WO2020213368A1 - 保持装置の製造方法、保持装置用の構造体の製造方法および保持装置 - Google Patents

保持装置の製造方法、保持装置用の構造体の製造方法および保持装置 Download PDF

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WO2020213368A1
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plate
holding device
heater electrode
shaped member
manufacturing
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秀樹 上松
淳二 鈴木
一貴 泉原
雄司 川村
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日本特殊陶業株式会社
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    • H05B2203/017Manufacturing methods or apparatus for heaters

Definitions

  • the technology disclosed in the present specification relates to a method for manufacturing a holding device for holding an object, a method for manufacturing a structure for the holding device, and a holding device.
  • an electrostatic chuck is used as a holding device for holding a wafer when manufacturing a semiconductor element.
  • the electrostatic chuck includes a plate-shaped member including a portion formed of ceramics, for example, a metal base member, a joint portion for joining the plate-shaped member and the base member, and a chuck arranged inside the plate-shaped member. It is equipped with an electrode, and uses the electrostatic attraction generated by applying a voltage to the chuck electrode to attract and hold the wafer on the surface of the plate-shaped member (hereinafter referred to as the "adsorption surface"). ..
  • the temperature of the wafer held on the suction surface of the electrostatic chuck does not reach the desired temperature, the accuracy of each process (deposition, etching, etc.) on the wafer may decrease. Therefore, the temperature of the wafer is applied to the electrostatic chuck. Performance to control the distribution is required. Therefore, the temperature of the adsorption surface of the plate-shaped member is heated by heating by the heater electrode, which is a resistance heating element arranged inside the plate-shaped member, or by supplying the refrigerant to the refrigerant flow path formed in the base member. The distribution is controlled (and thus the temperature distribution of the wafer held on the adsorption surface).
  • a resistance heating element is formed on the surface of a plate-shaped ceramics sintered body, and then resistance is obtained by removing a part of the resistance heating element by laser processing or machining.
  • the resistance value of the heating element is adjusted, and then the ceramics molded body is laminated on the surface on which the resistance heating element is formed in the ceramics sintered body, and the ceramics sintered body, the resistance heating element, and the ceramics molded body are integrated.
  • a technique for firing a heating element is known (see, for example, Patent Document 1).
  • the above-mentioned conventional technique improves the controllability of the temperature distribution on the surface holding the wafer by adjusting the resistance value of the resistance heating element.
  • the temperature distribution of the suction surface holding the wafer depends not only on the accuracy of the heater electrode (resistance heating element) but also on the accuracy of the base member and the joint, so the resistance value of the resistance heating element.
  • the controllability of the temperature distribution of the suction surface holding the wafer cannot be sufficiently improved only by adjusting the above.
  • such a problem is not limited to the electrostatic chuck, but is a common problem in general for a holding device that includes a plate-shaped member, a base member, and a joint portion and holds an object on the surface of the plate-shaped member.
  • This specification discloses a technique capable of solving the above-mentioned problems.
  • the method for manufacturing a holding device disclosed in the present specification is a plate-shaped member having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and the first surface.
  • a first portion that includes a first surface, a second portion that includes the second surface and a portion formed of ceramics, and a first portion that joins the first portion and the second portion. It has a plate-shaped member having a joint portion thereof, a heater electrode arranged in the second portion of the plate-shaped member and formed by a resistance heating element, and a third surface.
  • a method for manufacturing a holding device that includes a second joint portion that is arranged between the plate-shaped members and joins the plate-shaped member and the base member, and holds an object on the first surface of the plate-shaped member.
  • the method for manufacturing the holding device includes a forming step of forming a heater pattern on the first ceramic green sheet with a heater material which is a material for forming the heater electrode, and an insulating material on the first ceramic green sheet.
  • the firing step of producing the second portion of the plate-shaped member and the heater electrode, and the second joining portion of joining the second portion of the plate-shaped member and the base member While performing the joining step of 1, cooling by the cooling mechanism, and feeding power to the heater electrode, the side of the plate-shaped member opposite to the surface facing the second joining portion in the second portion. Based on the temperature measurement step of measuring the temperature distribution on the surface of the ceramic and the measurement result of the temperature distribution, the electric resistance of the heater electrode is reduced by removing a part of the heater electrode covered with the cover layer together with the cover layer.
  • the adjustment step of adjusting and the second joining step of joining the second portion and the first portion of the plate-shaped member by the first joining portion are provided.
  • the cooling mechanism of the base member is a part of the plate-shaped member on the second surface side, and the base member is joined to the second portion where the heater electrode is arranged.
  • the temperature distribution on the surface of the second part is measured while cooling and supplying power to the heater electrode, and based on the measurement result of the temperature distribution, a part of the heater electrode covered with the cover layer is removed together with the cover layer. Thereby, the electric resistance of the heater electrode is adjusted, and then the first portion is joined to the second portion of the plate-shaped member.
  • the manufacturing method of this holding device after the portion on the base member side of the heater electrode is manufactured, the state similar to that in actual use (that is, the cooling mechanism of the base member and the power supply to the heater electrode are performed.
  • the temperature distribution on the surface of the second portion of the plate-shaped member can be measured in the broken state), and the electric resistance of the heater electrode can be adjusted based on the measurement result of the temperature distribution. Therefore, according to the manufacturing method of this holding device, the electric resistance of the heater electrode can be adjusted accurately in a short time, and as a result, the controllability of the temperature distribution on the first surface of the plate-shaped member is improved. be able to.
  • the pattern of the heater material which is the material for forming the heater electrode is covered with the cover layer, the pattern of the heater material at the time of firing is altered (for example,). (Volatilization and sublimation) can be suppressed, and the resistance value of the heater electrode varies due to the alteration of the pattern of the heater material, and the controllability of the temperature distribution on the first surface of the plate-shaped member deteriorates. Can be suppressed.
  • the method for manufacturing the holding device may further include a filling step of filling the portion removed in the adjusting step with an insulating material. According to the manufacturing method of this holding device, it is possible to prevent gas from entering the inside of the plate-shaped member while preventing a short circuit between the heater electrodes.
  • the cover layer arranged in the arranging step is formed with a first hole penetrating in the thickness direction, and the method for manufacturing the holding device further describes.
  • a thickness measuring step of measuring the thickness of the cover layer at the position of the first hole may be provided.
  • the removal depth of the cover layer and the heater electrode in the adjustment step can be appropriately set based on the thickness of the cover layer, and the electric resistance of the heater electrode can be adjusted accurately. As a result, the controllability of the temperature distribution on the first surface of the plate-shaped member can be effectively improved.
  • the cover layer may be polished to have at least one of a second warp correction step of correcting the warp of the second portion.
  • the warp of the second portion can be corrected by at least one of the first warp correction step and the second warp correction step, and the warp of the second part, and thus the warp of the second part, can be corrected.
  • the warp of the plate-shaped member can be effectively reduced.
  • the heater electrode when the warp correction of the second portion is performed, the heater electrode is covered with the cover layer, so that the heater electrode reacts with the jig for warp correction and deteriorates. It is possible to prevent the resistance value of the heater electrode from fluctuating due to the alteration and the controllability of the temperature distribution on the first surface of the plate-shaped member from being lowered.
  • the configuration may include both the first warp correction step and the second warp correction step executed after the first warp correction step.
  • the warp of the second portion that cannot be completely corrected by the first warp correction step can be corrected by the second warp correction step of polishing the cover layer, and the second It is possible to effectively reduce the warp of the portion and the warp of the plate-shaped member.
  • the heater electrode is covered with the cover layer, so that the heater electrode reacts with the jig for warp correction and deteriorates. It is possible to prevent the resistance value of the heater electrode from fluctuating due to the alteration and the controllability of the temperature distribution on the first surface of the plate-shaped member from being lowered.
  • the forming step includes forming a reference pattern with a predetermined material on the first ceramic green sheet, and is placed on the cover layer arranged in the arranging step. Is formed with a second hole penetrating in the thickness direction at a position overlapping the reference pattern, and in the adjustment step, the reference is exposed through the second hole formed in the cover layer.
  • the removal position in the heater electrode may be set with reference to the position of the pattern. According to the manufacturing method of this holding device, by setting the removal position with reference to the position of the reference pattern, the heater electrode can be removed with high accuracy, and the electric resistance of the heater electrode can be adjusted with high accuracy. As a result, the controllability of the temperature distribution on the first surface of the plate-shaped member can be effectively improved.
  • the method for manufacturing the holding device may further include a thickness measuring step of measuring the thickness of the cover layer at the position of the second hole after the firing step.
  • the thickness of the cover layer can be measured by using the holes formed in the cover layer to expose the reference pattern, so that the number of holes formed in the cover layer can be measured. It is possible to suppress the decrease in controllability of the temperature distribution on the first surface of the plate-shaped member due to the presence of the holes.
  • the first joint portion may have a configuration in which the thermal resistance is lower than that of the second joint portion. According to the manufacturing method of the present holding device, it is possible to suppress a decrease in the responsiveness of heat generation and / or cooling in the plate-shaped member due to the presence of the first joint portion, and the first plate-shaped member can be manufactured. It is possible to suppress a decrease in the controllability of the temperature distribution on the surface of the surface.
  • the second joining step may be a step of forming the first joining portion by utilizing heat generated by supplying power to the heater electrode. Good.
  • the adverse effect of heating on other members for example, partial of the second joint
  • the adverse effect of heating on other members as compared with the method of heating the entire device when forming the first joint. It is possible to suppress the occurrence of heat attraction variation due to peeling), and it is possible to suppress the deterioration of the controllability of the temperature distribution on the first surface of the plate-shaped member.
  • the method for manufacturing a structure for a holding device disclosed in the present specification includes a specific member including a specific surface and a portion formed of ceramics, and a specific member arranged on the specific member and formed by a resistance heating element.
  • the heater electrode is provided, a base member having a cooling mechanism, and a joint portion arranged between the specific surface of the specific member and the base member to join the specific member and the base member.
  • This is a method for manufacturing a structure for a holding device that holds an object above the specific member.
  • the method for manufacturing the structure for the holding device includes the specific member, the heater electrode covered with a cover layer that is a part of the specific member, the base member, the specific member, and the base member.
  • the electric resistance of the heater electrode is reduced by removing a part of the heater electrode covered with the cover layer together with the cover layer. It includes an adjustment process for adjusting.
  • the specific member in a state where the base member is joined to the specific member in which the heater electrode is arranged, the specific member is cooled by the cooling mechanism of the base member and the power is supplied to the heater electrode.
  • the temperature distribution on the surface of the heater electrode is measured, and the electrical resistance of the heater electrode is adjusted by removing a part of the heater electrode covered with the cover layer together with the cover layer based on the measurement result of the temperature distribution. That is, in the method of manufacturing the structure for this holding device, after preparing the portion on the base member side from the heater electrode, the state is the same as in actual use (that is, cooling by the cooling mechanism of the base member and the heater electrode).
  • the temperature distribution on the surface of the specific member can be measured in the state where the power is supplied), and the electric resistance of the heater electrode can be adjusted based on the measurement result of the temperature distribution. Therefore, according to the method for manufacturing the structure for the holding device, the electric resistance of the heater electrode can be adjusted accurately in a short time, and as a result, the holding manufactured by using the structure for the holding device can be performed. The controllability of the temperature distribution on the object holding surface of the device can be improved.
  • the holding device disclosed in the present specification is a plate-shaped member having a first surface substantially orthogonal to the first direction and a second surface opposite to the first surface.
  • the first portion including the first surface
  • the second portion including the second surface and the portion formed of ceramics, the first portion and the second portion.
  • It has a plate-shaped member having a first joint portion for joining, a heater electrode arranged in the second portion of the plate-shaped member and formed by a resistance heating element, and a third surface.
  • the third surface is arranged so as to be located on the second surface side of the plate-shaped member, and the base member having a cooling mechanism, the second surface of the plate-shaped member, and the second surface of the base member.
  • a holding portion that is disposed between the surface of the plate 3 and includes a second joint portion that joins the plate-shaped member and the base member, and holds an object on the first surface of the plate-shaped member. It is a device.
  • the holding device has a groove on the fourth surface of the surface of the second portion of the plate-shaped member, which is a surface facing the first joint portion, and is one of the surfaces of the groove.
  • the groove is formed in which the portion is formed of a part of the surface of the heater electrode, the heater electrode is fed, and the cooling mechanism cools the heater electrode to obtain the temperature of the heater electrode and the cooling temperature.
  • the difference between the maximum value and the minimum value of the temperature on the first surface is 3.5 ° C. or less when the difference between the two is 50 ° C. or more. According to this holding device, since the temperature difference at each position on the first surface of the plate-shaped member is extremely small, the controllability of the temperature distribution on the first surface of the plate-shaped member can be effectively improved. ..
  • the edge portion of the opening of the groove may have an R shape in at least one cross section parallel to the first direction. According to this holding device, it is possible to prevent the vicinity of the edge of the groove opening in the second portion of the plate-shaped member from being chipped during manufacturing of the holding device.
  • the groove in at least one cross section parallel to the first direction, has a depth of the deepest portion from a portion other than the groove on the fourth surface to the surface of the heater electrode.
  • the shape may be deeper than the maximum value of the distance along the first direction to each position of the above.
  • the groove in at least one cross section parallel to the first direction, has a shape in which the width in the direction orthogonal to the first direction becomes narrower as the position is deeper. Good.
  • the portion where the heater electrode does not exist in the vicinity of the surface forming the groove surface of the heater electrode, becomes smaller and the heater is smaller than the configuration in which the groove width is constant in the depth direction.
  • the sudden change in electrical resistance (calorific value) is suppressed at the position of the surface forming the surface of the groove in the electrode, the deviation of the electrical resistance (calorific value) of the heater electrode is reduced, and the first plate-shaped member The controllability of the surface temperature distribution can be further effectively improved.
  • the groove in at least one cross section parallel to the first direction, may have a shape in which the line forming the surface of the groove has one or less bending points. .. According to this holding device, stress concentration at each position on the surface of the groove can be suppressed, and as a result, the occurrence of cracks starting from the surface of the groove can be suppressed.
  • a part of the first joint portion may be inserted into the groove.
  • the portion of the first joint portion that has entered the groove functions as an anchor, so that the joint strength between the first portion and the second portion by the first joint portion is improved. Can be done.
  • the technique disclosed in the present specification can be realized in various forms, for example, a holding device, an electrostatic chuck, a manufacturing method thereof, and the like.
