TWI523137B - 改良基板載體效能之方法 - Google Patents

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TWI523137B
TWI523137B TW103101199A TW103101199A TWI523137B TW I523137 B TWI523137 B TW I523137B TW 103101199 A TW103101199 A TW 103101199A TW 103101199 A TW103101199 A TW 103101199A TW I523137 B TWI523137 B TW I523137B
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Description

改良基板載體效能之方法
本文中使用的章節標題僅係用於組織目的且絕不應理解為限制本申請案中所描述的標的。
許多材料處理系統包含用於處理期間支撐及有時輸送基板之基板載體。基板通常係結晶材料之圓盤，一般將其稱為晶圓。一此種類型之材料處理系統係氣相磊晶(VPE)系統。氣相磊晶係化學氣相沈積(CVD)之一種類型，其包含將含有化學物質之一或多種氣體引導至一基板之一表面上，使得反應性物質反應並於該基板之該表面上形成一膜。例如，可將VPE用以於基板上生長化合物半導體材料。
通常藉由將至少一種前驅氣體(且在許多製程中，至少一第一種前驅氣體及一第二種前驅氣體)注射至一含有結晶基板之處理室中來生長材料。可藉由使用一種氫化物前驅氣體及一種有機金屬前驅氣體於一基板上生長各種半導體材料層來形成化合物半導體(諸如III-V半導體)。金屬有機氣相磊晶法(MOVPE)係一種氣相沈積方法，其一般係用以使用一含有所需化學元素之金屬有機物及氫化物之表面反應來生長化合物半導體。例如，可在一反應器中藉由引進三甲基銦及膦而於一基板上生長磷化銦。
此項技術中使用之MOVPE的替代性名稱包含有機金屬氣相磊晶 法(OMVPE)、金屬有機化學氣相沈積(MOCVD)及有機金屬化學氣相沈積(OMCVD)。在此等製程中，在一基板(諸如藍寶石基板、矽基板、GaAs基板、InP基板、InAs基板或GaP基板)之生長表面處，使氣體彼此反應以形成具有通式InXGaYAlZNAAsBPCSbD之III-V化合物，其中X+Y+Z近似等於一，且A+B+C+D近似等於一，且X、Y、Z、A、B、C及D之各者可介於零與一之間。在各種製程中，基板可為金屬、半導體或絕緣基板。在某些情況下，可使用鉍代替某些或所有其他III族金屬。
亦可藉由使用氫化物或鹵化物前驅氣體製程於一基板上生長各種半導體材料層來形成化合物半導體(諸如III-V半大體)。在一個鹵化物氣相磊晶(HVPE)製程中，藉由使熱氣態金屬氯化物(例如，GaCl或AlCl)與氨氣(NH3)反應來形成III族氮化物(例如GaN、AlN)。藉由使熱HCl氣體通過熱III族金屬來產生金屬氯化物。HVPE之一特徵在於針對某些最先進的製程，其可具有至多每小時100μm之非常高的生長速率。HVPE的另一特徵在於其可用以沈積相對高品質的膜，因為膜係在無碳環境中生長又因為熱HCl氣體提供自淨效應。
在此等製程中，將基板保持在一反應室內一高溫下。通常將前驅氣體與惰性載氣進行混合且接著將其等引導至該反應室中。典型地，當將該等氣體引進至該反應室中時，該等氣體係處於相對較低溫度下。當該等氣體到達熱基板時，該等氣體之溫度及因此其等可用的反應能量增加。藉由最終熱解基板表面處之組成化學品使磊晶層形成。晶體係在基板之表面上藉由化學反應而非藉由物理沈積製程所形成。因此，VPE係一種熱力亞穩態合金之可期望生長技術。當前，一般將VPE用於製造雷射二極體、太陽能電池及發光二極體(LED)。
結合隨附圖式，在以下詳細描述中更特定描述根據較佳及例示 性實施例之本發明教示以及其其他優點。熟習此項技術者將瞭解以下描述的圖式僅為圖解闡釋目的。該等圖式不必按比例繪製，取代通常將重點放置於圖解闡釋教示之原理。該等圖式絕不意欲限制申請者教示之範疇。
本說明書中引用之「一項實施例」或「一實施例」意謂一在教示之至少一項實施例中包含結合實施例描述之特定特徵、結構或特性。在本說明書中各處出現的片語「在一項實施例中」不必皆指相同實施例。
應瞭解，可以任何順序及/或同時執行本發明教示之方法之個別步驟，只要本教示保持可實行。此外，應瞭解，本發明教示之裝置及方法可包含任意數目或所有經描述之實施例，只要本教示保持可實行。
現將參考如隨附圖式中所示之本發明教示的例示性實施例更詳細地描述本發明教示。雖然本發明教示係結合各種實施例及實例進行描述，但不期望將本發明教示限制於此等實施例。恰相反，如熟習此項技術者所將了解，本發明教示包含各種替代例、修改及等效物。已閱覽本文中之教示之一般技術者將認知在如本文中所描述之本發明揭示內容範疇內之額外實施方案、修改及實施例以及其他使用領域。
本發明教示係關於在材料處理系統中製造或修改基板載體以改良製程效能之方法。儘管本發明教示之某些態樣係結合改良VPE系統之基板載體的效能進行描述，但熟習此項技術者將了解本發明方法可應用於包含一基板載體之任何類型之處理系統。同樣，儘管本發明之某些態樣係結合改良用於LED、雷射或其他光學器件之光學層之產率進行描述，但熟習此項技術者將了解本發明方法可應用於包含任何類型之光學器件、電器件、電子器件、電光器件或聲波器件之任何類型的層及器件。
