JP2015213195A - 基板キャリアの性能を改善する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
(項目1)
処理性能を改善するために基板キャリアを修正する方法であって、
a.基板キャリアによって支持された基板上に少なくとも1つの層を蒸着させることと、
b.前記基板キャリア上のその対応する位置の関数として前記少なくとも1つの層のパラメータを測定することと、
c.前記基板キャリア上の複数の位置に対応する前記基板キャリアの複数の物理的特徴を得るために、前記基板キャリア上の複数の位置のうちの少なくともいくつかに対応する測定されたパラメータを、前記基板キャリアの物理的特徴に関連付けることと、
d.前記基板キャリア上の位置の関数として前記少なくとも1つの蒸着された層の所望のパラメータを得るために、前記基板キャリア上の複数の対応する位置のうちの1つ以上において、前記基板キャリアの物理的特徴を修正することと
を含む、方法。
(項目2)
前記基板キャリアは、黒鉛、SiC、金属、およびセラミック材料のうちの少なくとも1つから形成される、項目1に記載の方法。
(項目3)
前記基板は、半導体、金属、および絶縁体材料のうちの少なくとも1つから形成される、項目1に記載の方法。
(項目4)
前記基板上に蒸着される前記少なくとも1つの層の測定されたパラメータを、前記基板キャリアの物理的特徴に関連付けることは、数学的モデルを使用することを含む、項目1に記載の方法。
(項目5)
前記基板上に蒸着される前記少なくとも1つの層の測定されたパラメータを、前記基板キャリアの物理的特徴に関連付けることは、実験によって得られるデータを関連付けることを含む、項目1に記載の方法。
(項目6)
前記基板キャリアの物理的特徴は、前記基板キャリアの局所深さを含む、項目1に記載の方法。
(項目7)
前記基板キャリアの物理的特徴は、前記基板キャリアの局所熱伝導率を含む、項目1に記載の方法。
(項目8)
前記基板キャリアの物理的特徴は、前記基板キャリアの局所放射率を含む、項目1に記載の方法。
(項目9)
前記基板キャリアの物理的特徴は、前記基板キャリアの局所機械的特性を含む、項目1に記載の方法。
(項目10)
前記パラメータは、性能測定基準を含む、項目1に記載の方法。
(項目11)
前記パラメータは、前記基板上に蒸着される前記少なくとも1つの層の光学的パラメータである、項目1に記載の方法。
(項目12)
前記パラメータは、前記基板上に蒸着される前記少なくとも1つの層の電気パラメータである、項目1に記載の方法。
(項目13)
前記パラメータは、前記基板上に蒸着される前記少なくとも1つの層の電気光学的パラメータである、項目1に記載の方法。
(項目14)
前記基板キャリア上の前記複数の対応する位置のうちの少なくともいくつかに関連する測定されたパラメータを関連付けることは、特定の場所における前記少なくとも1つの層の放射波長を、前記基板キャリアの対応する局所深さに関連付けることを含む、項目1に記載の方法。
(項目15)
前記位置の関数として前記基板キャリアの物理的特徴を修正することは、前記基板キャリア上の複数の対応する位置のうちの少なくとも1つにおいて、前記基板キャリアから材料を取り除くことを含む、項目1に記載の方法。
(項目16)
前記材料は、機械加工、レーザー切断、化学エッチング、および静電放電のうちの少なくとも1つによって、前記基板キャリア上の対応する位置のうちの少なくとも1つにおいて、前記基板キャリアから取り除かれる、項目15に記載の方法。
(項目17)
前記基板キャリアの物理的特徴を修正することは、前記基板キャリアに材料を追加することを含む、項目1に記載の方法。
(項目18)
前記基板キャリアの物理的特徴を修正することは、前記基板キャリアの局所領域における熱伝導率を変化させることを含む、項目1に記載の方法。
(項目19)
前記局所領域の熱伝導率は、材料を前記局所領域に挿入することによって変化させられる、項目18に記載の方法。
(項目20)
前記局所領域の熱伝導率は、前記局所領域において材料処理を行うことによって変化させられる、項目18に記載の方法。
(項目21)
前記基板キャリアの物理的特徴を修正することは、前記基板キャリアの局所領域における放射率を変化させることを含む、項目1に記載の方法。
(項目22)
前記基板キャリアの物理的特徴を修正することは、前記基板キャリアの局所領域における局所機械的特性を変化させることを含む、項目1に記載の方法。
(項目23)
基板キャリアの性能測定基準を改善するための方法であって、
a.材料処理のために基板を支持するための基板キャリアを製造することであって、前記基板キャリアは、位置の関数として物理的特徴を有する、ことと、