  • FIG. 1 Perspective view schematically showing the appearance configuration of the electrostatic chuck 100 in this embodiment.
  • Flow chart showing the manufacturing method of the electrostatic chuck 100 in this embodiment Explanatory drawing which shows the outline of the manufacturing method of the electrostatic chuck 100 in this embodiment.
  • Explanatory drawing which shows the outline of the manufacturing method of the electrostatic chuck 100 in this embodiment.
  • Explanatory drawing which shows the outline of the manufacturing method of the electrostatic chuck 100 in this embodiment.
  • Explanatory drawing which shows in detail the cross-sectional structure around the heater electrode 50 in this embodiment.
  • Explanatory drawing which shows in detail the cross-sectional structure around the heater electrode 50 in the comparative example.
  • Explanatory drawing which shows in detail the cross-sectional structure around the heater electrode 50 in the modification
  • Explanatory drawing which shows the outline of the manufacturing method of the electrostatic chuck 100 in the modification
  • FIG. 1 is a perspective view schematically showing an external configuration of the electrostatic chuck 100 in the present embodiment
  • FIG. 2 is an explanatory view schematically showing an XZ cross-sectional configuration of the electrostatic chuck 100 in the present embodiment
  • 3 and 4 are explanatory views schematically showing the XY cross-sectional configuration of the electrostatic chuck 100 according to the present embodiment.
  • FIG. 3 shows the XY cross-sectional configuration of the electrostatic chuck 100 at the position III-III of FIG. 2
  • FIG. 4 shows the XY cross-sectional configuration of the electrostatic chuck 100 at the position IV-IV of FIG. It is shown.
  • each figure shows XYZ axes that are orthogonal to each other to identify the direction.
  • the Z-axis positive direction is referred to as an upward direction
  • the Z-axis negative direction is referred to as a downward direction
  • the electrostatic chuck 100 is actually installed in a direction different from such a direction. May be done.
  • the direction orthogonal to the Z-axis direction is referred to as a plane direction.
  • the Z-axis direction corresponds to the first direction in the claims.
  • the electrostatic chuck 100 is a device that attracts and holds an object (for example, a wafer W) by electrostatic attraction, and is used, for example, for fixing a wafer W in a vacuum chamber of a semiconductor manufacturing apparatus.
  • the electrostatic chuck 100 includes a plate-shaped member 10 and a base member 20 arranged side by side in a predetermined arrangement direction (in the present embodiment, the vertical direction (Z-axis direction)).
  • the plate-shaped member 10 and the base member 20 are arranged so that the lower surface S2 (see FIG. 2) of the plate-shaped member 10 and the upper surface S3 of the base member 20 face each other in the arrangement direction with the joint portion 30 described later interposed therebetween. Will be done. That is, the base member 20 is arranged so that the upper surface S3 of the base member 20 is located on the lower surface S2 side of the plate-shaped member 10.
  • the upper surface S3 of the base member 20 corresponds to the third surface in the claims.
  • the plate-shaped member 10 has a substantially circular planar upper surface (hereinafter, referred to as “adsorption surface”) S1 substantially orthogonal to the above-mentioned arrangement direction (Z-axis direction) and a lower surface S2 on the opposite side to the adsorption surface S1. It is a substantially disk-shaped member having.
  • the plate-shaped member 10 has a flange portion 109 projecting in the surface direction over the entire circumference of the outer circumference.
  • the portion of the plate-shaped member 10 excluding the flange portion 109 is referred to as a main body portion 108.
  • the diameter of the main body 108 of the plate-shaped member 10 is, for example, about 50 mm to 500 mm (usually about 200 mm to 350 mm), and the thickness of the plate-shaped member 10 is, for example, about 1 mm to 10 mm.
  • the suction surface S1 of the plate-shaped member 10 corresponds to the first surface in the claims, and the lower surface S2 of the plate-shaped member 10 corresponds to the second surface in the claims.
  • the plate-shaped member 10 is composed of an upper portion 101, a lower portion 102, and an intermediate joint portion 104 that joins the upper portion 101 and the lower portion 102. There is.
  • the lower portion 102 of the plate-shaped member 10 is a substantially flat plate-shaped portion of the plate-shaped member 10 including the lower surface S2 of the plate-shaped member 10.
  • the lower portion 102 is composed of a substrate layer 111 and a cover layer 112.
  • the substrate layer 111 is a substantially flat plate-shaped portion of the lower portion 102 including the lower surface S2 of the plate-shaped member 10
  • the cover layer 112 is the upper surface S4 (intermediate) of the lower portion 102 of the lower portion 102. It is a substantially flat plate-shaped portion including a surface facing the joint portion 104).
  • the substrate layer 111 and the cover layer 112 forming the lower portion 102 of the plate-shaped member 10 are both formed of a sintered body of ceramics (for example, alumina, aluminum nitride, etc.).
  • the lower portion 102 of the plate-shaped member 10 corresponds to the second portion in the claims, and the upper surface S4 of the lower portion 102 corresponds to the fourth surface in the claims.
  • the upper portion 101 of the plate-shaped member 10 is a substantially flat plate-shaped portion of the plate-shaped member 10 including the suction surface S1.
  • the collar portion 109 is formed on the upper portion 101.
  • the upper portion 101 of the plate-shaped member 10 is formed of a sintered body of ceramics (for example, alumina, aluminum nitride, etc.).
  • the upper portion 101 is preferably formed of a ceramic material having excellent plasma resistance as compared with the lower portion 102, and preferably has a low porosity.
  • the upper portion 101 corresponds to the first portion in the claims.
  • the intermediate joint portion 104 of the plate-shaped member 10 is made of, for example, an adhesive such as a silicone resin, an acrylic resin, or an epoxy resin, glass, metal, or the like.
  • the intermediate joint 104 may contain a filler such as ceramic powder.
  • the intermediate joint 104 corresponds to the first joint in the claims.
  • the inside of the plate-shaped member 10 (more specifically, the inside of the upper portion 101 constituting the plate-shaped member 10) is formed of a conductive material (for example, tungsten, molybdenum, platinum, etc.).
  • the chuck electrode 40 is arranged.
  • the shape of the chuck electrode 40 in the Z-axis direction is, for example, substantially circular.
  • the electrostatic chuck 100 is provided with a configuration for supplying power to the chuck electrode 40.
  • a hole 120 is formed from the lower surface S7 of the base member 20 to the inside of the plate-shaped member 10.
  • the holes 120 include through holes that penetrate the base member 20 in the vertical direction, through holes that penetrate the joint portion 30 in the vertical direction, and recesses formed from the lower surface S2 of the plate-shaped member 10 to the lower surface of the chuck electrode 40. , It is an integral hole formed by communicating with each other.
  • An insulating member is provided on the inner peripheral surface of the hole 120 (in the present embodiment, the inner peripheral surface of the portion of the hole 120 formed by the base member 20, the joint portion 30, and the lower portion 102 of the plate-shaped member 10). 44 are arranged.
  • An input pin 41 is connected to a portion of the lower surface of the chuck electrode 40 exposed to the hole 120.
  • a connector 42 provided at the tip of the wiring portion 43 arranged in the hole 120 is fitted to the input pin 41.
  • the temperature distribution of the suction surface S1 of the plate-shaped member 10 is controlled (that is, the suction surface S1).
  • a plurality of heater electrodes 50 for controlling the temperature distribution of the wafer W held in the wafer W, and a configuration (driver electrode 60, etc.) for supplying power to each heater electrode 50 are arranged. These configurations will be described in detail later.
  • the base member 20 is, for example, a circular flat plate-shaped member having the same diameter as the main body portion 108 of the plate-shaped member 10 or having a diameter larger than that of the main body portion 108 of the plate-shaped member 10, such as a metal (aluminum, aluminum alloy, etc.). ) Is formed.
  • the diameter of the base member 20 is, for example, about 220 mm to 550 mm (usually 220 mm to 350 mm), and the thickness of the base member 20 is, for example, about 20 mm to 40 mm.
  • the base member 20 is joined to the plate-shaped member 10 by a joint portion 30 arranged between the lower surface S2 of the plate-shaped member 10 and the upper surface S3 of the base member 20.
  • the joint portion 30 is made of an adhesive material such as a silicone resin, an acrylic resin, or an epoxy resin.
  • the joint portion 30 may contain a filler such as ceramic powder.
  • the thickness of the joint portion 30 is, for example, about 0.1 mm to 1 mm. It is preferable that the joint portion 30 has a higher thermal resistance than the intermediate joint portion 104 (in other words, the intermediate joint portion 104 has a lower thermal resistance than the joint portion 30).
  • the thermal resistance of the joint portion (joint portion 30 or intermediate joint portion 104) is such that the thermal conductivity of the joint portion is ⁇ , the cross-sectional area of the XY cross section at the joint portion is S, and the thickness of the joint portion is L. When it is, it is expressed as L / ( ⁇ ⁇ S).
  • the joint 30 corresponds to the second joint in the claims.
  • the base member 20 has a cooling mechanism. More specifically, the refrigerant flow path 21 is formed inside the base member 20.
  • a refrigerant for example, a fluorine-based inert liquid or water
  • the base member 20 is cooled, and heat is transferred between the base member 20 and the plate-shaped member 10 via the joint portion 30.
  • the plate-shaped member 10 is cooled by (heat transfer), and the wafer W held on the suction surface S1 of the plate-shaped member 10 is cooled. As a result, control of the temperature distribution of the wafer W is realized.
  • the electrostatic chuck 100 includes a substantially annular O-ring 90 formed so as to surround the lower portion 102 of the plate-shaped member 10 and the outer periphery of the laminated body of the intermediate joint portion 104 and the joint portion 30.
  • the O-ring 90 is formed of an insulator such as rubber.
  • the O-ring 90 is in close contact with the lower surface of the flange portion 109 formed on the upper portion 101 and the upper surface S3 of the base member 20, so that the joint portion 30 and the intermediate joint portion 104 are exposed to plasma or the like and deteriorate. To prevent.
  • the electrostatic chuck 100 includes a plurality of heater electrodes 50 (more specifically, three heater electrodes 50A, 50B, 50C) (see FIG. 3).
  • the plurality of heater electrodes 50 are arranged on the upper surface S8 (the surface opposite to the surface facing the joint portion 30) of the substrate layer 111 constituting the lower portion 102 of the plate-shaped member 10. .. That is, the plurality of heater electrodes 50 are arranged so as to be sandwiched between the substrate layer 111 and the cover layer 112 forming the lower portion 102 of the plate-shaped member 10.
  • the main body 108 of the plate-shaped member 10 is virtually divided into three segments Z (Za, Zb, Zc) arranged in the plane direction. .. More specifically, the main body 108 of the plate-shaped member 10 is divided into three segments Z by two circular virtual dividing lines VL (VL1, VL2) concentric with the outer peripheral line of the main body 108 in the Z-axis direction. It is virtually divided into.
  • the shape of each segment Z in the Z-axis direction is substantially circular or substantially annular.
  • Each of the plurality of heater electrodes 50 is arranged in one of the plurality of segments Z set in the main body 108 of the plate-shaped member 10. Specifically, of the three heater electrodes 50, one heater electrode 50A is arranged in the segment Za located on the outermost side of the three segments Z, and the other heater electrode 50C is It is arranged in the segment Zc located on the side closest to the center of the three segments Z, and the remaining one heater electrode 50B is arranged in the segment Zb sandwiched between the segment Za and the segment Zc.
  • Each heater electrode 50 has a heater line portion 51 which is a linear resistance heating element in the Z-axis direction, and a heater pad portion 52 connected to both ends of the heater line portion 51.
  • the heater line portion 51 and the heater pad portion 52 constituting the heater electrode 50 are made of a conductive material (for example, tungsten, molybdenum, platinum, copper, etc.).
  • the shape of the heater line portion 51 in the Z-axis direction is substantially circular or substantially spiral.
  • the electrostatic chuck 100 has a configuration for supplying power to each heater electrode 50.
  • the electrostatic chuck 100 includes a plurality of driver electrodes 60 (more specifically, six driver electrodes 60) (see FIG. 4).
  • Each driver electrode 60 has a conductor pattern having a predetermined shape parallel to the plane direction, and is made of a conductive material (for example, tungsten, molybdenum, platinum, etc.).
  • the plurality of driver electrodes 60 are arranged inside the substrate layer 111 constituting the lower portion 102 of the plate-shaped member 10. Further, the plurality of driver electrodes 60 are arranged at the same positions as each other in the Z-axis direction.
  • the driver electrode 60 is different from the heater electrode 50 in that it satisfies at least one of the following (1) and (2).
  • the cross-sectional area of the driver electrode 60 in the direction perpendicular to the current flow direction is five times or more the similar cross-sectional area of the heater electrode 50.
  • the resistance of the heater electrode 50 between one via connected to the driver electrode 60 and the other via is the resistance of the driver electrode 60 between the via connected to the heater electrode 50 and the via connected to the feeding terminal 74. It is more than 5 times.
  • the six driver electrodes 60 included in the electrostatic chuck 100 constitute three driver electrode pairs 600 (600A, 600B, 600C) each composed of a pair of driver electrodes 60. are doing.
  • the three driver electrode pairs 600 correspond to the three heater electrodes 50 (50A, 50B, 50C).
  • one of the pair of driver electrodes 60 constituting one driver electrode pair 600 (for example, driver electrode pair 600A) is interposed via a heater-side via 71 formed of a conductive material. , Is electrically connected to one heater pad portion 52 of the corresponding heater electrode 50 (for example, the heater electrode 50A).
  • the other of the pair of driver electrodes 60 constituting the driver electrode pair 600 is the other of the corresponding heater electrodes 50 (for example, heater electrode 50A) via the heater side via 71. It is electrically connected to the heater pad portion 52.
  • the electrostatic chuck 100 is formed with a plurality of terminal holes 110 extending from the lower surface S7 of the base member 20 to the inside of the plate-shaped member 10.
  • the terminal holes 110 include a through hole 22 that penetrates the base member 20 in the vertical direction, a through hole 32 that penetrates the joint portion 30 in the vertical direction, and a recess 13 formed on the lower surface S2 side of the plate-shaped member 10. Is an integral hole formed by communicating with each other.
  • Each terminal hole 110 accommodates a power supply terminal 74, which is a substantially columnar member formed of a conductive material. Further, a feeding electrode (electrode pad) 73 formed of a conductive material is arranged on the bottom surface of the recess 13 of the plate-shaped member 10 constituting each terminal hole 110. The upper end portion of the power feeding terminal 74 is joined to the power feeding electrode 73 by, for example, brazing.