基板之生長表面處的溫度係取決於基板載體之溫度及基板載體與基板之間的熱傳遞。熱傳遞可透過傳導、對流、輻射或透過一熱傳遞機制之組合而發生。一熱傳遞之傳導模型假定所有熱傳遞係透過傳導發生且假定無藉由對流之顯著熱傳遞存在。對於基板與基板載體之間通常僅存在相對較小的間隙(約50微米至100微米)之較小基板而言，該傳導模型係最精確的。一熱傳遞之對流模型假定所有熱傳遞係透過對流發生。對於許多VPE處理系統而言，該對流模型並不精確。混合傳導-對流模型假定熱傳遞係透過傳導及對流兩者發生。對於基板與基板載體之間可有較大間隙(其可為約300微米至500微米)存在之較大基板而言，此模型係更精確的。例如，八英吋基板可在基板與基板載體之間具有相對大間隙，此導致大量之傳導熱傳遞及對流熱傳遞兩者。熱傳遞之輻射模型假定熱傳遞係透過輻射發生。對於使用不透明基板(諸如矽基板)之某些製程而言，此模型係精確的。
基板之生長表面的溫度亦受材料處理系統中之許多其他不均勻性影響。例如，基板之生長表面的溫度係受以下各者影響：基板上之處理氣流的不均勻性、處理室壁附近的邊緣效應及處理系統中之許多其他缺陷及不對稱性。
此外，基板之生長表面的溫度係受基板本身之形狀的影響。特定言之，基板通常不完全係圓形。基板通常包含一定向平面且其等在處理期間亦易於彎曲及翹曲。基板之形狀可在處理期間改變。基板彎曲係一自由、未經夾持之基板之中面(median surface)的中心點與藉由一個圓(其具有一小於基板之標稱直徑之一指定量之直徑)上等距的三個點所建立之中面參考平面的偏差。如彎曲般，翹曲係一自由、未經夾持基板之中面離一參考平面之最大距離與最小距離間之差異的一量測值。基板之彎曲及翹曲係許多因數之函數，諸如基板之內部應力、沈積溫度、基板上所生長的結構以及處裡室中之溫度梯度。
許多材料製程需要非常高的產率以在產業中具有競爭力。例如，為使LED及半導體雷射器件在產業中具有競爭力，高度期望達成一LED及半導體雷射器件之高製程產率。特定言之，當前產業中需改良用以製造LED及半導體雷射器件之VPE製程之產率。對於許多LED及半導體雷射應用而言，關鍵係達成數奈米內隨時間穩定之精確發射波長。丟棄或以折扣價販售發射波長在特定狹窄預定範圍外之器件，降低了目標製程產率。
此等器件之發射波長強烈取決於生長溫度及至少某些半導體層之固相組合物。特定言之，生長具有期望發射波長及光學性質之多量子井結構需精確控制基板之生長表面處之溫度、層厚度及組成。因此，為了達成高製程產率，必須精確控制生長溫度以使基板之整個生長表面上獲得均勻材料性質。即使基板上之溫度係完全均勻，然由沈積室內之氣相耗盡或組成差異，發射波長仍可存在顯著變化。因此，有時期望有意地引發溫度不均勻性以補償氣相及其他不均勻性。在許多情況下，因為無法容易地操縱局部氣相組合物，所以可期望使用溫度作為控制變數。
因此，本發明教示之一態樣係一種在材料處理系統(諸如VPE系統)中製造或修改基板載體以修改藉由基板載體所支撐之基板上之溫度均勻性之方法。在本發明教示之各種實施例中，為改良製程效能，可改良或有意地降低溫度均勻性。
基板彎曲及翹曲係基板溫度之函數。在本發明教示之某些方法中，基板載體係經製造或修改以匹配基板表面之曲率，使得基板在生長表面處具有更均勻之溫度。在其他方法中，基板載體係經製造或修改以提供一藉由基板載體所支撐之基板上之預定溫度輪廓。
在許多情況下，為獲得製造或修改基板載體所需的資訊以補償基板表面上之不均勻性及補償處理系統中之其他不均勻性，精確地量 測及控制經處理之基板溫度及/或處裡室中之局部氣相組合物係困難的。當基板係光學透明時，溫度量測尤其困難。一種根據本發明教示之修改基板載體以改良處理效能之方法包含後生長量測及分析製造於基板上之基板或器件。接著，將自該量測及分析獲得之所得資料用以修改基板載體或用以製造一新的基板載體，該新的基板載體具有補償由於處理系統中之不均勻性所引起之與基板相關聯之不均勻製程參數(諸如溫度及/或氣相不均勻性)之規格。
在一根據本發明教示之方法中，接著量測作為製造於基板上之器件在基板載體上之對應位置之函數之該等器件之一或多個參數。該等參數可為任何類型之參數，包含(但不限於)光學參數、電參數或電光參數。例如，該等參數可為電器件或光學器件之效能度量。在一項特定實施例中，所量測的參數係藉由光學器件(諸如發光二極體或半導體雷射)所產生之光學發射波長。
100‧‧‧基板載體
102‧‧‧基板
102'‧‧‧基板之底面
102"‧‧‧基板之生長表面
103‧‧‧突片
104‧‧‧凹口
106‧‧‧步階高度
200‧‧‧光致發光儀器
202‧‧‧基板
204‧‧‧雷射
206‧‧‧準直透鏡
208‧‧‧鏡子
210‧‧‧單色器
212‧‧‧聚焦透鏡
214‧‧‧偵測器陣列
216‧‧‧資料擷取單元
300‧‧‧基板
302‧‧‧基板之一部分
304‧‧‧像素
402‧‧‧基板映射
404‧‧‧映射
406‧‧‧映射
500‧‧‧像素啄鉆映射
502‧‧‧映射區域
504‧‧‧研磨型樣
圖1A圖解闡釋一根據本發明教示進行製造或修改之基板載體之一側視圖。
圖1B圖解闡釋一根據本發明教示進行製造或修改之基板載體之一俯視圖。
圖2係一用以量測藉由一光學層或器件所產生之光學發射之波長之光致發光儀器之一示意圖。
圖3圖解闡釋藉由結合圖2描述之光致發光儀器所產生之量測結果。
圖4A至圖4C圖解闡釋一根據本發明教示之使一光學層或器件之發射波長之量測值與對應基板載體步階高度相關之方法之一實例。
圖5展示一使用相對基板載體步階高度映射以在基板上之每一層或器件區域之生長表面處達到期望溫度之基板載體之一像素啄鉆映 射。
圖1A圖解闡釋一根據本發明教示進行製造或修改之基板載體100之一側視圖。該基板載體100係經設計以在處理期間使用突片103支撐基板102。可使用許多類型的突片。例如，突片可為沿著基板邊緣之若干位置處定位之三角形突片。該基板載體100可由許多類型的材料(諸如石墨、SiC、金屬及陶瓷材料)形成。對於本發明教示之某些實施例，期望形成可在局部化區域中或一預定輪廓中容易地進行加工之材料之基板載體100。在其他實施例中，期望形成可在局部化區域中容易地接收額外材料之材料之基板載體100。在又其他實施例中，期望形成可在局部化區域中接受不同材料或具有不同定向或具有經修改性質之相同材料之插入物的材料之基板載體100。