b.基板キャリアによって支持される基板上に少なくとも1つの層を蒸着させることと、
c.前記基板キャリア上のその対応する位置の関数として前記基板上に蒸着される前記少なくとも1つの層の性能測定基準を測定することと、
d.前記基板キャリア上の複数の位置に対応する前記基板キャリアの複数の物理的特徴を得るために、前記基板キャリア上の少なくともいくつかの位置に対応する前記測定された性能測定基準を、前記基板キャリアの物理的特徴に関連付けることと、
e.前記基板キャリア上の位置の関数として蒸着された前記少なくとも1つの層の所望の性能測定基準を得るために、前記基板キャリア上の複数の対応する位置のうちの1つ以上において、前記基板キャリアの物理的特徴を修正することと
を含む、方法。
(項目24)
前記製造された基板キャリアは、所定の深さ輪郭を有する、項目23に記載の方法。
(項目25)
前記製造された基板キャリアは、所定の熱輪郭を有する、項目23に記載の方法。
(項目26)
処理性能を改善するために基板キャリアを修正する方法であって、
a.基板キャリアによって支持された基板上に少なくとも1つの層を蒸着させることと、
b.前記基板キャリア上のその対応する位置の関数として、前記基板上に蒸着される前記少なくとも1つの層の温度依存性処理パラメータを測定することと、
c.前記基板キャリア上の複数の位置に対応する前記基板キャリアの複数の深さを得るために、前記基板キャリア上に製造された前記少なくとも1つの層の前記測定されたパラメータを、基板キャリアの深さに関連付けることと、
d.前記基板キャリア上の対応する位置の関数として、蒸着された前記少なくとも1つの層の所望のパラメータを得るために、前記基板キャリア上の複数の対応する位置のうちの1つ以上において、前記基板キャリアの深さを修正することと
を含む、方法。
(項目27)
前記少なくとも1つの層を蒸着させることは、気相成長法により多重量子井戸構造を製造することを含む、項目26に記載の方法。
(項目28)
前記パラメータは、光学強度を含む、項目26に記載の方法。
(項目29)
前記パラメータは、光学的放射波長を含む、項目26に記載の方法。
(項目30)
前記パラメータは、電気パラメータを含む、項目26に記載の方法。
(項目31)
前記パラメータは、電気光学的パラメータを含む、項目26に記載の方法。
(項目32)
前記基板上に蒸着された前記少なくとも1つの層の測定されたパラメータを、前記基板キャリアの深さに関連付けることは、数学的モデルを使用することを含む、項目26に記載の方法。
(項目33)
前記基板上に蒸着された前記少なくとも1つの層の測定されたパラメータを、前記基板キャリアの深さに関連付けることは、実験データを関連付けることを含む、項目26に記載の方法。
(項目34)
前記蒸着された少なくとも1つの層の所望のパラメータを得るために、位置の関数として前記基板キャリアの深さを修正することは、局所において前記基板キャリアから材料を取り除くことを含む、項目26に記載の方法。
(項目35)
前記材料は、個別の局所において取り除かれる、項目34に記載の方法。
(項目36)
前記材料は、連続する輪郭を形成するために取り除かれる、項目34に記載の方法。
(項目37)
前記蒸着された少なくとも1つの層の所望のパラメータを得るために、位置の関数として前記基板キャリアの深さを修正することは、局所において前記基板キャリアに材料を追加することを含む、項目26に記載の方法。
本出願人の教示が、種々の実施形態と併せて説明されたが、本出願人の教示が、そのような実施形態に限定されることを意図するものではない。対照的に、本出願人の教示は、当業者によって理解されるように、本教示の精神および範囲から逸脱することなく、本明細書に成され得る、種々の代替、修正、および均等物を包含する。
Claims (29)
- 1つ以上の基板の底面を支持する陥凹を備えている基板キャリアであって、前記陥凹の局所の少なくとも1つの物理的特徴は、まず、前記1つ以上の基板の前記底面の反対の前記1つ以上の基板の上面上に堆積させられた層の測定されたパラメータを、前記陥凹の前記少なくとも1つの物理的特徴に関連付け、次いで、前記測定されたパラメータに応答して前記陥凹の前記局所の前記少なくとも1つの物理的特徴を修正することにより、修正されている、基板キャリア。
- 前記基板キャリアは、黒鉛、SiC、金属、およびセラミック材料のうちの少なくとも1つから形成される、請求項1に記載の基板キャリア。
- 前記基板は、半導体、金属、および絶縁体材料のうちの少なくとも1つから形成される、請求項1に記載の基板キャリア。
- 前記基板上に堆積させられた前記層の前記測定されたパラメータを、前記陥凹の前記物理的特徴に関連付けることは、数学的モデルを使用することを含む、請求項1に記載の基板キャリア。
