CN105140166A - 用于提高衬底载体的性能的方法 - Google Patents

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Abstract

一种修改衬底载体以提高处理性能的方法，包括在由衬底载体支撑的衬底上沉积材料或制造器件。然后根据它们在衬底载体上的对应位置测量在衬底上沉积的层的参数。使在衬底上制造的至少一些器件的测量的参数或沉积的层的特性与衬底载体的物理性质关联，以获得与衬底载体上的多个位置对应的衬底载体的多个物理性质。然后在衬底载体上的多个对应位置中的一个或更多个处修改衬底载体的物理性质，以根据衬底载体上的位置获得沉积的层或制造的器件的期望的参数。

Description

用于提高衬底载体的性能的方法
本申请是申请号为201080048148.2，PCT国际申请日为2010年11月12日，发明名称为“用于提高衬底载体的性能的方法”的发明专利申请的分案申请。
这里使用的部分标题仅是出于组织目的，并且不应被解释为以任何方式限制在本申请中描述的主题。
背景技术
许多材料处理系统包括用于在处理中支撑并有时传输衬底的衬底载体。衬底常常是一般称为晶片的晶体材料的圆盘。一种这种类型的材料处理系统是气相外延(VPE)系统。气相外延是涉及将包含化学物品的一种或更多种气体引到衬底的表面上使得反应物品在衬底的表面上反应并形成膜的一种化学气相沉积(CVD)类型。例如，可以使用VPE以在衬底上生长化合物半导体材料。
一般通过将至少一种前体气体、并且在许多处理中将至少第一和第二前体气体注入包含晶体衬底的处理室中，生长材料。可由通过使用氢化物前体气体和有机金属前体气体在衬底上生长各种半导体材料层而形成诸如III-V半导体的化合物半导体。金属有机气相外延(MOVPE)是通常用于通过使用包含需要的化学元素的金属有机物和氢化物的表面反应生长化合物半导体的气相沉积方法。例如，可通过引入三甲基铟和磷化氢在衬底上的反应体中生长磷化铟。
在现在技术中使用的MOVPE的替代名称包括有机金属气相外延(OMVPE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)和有机金属化学气相沉积(OMCVD)。在这些处理中，气体在诸如蓝宝石、Si、GaAs、InP、InAs或GaP衬底的衬底的生长表面处相互反应，以形成通式InXGaYAlZNAAsBPCSbD的III-V化合物，其中，X+Y+Z大致等于1，并且，A+B+C+D大致等于1，并且，X、Y、Z、A、B、C和D中的每一个可在1与0之间。在各种处理中，衬底可以为金属、半导体或绝缘衬底。在一些情况下，铋可用于替代其它第III族金属的一些或全部。
也可由通过使用氢化物或卤化物前体气体处理在衬底上生长各种半导体材料层形成诸如III-V半导体的化合物半导体。在一种卤化物气相外延(HVPE)处理中，通过使热气态金属氯化物(例如，GaCl或AlCl)与氨气(NH3)反应形成第III族氮化物(例如，GaN、AlN)。通过使热的HCl气体在热的第III族金属上通过，产生金属氯化物。HVPE的一个特征在于，它可具有非常高的生长速率，对于一些现有处理，该生长速率高达100μm/小时。HVPE的另一特征在于，由于膜在无碳环境中生长并且由于热的HCl气体提供自清洁效应，因此，可以使用它以沉积相对高质量的膜。
在这些处理中，衬底在反应室内保持在高温下。前体气体一般与惰性载体气体混合并然后被引入反应室中。一般地，气体当被引入反应室时处于相对较低的温度。随着气体到达热的衬底，它们的温度增加，并由此使得它们可用于反应的能量增加。通过衬底表面处的构成化学物的最终热解，发生外延层的形成。通过衬底的表面上的化学反应而不是通过物理沉积处理形成晶体。因此，对于热力学亚稳合金，VPE是期望的生长技术。当前，VPE常被用于制造激光二极管、太阳能电池和发光二极管(LED)。
附图说明
结合附图，根据优选和示例性的实施例的本教导与其进一步的优点一起在以下的详细的说明书中被更特别地描述。本领域技术人员可以理解，以下描述的附图仅出于解释的目的。附图未必按比例，因此强调一般放在说明教导的原理。附图意图不在于以任何方式限制申请人的教导的范围。
图1A示出根据本教导制造或修改的衬底载体的侧视图。