該基板載體100具有一用於在處理期間支撐一基板102之多階凹口104。該凹口104具有自該凹口104之底部至基板102之底面102'之步階高度106。本發明教示之一態樣在於步階高度106及/或步階下之基板載體100之熱導率的較小改變可改變基板102之生長表面102"處之溫度，使得該生長表面102"具有一更均勻的溫度輪廓或具有一預定期望溫度輪廓。圖1B圖解闡釋一根據本發明教示進行製造或修改之基板載體100之一俯視圖。該俯視圖展示在延伸通過整個基板102之不同型樣的可變步階高度106。
圖2係一用以量測藉由製造於一基板202上之光學層或光學器件所產生之光學發射波長之光致發光儀器200之一示意圖。該儀器200包含一產生具有狹窄光束寬度之光束之雷射204。該雷射204將光束引導至基板202之表面上對應於光學層之一小區域或對應於一單一光學器件之小區域，使得該光束可探測該光學器件。基板202係安裝於一X-Y平移置物臺上，該X-Y平移置物台在光束下平移基板202使得該光束 撞擊期望區域或任意數目或所有光學器件。此技術亦可用以在製造光學器件之前量測生長於基板上之層之發射波長。在此情況下，藉於光束下步進基板映射基板之預定區域中之發射波長以在將器件製造於晶圓上之前判定晶圓是否符合效能規格。
光束引起光學層或光學器件在其特性波長處產生光學發射。一凖直透鏡206係經定位以將凖直光束引導至一鏡子208，該鏡子208將光束反射至單色器210中。使用一聚焦透鏡212以使凖直光束聚焦於該單色器210之一狹縫中。該單色器210使一經選擇波長通過至一出口狹縫。一偵測器陣列214係經定位以偵測通過該出口狹縫之光束。可使用一資料擷取單元216以儲存波長-位置資料。X-Y平移置物台將基板202平移至光學層之一不同區域或至一不同光學器件且接著重複量測。例如，可以2mm隔開該等光學器件且X-Y平移置物台可沿水平或垂直方向以2mm步階平移基板202。
圖3圖解闡釋藉由結合圖2進行描述之光致發光儀器200所產生之量測的樣本結果。圖3圖解闡釋一基板300，在此實例中，該基板300係一劃分成若干像素(其表示一光學層或個別光學器件之區域)之半導體晶圓。展示一基板300之部分302之一放大視圖以更清楚地圖解闡釋像素304。該等像素304之各者係與藉由儀器200中之雷射光束探測之一光學器件之以奈米表示的發射波長相關聯。
在另一特定實施例中，所量測的參數係藉由一光學層(其係一光學器件(諸如發光二極體或半導體雷射)之部分)所產生之光學發射強度。在此實施例中，一雷射將一光束引導至基板表面上一可對應於一單一光學器件之小區域，使得藉由該雷射所產生之光束可如結合圖2所述般探測該光學器件。該光束引起該光學器件產生光學發射。可使用一聚焦透鏡以使該光學發射聚焦。使用一偵測器或偵測器陣列偵測該光學發射之強度。可使用一資料擷取單元以儲存光強度-位置資 料。
因此，量測結果係基板300之一映射，其中光學層或光學器件之參數係呈現為一光學層或光學器件在基板300上的對應位置之函數。在圖3展示的實例中，像素304之各者包含一代表以奈米表示之發射波長之數字。接著，使基板300上之位置與基板載體上之其等對應位置相關以獲得一量測光學層或光學器件參數之映射，在此實例中，該映射係以奈米表示並呈現為一基板載體上之其等對應位置之函數的發射波長。
接著，使基板上某些位置處之若干沈積層的量測參數與一基板載體之物理特性相關。例如，該量測參數可為一光學效能度量或一電子效能度量且基板載體之物理特性可為在正經量測之層或器件下基板載體之局部深度。同樣，該量測參數可為一光學效能度量或一電子效能度量且基板載體之物理特性可為在正經量測之層或器件下基板載體之局部熱導率或發射率。結果係對應於基板載體上之複數個位置之基板載體的複數個物理特性。
在某些實施例中，使生長於基板上之層或製造於該基板上之器件之量測參數與基板載體之物理特性相關包括使用一數學模型以執行該關係。例如，可使用一數學模型以使發射波長或發射強度與層或器件下晶圓載體之局部深度或局部熱導率相關。更特定言之，可根據熱力學及動力學反應方程式藉由使用基板上一半導體層之量測發射波長或膜組成算得晶圓之表面溫度。接著，可使用熱輸送方程式以使該晶圓表面溫度與該晶圓載體之深度或局部熱導率相關。
同樣，在某些實施例中，使生長於基板上之層或製造於該基板上之器件之量測參數與基板載體之物理特性相關包括使經驗資料相關。一本發明教示的優點在於可執行簡單試驗以獲得可用以判定基板載體之形狀(其於一基板之生長表面處產生一均勻溫度或一預定溫度 輪廓)之經驗資料。例如，可使來自發射波長之光致發光量測之試驗資料與在正經量測之沈積層下晶圓載體之局部深度或局部熱導率相關。
圖4A至圖4C係圖解闡釋一根據本發明教示使一光學層或一光學器件之發射波長的量測值與對應基板載體步階高度相關之方法之一實例。該方法包含一使用作為光學器件之位置之函數之光學反射波長資料映射基板之第一步驟。可使用結合圖2進行描述之光致發光儀器獲得光學發射波長資料。在圖4A中將結果展示為基板之一映射402，該映射402具有對應於正經量測沈積層之位置之波長資料。在此特定實例中，期望波長(其亦係平均波長)係等於461nm。
接著，判定與期望發射波長之發射波長偏差。在圖4B中將結果展示為基板之一映射404，該映射404具有呈現為一基板上之位置的函數之發射波長偏差資料。若該發射波長偏差資料大於一預定值，則修改基板載體之步階高度或其他物理特性以降低該發射波長偏差。例如，在某些製程中，可期望具有小於或等於2nm之該發射波長偏差。
接著，使與期望發射波長之發射波長差與基板載體步階高度之改變相關。在所展示的實例中，對於一約16mm厚之基板載體，每單位距離之發射波長差係0.16nm/μm。換言之，對於每一期望0.16nm之波長改變，必須將基板載體之步階高度改變一微米。即，接著取決於期望波長改變之方向，相對於晶圓上之一固定位置增大或減小該基板載體步階高度，此將使發射波長變為期望發射波長。在圖4C中將結果展示為一代表以微米表示之波長偏差至載體步階高度轉換之映射406，其係根據每單位距離轉換之發射波長差加以判定。