  • one of the pair of driver electrodes 60 constituting each driver electrode pair 600 is via a feeding side via 72 extending from the driver electrode 60 to the lower surface S2 side of the plate-shaped member 10.
  • the other of the pair of driver electrodes 60 is electrically connected to one feeding electrode 73, and the other of the pair of driver electrodes 60 is electrically connected to the other feeding electrode 73 via the other feeding side via 72.
  • Each power supply terminal 74 is connected to a power source (not shown). The voltage from the power source is applied to each heater electrode 50 via the power supply terminal 74, the power supply electrode 73, the power supply side via 72, the driver electrode 60, and the heater side via 71. When a voltage is applied to each heater electrode 50, each heater electrode 50 generates heat to heat the plate-shaped member 10, thereby controlling the temperature distribution of the suction surface S1 of the plate-shaped member 10 (that is, the suction surface S1). Control of the temperature distribution of the wafer W held on the surface) is realized.
  • the electrostatic chuck 100 of the present embodiment power is supplied to each heater electrode 50, and the base member 20 is cooled by the cooling mechanism (supply of the refrigerant to the refrigerant flow path 21) to obtain the temperature of the heater electrode 50.
  • the difference from the cooling temperature (refrigerant temperature) is 50 ° C. or more
  • the difference between the maximum value and the minimum value of the temperature on the suction surface S1 of the plate-shaped member 10 is 3.5 ° C. or less. .. That is, the temperature difference at each position of the suction surface S1 of the plate-shaped member 10 is extremely small.
  • Such a configuration can be realized, for example, by manufacturing the electrostatic chuck 100 according to the manufacturing method of the electrostatic chuck 100 of the present embodiment described below.
  • the temperature at each position of the heater electrode and the suction surface S1 can be measured by using a temperature measuring device such as an IR camera.
  • the temperature difference is more preferably 2.5 ° C. or lower, and even more preferably 1.5 ° C
  • FIG. 5 is an explanatory view showing in detail the cross-sectional configuration around the heater electrode 50 in the present embodiment.
  • FIG. 5 shows an enlarged XZ cross-sectional structure of the X1 portion of FIG.
  • a groove 86 is formed on the upper surface S4 (that is, the surface facing the intermediate joint portion 104) of the lower portion 102 constituting the plate-shaped member 10. ing.
  • the number of grooves 86 formed on the upper surface S4 of the lower portion 102 may be one or a plurality.
  • the groove 86 has a shape in which the position near the center in the width direction of the heater electrode 50 extends along the stretching direction of the heater electrode 50 in the Z-axis direction (see column G in FIG. 9 to be described later).
  • a part of the surface of the groove 86 formed on the upper surface S4 of the lower part 102 is composed of a part of the surface of the heater electrode 50. More specifically, in the present embodiment, a part of the surface of the groove 86 is composed of side surfaces 58 near the center in the width direction of the heater electrode 50. Further, the groove 86 has a depth that reaches the heater electrode 50. In other words, in at least one cross section parallel to the Z-axis direction (for example, a cross section orthogonal to the stretching direction of the heater electrode 50 as shown in FIG.
  • the depth D1 of the deepest portion 85 of the groove 86 is ,
  • the distance to the upper surface 56) is deeper.
  • the depth of the groove 86 is such that it penetrates the heater electrode 50 in the thickness direction.
  • the depth D1 of the deepest portion 85 of the groove 86 is the lower portion 102.
  • the maximum value L2 of the distance along the Z-axis direction from the portion other than the groove 86 on the upper surface S4 to each position on the surface of the heater electrode 50 (that is, the distance from the upper surface S4 of the lower portion 102 to the lower surface 57 of the heater electrode 50). ) Deeper.
  • the groove 86 has a tapered shape in at least one cross section parallel to the Z-axis direction (for example, a cross section orthogonal to the stretching direction of the heater electrode 50 as shown in FIG. 5).
  • the groove 86 has a shape in which the width (width in the direction orthogonal to the Z axis) becomes narrower at a deeper position (that is, at a lower position) in the cross section.
  • the groove 86 has a substantially V shape in the cross section. Therefore, in the cross section, the groove 86 has a shape in which only one line forming the surface of the groove 86 has a bending point (a point corresponding to the deepest portion 85).
  • the edge portion 88 of the opening of the groove 86 has an R shape.
  • the fact that the edge portion 88 of the opening of the groove 86 has an R shape means that the shape of the edge portion 88 is a gentle shape without bending points.
  • the radius of curvature of the edge 88 of the opening of the groove 86 in the R shape does not have to be constant.
  • the radius of curvature is preferably, for example, 15 ⁇ m or more.
  • the insulating material 87 is arranged in the groove 86.
  • an adhesive such as a silicone resin, an acrylic resin, or an epoxy resin, glass, or the like is used.
  • FIG. 6 is a flowchart showing a method of manufacturing the electrostatic chuck 100 according to the present embodiment.
  • 7 to 10 are explanatory views showing an outline of a method for manufacturing the electrostatic chuck 100 according to the present embodiment. In FIGS. 7 to 10, the illustration of a part of the configuration of the electrostatic chuck 100 during the manufacturing process or the manufacturing completion is omitted.
  • an upper structure 11 including an upper portion 101a and a chuck electrode 40 arranged inside the upper portion 101a is manufactured (see S110, column A in FIG. 7).
  • the upper portion 101a is a structure that becomes the upper portion 101 of the electrostatic chuck 100 after the production is completed.
  • the upper portion 101a may be completely the same as the upper portion 101, or may become the upper portion 101 as a result of various processing on the upper portion 101a.
  • the method for producing the upper structure 11 is as follows, for example. First, a plurality of ceramic green sheets are produced, and a predetermined processing is performed on a predetermined ceramic green sheet. Examples of the predetermined processing include printing of a metallized paste for forming the chuck electrode 40 and the like, drilling processing, and the like. A laminated body of ceramic green sheets is produced by laminating these ceramic green sheets, thermocompression bonding, and processing such as cutting. The upper structure 11 is obtained by firing the laminated body of the produced ceramic green sheet. If necessary, the upper portion 101a constituting the upper structure 11 may be warped or the surface may be polished.
  • a heater pattern 501 is formed on the upper surface S8 of a predetermined ceramic green sheet (hereinafter referred to as "specific ceramic green sheet 81") with a heater material which is a material for forming the heater electrode 50, and a heater electrode described later is formed.
  • One or more reference patterns 502, which serve as a reference when removing a part of 50, are formed (S120, see column B in FIG. 7).
  • the heater pattern 501 is formed by, for example, screen printing a metallized ink which is a material for forming the heater electrode 50 (material for a heater).
  • the shape of the heater pattern 501 is a shape determined according to the design shape of the heater electrode 50.
  • the reference pattern 502 is formed by, for example, screen printing a predetermined material (for example, the same metallized ink as the material for forming the heater electrode 50).
  • the material for forming the reference pattern 502 is preferably the same as the material for forming the heater pattern 501.
  • the reference pattern 502 can have any shape, but in the present embodiment, it has a substantially circular plate shape in the Z-axis direction (see column C in FIG. 7).
  • the heater pattern 501 and the reference pattern 502 may be formed by the same step, or may be formed in order by different steps. Further, the heater pattern 501 and the reference pattern 502 may be formed by a method other than screen printing (for example, a method by photolithography).
  • the specific ceramic green sheet 81 becomes a part of the substrate layer 111a (the portion on the upper surface S8 side on which the heater electrode 50a is arranged) constituting the lower portion 102a of the plate-shaped member 10 by the firing step described later. Therefore, the specific ceramic green sheet 81 is subjected to necessary processing (perforation for forming vias, filling with metallized paste, etc.).
  • the step of S120 corresponds to the forming step in the claims, and the specific ceramic green sheet 81 corresponds to the first ceramic green sheet in the claims.
  • the cover layer 112a covering the heater pattern 501 is arranged on the specific ceramic green sheet 81 (see S130, column C in FIG. 7).
  • the cover layer 112a is a sheet-like member formed of an insulating material (ceramics in this embodiment).
  • the cover layer 112a has, for example, a disk shape having substantially the same diameter as the upper surface S8 on which the heater pattern 501 of the specific ceramic green sheet 81 is formed, and is crimped so as to cover the entire upper surface S8 of the specific ceramic green sheet 81.
  • a through hole 84 penetrating in the thickness direction is formed in the cover layer 112a at a position overlapping the reference pattern 502 formed on the specific ceramic green sheet 81.
  • the reference pattern 502 is exposed (visible) through the through hole 84 formed in the cover layer 112a.
  • one or more through holes 84 are formed in the cover layer 112a.
  • the step of S130 corresponds to the arrangement step in the claims, and the through hole 84 formed in the cover layer 112a corresponds to the first hole and the second hole in the claims.
  • the specific ceramic green sheet 81 is formed by laminating one or a plurality of other ceramic green sheets 82 on the surface of the specific ceramic green sheet 81 opposite to the upper surface S8 on which the heater pattern 501 is formed.
  • a laminated body 15 in which a plurality of ceramic green sheets 81 and 82 including the above are laminated is produced (see S140, column D in FIG. 8).
  • the laminated body 15 is manufactured by laminating a plurality of ceramic green sheets 81 and 82, thermocompression bonding, and performing processing such as cutting.
  • the other ceramic green sheet 82 becomes a part of the substrate layer 111a (the portion on the surface side facing the joint portion 30) constituting the lower portion 102a of the plate-shaped member 10 by the firing step described later. Therefore, the other ceramic green sheet 82 is subjected to necessary processing (printing of metallized paste for forming the driver electrode 60, feeding electrode 73, etc., drilling for forming various vias, and filling of the metallized paste). Etc.).
  • the produced laminated body 15 is fired to produce a lower structure 12 including a lower portion 102a of the plate-shaped member 10 and a heater electrode 50a (see S150, column E in FIG. 8). ..
  • the lower portion 102a of the plate-shaped member 10 is a member formed by firing a substrate layer 111a, which is a ceramics sintered body formed by firing ceramic green sheets 81, 82, and a cover layer 112a. (For convenience, this is also referred to as a cover layer 112a.).
  • the heater electrode 50a is formed by firing the heater pattern 501.
  • the lower portion 102a (cover layer 112a and substrate layer 111a) and the heater electrode 50a are attached to the lower portion 102 (cover layer 112 and substrate layer 111) and the heater electrode 50 in the electrostatic chuck 100 after the production is completed, respectively. It is a structure.
  • the lower portion 102a and the heater electrode 50a may be completely the same as the lower portion 102 and the heater electrode 50, respectively, or as a result of various processing on the lower portion 102a and the heater electrode 50a, as a result. It may be the lower portion 102 and the heater electrode 50.
  • the steps S140 and S150 correspond to firing steps within the claims.
  • a first warp correction step is performed in which the lower portion 102a is heated while applying a load to correct the warp.
  • a pair of pressure members for example, a tungsten plate or a molybdenum plate
  • a load for example, 3 to 20 kPa
  • a treatment of heating at a predetermined temperature for example, 1400 to 1500 ° C.
  • a second warp correction step is performed in which the upper surface S4 of the cover layer 112a (fired cover layer 112a) constituting the lower portion 102a is polished to correct the warp of the lower portion 102a.
  • the cover layer 112a has a thickness such that the heater electrode 50a is not exposed even if polishing is performed to correct the warp.
  • the thickness of the cover layer 112a constituting the lower portion 102a is measured (S170). As described above, since one or more through holes 84 are formed in the cover layer 112a, the thickness of the cover layer 112a is measured at the position of each through hole 84. The thickness of the cover layer 112a is preferably measured at a plurality of points.
  • the step of S170 corresponds to the thickness measuring step in the claims.
  • the feeding terminal 74 is joined to the feeding electrode 73 formed in the lower structure 12 by, for example, brazing (see S180, column F in FIG. 9).
  • the surface of the feeding electrode 73 may be plated (for example, nickel-plated).
  • the lower portion 102a constituting the lower structure 12 and the base member 20 are joined by the joining portion 30 (see S190, column F in FIG. 9). More specifically, for example, an adhesive containing a silicone-based resin (paste-like adhesive or sheet-like adhesive) is arranged on the upper surface S3 of the base member 20, and the lower portion 102a is included on the adhesive. By arranging the side structure 12 and performing a curing treatment to cure the adhesive, a joint portion 30 for joining the lower portion 102a constituting the lower structure 12 and the base member 20 is formed.
  • the step of S190 corresponds to the first joining step in the claims.
  • the temperature distribution of the upper surface S4 (the surface opposite to the surface facing the joint portion 30) is measured (S200).
  • the temperature distribution is measured, for example, by measuring the temperatures of a plurality of measurement points on the upper surface S4 of the lower portion 102a.
  • the step of S200 corresponds to the temperature measuring step in the claims.
  • the electric resistance of the heater electrode 50a is adjusted by removing a part of the heater electrode 50a covered with the cover layer 112a together with the cover layer 112a, thereby adjusting the heater electrode 50a. Adjust the calorific value of (S210, see column G in FIG. 9). When a part of the heater electrode 50a is removed, the cross-sectional area of the part of the heater electrode 50a becomes smaller, so that the electric resistance increases and the amount of heat generated by the part of the heater electrode 50a increases. Therefore, for example, the temperature of the portion of the heater electrode 50a that was relatively low in the measurement result of the temperature distribution of S200 can be corrected to the high temperature side.
  • the step of S210 corresponds to the adjustment step in the claims.
  • the heater electrode 50a When removing the heater electrode 50a (and the cover layer 112a), the heater electrode 50a is removed in the plane direction with reference to the position of the reference pattern 502 exposed through the through hole 84 formed in the cover layer 112a. The position is set. Since the reference pattern 502 is formed on the specific ceramic green sheet 81 before firing like the heater pattern 501 which is the heater electrode 50a before firing, the heater electrode 50a is formed even if the ceramics shrink in the firing step. The relative positional relationship between and the reference pattern 502 does not change. Therefore, by setting the removal position of the heater electrode 50a with reference to the position of the reference pattern 502, the heater electrode 50a can be removed with high accuracy.