图1B示出根据本教导制造或修改的衬底载体的顶视图。
图2是用于测量由光学层或器件产生的光学发射的波长的光致发光仪器的示意图。
图3是由关于图1描述的光致发光仪器产生的测量结果。
图4A～4C示出根据本教导的使光学层或器件的发射波长的测量与对应衬底载体台阶高度关联的方法的例子。
图5示出为了在衬底上的层或器件区域中的每一个的生长表面处实现期望的温度利用相对衬底载体台阶高度映射的衬底载体的像素啄食(pecking)映射。
具体实施方式
说明书中提到的“一个实施例”或“实施例”意味着在教导的至少一个实施例中包括关于实施例描述的特定的特征、结构或性质。在说明书的各处出现的短语“在一个实施例中”未必均指的是同一实施例。
应当理解，只要教导保持可操作，可以任何的次序和/或同时执行本教导的方法的各个步骤。此外，应当理解，只要教导保持可操作，本教导的装置和方法可包括任意数量或全部的描述的实施例。
现在将参照在附图中示出的本教导的示例性实施例更详细地描述本教导。虽然结合各种实施例和例子描述本教导，但是，不意图要将本教导限于这些实施例。相反，本领域技术人员将会理解，本教导包括各种替代方案、修改和等同物。使用这里的教导的本领域技术人员将意识到处于在这里描述的本公开的范围内的附加的实现、修改和实施例以及其它的使用领域。
本教导涉及制造或修改材料处理系统中的衬底载体以提高处理性能的方法。虽然关于提高用于VPE系统的衬底载体的性能描述本教导的一些方面，但是，本领域技术人员将理解，本发明的方法可被应用于包括衬底载体的任意类型的处理系统。此外，虽然关于提高用于LED、激光器或其它光学器件的光学层的产量描述了本发明的一些方面，但是，本领域技术人员将理解，本发明的方法可被应用于包括任意类型的光学、电气、电子、电光或声学器件的任何类型的层和器件。
衬底的生长表面处的温度依赖于衬底载体的温度和衬底载体与衬底之间的传热。传热可通过传导、对流、辐射或通过传热机制的组合发生。传热的传导模型假定所有的传热通过传导发生，并且不存在明显的对流传热。传导模型对于其中在衬底和衬底载体之间仅存在处于50～100微米量级的相对较小的间隙的较小衬底是最精确的。传热的传导模型假定所有的传热通过对流发生。对流模型对于许多VPE处理系统是不精确的。混合传导对流模型假定传热通过传导和对流发生。该模型对于其中在衬底和衬底载体之间存在处于300～500微米量级的较大的间隙的较大衬底是更精确的。例如，8英寸衬底可在衬底和衬底载体之间具有导致明显量的传导和对流传热的相对较大的间隙。传热的辐射模型假定传热通过辐射发生。该模型对于使用诸如硅衬底的不透明衬底的一些处理是精确的。
衬底的生长表面的温度也受材料处理系统中的大量其它不均匀性影响。例如，衬底的生长表面的温度受衬底上方的处理气体流动中的不均匀性、处理室的壁附近的边缘效应和处理系统中的大量其它的缺陷和不对称性影响。
另外，衬底的生长表面的温度受衬底自身的形状影响。特别地，衬底通常不是完整圆。衬底一般包含定位边(orientationflat)，并且它们还趋于在处理中弯曲和翘曲。衬底的形状可在处理中改变。衬底弯曲是自由松开的衬底的中间表面的中点从由在具有小于衬底的标称直径规定量的直径的圆上均匀分开的三个点建立的中间表面基准面的偏离。与弯曲类似，翘曲是自由松开衬底的中间表面距基准面的最大和最小距离之间的差的测量。衬底的弯曲和翘曲取决于诸如衬底的内应力、沉积温度、在衬底上正生长的结构和处理室中的温度梯度的许多因素。
许多材料处理需要非常高的产量，以在工业上具有竞争力。例如，非常期望实现LED和半导体激光器件的高处理产量，以使这些器件在工业上具有竞争力。特别地，当前工业需要提高用于制造LED和半导体激光器件的VPE处理的产量。对于许多LED和半导体激光器应用，实现随时间稳定的几纳米内的精确的发射波长是十分关键的。具有某窄的预定范围外的发射波长的器件被舍弃或被折价出售，从而减少目标处理产量。
这些器件的发射波长强烈依赖于半导体层中的至少一些的固相成分和生长温度。特别地，生长具有期望的发射波长和光学特性的多量子阱结构要求精确地控制衬底的生长表面处的温度、层厚和成分。因此，为了实现高的处理产量，生长温度必须被精确控制以实现衬底的整个生长表面上方的均匀材料特性。即使温度在衬底上方完全均匀，由于沉积室内的气相耗尽或成分差异，也仍可在发射波长中存在明显的变化。因此，有时期望有意引入温度不均匀性以补偿气相和其它的不均匀性。在许多情况下，由于不能很容易地操纵局部气相成分，因此，期望使用温度作为控制变量。
