상기 기판 상의 상기 증착된 적어도 하나의 층의 목적 파라미터를 얻기 위해 상기 기판 상의 복수의 위치에 상응하는 복수의 위치에서의 상기 기판 캐리어의 상기 깊이를 수정하는 단계를 포함하는, 공정 성능을 향상시키기 위해 기판 캐리어를 수정하는 방법.
  27. 제 26 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 층을 증착시키는 단계는 기상 에피택시에 의해 다중 양자 우물 구조를 제작하는 단계를 포함하는, 공정 성능을 향상시키기 위해 기판 캐리어를 수정하는 방법.
  28. 삭제
  29. 삭제
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  31. 삭제
  32. 제 26 항에 있어서, 상기 기판상에 증착된 상기 적어도 하나의 층의 상기 측정된 파라미터를 상기 기판 캐리어의 상기 깊이에 연관시키는 단계는 수학적 모델을 사용하는 단계를 포함하는, 공정 성능을 향상시키기 위해 기판 캐리어를 수정하는 방법.
  33. 제 26 항에 있어서, 상기 기판상에 증착된 상기 적어도 하나의 층의 상기 측정된 파라미터를 상기 기판 캐리어의 상기 깊이에 연관시키는 단계는 실증적 데이터를 연관시키는 단계를 포함하는, 공정 성능을 향상시키기 위해 기판 캐리어를 수정하는 방법.
  34. 제 26 항에 있어서, 상기 증착된 적어도 하나의 층의 목적 파라미터를 얻기 위해 위치의 함수로서 상기 기판 캐리어의 상기 깊이를 수정하는 단계는 국한된 영역에서의 상기 기판으로부터 물질을 제거하는 단계를 포함하는, 공정 성능을 향상시키기 위해 기판 캐리어를 수정하는 방법.
  35. 제 34 항에 있어서, 상기 물질은 별개의 국한된 영역에서 제거되는, 공정 성능을 향상시키기 위해 기판 캐리어를 수정하는 방법.
  36. 제 34 항에 있어서, 상기 물질은 연속된 윤곽을 형성하기 위해 제거되는, 공정 성능을 향상시키기 위해 기판 캐리어를 수정하는 방법.
  37. 제 26 항에 있어서, 상기 증착된 적어도 하나의 층의 목적 파라미터를 얻기 위해 위치의 함수로서 상기 기판 캐리어의 상기 깊이를 수정하는 단계는 국한된 영역에서의 상기 기판 캐리어에 물질을 첨가하는 단계를 포함하는, 공정 성능을 향상시키기 위해 기판 캐리어를 수정하는 방법.
  38. 제 1 항의 방법에 의해 제작된 기판 캐리어.
  39. 제 23 항의 방법에 의해 제작된 기판 캐리어.
  40. 제 26 항의 방법에 의해 제작된 기판 캐리어.
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