  • the removal position of the heater electrode 50a in the plane direction is a portion (center portion) other than the end portion in the width direction of the heater electrode 50a (X-axis direction in the G column of FIG. 9) as shown in the G column of FIG. Is preferable. That is, it is preferable that the heater electrode 50a is removed so that the groove 86 is formed along the stretching direction of the heater electrode 50a (Y-axis direction in the G column of FIG. 9). By doing so, even if the removal position of the heater electrode 50a in the width direction is deviated, it is possible to suppress the deviation of the width of the heater electrode 50a being removed.
  • the heater electrode 50a It is possible to suppress the variation in the adjustment effect of the electric resistance (calorific value) of the heater electrode 50a due to the removal of the heater electrode 50a, and it is possible to accurately adjust the electric resistance (calorific value) of the heater electrode 50a.
  • the heater electrode 50a may be removed so that a plurality of grooves 86 arranged in the width direction of the heater electrode 50a are formed.
  • a groove 86 is formed in a certain portion of the heater electrode 50a, and further, if a groove 86 is formed in another portion of the heater electrode 50a adjacent to the portion, such a groove 86 is not formed.
  • the effect of adjusting the electric resistance (calorific value) of the heater electrode 50a (the effect of increasing the electric resistance (calorific value)) due to the formation of the groove 86 along the one is higher.
  • the removal depth is set based on the thickness of the cover layer 112a measured in S170. This is because the depth of the heater electrode 50a to be removed may differ depending on the thickness of the cover layer 112a even if the removal depth is the same.
  • the removal depth as shown in column G of FIG. 9, the entire thickness direction of the heater electrode 50a is removed (that is, a part of the substrate layer 111a under the heater electrode 50a is also removed). It is preferable that it is set as follows.
  • the electric resistance (calorific value) of the heater electrode 50a can be adjusted with high accuracy.
  • the laser oscillator LO irradiates the upper surface S4 (the surface on the side where the cover layer 112a is arranged) of the lower portion 102a with the laser beam LB. This is done by forming a groove 86 on the upper surface S4 of the lower portion 102a. A part of the surface of the groove 86 thus formed is composed of a part of the surface of the heater electrode 50a (the surface exposed by the removal). Further, in the present embodiment, the cross-sectional shape of the groove 86 is substantially V-shaped as shown in column G of FIG. 9, and therefore, as described above, when the heater electrode 50a is removed, the thickness of the cover layer 112a is thick.
  • the removal depth it is more preferable to set the removal depth based on the above. If an ultrashort pulse laser having a pulse width in the femtosecond region ( 10-15 ) to the picosecond region ( 10-12 ) of the laser light LB is used, the temperature rises due to the heat generated by the irradiation of the laser light LB. Since the rate at which the generated heat diffuses to the base material is faster than the rate, the effect of heat during processing is small, and problems such as the shape of the peripheral part of the removed part becoming unstable due to the effect of heat are suppressed. It is preferable because it can be used. Further, the removal of the heater electrode 50a can also be realized by another method (for example, polishing by shot blasting or a machining device).
  • the shape of the groove 86 can be adjusted by, for example, adjusting the irradiation intensity and the number of times of irradiation of the laser beam LB, or adjusting the particle size and speed of shot blasting when forming the groove 86. be able to. Further, in the present embodiment, in at least one cross section parallel to the Z-axis direction (for example, a cross section orthogonal to the stretching direction of the heater electrode 50 as shown in FIG. 5), the edge 88 of the opening of the groove 86 Is R-shaped.
  • the groove 86 having such a shape can be formed by, for example, forming the groove 86 by irradiation with laser light LB or the like, and then buffing the edge portion 88 of the opening of the groove 86.
  • the groove 86 having such a shape can be formed by, for example, reducing the number of times the laser light LB is irradiated toward the end of the groove 86 in the width direction when the groove 86 is formed by irradiating the laser light LB. Can also be formed.
  • the temperature distribution of the upper surface S4 of the lower portion 102a is measured again in the same manner as in the step of S200, and the heater electrode 50a is measured.
  • the result of adjusting the electric resistance (calorific value) of the heater electrode 50a may be confirmed, it may be determined whether or not the heater electrode 50a needs to be removed again, and if necessary, the heater electrode 50a may be removed again. By doing so, it is possible to realize fine adjustment of the electric resistance (calorific value) of the heater electrode 50a, prevent over-adjustment, and shorten the adjustment time.
  • the presence or absence of adjustment of the electric resistance (calorific value) of the heater electrode 50a can be confirmed by, for example, the presence or absence of a change in the resistance value of the heater electrode 50a or the presence or absence of a change in the image by the IR camera.
  • the groove 86 (the portion removed in the adjusting step) formed in the upper surface S4 of the lower portion 102a and the through hole 84 formed in the cover layer 112a are filled with the insulating material 87 (S220, FIG. See column H of 10).
  • the same material as that of the intermediate joint portion 104 is used as the insulating material 87.
  • the step of S220 corresponds to the filling step in the claims.
  • the upper portion 101a constituting the upper structure 11 produced in S110 is joined to the upper surface S4 of the lower portion 102a constituting the lower structure 12 by the intermediate joining portion 104 (S230, FIG. 10). See column I). More specifically, for example, an adhesive containing a silicone-based resin (paste-like adhesive or sheet-like adhesive) is arranged on the upper surface S4 of the lower portion 102a, and the upper portion 101a is arranged on the adhesive. By performing a curing treatment for curing the adhesive, an intermediate joint portion 104 for joining the lower portion 102a and the upper portion 101a is formed. By the step of S230, a plate-shaped member 10 including a lower portion 102a, an intermediate joint portion 104, and an upper portion 101a is produced.
  • a silicone-based resin paste-like adhesive or sheet-like adhesive
  • the intermediate joint portion 104 is formed by performing a curing treatment for curing the adhesive by utilizing the heat generated by supplying power to the heater electrode 50. Further, after the step of S230, processing such as polishing of the suction surface S1 of the plate-shaped member 10 may be performed.
  • the step of S230 corresponds to the second joining step in the claims.
  • the O-ring 90 is attached so as to surround the lower portion 102a of the plate-shaped member 10 and the outer periphery of the laminated body of the intermediate joint portion 104 and the joint portion 30 (see column I in S240 and FIG. 10).
  • the electrostatic chuck 100 having the above-described configuration is manufactured mainly by the above steps.
  • the electrostatic chuck 100 of the present embodiment includes a plate-shaped member 10, a base member 20, and a joint portion 30.
  • the plate-shaped member 10 is a plate-shaped member having a suction surface S1 and a lower surface S2 on the opposite side of the suction surface S1.
  • the plate-shaped member 10 is an intermediate joint portion that joins the upper portion 101 including the suction surface S1, the lower portion 102 including the lower surface S2 and the portion formed of ceramics, and the upper portion 101 and the lower portion 102. It has 104 and.
  • a heater electrode 50 formed by a resistance heating element is arranged on the lower portion 102 of the plate-shaped member 10.
  • the base member 20 is a member having an upper surface S3 and arranged so that the upper surface S3 is located on the lower surface S2 side of the plate-shaped member 10.
  • the base member 20 has a cooling mechanism. That is, the refrigerant flow path 21 is formed inside the base member 20.
  • the joint portion 30 is arranged between the lower surface S2 of the plate-shaped member 10 and the upper surface S3 of the base member 20, and joins the plate-shaped member 10 and the base member 20.
  • the method for manufacturing the electrostatic chuck 100 of the present embodiment includes a step of forming the heater pattern 501 on the specific ceramics green sheet 81 with the material for forming the heater electrode 50 (forming step, S120) and the specific ceramics green sheet 81.
  • a step of joining the lower portion 102 of the 10 and the base member 20 (first joining step, S190), cooling by the cooling mechanism of the base member 20 (supply of the refrigerant to the refrigerant flow path 21), and the heater electrode 50.
  • a step of measuring the temperature distribution of the surface (upper surface S4) of the lower portion 102 of the plate-shaped member 10 opposite to the surface facing the joint portion 30 (temperature measurement step, S200) while supplying power to the plate-shaped member 10.
  • a step of joining the lower portion 102 and the upper portion 101 of the plate-shaped member 10 by the intermediate joining portion 104 (second joining step, S230).
  • the base member 20 is joined to the lower portion 102 of the plate-shaped member 10 on the lower surface S2 side where the heater electrode 50 is arranged.
  • the temperature distribution of the upper surface S4 of the lower portion 102 is measured while cooling the base member 20 by the cooling mechanism (supplying the refrigerant to the refrigerant flow path 21) and supplying power to the heater electrode 50.
  • the electric resistance (calorific value) of the heater electrode 50 is adjusted by removing a part of the heater electrode 50 covered with the cover layer 112 together with the cover layer 112, and then the plate-shaped member 10
  • the upper portion 101 is joined to the lower portion 102.
  • the state is the same as in actual use (that is, to the refrigerant flow path 21).
  • the temperature distribution of the upper surface S4 of the lower portion 102 is measured in the state where the refrigerant is supplied and the heater electrode 50 is supplied with electricity, and the electric resistance (heat generation) of the heater electrode 50 is based on the measurement result of the temperature distribution. Amount) can be adjusted.
  • the electric resistance (calorific value) of the heater electrode 50 can be adjusted accurately in a short time, and as a result, the suction surface of the plate-shaped member 10 can be adjusted.
  • the controllability of the temperature distribution of S1 can be improved.
  • the high controllability of the temperature distribution of the suction surface S1 of the plate-shaped member 10 means that the temperature distribution of the entire suction surface S1 is close to uniform and that the temperature distribution of the suction surface S1 for each segment Z is high. Includes at least one meaning that is close to uniform.
  • the heater pattern 501 which is a material for forming the heater electrode 50
  • the cover layer 112 since firing is performed in a state where the heater pattern 501, which is a material for forming the heater electrode 50, is covered with the cover layer 112, the heater pattern 501 is altered during firing. (For example, volatilization and sublimation) can be suppressed, the resistance value of the heater electrode 50 varies due to the alteration of the heater pattern 501, and the controllability of the temperature distribution of the suction surface S1 of the plate-shaped member 10 deteriorates. It can be suppressed.
  • the method for manufacturing the electrostatic chuck 100 of the present embodiment further includes a step (filling step, S220) of filling the portion removed in the adjusting step (S210) with the insulating material 87. Therefore, according to the method of manufacturing the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, it is possible to prevent gas from entering the inside of the plate-shaped member 10 while preventing a short circuit between the heater electrodes 50.
  • a through hole 84 penetrating in the thickness direction is formed in the cover layer 112 arranged in the arrangement step (S130), and the manufacturing method is further described.
  • a step (thickness measuring step, S170) of measuring the thickness of the cover layer 112 at the position of the through hole 84 is provided. Therefore, according to the method of manufacturing the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the removal depth of the cover layer 112 and the heater electrode 50 in the adjustment step can be appropriately set based on the thickness of the cover layer 112, and the heater can be set appropriately.
  • the electrical resistance (calorific value) of the electrode 50 can be adjusted with high accuracy, and as a result, the controllability of the temperature distribution of the suction surface S1 of the plate-shaped member 10 can be effectively improved.
  • the manufacturing method of the electrostatic chuck 100 of the present embodiment further includes a step of correcting the warp of the lower portion 102 (warp correction step, S160).
  • the warp correction step includes a step of correcting the warp by heating the lower portion 102 of the plate-shaped member 10 while applying a load (first warp correction step) after the firing step (S150), and a first warp correction step.
  • the cover layer 112 is polished to correct the warp of the lower portion 102 (second warp correction step). Therefore, according to the manufacturing method of the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the warp of the lower portion 102 that cannot be completely corrected by the first warp correction step is corrected by the second warp correction step of polishing the cover layer 112.
  • the warp of the lower portion 102 and, by extension, the warp of the plate-shaped member 10 can be effectively reduced.
  • the heater electrode 50 is covered with the cover layer 112, so that the heater electrode 50 is cured for warping. It is possible to prevent the temperature distribution of the suction surface S1 of the plate-shaped member 10 from being lowered in controllability due to the change in the resistance value of the heater electrode 50 due to the deterioration caused by the reaction with the tool.
  • the reference pattern 502 is formed on the specific ceramic green sheet 81 with a predetermined material.
  • the cover layer 112 arranged in the arrangement step (S130) including the formation a through hole 84 penetrating in the thickness direction is formed at a position overlapping with the reference pattern 502, and the electric resistance of the heater electrode 50 is formed.
  • the adjusting step (S210) for adjusting (calorific value) the removal position in the heater electrode 50 is set with reference to the position of the reference pattern 502 exposed through the through hole 84 formed in the cover layer 112.
  • the heater electrode 50 can be removed with high accuracy by setting the removal position with reference to the position of the reference pattern 502, and the heater electrode 50 can be removed.
  • the electrical resistance (calorific value) can be adjusted with high accuracy, and as a result, the controllability of the temperature distribution of the suction surface S1 of the plate-shaped member 10 can be effectively improved.
  • the thickness of the cover layer 112 is further increased at the position of the through hole 84 for exposing the reference pattern 502 after the firing step (S150) of firing the laminated body 15.
  • a thickness step (measurement step, S170) for measuring the static electricity is provided. Therefore, according to the method of manufacturing the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the thickness of the cover layer 112 is measured by using the through hole 84 formed in the cover layer 112 in order to expose the reference pattern 502. Therefore, the number of holes formed in the cover layer 112 can be reduced, and it is possible to prevent the controllability of the temperature distribution of the suction surface S1 of the plate-shaped member 10 from being lowered due to the presence of the holes. ..
  • the intermediate joint portion 104 has a lower thermal resistance than the joint portion 30. Therefore, according to the method for manufacturing the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, it is possible to suppress a decrease in the responsiveness of heat generation and / or cooling in the plate-shaped member 10 due to the presence of the intermediate joint portion 104. , It is possible to suppress the deterioration of the controllability of the temperature distribution of the suction surface S1 of the plate-shaped member 10.
  • the second joining step (S230) of joining the lower portion 102 and the upper portion 101 of the plate-shaped member 10 by the intermediate joining portion 104 is the heater electrode 50.
  • the cover layer 112 in the lower portion 102 of the plate-shaped member 10 is arranged. This is a step of removing the heater electrode 50 by irradiating the surface on the side of the surface with a laser beam LB. Therefore, according to the manufacturing method of the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the removal accuracy of the heater electrode 50 in the adjustment step can be improved, and the electric resistance (calorific value) of the heater electrode 50 can be adjusted with high accuracy. As a result, the controllability of the temperature distribution of the suction surface S1 of the plate-shaped member 10 can be effectively improved.
  • the electrostatic chuck 100 of the present embodiment includes a plate-shaped member 10, a base member 20, and a joint portion 30.