因此，本教导的一个方面是制造或修改诸如VPE系统的材料处理系统中的衬底载体以修改由衬底载体支撑的衬底上方的温度均匀性的方法。在本教导的各种实施例中，为了提高处理性能，可以提高或者有意降低温度均匀性。
衬底弯曲和翘曲取决于衬底温度。在本教导的一些方法中，衬底载体被制造或修改以匹配衬底的表面的曲率，使得衬底在生长表面处具有更均匀的温度。在其它的方法中，衬底载体被制造或修改以在被衬底载体支撑的衬底上方提供预定的温度分布。
在许多情况下，难以为了获得制造或修改衬底载体以补偿衬底的表面上的不均匀性和补偿处理系统中的其它不均匀性所需要的信息而精确地测量和控制正被处理的衬底的温度和/或处理室中的局部气相成分。当衬底是光学透明时，温度测量是特别困难的。根据本教导的一种修改衬底载体以提高处理性能的方法包括衬底或在衬底上制造的器件的生长后测量或分析。然后使用得到的从测量和分析获得的数据，以利用补偿由于处理系统中的不均匀性导致的诸如温度和/或气相不均匀性的与衬底相关的不均匀处理参数的规范修改衬底载体或制造新的衬底载体。
在根据本教导的方法中，在衬底上制造的器件的一个或更多个参数然后根据它们在衬底载体上的对应位置而测量。参数可以是包括但不限于光学参数、电气参数或电光参数的任意类型的参数。例如，参数可以是电气或光学器件的性能指标。在一个特定的实施例中，测量的参数是由诸如发光二极管或半导体激光器的光学器件产生的光学发射的波长。
图1A示出根据本教导制造或修改的衬底载体100的侧视图。衬底载体100被设计以在处理中利用接头片(tab)103支撑衬底102。可以使用大量类型的接头片。例如，接头片可以是沿衬底的边缘位于几个位置处的三角形接头片。衬底载体100可由诸如石墨、SiC、金属和陶瓷材料的大量类型的材料形成。对于本教导的一些实施例，期望形成可容易地在局域化区域中或以预定的等值线加工的材料的衬底载体100。在其它的实施例中，期望形成可容易地在局部化区域中接受附加的材料的材料的衬底载体100。在又一实施例中，期望形成可在局部化区域中接受具有不同的取向或修改的特性的不同材料或相同材料的插入物的材料的衬底载体100。
衬底载体100具有用于在处理中支撑衬底102的多台阶凹口104。凹口104具有从凹口104的底部到衬底102的底面102′的台阶高度106。本教导的一个方面在于，台阶高度106和/或台阶下面的衬底载体100的热导率的小的变化可改变衬底102的生长表面102″处的温度，使得它具有更均匀的温度分布或具有预定的期望的温度分布。图1B示出根据本教导制造或修改的衬底载体100的顶视图。顶视图示出贯通整个衬底102的不同模式的可变台阶高度106。
图2是被用于测量由在衬底202上制造的光学层或光学器件产生的光学发射的波长的光致发光仪器200的示意图。仪器200包含产生具有窄的束宽的光束的激光器204。激光器204将光束引向与光学层的小区域或与单个光学器件对应的衬底202的表面上的小区域，使得光束可探测光学器件。衬底202被安装在在光束下面平移衬底202的X-Y平移台架上，使得光束入射到期望的区域或任意数量或全部的光学器件。该技术也可被用于在制造光学器件之前测量在衬底上生长的层的发射波长。在这种情况下，衬底的预定区域中的发射波长通过步进在射束下面的衬底被映射，以在在晶片上制造器件之前确定晶片是否会满足性能规范。
光束导致光学层或光学器件在其特征波长处产生光学发射。准直透镜206被定位为将准直射束引向将光束偏转到单色器210中的反射镜208。聚焦透镜212被用于将准直射束聚焦到单色器210的狭缝中。单色器210使选择的波长穿过以到达出射狭缝。检测器阵列214被定位为检测穿过出射狭缝的光束。数据获取单元216可被用于存储波长位置数据。X-Y平移台架将衬底202平移到光学层的不同的区域或者不同的光学器件，并然后重复测量。例如，光学器件可分开2mm，并且，X-Y平移台架可以以2mm的步幅沿水平和垂直方向平移衬底202。
图3示出由关于图2描述的光致发光仪器200产生的测量的采样结果。图3示出在本例子是被分成代表光学层的区域或各个光学器件的像素的半导体晶片的衬底300。示出衬底300的一部分302的放大图，以更清楚地展示像素304。像素304中的每一个与由仪器200中的激光射束探测的光学器件的以纳米为单位的发射波长相关。