在其他實施例中，使發射波長值與晶圓載體中支撐基板上之特定區域之部分之絕對厚度值直接相關。在此等實施例中，亦使用作為光學層或光學器件之位置之函數之光學發射波長資料映射基板，且結 果係具有對應於特定層或器件位置之波長資料之基板映射402。使發射波長與支撐基板之基板載體的絕對厚度直接相關。接著，取決於期望波長改變之方向增大或減小該基板載體之絕對厚度。
接著，在基板載體100上複數個對應位置中之一或多者處修改該基板載體100之物理特性以獲得作為該基板載體100上之位置之函數之期望參數。若該物理特性係基板載體步階高度，則自該基板載體100添加或移除材料。可藉由許多方法(諸如蒸鍍、濺鍍、電鍍或CVD)將材料添加至基板載體。可遮蔽基板載體之部分使得材料僅沈積於基板載體之特定區域中。
可以許多方式中之任一種方式自基板載體100中移除材料。例如，有許多加工基板載體100之凹口104中局部化區域之方法。可以連續輪廓加工基板載體或藉由使用一專用切割工具以局部化區域加工該基板載體。例如，可使用一小直徑金剛石切割工具。以高速度操作之切割工具(諸如使用空氣渦輪主軸之切割工具)可提供加工小像素所需之相對較高精確度。
圖5展示一基板載體之一像素啄鉆映射500，其係使用相對基板載體步階高度進行映射以在基板上之各層或各器件區域之生長表面處獲得一期望溫度。圖5展示一映射區域502之一放大視圖，其指示各像素中對應於製造於一基板(其係定位於像素上)上之特定層區域或器件的數字。接著，取決於參數改變之方向增大或減小基板載體步階高度。例如，在一項實施例中，接著，取決於達成期望發射波長所需之期望波長改變而增大或減小基板載體步階高度。在此實例中，基板載體步階高度之各者係負值，意謂必須移除各像素區域中之材料。在各種實施例中，基板載體可經設計使得僅須移除材料以在各像素之生長表面處獲得一期望溫度。待移除的材料量係與層區域或器件中之數字成比例。
在根據本發明教示之各種方法中，可使用一電腦控制之啄鉆端銑刀以移除某些或所有像素中之基板載體材料。圖5亦展示一可用以移除特定像素中之材料之端銑刀研磨型樣504。可使用一CNC啄鉆機床以針對需要深度改變之各個像素依圖5所展示之研磨型樣504移動端銑刀。一旦該端銑刀完成一像素中之研磨型樣，使該端銑刀上升，然後移動至另一像素。連續執行銑削直至所有像素的深度皆變成一基板中定位於基板載體上之生長表面產生期望溫度之深度。
在其他方法中，使用CNC類型之電腦控制銑床或其他類型之電腦控制銑床以修改基板載體之表面以形成一連續輪廓，該連續輪廓提供一基板中定位於基板載體上之生長表面處之期望溫度。可使用許多其他方法以塑造基板載體之表面輪廓。此等方法中某些係使用電腦控制工具以在預定像素中執行雷射燒蝕、靜電放電或噴水加工。
其他方法係組合非選擇性材料移除方式(諸如化學蝕刻或乾式蝕刻)與一或多個遮蔽步驟(其沈積至少一種可抗特定預定區域之移除方法的材料)。在某些方法中，可使用一引起基板載體不均勻蝕刻之材料遮蔽或部分遮蔽該基板載體以產生一具有一預定形狀(其在基板之生長表面處提供期望溫度)之連續輪廓。在其他方法中，將一可抗移除方法之易蝕可變厚度遮蔽材料沈積於基板載體之至少一部分上。在此等方法中，具有相對薄易蝕遮蔽材料之區域將比具有較厚易蝕材料之區域經歷更多蝕刻，並因此將自此等區域移除更多的載體表面材料。
在某些方法中，物理特性係基板載體之熱導率且在該基板載體之局部區域中改變該熱導率。例如，在特定局部化區域中，可將材料插入該等局部化區域中以取代該等區域中之至少某些基板載體材料。在某些方法中，移除一局部化區域中之一部分基板載體且以具有一不同熱導率之材料取代該經移除部分。具有一不同熱導率之該材料可為 一不同材料或其可為相同材料，但以展現一不同熱導率之不同定向定位。在其他方法中，藉由在局部化區域執行材料處理可改變局部化區域之熱導率。例如，可使用離子束(其改變熱導率)照射該局部化區域。
等效物
雖然申請者的教示係結合各種實施例進行描述，但不希望將申請者的教示限制於此等實施例。相反地，如熟習此項技術者將瞭解般，申請者的教示包含各種替代例、修改及等效物(在不偏離本發明教示之精神及範疇的情況下，可於本教示中實行該等替代例、修改及等效物)。
100‧‧‧基板載體
102‧‧‧基板
102'‧‧‧基板之底面
102"‧‧‧基板之生長表面
103‧‧‧突片
104‧‧‧凹口
106‧‧‧步階高度

Claims (29)

  1. 一種基板載體，其包含：支撐一或多個基板之底面之凹口，該凹口之局部化區域之至少一物理特性係藉由先使沈積在該一或多個基板之頂面之層之量測參數與該凹口之該至少一物理特性相關，接著根據該量測參數反應將該凹口之該局部化區域之該至少一物理特性修改而修改，其中該頂面係相對於該一或多個基板之底面。
  2. 如請求項1之基板載體，其中該基板載體係由石墨、SiC、金屬及陶瓷材料之至少一者所形成。
  3. 如請求項1之基板載體，其中該基板係由半導體、金屬及絕緣體材料中之至少一者所形成。
  4. 如請求項1之基板載體，其中使沈積在該基板之該層之該量測參數與該凹口之該物理特性相關係包括利用數學模型。
  5. 如請求項1之基板載體，其中使沈積在該基板之該層之該量測參數與該凹口之該物理特性相關係包括使經驗資料相關。
  6. 如請求項1之基板載體，其中該凹口之該物理特性包含該基板載體之局部深度。
  7. 如請求項1之基板載體，其中該凹口之該物理特性包含該基板載體之局部熱導性。
  8. 如請求項1之基板載體，其中該凹口之該物理特性包含該基板載體之局部發射率。
  9. 如請求項1之基板載體，其中該凹口之該物理特性包含該基板載體之局部機械性質。
  10. 如請求項1之基板載體，其中該量測參數包含效能度量。