  • the plate-shaped member 10 is a plate-shaped member having a suction surface S1 substantially orthogonal to the Z-axis direction and a lower surface S2 on the opposite side of the suction surface S1.
  • the plate-shaped member 10 is an intermediate joint portion that joins the upper portion 101 including the suction surface S1, the lower portion 102 including the lower surface S2 and the portion formed of ceramics, and the upper portion 101 and the lower portion 102. It has 104 and.
  • a heater electrode 50 formed by a resistance heating element is arranged on the lower portion 102 of the plate-shaped member 10.
  • the base member 20 is a member having an upper surface S3 and arranged so that the upper surface S3 is located on the lower surface S2 side of the plate-shaped member 10.
  • the base member 20 has a cooling mechanism. That is, the refrigerant flow path 21 is formed inside the base member 20.
  • the joint portion 30 is arranged between the lower surface S2 of the plate-shaped member 10 and the upper surface S3 of the base member 20, and joins the plate-shaped member 10 and the base member 20.
  • a groove 86 is formed on the upper surface S4, which is the surface of the lower portion 102 of the plate-shaped member 10 facing the intermediate joint portion 104. A part of the surface of the groove 86 is formed by a part of the surface of the heater electrode 50.
  • the electrostatic chuck 100 of the present embodiment power is supplied to the heater electrode 50 and cooling (supplying the refrigerant to the refrigerant flow path 21) by the cooling mechanism of the base member 20 is performed to cool the temperature of the heater electrode 50.
  • the difference between the maximum value and the minimum value of the temperature on the suction surface S1 of the plate-shaped member 10 is 3.5 ° C. or less when the difference from the temperature (refrigerant temperature) is 50 ° C. or more.
  • the groove 86 is formed on the upper surface S4 of the lower portion 102 of the plate-shaped member 10, and a part of the surface of the groove 86 is the surface of the heater electrode 50.
  • the temperature difference at each position of the suction surface S1 of the plate-shaped member 10 in a state where the heater electrode 50 is supplied with power and the base member 20 is cooled by the cooling mechanism is extremely small. It has become. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the controllability of the temperature distribution of the suction surface S1 of the plate-shaped member 10 can be effectively improved.
  • the groove 86 of the opening is R-shaped. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, as compared with the configuration in which the edge portion 88 has a shape with sharp corners instead of an R shape, the vicinity of the edge portion 88 is present at the time of manufacturing the electrostatic chuck 100 or the like.
  • the force When a force is applied to the groove 86, the force can be released so as to slide, the area of the cross section to be impacted can be increased, and the vicinity of the edge 88 of the opening of the groove 86 can be suppressed from being chipped. it can.
  • the groove 86 in at least one cross section parallel to the Z-axis direction (for example, a cross section orthogonal to the stretching direction of the heater electrode 50 as shown in FIG. 5), the groove 86
  • the shape is such that the depth D1 of the deepest portion 85 of the groove 86 is the maximum value L2 of the distance along the Z-axis direction from the portion other than the groove 86 on the upper surface S4 of the lower portion 102 to each position on the surface of the heater electrode 50. (That is, the distance to the lower surface 57 of the heater electrode 50) is deeper. That is, the groove 86 has a shape that penetrates the heater electrode 50.
  • the groove 86 has a shape that penetrates the heater electrode 50, as shown in FIG.
  • the crack CR extends to the inside of the heater electrode 50. It is possible to avoid a change in the electrical resistance of the heater electrode 50 upon reaching it. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, it is possible to prevent the crack CR generated inside the lower portion 102 from reaching the inside of the heater electrode 50 and changing the electrical resistance of the heater electrode 50. As a result, it is possible to avoid a change in the calorific value of the heater electrode 50, and it is possible to further effectively improve the controllability of the temperature distribution of the suction surface S1 of the plate-shaped member 10.
  • the groove 86 is formed in at least one cross section parallel to the Z-axis direction (for example, a cross section orthogonal to the stretching direction of the heater electrode 50 as shown in FIG. 5). The deeper the position (that is, the lower the position), the narrower the width (the width in the direction orthogonal to the Z axis).
  • the groove 86X has a shape having a constant width (a shape having a rectangular cross section).
  • the portion where the heater electrode 50 does not exist becomes large, and the electric resistance (calorific value) is at the position of the surface forming the surface of the groove 86X in the heater electrode 50. ) Changes rapidly, so that the electrical resistance (calorific value) of the heater electrode 50 becomes more biased.
  • the groove 86 has a shape in which the width becomes narrower as the position becomes deeper, the heater electrode 50 is located near the surface forming the surface of the groove 86 in the heater electrode 50.
  • the portion where is not present becomes smaller, and the electric resistance (calorific value) is suppressed from suddenly changing at the position of the surface forming the surface of the groove 86 in the heater electrode 50, and the electric resistance (calorific value) of the heater electrode 50 is suppressed. ) Is less biased. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the controllability of the temperature distribution of the suction surface S1 of the plate-shaped member 10 can be further effectively improved.
  • the groove 86 is formed in at least one cross section parallel to the Z-axis direction (for example, a cross section orthogonal to the stretching direction of the heater electrode 50 as shown in FIG. 5).
  • the shape is such that the line forming the surface of the groove 86 has only one bending point (a point corresponding to the deepest portion 85). Since the stress concentration is likely to occur, the bending point is likely to be the starting point of the crack CR. According to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, since there is only one bending point, stress concentration at each position on the surface of the groove 86 can be suppressed as compared with the configuration having a plurality of bending points. As a result, it is possible to suppress the occurrence of crack CR starting from the surface of the groove 86.
  • the configuration of the electrostatic chuck 100 in the above embodiment is just an example and can be variously deformed.
  • the number of heater electrodes 50 in the above embodiment, the shape of each heater electrode 50, and the arrangement of each heater electrode 50 in the plate-shaped member 10 are merely examples and can be variously deformed.
  • the electrostatic chuck 100 of the above embodiment includes three heater electrodes 50, but the number of heater electrodes 50 included in the electrostatic chuck 100 may be two or less, or four or more. May be good.
  • the number of segments Z in the above embodiment, the shape of each segment Z, and the arrangement of each segment Z in the plate-shaped member 10 are merely examples and can be variously deformed. Further, the segment Z may not be set on the plate-shaped member 10.
  • each via may be composed of a single via or a group of a plurality of vias. Further, in the above embodiment, each via may have a single-layer structure including only a via portion, or may have a multi-layer structure (for example, a structure in which a via portion, a pad portion, and a via portion are laminated). May be good.
  • the collar portion 109 is formed on the upper portion 101 of the plate-shaped member 10, but the collar portion 109 may be formed on the lower portion 102 of the plate-shaped member 10.
  • the electrostatic chuck 100 may not include the O-ring 90.
  • the plate-shaped member 10 may not have the flange portion 109.
  • each member in the electrostatic chuck 100 of the above embodiment is merely an example, and each member may be formed of another material.
  • the base member 20 has a refrigerant flow path 21 formed inside the base member 20 as a cooling mechanism, but the base member 20 has another cooling mechanism (for example, a base member). It may have a cooling device) arranged on the lower surface of 20.
  • the shape of the groove 86 in the above embodiment is just an example and can be variously deformed.
  • the depth of the groove 86 is such that it penetrates the heater electrode 50 in the thickness direction, but the depth of the groove 86 may be shallower than that.
  • the groove 86 has a width as it is deeper in at least one cross section parallel to the Z-axis direction (for example, a cross section orthogonal to the stretching direction of the heater electrode 50 as shown in FIG. 5).
  • the groove 86 may have a shape having a certain width, or may have a shape having a portion where the width becomes wider as the position becomes deeper.
  • the groove 86 has a shape in which the lines constituting the surface of the groove 86 have one bending point in the cross section, but the groove 86 has zero or two or more lines. It may have a shape having a bending point.
  • the edge portion 88 of the opening of the groove 86 in the cross section, has an R shape, but the edge portion 88 of the opening of the groove 86 does not have to have an R shape.
  • the insulating material 87 is arranged inside the groove 86 formed in the upper surface S4 of the lower portion 102 of the plate-shaped member 10, but the insulating material 87 is arranged inside the groove 86. It does not have to be.
  • the inside of the groove 86 may be a space (including a vacuum).
  • the inside of the groove 86 may be a space (including a vacuum).
  • a part of the intermediate joint portion 104 may enter the groove 86.
  • the portion of the intermediate joint portion 104 that has entered the groove 86 functions as an anchor, the upper portion 101 and the lower portion 102 of the plate-shaped member 10 are joined by the intermediate joint portion 104.
  • the strength can be improved.
  • the groove 86 is completely filled with the intermediate joint portion 104, but only a part of the groove 86 (for example, the upper portion in the groove 86) is filled with the intermediate joint portion 104.
  • the remaining portion of the groove 86 (eg, the lower portion of the groove 86) may not be filled by the intermediate joint 104.
  • the method for manufacturing the electrostatic chuck 100 in the above embodiment is merely an example and can be variously deformed.
  • at least one step for example, warp correction step (S160), thickness measurement step (S170), filling step (S220), etc.
  • the warp correction step (S160) is performed, one of the first warp correction step and the second warp correction step may be omitted.
  • the cover layer 112 is arranged so as to cover the entire upper surface S8 of the specific ceramic green sheet 81 on which the heater pattern 501 is formed, but the cover layer 112 covers at least the heater pattern 501. It suffices to be arranged, and it is not always necessary to cover the entire upper surface S8 of the specific ceramic green sheet 81. Further, in the above embodiment, the sheet-shaped cover layer 112 is crimped to the upper surface S8 of the specific ceramic green sheet 81, but the slurry which is the material of the cover layer 112 is screen-printed on the upper surface S8 of the specific ceramic green sheet 81, for example. The cover layer 112 may be arranged by applying the above.
  • the cover layer 112 is formed of ceramics, but the cover layer 112 may be formed of another insulating material.
  • the material for forming the cover layer 112 has characteristics such as a coefficient of thermal expansion close to that of the material for forming the plate-shaped member 10, high heat resistance, and being capable of polishing. Is preferable.
  • the through hole 84 is formed in the cover layer 112.
  • the cover layer 112 does not necessarily have a through hole 84. It is not necessary to provide the through hole 84.
  • the through hole 84 is formed at a position where it overlaps with the reference pattern 502, but even if a through hole for measuring the thickness of the cover layer 112 is formed at a position where it does not overlap with the reference pattern 502. Good.
  • FIG. 14 is an explanatory diagram showing an outline of a method for manufacturing the electrostatic chuck 100 in the modified example.
  • FIG. 14 instead of the steps whose outlines are shown in columns B and C of FIG. 7 in the method of manufacturing the electrostatic chuck 100 of the above embodiment, FIG. The process whose outline is shown in columns B and C is executed. That is, in the method of manufacturing the electrostatic chuck 100 of the modified example shown in FIG.
  • the reference pattern 502 is not formed on the upper surface S8 of the specific ceramic green sheet 81. Instead, as shown in column B of FIG. 14, a reference pattern 503 is formed on the cover layer 112a.
  • the reference pattern 503 formed on the cover layer 112a can take any form as long as it can be visually recognized from the upper surface side of the cover layer 112a.
  • the via formed on the cover layer 112a is used as the reference pattern 503. Can be.
  • the heater pattern 501 is covered with the cover layer 112a
  • the reference pattern 503 is the cover layer 112a. A structure that can be visually recognized from the upper surface side of the above can be produced.
  • the same material as the material of the intermediate joint portion 104 is used as the insulating material 87 to be filled in the groove 86 and the through hole 84, but the material is not limited to this, and any insulating material (for example, inorganic) is used. Adhesives, glass, resin adhesives, etc.) can be used. Further, it is not always necessary to fill the groove 86 and the through hole 84 with the insulating material 87.
  • a laminated body 15 in which a plurality of ceramic green sheets 81 and 82 including the specific ceramic green sheet 81 are laminated is produced.
  • the heater pattern 501 may be formed on the surface of the specific ceramic green sheet 81 constituting the upper surface of the laminated body 15.
  • the structure at the time when the step of S190 (FIG. 6) is completed is prepared by, for example, manufacturing or purchasing, and then S200 and S210.
  • the step (or the step of S200 to S220) may be executed. That is, the techniques disclosed in the present specification include a lower portion 102 including a lower surface S2 and a portion formed of ceramics, and a heater electrode 50 arranged on the lower portion 102 and formed by a resistance heating element.
  • a base member 20 having a cooling mechanism, and a joint portion 30 arranged between the lower surface S2 of the lower portion 102 and the base member 20 to join the lower portion 102 and the base member 20 are provided on the lower side.
  • a pre-adjustment structure (for example, shown in column F of FIG. 9) including a heater electrode 50 covered with a cover layer 112, a base member 20, and a joint portion 30 for joining the lower portion 102 and the base member 20.
  • the surface of the lower portion 102 opposite to the lower surface S2 (that is, the upper surface) while performing the preparatory step of preparing the structure), cooling by the cooling mechanism of the base member 20, and supplying power to the heater electrode 50.
  • the electrical resistance of the heater electrode 50 is adjusted by removing a part of the heater electrode 50 covered with the cover layer 112 together with the cover layer 112 based on the temperature measurement step of measuring the temperature distribution in S4) and the measurement result of the temperature distribution. It can also be realized as a form of a method for manufacturing a structure for a holding device including an adjusting step.
  • the lower portion 102 of the plate-shaped member 10 corresponds to the specific member in the claims
  • the lower surface S2 of the lower portion 102 corresponds to the specific surface in the claims.
  • the present invention is not limited to the electrostatic chuck 100 which includes the plate-shaped member 10 and the base member 20 and holds the wafer W by utilizing electrostatic attraction, but also the plate-shaped member, the base member, and the plate-shaped member. It can be similarly applied to other holding devices having a joint portion for joining the base member and a heater electrode arranged inside the plate-shaped member and holding an object on the surface of the plate-shaped member. ..