在另一特定的实施例中，测量的参数是由作为诸如发光二极管或半导体激光器的光学器件一部分的光学层产生的光学发射的强度。在本实施例中，激光器将光束引向衬底的表面上的可与单个光学器件对应的小的区域，使得由激光器产生的光束可探测关于图2描述的光学器件。光束导致光学器件产生光学发射。可以使用聚焦透镜以聚焦光学发射。使用检测器或检测器阵列以检测光学发射的强度。可以使用数据获取单元以存储光学强度位置数据。
因此，测量的结果是具有光学层或光学器件的参数的衬底300的映射，这些参数根据它们在衬底300上的对应位置而呈现。在图3所示的例子中，像素304中的每一个包含代表以纳米为单位的发射波长的数值。然后使衬底300上的位置与它们在衬底载体上的对应位置相关联，以获得在本例子是以纳米为单位的发射波长的测量的光学层或光学器件参数的映射，这些参数根据它们在衬底载体上的对应位置而呈现。
然后使衬底上的一些位置处的沉积层的测量参数与衬底载体的物理性质相关联。例如，测量参数可以是光学或电子性能指标，并且，衬底载体的物理性质可以是正被测量的层或器件下面的衬底载体的局部深度。此外，测量参数可以是光学或电子性能指标，并且，衬底载体的物理性质可以是正被测量的层或器件下面的衬底载体的局部热导率或发射率。结果是与衬底载体上的多个位置对应的衬底载体的多个物理性质。
在一些实施例中，使在衬底上生长的层或在衬底上制造的器件的测量参数与衬底载体的物理性质关联包含使用数学模型以执行关联。例如，数学模型可被用于使发射波长或发射强度与层或器件下面的晶片载体的局部深度或局部热导率相关。具体而言，可通过使用测量的发射波长或衬底上的半导体层的膜成分从热力学和动力学反应方程计算晶片的表面温度。然后可使用热传输方程以使晶片表面温度与晶片载体的局部热导率或深度相关。
此外，在一些实施例中，使在衬底上生长的层或在衬底上制造的器件的测量参数与衬底载体的物理性质关联包括与经验数据关联。本教导的一个优点在于，可以执行简单的实验以获得可被用于确定在衬底的生长表面处导致均匀的温度或预定的温度分布的衬底载体的形状的经验数据。例如，来自发射波长的光致发光测量的实验数据可与正被测量的沉积层下面的晶片载体的局部深度或局部热传导相关。
图4A～4C示出根据本教导的使光学层或光学器件的发射波长的测量与对应衬底载体台阶高度相关的方法的例子。方法包括根据光学器件的位置利用光学发射波长数据映射衬底的第一步骤。可利用关于图2描述的光致发光仪器获得光学发射波长数据。作为具有与正被测量的沉积层的位置对应的波长数据的衬底的映射402，在图4A中示出结果。在该特定的例子中，也是平均波长的期望的波长等于461nm。
然后确定从期望的发射波长偏离的发射波长。作为具有根据衬底上的位置而呈现的发射波长偏离数据的衬底的映射404，在图4B中示出结果。如果发射波长偏离数据比预定值大，那么衬底载体的台阶高度或其它物理性质被修改以减小发射波长偏离。例如，在一些处理中，期望使发射波长偏离小于等于2nm。
然后使距期望的发射波长的发射波长差与衬底载体台阶高度中的变化关联。在表示的例子中，对于为约16mm厚的衬底载体，每单位距离的发射波长差为0.16nm/μm。换句话说，对于波长中的每个期望的0.16nm变化，衬底载体台阶高度必须改变1微米。即，根据将发射波长改变为期望的发射波长的期望的波长变化的方向，衬底载体台阶高度然后相对于晶片上的固定位置增加或减小。作为代表从每单位距离转换的发射波长差确定的波长偏离到以微米为单位的载体台阶高度转换的映射406，在图4C中表示结果。
在其它的实施例中，发射波长值直接与晶片载体的支撑衬底上的特定的区域的部分的绝对厚度值关联。在这些实施例中，根据光学层或光学器件的位置利用光学发射波长数据映射衬底，并且，结果是具有与特定的层或器件位置对应的波长数据的衬底的映射402。发射波长然后直接与支撑衬底的衬底载体的绝对厚度关联。衬底载体的绝对厚度然后根据期望的波长变化的方向增加或减小。
衬底载体100的物理性质然后在衬底载体100上的多个对应位置中的一个或更多个处被修改，以根据衬底载体100上的位置获得期望的参数。如果物理性质是衬底载体台阶高度，那么从衬底载体100添加或去除材料。可通过诸如蒸镀、溅射、电镀或CVD的大量手段向衬底载体添加材料。衬底载体的几部分可被掩盖，使得仅在衬底载体的某些区域中沉积材料。