  11. 如請求項1之基板載體，其中該量測參數係選自由沈積在該基板之該層之光學參數、沈積在該基板之該層之電參數及沈積在該基板之該層之電光參數所組成之群。
  12. 如請求項1之基板載體，其中使該量測參數相關包含使在特定位置中之該沈積層之發射波長與該凹口之對應局部區域相關。
  13. 如請求項1之基板載體，其中修改該凹口之該局部化區域包括自該局部化區域移除材料。
  14. 如請求項13之基板載體，其中該材料係在離散局部化區域中移除。
  15. 如請求項13之基板載體，其中該材料係經移除以形成連續輪廓。
  16. 如請求項13之基板載體，其中該材料係藉由機械加工、雷射燒蝕、化學蝕刻及靜電放電之至少一者自該凹口之該局部化區域移除。
  17. 如請求項1之基板載體，其中修改該凹口之該局部區域包含添加材料至該基板載體。
  18. 如請求項1之基板載體，其中修改該凹口之該局部區域包含改變該基板載體之局部區域之熱導率。
  19. 如請求項18之基板載體，其中該熱導率係藉由插入材料至該局部區域而改變。
  20. 如請求項18之基板載體，其中該熱導率係藉由在該局部區域處執行材料處理而改變。
  21. 如請求項1之基板載體，其中修改該凹口之該局部區域包含改變該基板載體之局部區域之發射率。
  22. 如請求項1之基板載體，其中修改該凹口之該局部區域包含改變該基板載體之局部區域之局部機械性質。
  23. 如請求項1之基板載體，其中該凹口具有預定深度輪廓。
  24. 如請求項1之基板載體，其中該凹口具有預定熱輪廓。
  25. 如請求項1之基板載體，其中該沈積層包含藉由氣相磊晶法製造之多量子井結構。
  26. 如請求項1之基板載體，其中該量測參數包含光強度。
  27. 如請求項1之基板載體，其中該量測參數包含光學發射波長。
  28. 一種藉由以下方法製造之基板載體，該方法包含：a)沈積一層於藉由一基板載體支撐之一基板上；b)量測作為沈積於該基板上之該層在該基板載體上的對應位置之函數之該層之參數；c)使對應於該基板上之該位置之該量測參數與該基板載體之物理特性相關以獲得對應於該基板上之該位置之該基板載體之物理特性；及d)修改對應於該基板上之該位置之局部區域中之該基板載體之該物理特性，以獲得該基板上該沈積層之作為該基板載體上之該位置之函數之期望參數。
  29. 一種藉由以下方法製造之基板載體，該方法包含：a)沈積至少一層於藉由一基板載體支撐之一基板上；b)量測作為沈積於該基板上之該至少一層在該基板載體上的對應位置之函數之該至少一層之與溫度相關之方法參數；c)使沈積於該基板上之該至少一層之該量測參數與該基板載體之深度相關以獲得作為該基板載體之深度之函數之複數個量測參數；及d)修改複數個位置之該基板載體之該深度，以獲得該沈積於該基板上之該至少一層之作為該基板上之該對應位置之函數之期望參數。
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009049020A2 (en) 2007-10-11 2009-04-16 Valence Process Equipment, Inc. Chemical vapor deposition reactor
US8486726B2 (en) * 2009-12-02 2013-07-16 Veeco Instruments Inc. Method for improving performance of a substrate carrier
JP2012256737A (ja) * 2011-06-09 2012-12-27 Sony Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2014526148A (ja) 2011-07-25 2014-10-02 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド 対象物を特徴付けて製造プロセスをモニタリングするための方法及び装置
TWI541928B (zh) 2011-10-14 2016-07-11 晶元光電股份有限公司 晶圓載具
US20130171350A1 (en) * 2011-12-29 2013-07-04 Intermolecular Inc. High Throughput Processing Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition
US10316412B2 (en) 2012-04-18 2019-06-11 Veeco Instruments Inc. Wafter carrier for chemical vapor deposition systems
US8765493B2 (en) * 2012-11-20 2014-07-01 Ultratech, Inc. Methods of characterizing semiconductor light-emitting devices based on product wafer characteristics
TWI486477B (zh) * 2012-11-23 2015-06-01 Chemical vapor deposition equipment and its vehicles
US10167571B2 (en) * 2013-03-15 2019-01-01 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems
DE102013009925A1 (de) * 2013-06-13 2014-12-18 Centrotherm Photovoltaics Ag Messobjekt, Verfahren zur Herstellung desselben und Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten