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Abstract

板状部材の表面の温度分布の制御性を向上させる。 保持装置の製造方法は、セラミックスグリーンシート上にヒータパターンを形成する工程と、セラミックスグリーンシート上にヒータパターンを覆うカバー層を配置する工程と、複数のセラミックスグリーンシートの積層体を焼成することにより板状部材の第2の部分とヒータ電極とを作製する工程と、第2の接合部により第2の部分とベース部材とを接合する工程と、ベース部材の冷却機構による冷却とヒータ電極への給電とを行いつつ、板状部材の第2の部分の表面の温度分布を測定する工程と、温度分布の測定結果に基づき、カバー層に覆われたヒータ電極の一部分をカバー層ごと除去することによってヒータ電極の電気抵抗を調整する工程と、第1の接合部により板状部材の第2の部分と第1の部分とを接合する工程とを備える。

Description

保持装置の製造方法、保持装置用の構造体の製造方法および保持装置
 本明細書に開示される技術は、対象物を保持する保持装置の製造方法、保持装置用の構造体の製造方法および保持装置に関する。
 例えば半導体素子を製造する際にウェハを保持する保持装置として、静電チャックが用いられる。静電チャックは、セラミックスにより形成された部分を含む板状部材と、例えば金属製のベース部材と、板状部材とベース部材とを接合する接合部と、板状部材の内部に配置されたチャック電極とを備えており、チャック電極に電圧が印加されることにより発生する静電引力を利用して、板状部材の表面(以下、「吸着面」という。)にウェハを吸着して保持する。
 静電チャックの吸着面に保持されたウェハの温度が所望の温度にならないと、ウェハに対する各処理(成膜、エッチング等)の精度が低下するおそれがあるため、静電チャックにはウェハの温度分布を制御する性能が求められる。そのため、板状部材の内部に配置された抵抗発熱体であるヒータ電極による加熱や、ベース部材に形成された冷媒流路への冷媒供給による冷却を行うことにより、板状部材の吸着面の温度分布の制御(ひいては、吸着面に保持されたウェハの温度分布の制御)が行われる。
 従来、ウェハを保持する保持装置を製造する際に、板状のセラミックス焼結体の表面に抵抗発熱体を形成した後、レーザー加工や機械加工によって抵抗発熱体の一部を除去することにより抵抗発熱体の抵抗値を調整し、その後に、セラミックス焼結体における抵抗発熱体が形成された表面上にセラミックス成形体を積層し、セラミックス焼結体と抵抗発熱体とセラミックス成形体とを一体的に焼成する技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開2006-228633号公報
 上記従来の技術は、抵抗発熱体の抵抗値を調整することにより、ウェハを保持する表面の温度分布の制御性を向上させるものである。しかしながら、静電チャックにおいて、ウェハを保持する吸着面の温度分布は、ヒータ電極(抵抗発熱体)の精度の他にベース部材や接合部の精度にも左右されるため、抵抗発熱体の抵抗値を調整するだけでは、ウェハを保持する吸着面の温度分布の制御性を十分に向上させることができない、という課題がある。
 なお、このような課題は、静電チャックに限らず、板状部材とベース部材と接合部とを備え、板状部材の表面上に対象物を保持する保持装置一般に共通の課題である。
 本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。
 本明細書に開示される技術は、例えば、以下の形態として実現することが可能である。
(1)本明細書に開示される保持装置の製造方法は、第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有する板状部材であって、前記第1の表面を含む第1の部分と、前記第2の表面を含むと共にセラミックスにより形成された部分を含む第2の部分と、前記第1の部分と前記第2の部分とを接合する第1の接合部と、を有する板状部材と、前記板状部材の前記第2の部分に配置され、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極と、第3の表面を有し、前記第3の表面が前記板状部材の前記第2の表面側に位置するように配置され、冷却機構を有するベース部材と、前記板状部材の前記第2の表面と前記ベース部材の前記第3の表面との間に配置されて前記板状部材と前記ベース部材とを接合する第2の接合部と、を備え、前記板状部材の前記第1の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法である。該保持装置の製造方法は、第1のセラミックスグリーンシート上に、前記ヒータ電極の形成材料であるヒータ用材料によってヒータパターンを形成する形成工程と、前記第1のセラミックスグリーンシート上に、絶縁材料により形成されるカバー層であって、前記ヒータパターンを覆う前記カバー層を配置する配置工程と、前記第1のセラミックスグリーンシートを含む複数のセラミックスグリーンシートが積層された積層体を焼成することにより、前記板状部材の前記第2の部分と前記ヒータ電極とを作製する焼成工程と、前記第2の接合部により、前記板状部材の前記第2の部分と前記ベース部材とを接合する第1の接合工程と、前記冷却機構による冷却と、前記ヒータ電極への給電と、を行いつつ、前記板状部材の前記第2の部分における前記第2の接合部に対向する表面とは反対側の表面の温度分布を測定する温度測定工程と、前記温度分布の測定結果に基づき、前記カバー層に覆われた前記ヒータ電極の一部分を前記カバー層ごと除去することによって前記ヒータ電極の電気抵抗を調整する調整工程と、前記第1の接合部により、前記板状部材の前記第2の部分と前記第1の部分とを接合する第2の接合工程と、を備える。
 本保持装置の製造方法では、板状部材のうちの第2の表面側の一部分であり、ヒータ電極が配置された第2の部分に、ベース部材が接合された状態で、ベース部材の冷却機構による冷却とヒータ電極への給電とを行いつつ、第2の部分の表面の温度分布が測定され、温度分布の測定結果に基づき、カバー層に覆われたヒータ電極の一部分をカバー層ごと除去することによってヒータ電極の電気抵抗が調整され、その後、板状部材の第2の部分に第1の部分が接合される。すなわち、本保持装置の製造方法では、ヒータ電極よりベース部材側の部分を作製した後、実際の使用時と同様の状態(すなわち、ベース部材の冷却機構による冷却とヒータ電極への給電とが行われた状態)で板状部材の第2の部分の表面の温度分布の測定を行い、該温度分布の測定結果に基づきヒータ電極の電気抵抗の調整を行うことができる。従って、本保持装置の製造方法によれば、ヒータ電極の電気抵抗の調整を短時間で精度良く行うことができ、その結果、板状部材の第1の表面の温度分布の制御性を向上させることができる。さらに、本保持装置の製造方法では、ヒータ電極の形成材料であるヒータ用材料のパターンがカバー層により覆われた状態で焼成が行われるため、焼成時のヒータ用材料のパターンの変質(例えば、揮発や昇華)を抑制することができ、ヒータ用材料のパターンの変質に起因してヒータ電極の抵抗値にバラツキが生じ、板状部材の第1の表面の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。
(2)上記保持装置の製造方法において、さらに、前記調整工程において除去された部分に絶縁材を充填する充填工程を備える構成としてもよい。本保持装置の製造方法によれば、ヒータ電極間の短絡を防止しつつ、板状部材の内部への気体の侵入を抑制することができる。
(3)上記保持装置の製造方法において、前記配置工程において配置される前記カバー層には、厚さ方向に貫通する第1の孔が形成されており、前記保持装置の製造方法は、さらに、前記焼成工程の後に、前記第1の孔の位置で前記カバー層の厚さを測定する厚さ測定工程を備える構成としてもよい。本保持装置の製造方法によれば、カバー層の厚さに基づき、調整工程におけるカバー層およびヒータ電極の除去深さを適切に設定することができ、ヒータ電極の電気抵抗の調整を精度良く行うことができ、その結果、板状部材の第1の表面の温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。
(4)上記保持装置の製造方法において、さらに、前記焼成工程の後に、前記板状部材の前記第2の部分に荷重をかけつつ加熱して反りを修正する第1の反り修正工程と、前記焼成工程の後に、前記カバー層を研磨して前記第2の部分の反りを修正する第2の反り修正工程と、の少なくとも一方を備える構成としてもよい。本保持装置の製造方法によれば、第1の反り修正工程と第2の反り修正工程との少なくとも一方によって、第2の部分の反りを修正することができ、第2の部分の反り、ひいては板状部材の反りを効果的に低減することができる。また、本保持装置の製造方法では、第2の部分の反り修正を行う際に、ヒータ電極がカバー層により覆われているため、ヒータ電極が反り修正用の治具と反応して変質し、該変質に起因してヒータ電極の抵抗値にバラツキが生じ、板状部材の第1の表面の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。
(5)上記保持装置の製造方法において、前記第1の反り修正工程と、前記第1の反り修正工程の後に実行される前記第2の反り修正工程と、の両方を備える構成としてもよい。本保持装置の製造方法によれば、第1の反り修正工程によっても修正しきれない第2の部分の反りを、カバー層を研磨する第2の反り修正工程によって修正することができ、第2の部分の反り、ひいては板状部材の反りを効果的に低減することができる。また、本保持装置の製造方法では、第2の部分の反り修正を行う際に、ヒータ電極がカバー層により覆われているため、ヒータ電極が反り修正用の治具と反応して変質し、該変質に起因してヒータ電極の抵抗値にバラツキが生じ、板状部材の第1の表面の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。
(6)上記保持装置の製造方法において、前記形成工程は、前記第1のセラミックスグリーンシート上に、所定の材料で基準パターンを形成することを含み、前記配置工程において配置される前記カバー層には、前記基準パターンと重なる位置に、厚さ方向に貫通する第2の孔が形成されており、前記調整工程では、前記カバー層に形成された前記第2の孔を介して露出した前記基準パターンの位置を基準として、前記ヒータ電極における除去位置を設定する構成としてもよい。本保持装置の製造方法によれば、基準パターンの位置を基準として除去位置を設定することにより、ヒータ電極の除去を精度良く行うことができ、ヒータ電極の電気抵抗の調整を精度良く行うことができ、その結果、板状部材の第1の表面の温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。
(7)上記保持装置の製造方法において、さらに、前記焼成工程の後に、前記第2の孔の位置で前記カバー層の厚さを測定する厚さ測定工程を備える構成としてもよい。本保持装置の製造方法によれば、基準パターンを露出させるためにカバー層に形成された孔を利用して、カバー層の厚さを測定することができるため、カバー層に形成する孔の数を減らすことができ、孔の存在に起因して板状部材の第1の表面の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。
(8)上記保持装置の製造方法において、前記第1の接合部は、前記第2の接合部と比較して、熱抵抗が低い構成としてもよい。本保持装置の製造方法によれば、第1の接合部の存在に起因して板状部材における発熱および/または冷却の応答性が低下することを抑制することができ、板状部材の第1の表面の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。
(9)上記保持装置の製造方法において、前記第2の接合工程は、前記ヒータ電極への給電を行うことによる発熱を利用して、前記第1の接合部を形成する工程である構成としてもよい。本保持装置の製造方法によれば、第1の接合部を形成する際に装置全体を加熱する方法と比較して、加熱による他の部材への悪影響(例えば、第2の接合部の部分的剥離による熱引き性のバラツキの発生)を抑制することができ、板状部材の第1の表面の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。
(10)本明細書に開示される保持装置用の構造体の製造方法は、特定表面を含むと共にセラミックスにより形成された部分を含む特定部材と、前記特定部材に配置され、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極と、冷却機構を有するベース部材と、前記特定部材の前記特定表面と前記ベース部材との間に配置されて前記特定部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、を備え、前記特定部材の上方に対象物を保持する保持装置用の構造体の製造方法である。該保持装置用の構造体の製造方法は、前記特定部材と、前記特定部材の一部であるカバー層に覆われた前記ヒータ電極と、前記ベース部材と、前記特定部材と前記ベース部材とを接合する前記接合部と、を備える調整前構造体を準備する準備工程と、前記冷却機構による冷却と、前記ヒータ電極への給電と、を行いつつ、前記特定部材における前記特定表面とは反対側の表面の温度分布を測定する温度測定工程と、前記温度分布の測定結果に基づき、前記カバー層に覆われた前記ヒータ電極の一部分を前記カバー層ごと除去することによって前記ヒータ電極の電気抵抗を調整する調整工程と、を備える。
 本保持装置用の構造体の製造方法では、ヒータ電極が配置された特定部材にベース部材が接合された状態で、ベース部材の冷却機構による冷却とヒータ電極への給電とを行いつつ、特定部材の表面の温度分布が測定され、温度分布の測定結果に基づき、カバー層に覆われたヒータ電極の一部分をカバー層ごと除去することによってヒータ電極の電気抵抗が調整される。すなわち、本保持装置用の構造体の製造方法では、ヒータ電極よりベース部材側の部分を準備した後、実際の使用時と同様の状態(すなわち、ベース部材の冷却機構による冷却とヒータ電極への給電とが行われた状態)で特定部材の表面の温度分布の測定を行い、該温度分布の測定結果に基づきヒータ電極の電気抵抗の調整を行うことができる。従って、本保持装置用の構造体の製造方法によれば、ヒータ電極の電気抵抗の調整を短時間で精度良く行うことができ、その結果、該保持装置用構造体を用いて作製される保持装置の対象物保持面の温度分布の制御性を向上させることができる。
(11)本明細書に開示される保持装置は、第1の方向に略直交する第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有する板状部材であって、前記第1の表面を含む第1の部分と、前記第2の表面を含むと共にセラミックスにより形成された部分を含む第2の部分と、前記第1の部分と前記第2の部分とを接合する第1の接合部と、を有する板状部材と、前記板状部材の前記第2の部分に配置され、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極と、第3の表面を有し、前記第3の表面が前記板状部材の前記第2の表面側に位置するように配置され、冷却機構を有するベース部材と、前記板状部材の前記第2の表面と前記ベース部材の前記第3の表面との間に配置されて前記板状部材と前記ベース部材とを接合する第2の接合部と、を備え、前記板状部材の前記第1の表面上に対象物を保持する保持装置である。該保持装置は、前記板状部材の前記第2の部分の表面の内、前記第1の接合部と対向する表面である第4の表面には、溝であって、前記溝の表面の一部が前記ヒータ電極の表面の一部により構成された前記溝が形成されており、前記ヒータ電極に給電し、かつ、前記冷却機構による冷却を行い、前記ヒータ電極の温度と前記冷却の温度との差が50℃以上であるときに、前記第1の表面における温度の最大値と最小値との差は、3.5℃以下である。本保持装置によれば、板状部材の第1の表面の各位置での温度差が極めて小さいため、板状部材の第1の表面の温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。