可以以大量方式中的任一种从衬底载体100去除材料。例如，存在加工衬底载体100的凹口104中的局部化区域的大量方法。衬底载体可以以连续的等值线被加工，或者，可利用专用切割工具通过啄食在局部化区域中被加工。例如，可以使用小直径金刚石切割工具。诸如使用空气涡轮机轴的切割工具的在高速下操作的切割工具可提供加工小像素所需要的相对高精度。
图5表示为了在衬底上的层或器件区域中的每一个的生长表面处实现期望的温度，利用相对衬底载体台阶高度映射的衬底载体的像素啄食映射500。图5示出指示与在位于像素上方的衬底上制造的特定层区域或器件对应的像素中的每一个的数值的映射的一个区域的展开图502。然后根据参数变化的方向增加或减小衬底载体台阶高度。例如，在一个实施例中，然后根据实现期望的发射波长所需要的期望的波长变化增加或减小衬底载体台阶高度。在该例子中，衬底载体台阶高度中的每一个为负意味着需要在像素区域中的每一个中去除材料。在各种实施例中，衬底载体可被设计，使得仅需要去除材料以在像素中的每一个的生长表面处实现期望的温度。要去除的材料的量与层区域或器件中的数量成比例。
在根据本教导的各种方法中，可以使用计算机控制的啄食端铣刀以在像素中的一些或全部中去除衬底载体材料。图5还示出可用于去除特定的像素中的材料的端铣刀磨削图案504。可以使用CNC啄食机工具以对于需要深度变化的像素中的每一个以图5所示的磨削图案504移动端铣刀。一旦端铣刀完成了一个像素中的磨削图案，端铣刀就上升并然后移动到另一像素。依次执行磨铣，直到所有像素的深度改变为在位于衬底载体上方的衬底的生长表面处导致期望的温度的深度。
在其它方法中，使用CNC或其它类型的计算机控制的铣床以修改衬底载体的表面，以形成在位于衬底载体上方的衬底的生长表面处提供期望的温度的连续等值线。可以使用大量其它方法，以使衬底载体的表面等值化。这些方法中的一些使用用于在预定的像素中执行激光烧蚀、静电放电或喷水加工的计算机控制的工具。
其它的方法组合诸如化学或干法蚀刻的非选择性材料去除手段与在某些预定区域中沉积耐受去除手段的至少一种材料的一个或更多个掩盖步骤。在一些方法中，衬底载体可被导致衬底载体的非均匀蚀刻的材料掩盖或部分掩盖以产生在衬底的生长表面处具有提供期望的温度的预定形状的连续等值线。在其它的方法中，在衬底载体的至少一部分上方沉积耐受去除手段的可侵蚀的可变厚度掩盖材料。在这些方法中，具有相对较薄的可侵蚀的掩盖材料的区域将比具有更厚的可侵蚀材料的区域经受更多的蚀刻，因此，将从这些区域去除更多的载体表面材料。
在一些方法中，物理性质是衬底载体的热导率，并且，热导率在衬底载体的局部区域中改变。例如，在某些局部化的区域中，材料可被插入局部化区域中，替代在这些区域中衬底载体材料中的至少一些。在一些方法中，衬底载体的一部分在局部化区域中被去除，并且被具有不同的热导率的材料替代。具有不同的热导率的材料可以是不同的材料，或者它可以是相同的材料，但以表现出不同的热导率的不同取向定位。在其它的方法中，通过在局部区域处执行材料处理而在局部化区域中改变热导率。例如，可利用改变热导率的离子束照射局部化区域。
等同物
虽然结合各种实施例描述申请人的教导，但是，申请人的教导不试图限于这些实施例。相反，申请人的教导包含可以在不背离教导的精神和范围的情况下在其中提出的本领域技术人员将理解的各种替代方案、修改和等同物。

Claims (29)

1.一种衬底载体，包括支撑一个或多个衬底的底面的凹口，通过下述方式修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质：首先把沉积在所述一个或多个衬底的上表面的层的测量参数与所述凹口的所述至少一个物理性质相关联，所述一个或多个衬底的上表面与所述一个或多个衬底的底面相对；然后，响应于所述测量参数而修改所述凹口的局部化区域的至少一个物理性质。
2.根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述衬底载体由石墨、SiC、金属和陶瓷材料中的至少一种形成。