TWI650832B (zh) 2013-12-26 2019-02-11 維克儀器公司 用於化學氣相沉積系統之具有隔熱蓋的晶圓載具
DE102014114220A1 (de) * 2014-09-30 2016-03-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren für das Aufwachsen von Halbleiterschichten und Träger zum Aufwachsen von Halbleiterschichten
JP2018522401A (ja) 2015-06-22 2018-08-09 ビーコ インストゥルメンツ インコーポレイテッド 化学蒸着のための自己心合ウエハキャリアシステム
US10438795B2 (en) 2015-06-22 2019-10-08 Veeco Instruments, Inc. Self-centering wafer carrier system for chemical vapor deposition
EP3338299A4 (en) * 2015-08-18 2019-05-15 Veeco Instruments Inc. TREATMENT-SPECIFIC SEMICONDUCTOR WAFER SUPPORT CORRECTION FOR ENHANCED THERMAL UNIFORMITY IN CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEMS AND METHODS
CN106449493B (zh) * 2016-09-30 2020-03-27 华灿光电（浙江）有限公司 一种适用于制作发光二极管的石墨基座
USD860146S1 (en) 2017-11-30 2019-09-17 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with a 33-pocket configuration
USD854506S1 (en) 2018-03-26 2019-07-23 Veeco Instruments Inc. Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover
USD860147S1 (en) 2018-03-26 2019-09-17 Veeco Instruments Inc. Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover
USD866491S1 (en) 2018-03-26 2019-11-12 Veeco Instruments Inc. Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover
USD858469S1 (en) 2018-03-26 2019-09-03 Veeco Instruments Inc. Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover
USD863239S1 (en) 2018-03-26 2019-10-15 Veeco Instruments Inc. Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover
JP6826554B2 (ja) * 2018-05-25 2021-02-03 日機装株式会社 サセプタ、半導体の製造方法、及び半導体の製造装置
KR102495415B1 (ko) * 2019-04-16 2023-02-06 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 유지 장치의 제조 방법, 유지 장치용 구조체의 제조 방법 및 유지 장치
CN113785389B (zh) * 2019-04-29 2023-06-23 苏州晶湛半导体有限公司 一种晶片承载盘
CN110654690B (zh) * 2019-09-30 2021-05-14 湖南红太阳光电科技有限公司 一种石墨舟的定位装置及定位方法
WO2022047784A1 (zh) * 2020-09-07 2022-03-10 苏州晶湛半导体有限公司 一种晶片承载盘
EP3984747B1 (en) * 2020-10-16 2023-03-29 B&R Industrial Automation GmbH Hot foil stamping machine
CN113622020A (zh) * 2021-06-17 2021-11-09 华灿光电（浙江）有限公司 提高外延片均匀度的外延托盘及其制备方法
US20230060609A1 (en) * 2021-08-31 2023-03-02 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier assembly with pedestal and cover restraint arrangements that control thermal gaps

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5195729A (en) * 1991-05-17 1993-03-23 National Semiconductor Corporation Wafer carrier