(12)上記保持装置において、前記第1の方向に平行な少なくとも1つの断面において、前記溝の開口の縁部は、R形状である構成としてもよい。本保持装置によれば、保持装置の製造時等において、板状部材の第2の部分における溝の開口の縁部付近が欠けることを抑制することができる。
(13)上記保持装置において、前記第1の方向に平行な少なくとも1つの断面において、前記溝は、最深部の深さが、前記第4の表面における前記溝以外の部分から前記ヒータ電極の表面の各位置までの前記第1の方向に沿った距離の最大値より深い形状である構成としてもよい。本保持装置によれば、溝の最深部を起点としてクラックが発生した場合にも、該クラックがヒータ電極内部まで到達してヒータ電極の電気抵抗が変化することを回避することができ、その結果、ヒータ電極の発熱量が変化することを回避することができ、板状部材の第1の表面の温度分布の制御性をさらに効果的に向上させることができる。
(14)上記保持装置において、前記第1の方向に平行な少なくとも1つの断面において、前記溝は、深い位置ほど、前記第1の方向に直交する方向の幅が狭くなる形状である構成としてもよい。本保持装置によれば、深さ方向に溝の幅が一定である構成と比較して、ヒータ電極における溝の表面を構成する表面付近において、ヒータ電極が存在しない部分が小さくなり、かつ、ヒータ電極における溝の表面を構成する表面の位置において電気抵抗(発熱量)が急激に変化することが抑制され、ヒータ電極の電気抵抗(発熱量)の偏りが小さくなり、板状部材の第1の表面の温度分布の制御性をさらに効果的に向上させることができる。
(15)上記保持装置において、前記第1の方向に平行な少なくとも1つの断面において、前記溝は、前記溝の表面を構成する線が1個以下の折れ曲がり点を有する形状である構成としてもよい。本保持装置によれば、溝の表面の各位置における応力集中を抑制することができ、その結果、溝の表面を起点としたクラックの発生を抑制することができる。
(16)上記保持装置において、前記第1の接合部の一部が、前記溝内に入り込んでいる構成としてもよい。本保持装置によれば、第1の接合部の内、溝に入り込んだ部分がアンカーとして機能するため、第1の接合部による第1の部分と第2の部分との接合強度を向上させることができる。
 なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、保持装置、静電チャック、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。
本実施形態における静電チャック100の外観構成を概略的に示す斜視図 本実施形態における静電チャック100のXZ断面構成を概略的に示す説明図 本実施形態における静電チャック100のXY断面構成を概略的に示す説明図 本実施形態における静電チャック100のXY断面構成を概略的に示す説明図 本実施形態におけるヒータ電極50の周辺の断面構成を詳細に示す説明図 本実施形態における静電チャック100の製造方法を示すフローチャート 本実施形態における静電チャック100の製造方法の概要を示す説明図 本実施形態における静電チャック100の製造方法の概要を示す説明図 本実施形態における静電チャック100の製造方法の概要を示す説明図 本実施形態における静電チャック100の製造方法の概要を示す説明図 本実施形態におけるヒータ電極50の周辺の断面構成を詳細に示す説明図 比較例におけるヒータ電極50の周辺の断面構成を詳細に示す説明図 変形例におけるヒータ電極50の周辺の断面構成を詳細に示す説明図 変形例における静電チャック100の製造方法の概要を示す説明図
A.実施形態:
A-1.静電チャック100の構成:
 図1は、本実施形態における静電チャック100の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図2は、本実施形態における静電チャック100のXZ断面構成を概略的に示す説明図であり、図3および図4は、本実施形態における静電チャック100のXY断面構成を概略的に示す説明図である。図3には、図2のIII-IIIの位置における静電チャック100のXY断面構成が示されており、図4には、図2のIV-IVの位置における静電チャック100のXY断面構成が示されている。各図には、方向を特定するための互いに直交するXYZ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Z軸正方向を上方向といい、Z軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック100は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。また、本明細書では、Z軸方向に直交する方向を、面方向という。Z軸方向は、特許請求の範囲における第1の方向に相当する。
 静電チャック100は、対象物(例えばウェハW)を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウェハWを固定するために使用される。静電チャック100は、所定の配列方向(本実施形態では上下方向(Z軸方向))に並べて配置された板状部材10およびベース部材20を備える。板状部材10とベース部材20とは、板状部材10の下面S2(図2参照)とベース部材20の上面S3とが、後述する接合部30を挟んで上記配列方向に対向するように配置される。すなわち、ベース部材20は、ベース部材20の上面S3が板状部材10の下面S2側に位置するように配置される。ベース部材20の上面S3は、特許請求の範囲における第3の表面に相当する。
 板状部材10は、上述した配列方向(Z軸方向)に略直交する略円形平面状の上面(以下、「吸着面」という。)S1と、吸着面S1とは反対側の下面S2とを有する略円板状部材である。本実施形態では、板状部材10は、外周の全周にわたって面方向に突出する鍔部109を有している。以下、板状部材10のうちの鍔部109を除く部分を、本体部108という。板状部材10の本体部108の直径は例えば50mm~500mm程度(通常は200mm~350mm程度)であり、板状部材10の厚さは例えば1mm~10mm程度である。板状部材10の吸着面S1は、特許請求の範囲における第1の表面に相当し、板状部材10の下面S2は、特許請求の範囲における第2の表面に相当する。
 図2に示すように、本実施形態では、板状部材10は、上側部分101と、下側部分102と、上側部分101と下側部分102とを接合する中間接合部104とから構成されている。
 板状部材10の下側部分102は、板状部材10のうち、板状部材10の下面S2を含む略平板状の部分である。下側部分102は、基板層111と、カバー層112とから構成されている。基板層111は、下側部分102のうち、板状部材10の下面S2を含む略平板状の部分であり、カバー層112は、下側部分102のうち、下側部分102の上面S4(中間接合部104に対向する表面)を含む略平板状の部分である。本実施形態では、板状部材10の下側部分102を構成する基板層111およびカバー層112は、共にセラミックス(例えば、アルミナや窒化アルミニウム等)の焼結体により形成されている。板状部材10の下側部分102は、特許請求の範囲における第2の部分に相当し、下側部分102の上面S4は、特許請求の範囲における第4の表面に相当する。
 板状部材10の上側部分101は、板状部材10のうち、吸着面S1を含む略平板状の部分である。鍔部109は、上側部分101に形成されている。本実施形態では、板状部材10の上側部分101は、セラミックス(例えば、アルミナや窒化アルミニウム等)の焼結体により形成されている。なお、上側部分101は、下側部分102と比べて、耐プラズマ性に優れたセラミックス材料により形成されることが好ましく、また、気孔率が低いことが好ましい。上側部分101は、特許請求の範囲における第1の部分に相当する。
 板状部材10の中間接合部104は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材やガラス、金属等により構成されている。中間接合部104は、セラミックス粉末等のフィラーを含んでいてもよい。中間接合部104は、特許請求の範囲における第1の接合部に相当する。
 図2に示すように、板状部材10の内部(より詳細には、板状部材10を構成する上側部分101の内部)には、導電性材料(例えば、タングステン、モリブデン、白金等)により形成されたチャック電極40が配置されている。Z軸方向視でのチャック電極40の形状は、例えば略円形である。また、静電チャック100には、チャック電極40への給電のための構成が設けられている。具体的には、ベース部材20の下面S7から板状部材10の内部に至る孔120が形成されている。孔120は、ベース部材20を上下方向に貫通する貫通孔と、接合部30を上下方向に貫通する貫通孔と、板状部材10の下面S2からチャック電極40の下面にかけて形成された凹部とが、互いに連通することにより構成された一体の孔である。孔120の内周面(本実施形態では、孔120のうち、ベース部材20と接合部30と板状部材10の下側部分102とに形成された部分の内周面)には、絶縁部材44が配置されている。チャック電極40の下面における孔120に露出した部分には、入力ピン41が接続されている。入力ピン41には、孔120に配置された配線部43の先端に設けられたコネクタ42が嵌合している。電源(図示しない)から配線部43および入力ピン41を介してチャック電極40に電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってウェハWが板状部材10の吸着面S1に吸着固定される。
 また、板状部材10の内部(より詳細には、板状部材10を構成する下側部分102の内部)には、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御(すなわち、吸着面S1に保持されたウェハWの温度分布の制御)のための複数のヒータ電極50と、各ヒータ電極50への給電のための構成(ドライバ電極60等)とが配置されている。これらの構成については、後に詳述する。
 ベース部材20は、例えば板状部材10の本体部108と同径の、または、板状部材10の本体部108より径が大きい円形平面の板状部材であり、例えば金属(アルミニウムやアルミニウム合金等)により形成されている。ベース部材20の直径は例えば220mm~550mm程度(通常は220mm~350mm)であり、ベース部材20の厚さは例えば20mm~40mm程度である。
 ベース部材20は、板状部材10の下面S2とベース部材20の上面S3との間に配置された接合部30によって、板状部材10に接合されている。接合部30は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材により構成されている。接合部30は、セラミックス粉末等のフィラーを含んでいてもよい。接合部30の厚さは、例えば0.1mm~1mm程度である。接合部30は、中間接合部104と比較して、熱抵抗が高い(換言すれば、中間接合部104は、接合部30と比較して、熱抵抗が低い)ことが好ましい。ここで、接合部(接合部30または中間接合部104)の熱抵抗は、接合部の熱伝導率をλとし、接合部におけるXY断面の断面積をSとし、接合部の厚さをLとしたとき、L/(λ・S)として表される。接合部30は、特許請求の範囲における第2の接合部に相当する。
 ベース部材20は、冷却機構を有している。より具体的には、ベース部材20の内部には冷媒流路21が形成されている。冷媒流路21に冷媒(例えば、フッ素系不活性液体や水等)が流されると、ベース部材20が冷却され、接合部30を介したベース部材20と板状部材10との間の伝熱(熱引き)により板状部材10が冷却され、板状部材10の吸着面S1に保持されたウェハWが冷却される。これにより、ウェハWの温度分布の制御が実現される。
 また、静電チャック100は、板状部材10の下側部分102および中間接合部104と接合部30との積層体の外周を取り囲むように形成された略円環状のOリング90を備える。Oリング90は、例えばゴム等の絶縁体により形成されている。Oリング90は、上側部分101に形成された鍔部109の下面とベース部材20の上面S3とに密着しており、接合部30や中間接合部104がプラズマ等に晒されて劣化することを防止する。
A-2.ヒータ電極50等の構成:
 次に、ヒータ電極50およびヒータ電極50への給電のための構成について詳述する。上述したように、静電チャック100は、複数のヒータ電極50(より具体的には、3つのヒータ電極50A,50B,50C)を備える(図3参照)。本実施形態では、複数のヒータ電極50は、板状部材10の下側部分102を構成する基板層111の上面S8(接合部30に対向する表面とは反対側の表面)に配置されている。すなわち、複数のヒータ電極50は、板状部材10の下側部分102を構成する基板層111とカバー層112との間に挟まれるように配置されている。
 図3に示すように、本実施形態の静電チャック100では、板状部材10の本体部108が、面方向に並ぶ3つのセグメントZ(Za,Zb,Zc)に仮想的に分割されている。より具体的には、板状部材10の本体部108が、Z軸方向視で、本体部108の外周線と同心の2つの円形の仮想分割線VL(VL1,VL2)によって、3つのセグメントZに仮想的に分割されている。Z軸方向視での各セグメントZの形状は、略円形または略円環形である。
 複数のヒータ電極50のそれぞれは、板状部材10の本体部108に設定された複数のセグメントZのうちの1つに配置されている。具体的には、3つのヒータ電極50の内、1つのヒータ電極50Aは、3つのセグメントZのうちの最も外周側に位置するセグメントZaに配置されており、他の1つのヒータ電極50Cは、3つのセグメントZのうちの最も中心に近い側に位置するセグメントZcに配置されており、残り1つのヒータ電極50Bは、セグメントZaとセグメントZcとに挟まれたセグメントZbに配置されている。
 各ヒータ電極50は、Z軸方向視で線状の抵抗発熱体であるヒータライン部51と、ヒータライン部51の両端部に接続されたヒータパッド部52とを有する。ヒータ電極50を構成するヒータライン部51およびヒータパッド部52は、導電性材料(例えば、タングステン、モリブデン、白金、銅等)により形成されている。本実施形態では、Z軸方向視でのヒータライン部51の形状は、略円形または略螺旋状とされている。
 また、静電チャック100は、各ヒータ電極50への給電のための構成を備えている。具体的には、静電チャック100は、複数のドライバ電極60(より具体的には、6つのドライバ電極60)を備える(図4参照)。各ドライバ電極60は、面方向に平行な所定の形状の導体パターンであり、導電性材料(例えば、タングステン、モリブデン、白金等)により形成されている。本実施形態では、複数のドライバ電極60は、板状部材10の下側部分102を構成する基板層111の内部に配置されている。また、複数のドライバ電極60は、Z軸方向において互いに同一の位置に配置されている。なお、ドライバ電極60は、下記の(1)および(2)の少なくとも一方を満たすという点で、ヒータ電極50と相違する。
(1)ドライバ電極60の電流が流れる方向に対して垂直方向の断面積は、ヒータ電極50の同様な断面積の5倍以上である。
(2)ヒータ電極50における、ドライバ電極60につながる一方のビアから他方のビアまでの間の抵抗は、ドライバ電極60における、ヒータ電極50につながるビアから給電端子74につながるビアまでの間の抵抗の5倍以上である。
 図4に示すように、本実施形態では、静電チャック100が備える6つのドライバ電極60が、それぞれ一対のドライバ電極60から構成された3つのドライバ電極対600(600A,600B,600C)を構成している。3つのドライバ電極対600は、3つのヒータ電極50(50A,50B,50C)に対応している。図2~図4に示すように、1つのドライバ電極対600(例えば、ドライバ電極対600A)を構成する一対のドライバ電極60の一方は、導電性材料により形成されたヒータ側ビア71を介して、対応するヒータ電極50(例えば、ヒータ電極50A)の一方のヒータパッド部52と電気的に接続されている。また、該ドライバ電極対600(例えば、ドライバ電極対600A)を構成する一対のドライバ電極60の他方は、ヒータ側ビア71を介して、対応するヒータ電極50(例えば、ヒータ電極50A)の他方のヒータパッド部52と電気的に接続されている。