3.根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述衬底由半导体、金属和绝缘体材料中的至少一种形成。
4.根据权利要求1所述的衬底载体，其中使在所述衬底上沉积的层的测量参数与所述凹口的物理性质关联包括使用数学模型。
5.根据权利要求1所述的衬底载体，其中使在所述衬底上沉积的层的测量参数与所述凹口的物理性质关联包括与经验数据关联。
6.根据权利要求1所述的衬底载体，其中凹口的物理性质包括衬底载体的局部深度。
7.根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述凹口的物理性质包括所述衬底载体的局部热导率。
8.根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述凹口的物理性质包括衬底载体的局部发射率。
9.根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述凹口的物理性质包括衬底载体的局部机械特性。
10.根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述测量参数包括性能指标。
11.根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述测量参数选自由以下参数构成的组：在衬底上沉积的层的光学参数、在衬底上沉积的层的电学参数以及在衬底上沉积的层的电光参数。
12.根据权利要求1所述的衬底载体，其中关联所述测量参数包括使特定位置中的沉积的层的发射波长与所述凹口的对应局部区域关联。
13.根据权利要求1所述的衬底载体，其中修改凹口的局部化区域包括从局部化区域中去除材料。
14.根据权利要求13所述的衬底载体，其中材料在离散的局部化区域中被去除。
15.根据权利要求13所述的衬底载体，其中材料被去除以形成连续的等值线。
16.根据权利要求13所述的衬底载体，其中通过加工、激光烧蚀、化学蚀刻和静电放电中的至少一种从所述凹口的局部化区域去除材料。
17.根据权利要求1所述的衬底载体，其中修改凹口的局部化区域包括向衬底载体添加材料。
18.根据权利要求1所述的衬底载体，其中修改凹口的局部化区域包括在衬底载体的局部区域中改变热导率。
19.根据权利要求18所述的衬底载体，其中通过将材料插入局部区域中而在局部化区域中改变热导率。
20.根据权利要求18所述的衬底载体，其中通过在局部区域处执行材料处理而在局部化区域中改变热导率。
21.根据权利要求1所述的衬底载体，其中修改凹口的局部化区域包括在衬底载体的局部区域中改变发射率。
22.根据权利要求1所述的衬底载体，其中修改凹口的局部化区域包括在衬底载体的局部区域中改变局部机械特性。
23.根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述凹口具有预定的深度等值线。
24.根据权利要求1所述的衬底载体，其中所述凹口具有预定的热等值线。
25.根据权利要求1所述的衬底载体，其中沉积的层包括通过气相外延制造多量子阱结构。
26.根据权利要求1所述的衬底载体，其中测量参数包括光学强度。
27.根据权利要求1所述的衬底载体，其中测量参数包括光学发射波长。
28.一种通过以下处理过程制备的衬底载体，该处理过程包括：
a.在由衬底载体支撑的衬底上沉积一层；
b.根据其在衬底载体上的对应位置测量在衬底上沉积的所述层的参数；
c.使与衬底上的位置对应的测量参数与衬底载体的物理性质关联，以获得与所述衬底载体上的位置对应的衬底载体的多个物理性质；和
d.修改与衬底的位置对应的衬底载体的物理性质，以根据衬底载体上的位置获得在所述衬底上沉积的层的期望的参数。
29.一种通过以下处理过程制备的衬底载体，该处理过程包括：
a.在由衬底载体支撑的衬底上沉积至少一层；
b.根据其在衬底载体上的对应位置测量在衬底上沉积的所述至少一层的温度依赖处理参数；
c.使在衬底上沉积的所述至少一层的测量的参数与衬底载体的深度关联，以根据衬底载体的多个深度获得多个测量参数；和
d.在多个位置处修改衬底载体的深度，以根据衬底载体上的对应位置获得在所述衬底上沉积的所述至少一层的期望的参数。
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