US5315473A (en) 1992-01-21 1994-05-24 Applied Materials, Inc. Isolated electrostatic chuck and excitation method
JPH05315429A (ja) 1992-05-07 1993-11-26 Hitachi Ltd 半導体製造装置の搬送装置
JPH0758041A (ja) * 1993-08-20 1995-03-03 Toshiba Ceramics Co Ltd サセプタ
US5548470A (en) * 1994-07-19 1996-08-20 International Business Machines Corporation Characterization, modeling, and design of an electrostatic chuck with improved wafer temperature uniformity
JPH0936049A (ja) 1995-07-21 1997-02-07 Mitsubishi Electric Corp 気相成長装置およびこれによって製造された化合物半導体装置
JP3596127B2 (ja) 1995-12-04 2004-12-02 ソニー株式会社 静電チャック、薄板保持装置、半導体製造装置、搬送方法及び半導体の製造方法
US6001183A (en) 1996-06-10 1999-12-14 Emcore Corporation Wafer carriers for epitaxial growth processes
JPH10144773A (ja) * 1996-11-07 1998-05-29 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 基板ホルダー
JP3110351B2 (ja) 1997-07-23 2000-11-20 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 内容アドレス式メモリ回路
EP0948806A2 (en) * 1997-10-03 1999-10-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Holder for a semiconductor substrate, and method of manufacturing a semiconductor device using such a holder
KR100370440B1 (ko) * 1998-03-05 2003-02-05 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
FR2783970B1 (fr) * 1998-09-25 2000-11-03 Commissariat Energie Atomique Dispositif autorisant le traitement d'un substrat dans une machine prevue pour traiter de plus grands substrats et systeme de montage d'un substrat dans ce dispositif
US6100506A (en) * 1999-07-26 2000-08-08 International Business Machines Corporation Hot plate with in situ surface temperature adjustment
JP2001217304A (ja) 2000-01-31 2001-08-10 Hitachi Ltd 基板ステージ、それを用いた基板処理装置および基板処理方法
KR100720775B1 (ko) * 2000-07-25 2007-05-22 동경 엘렉트론 주식회사 열처리조건의 결정방법
JP3817414B2 (ja) 2000-08-23 2006-09-06 株式会社日立製作所 試料台ユニットおよびプラズマ処理装置
TW525633U (en) * 2001-03-29 2003-03-21 Au Optronics Corp Locator for a material sheet
US20030209326A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-13 Mattson Technology, Inc. Process and system for heating semiconductor substrates in a processing chamber containing a susceptor
JP2004052098A (ja) * 2002-05-31 2004-02-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置およびそれに用いるサセプタ
JP4035008B2 (ja) 2002-07-08 2008-01-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
JP2004087576A (ja) 2002-08-23 2004-03-18 Nec Kyushu Ltd 真空処理装置
JP2004103799A (ja) 2002-09-09 2004-04-02 Canon Inc 基板保持装置、デバイス製造装置及びデバイス製造方法
JP2004244298A (ja) * 2002-12-17 2004-09-02 Kobe Steel Ltd ダイヤモンド気相合成用基板ホルダ及びダイヤモンド気相合成方法