- 前記基板上に堆積させられた前記層の前記測定されたパラメータを、前記陥凹の前記物理的特徴に関連付けることは、実験データを関連付けることを含む、請求項1に記載の基板キャリア。
- 前記陥凹の前記物理的特徴は、前記基板キャリアの局所深さを含む、請求項1に記載の基板キャリア。
- 前記陥凹の前記物理的特徴は、前記基板キャリアの局所熱伝導率を含む、請求項1に記載の基板キャリア。
- 前記陥凹の前記物理的特徴は、前記基板キャリアの局所放射率を含む、請求項1に記載の基板キャリア。
- 前記陥凹の前記物理的特徴は、前記基板キャリアの局所機械的特性を含む、請求項1に記載の基板キャリア。
- 前記測定されたパラメータは、性能測定基準を含む、請求項1に記載の基板キャリア。
- 前記測定されたパラメータは、前記基板上に堆積させられた前記層の光学的パラメータと、前記基板上に堆積させられた前記層の電気パラメータと、前記基板上に堆積させられた前記層の電気光学的パラメータとからなる群より選択される、請求項1に記載の基板キャリア。
- 前記測定されたパラメータを関連付けることは、特定の場所における前記堆積させられた層の放射波長を、前記陥凹の対応する局所に関連付けることを含む、請求項1に記載の基板キャリア。
- 前記陥凹の局所を修正することは、前記局所から材料を取り除くことを含む、請求項1に記載の基板キャリア。
- 前記材料は、個別の局所において取り除かれる、請求項13に記載の基板キャリア。
- 前記材料は、連続する輪郭を形成するために取り除かれる、請求項13に記載の基板キャリア。
- 前記材料は、機械加工、レーザー切断、化学エッチング、および静電放電のうちの少なくとも1つによって、前記陥凹の前記局所から取り除かれる、請求項13に記載の基板キャリア。
- 前記陥凹の局所を修正することは、前記基板キャリアに材料を追加することを含む、請求項1に記載の基板キャリア。
- 前記陥凹の局所を修正することは、前記基板キャリアの局所領域における熱伝導率を変化させることを含む、請求項1に記載の基板キャリア。
- 前記局所の熱伝導率は、材料を前記局所領域に挿入することによって変化させられる、請求項18に記載の基板キャリア。
- 前記局所の熱伝導率は、前記局所領域において材料処理を行うことによって変化させられる、請求項18に記載の基板キャリア。
- 前記陥凹の局所を修正することは、前記基板キャリアの局所領域における放射率を変化させることを含む、請求項1に記載の基板キャリア。
- 前記陥凹の局所を修正することは、前記基板キャリアの局所領域における局所機械的特性を変化させることを含む、請求項1に記載の基板キャリア。
- 前記陥凹は、所定の深さ輪郭を有する、請求項1に記載の基板キャリア。
- 前記陥凹は、所定の熱輪郭を有する、請求項1に記載の基板キャリア。
- 前記堆積させられた層は、気相成長法により多重量子井戸構造を製造することを含む、請求項1に記載の基板キャリア。
- 前記測定されたパラメータは、光学強度を含む、請求項1に記載の基板キャリア。
- 前記測定されたパラメータは、光学的放射波長を含む、請求項1に記載の基板キャリア。
- a)基板キャリアによって支持された基板上に層を堆積させることと、
b)前記基板キャリア上のその対応する位置の関数として、前記基板上に堆積させられた前記層のパラメータを測定することと、
c)前記基板上の位置に対応する前記基板キャリアの物理的特徴を得るために、前記基板上の前記位置に対応する前記測定されたパラメータを、前記基板キャリアの物理的特徴に関連付けることと、
d)前記基板キャリア上の位置の関数として、前記基板上の前記堆積させられた層の所望のパラメータを得るために、前記基板上の前記位置に対応する前記基板キャリアの前記物理的特徴を修正することと
を含むプロセスにより製造された基板キャリア。 - a)基板キャリアによって支持された基板上に少なくとも1つの層を堆積させることと、
b)前記基板キャリア上のその対応する位置の関数として、前記基板上に堆積させられた前記少なくとも1つの層の温度依存性処理パラメータを測定することと、
c)前記基板キャリアの深さの関数として複数の測定されたパラメータを得るために、前記基板上に堆積させられた前記少なくとも1つの層の前記測定されたパラメータを、前記基板キャリアの深さに関連付けることと、
d)前記基板上の対応する位置の関数として、前記基板上の前記堆積させられた少なくとも1つの層の所望のパラメータを得るために、複数の位置において、前記基板キャリアの深さを修正することと
を含むプロセスにより製造された基板キャリア。
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