KR100758965B1 (ko) * 2003-04-02 2007-09-14 가부시키가이샤 사무코 반도체 웨이퍼용 열처리 치구
JP3894562B2 (ja) 2003-10-01 2007-03-22 キヤノン株式会社 基板吸着装置、露光装置およびデバイス製造方法
US7910218B2 (en) * 2003-10-22 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings
CN1289892C (zh) * 2003-12-11 2006-12-13 中国科学院上海技术物理研究所 多量子阱红外探测材料的结构层厚获取方法
CA2556066C (en) * 2004-02-25 2013-07-16 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Vapor phase growth apparatus
US7585371B2 (en) * 2004-04-08 2009-09-08 Micron Technology, Inc. Substrate susceptors for receiving semiconductor substrates to be deposited upon
JP4509820B2 (ja) 2005-02-15 2010-07-21 東京エレクトロン株式会社 熱処理板の温度設定方法，熱処理板の温度設定装置，プログラム及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
WO2006094162A2 (en) * 2005-03-03 2006-09-08 Applied Materials, Inc. Method for etching having a controlled distribution of process results
KR20070110910A (ko) 2005-08-05 2007-11-20 동경 엘렉트론 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 탑재대
US7869184B2 (en) * 2005-11-30 2011-01-11 Lam Research Corporation Method of determining a target mesa configuration of an electrostatic chuck
US8603248B2 (en) * 2006-02-10 2013-12-10 Veeco Instruments Inc. System and method for varying wafer surface temperature via wafer-carrier temperature offset
JP4802018B2 (ja) 2006-03-09 2011-10-26 筑波精工株式会社 静電保持装置及びそれを用いた真空環境装置並びにアライメント装置又は貼り合わせ装置
KR20070093493A (ko) * 2006-03-14 2007-09-19 엘지이노텍 주식회사 서셉터 및 반도체 제조장치
JP2007246983A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Seiko Epson Corp 成膜装置
JP4741408B2 (ja) * 2006-04-27 2011-08-03 株式会社荏原製作所 試料パターン検査装置におけるｘｙ座標補正装置及び方法
US7501605B2 (en) * 2006-08-29 2009-03-10 Lam Research Corporation Method of tuning thermal conductivity of electrostatic chuck support assembly
CN100546944C (zh) * 2007-09-13 2009-10-07 北京航空航天大学 电热法定向渗积制备炭/炭构件的工艺
JP5112808B2 (ja) 2007-10-15 2013-01-09 筑波精工株式会社 静電型補強装置
US8022372B2 (en) * 2008-02-15 2011-09-20 Veeco Instruments Inc. Apparatus and method for batch non-contact material characterization
KR100856019B1 (ko) * 2008-02-22 2008-09-02 (주)타이닉스 플라즈마 처리장치의 기판 홀더
US8486726B2 (en) * 2009-12-02 2013-07-16 Veeco Instruments Inc. Method for improving performance of a substrate carrier
US10551613B2 (en) * 2010-10-20 2020-02-04 Tiansheng ZHOU Micro-electro-mechanical systems micromirrors and micromirror arrays
KR101665242B1 (ko) * 2015-03-20 2016-10-11 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 이의 제조 방법

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