 また、図2に示すように、静電チャック100には、ベース部材20の下面S7から板状部材10の内部に至る複数の端子用孔110が形成されている。各端子用孔110は、ベース部材20を上下方向に貫通する貫通孔22と、接合部30を上下方向に貫通する貫通孔32と、板状部材10の下面S2側に形成された凹部13とが、互いに連通することにより構成された一体の孔である。
 各端子用孔110には、導電性材料により形成された略柱状の部材である給電端子74が収容されている。また、各端子用孔110を構成する板状部材10の凹部13の底面には、導電性材料により形成された給電電極(電極パッド)73が配置されている。給電端子74の上端部分は、例えばろう付け等により給電電極73に接合されている。
 また、図2および図4に示すように、各ドライバ電極対600を構成する一対のドライバ電極60の一方は、該ドライバ電極60から板状部材10の下面S2側に延びる給電側ビア72を介して、1つの給電電極73に電気的に接続されており、該一対のドライバ電極60の他方は、他の給電側ビア72を介して、他の1つの給電電極73に電気的に接続されている。
 各給電端子74は、電源(図示せず)に接続されている。電源からの電圧は、給電端子74、給電電極73、給電側ビア72、ドライバ電極60およびヒータ側ビア71を介して、各ヒータ電極50に印加される。各ヒータ電極50に電圧が印加されると、各ヒータ電極50が発熱して板状部材10が加熱され、これにより、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御(すなわち、吸着面S1に保持されたウェハWの温度分布の制御)が実現される。
 なお、本実施形態の静電チャック100では、各ヒータ電極50に給電し、かつ、ベース部材20の冷却機構による冷却(冷媒流路21への冷媒の供給)を行い、ヒータ電極50の温度と冷却の温度(冷媒の温度)との差が50℃以上であるときに、板状部材10の吸着面S1における温度の最大値と最小値との差は、3.5℃以下となっている。すなわち、板状部材10の吸着面S1の各位置での温度差が、極めて小さくなっている。このような構成は、例えば、以下に説明する本実施形態の静電チャック100の製造方法に従い静電チャック100を製造することにより実現することができる。なお、ヒータ電極および吸着面S1の各位置での温度は、例えばIRカメラ等の温度測定装置を用いて測定することができる。なお、該温度差は、2.5℃以下であることがさらに好ましく、1.5℃以下であることが一層好ましい。
 図5は、本実施形態におけるヒータ電極50の周辺の断面構成を詳細に示す説明図である。図5には、図2のX1部のXZ断面構成が拡大して示されている。図5に示すように、本実施形態の静電チャック100では、板状部材10を構成する下側部分102の上面S4(すなわち、中間接合部104と対向する表面)に、溝86が形成されている。下側部分102の上面S4に形成された溝86の数は、1つであってもよいし、複数であってもよい。溝86は、Z軸方向視で、ヒータ電極50の幅方向の中央付近の位置をヒータ電極50の延伸方向に沿って延びる形状である(後述する図9のG欄参照)。
 下側部分102の上面S4に形成された溝86の表面の一部は、ヒータ電極50の表面の一部により構成されている。より具体的には、本実施形態では、溝86の表面の一部は、ヒータ電極50の幅方向の中央付近の側面58により構成されている。また、溝86は、ヒータ電極50まで達するような深さを有する。換言すれば、Z軸方向に平行な少なくとも1つの断面(例えば、図5に示す断面のように、ヒータ電極50の延伸方向に直交する断面)において、溝86の最深部85の深さD1は、下側部分102の上面S4における溝86以外の部分からヒータ電極50の表面の各位置までのZ軸方向に沿った距離の最小値L1(すなわち、下側部分102の上面S4からヒータ電極50の上面56までの距離)より深い。なお、本実施形態では、溝86の深さは、ヒータ電極50を厚さ方向に貫通するような深さである。換言すれば、Z軸方向に平行な少なくとも1つの断面(同様に、例えば、ヒータ電極50の延伸方向に直交する断面)において、溝86の最深部85の深さD1は、下側部分102の上面S4における溝86以外の部分からヒータ電極50の表面の各位置までのZ軸方向に沿った距離の最大値L2(すなわち、下側部分102の上面S4からヒータ電極50の下面57までの距離)より深い。
 また、溝86は、Z軸方向に平行な少なくとも1つの断面(例えば、図5に示す断面のように、ヒータ電極50の延伸方向に直交する断面)において、先細り形状である。換言すれば、溝86は、該断面において、深い位置ほど(すなわち、下方の位置ほど)、幅(Z軸に直交する方向の幅)が狭くなる形状である。より具体的には、本実施形態では、該断面において、溝86は、略V字形状である。そのため、該断面において、溝86は、溝86の表面を構成する線が1個のみの折れ曲がり点(最深部85に相当する点)を有する形状である。
 また、本実施形態では、上記断面において、溝86の開口の縁部88は、R形状である。ここで、溝86の開口の縁部88がR形状であるとは、縁部88の形状が、折れ曲がり点の無いなだらかな形状であることを意味する。なお、溝86の開口の縁部88のR形状における曲率半径は、一定である必要はない。該曲率半径は、例えば、15μm以上であることが好ましい。
 また、本実施形態では、溝86内に、絶縁材87が配置されている。絶縁材87としては、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材やガラス等が用いられる。
A-3.静電チャック100の製造方法:
 次に、本実施形態における静電チャック100の製造方法について説明する。図6は、本実施形態における静電チャック100の製造方法を示すフローチャートである。また、図7から図10は、本実施形態における静電チャック100の製造方法の概要を示す説明図である。図7から図10では、製造過程または製造完了時における静電チャック100の一部の構成の図示を省略している。
 はじめに、上側部分101aと、上側部分101aの内部に配置されたチャック電極40と、を含む上側構造体11を作製する(S110、図7のA欄参照)。ここで、上側部分101aは、製造完了後の静電チャック100における上側部分101になる構造体である。上側部分101aは、上側部分101と完全に同一物であってもよいし、上側部分101aに対する種々の加工が行われた結果、上側部分101になるとしてもよい。
 上側構造体11の作製方法は、例えば以下の通りである。まず、セラミックスグリーンシートを複数枚作製し、所定のセラミックスグリーンシートに所定の加工を行う。所定の加工としては、例えば、チャック電極40等の形成のためのメタライズペーストの印刷や、孔空け加工等が挙げられる。これらのセラミックスグリーンシートを積層して熱圧着し、切断等の加工を行うことにより、セラミックスグリーンシートの積層体を作製する。作製されたセラミックスグリーンシートの積層体を焼成することにより、上側構造体11を得る。なお、必要により、上側構造体11を構成する上側部分101aの反り修正や表面の研磨加工等を行ってもよい。
 また、所定のセラミックスグリーンシート(以下、「特定セラミックスグリーンシート81」という。)の上面S8上に、ヒータ電極50の形成材料であるヒータ用材料によってヒータパターン501を形成すると共に、後述するヒータ電極50の一部分の除去の際の基準となる1つ以上の基準パターン502を形成する(S120、図7のB欄参照)。具体的には、ヒータパターン501は、ヒータ電極50の形成材料(ヒータ用材料)であるメタライズインクを、例えばスクリーン印刷することにより形成する。ヒータパターン501の形状は、ヒータ電極50の設計形状に応じて定められた形状である。また、基準パターン502は、所定の材料(例えば、ヒータ電極50の形成材料と同じメタライズインク)を、例えばスクリーン印刷することにより形成する。基準パターン502の形成材料は、ヒータパターン501の形成材料と同一であることが好ましい。基準パターン502は、任意の形状とすることができるが、本実施形態では、Z軸方向視で略円形の板状とされる(図7のC欄参照)。ヒータパターン501と基準パターン502とは、同一の工程により形成してもよいし、別々の工程により順に形成してもよい。また、ヒータパターン501と基準パターン502とは、スクリーン印刷以外の方法(例えば、フォトリソグラフィーによる方法等)により形成してもよい。なお、特定セラミックスグリーンシート81は、後述する焼成工程により、板状部材10の下側部分102aを構成する基板層111aの一部(ヒータ電極50aが配置される上面S8側の部分)となるものであるため、特定セラミックスグリーンシート81には、必要な加工(ビアの形成のための孔空けおよびメタライズペーストの充填等)がなされている。S120の工程は、特許請求の範囲における形成工程に相当し、特定セラミックスグリーンシート81は、特許請求の範囲における第1のセラミックスグリーンシートに相当する。
 次に、特定セラミックスグリーンシート81上に、ヒータパターン501を覆うカバー層112aを配置する(S130、図7のC欄参照)。カバー層112aは、絶縁材料(本実施形態では、セラミックス)により形成されたシート状の部材である。カバー層112aは、例えば、特定セラミックスグリーンシート81におけるヒータパターン501が形成された上面S8と略同径の円板状であり、特定セラミックスグリーンシート81の上面S8全体を覆うように圧着される。また、図7のC欄に示すように、カバー層112aには、特定セラミックスグリーンシート81に形成された基準パターン502と重なる位置に、厚さ方向に貫通する貫通孔84が形成されている。そのため、基準パターン502は、カバー層112aに形成された貫通孔84を介して露出した状態(視認できる状態)となる。上述したように、特定セラミックスグリーンシート81上には、1つ以上の基準パターン502が形成されているため、カバー層112aには、1つ以上の貫通孔84が形成されている。S130の工程は、特許請求の範囲における配置工程に相当し、カバー層112aに形成された貫通孔84は、特許請求の範囲における第1の孔および第2の孔に相当する。
 次に、特定セラミックスグリーンシート81におけるヒータパターン501が形成された上面S8とは反対側の表面に、1枚または複数枚の他のセラミックスグリーンシート82を積層することにより、特定セラミックスグリーンシート81を含む複数のセラミックスグリーンシート81,82が積層された積層体15を作製する(S140、図8のD欄参照)。積層体15は、複数のセラミックスグリーンシート81,82を積層して熱圧着し、切断等の加工を行うことにより作製する。なお、上記他のセラミックスグリーンシート82は、後述する焼成工程により、板状部材10の下側部分102aを構成する基板層111aの一部(接合部30に対向する表面側の部分)となるものであるため、上記他のセラミックスグリーンシート82には、必要な加工(ドライバ電極60や給電電極73等の形成のためのメタライズペーストの印刷、各種ビアの形成のための孔空けおよびメタライズペーストの充填等)がなされている。
 次に、作製された積層体15を焼成することにより、板状部材10の下側部分102aと、ヒータ電極50aとを備える下側構造体12を作製する(S150、図8のE欄参照)。板状部材10の下側部分102aは、セラミックスグリーンシート81,82が焼成されることにより形成されたセラミックス焼結体である基板層111aと、カバー層112aが焼成されることにより形成された部材(便宜上、これもカバー層112aという。)とから構成される。また、ヒータ電極50aは、ヒータパターン501が焼成されることにより形成される。下側部分102a(カバー層112aおよび基板層111a)とヒータ電極50aとは、それぞれ、製造完了後の静電チャック100における下側部分102(カバー層112および基板層111)とヒータ電極50とになる構造体である。下側部分102aおよびヒータ電極50aは、それぞれ、下側部分102およびヒータ電極50と完全に同一物であってもよいし、下側部分102aおよびヒータ電極50aに対する種々の加工が行われた結果、下側部分102およびヒータ電極50になるとしてもよい。S140およびS150の工程は、特許請求の範囲における焼成工程に相当する。
 次に、下側構造体12を構成する下側部分102aの反り修正を行う(S160)。より詳細には、まず、下側部分102aに荷重をかけつつ加熱して反りを修正する第1の反り修正工程を行う。具体的には、例えば、加湿した水素窒素雰囲気で、下側部分102aの両面を一対の加圧部材(例えば、タングステン板やモリブデン板)によって挟んで荷重(例えば、3~20kPa)を加えつつ、所定の温度(例えば1400~1500℃)で加熱する処理を行う。次に、下側部分102aを構成するカバー層112a(焼成されたカバー層112a)の上面S4を研磨して下側部分102aの反りを修正する第2の反り修正工程を行う。カバー層112aは、反り修正のために研磨を行ってもヒータ電極50aが露出しない程度の厚さを有している。
 次に、下側部分102aを構成するカバー層112aの厚さを測定する(S170)。上述したように、カバー層112aには、1つ以上の貫通孔84が形成されているため、各貫通孔84の位置でカバー層112aの厚さを測定する。カバー層112aの厚さの測定は、複数の箇所で行うことが好ましい。S170の工程は、特許請求の範囲における厚さ測定工程に相当する。
 次に、下側構造体12に形成された給電電極73に、給電端子74を、例えばろう付けにより接合する(S180、図9のF欄参照)。なお、給電端子74を給電電極73に接合する前に、給電電極73の表面にメッキ処理(例えば、ニッケルメッキ)を行ってもよい。
 次に、下側構造体12を構成する下側部分102aとベース部材20とを、接合部30により接合する(S190、図9のF欄参照)。より詳細には、例えばベース部材20の上面S3に、例えばシリコーン系樹脂を含む接着剤(ペースト状接着剤またはシート状接着剤)を配置し、該接着剤の上に下側部分102aを含む下側構造体12を配置し、該接着剤を硬化させる硬化処理を行うことにより、下側構造体12を構成する下側部分102aとベース部材20とを接合する接合部30を形成する。S190の工程は、特許請求の範囲における第1の接合工程に相当する。
 次に、ベース部材20の冷却機構による冷却(冷媒流路21への冷媒の供給)と、下側構造体12に配置された各ヒータ電極50aへの給電とを行いつつ、下側部分102aの上面S4(接合部30に対向する表面とは反対側の表面)の温度分布を測定する(S200)。温度分布の測定は、例えば、下側部分102aの上面S4における複数の測定点の温度を測定することにより行われる。S200の工程は、特許請求の範囲における温度測定工程に相当する。
 次に、S200の温度分布の測定結果に基づき、カバー層112aに覆われたヒータ電極50aの一部分をカバー層112aごと除去することによって、ヒータ電極50aの電気抵抗を調整し、これによってヒータ電極50aの発熱量を調整する(S210、図9のG欄参照)。ヒータ電極50aの一部分を除去すると、ヒータ電極50aの該部分の断面積が小さくなることによって電気抵抗が大きくなり、ヒータ電極50aの該部分の発熱量が増加する。そのため、例えば、ヒータ電極50aのうち、S200の温度分布の測定結果において比較的低温であった部分を除去することにより、該部分の温度を高温側に補正することができる。S210の工程は、特許請求の範囲における調整工程に相当する。
 なお、ヒータ電極50a(およびカバー層112a)の除去の際には、カバー層112aに形成された貫通孔84を介して露出した基準パターン502の位置を基準として、面方向におけるヒータ電極50aの除去位置が設定される。基準パターン502は、焼成前のヒータ電極50aであるヒータパターン501と同様に、焼成前の特定セラミックスグリーンシート81上に形成されるため、焼成工程においてセラミックスの収縮が発生しても、ヒータ電極50aと基準パターン502との相対的な位置関係は変わらない。そのため、基準パターン502の位置を基準としてヒータ電極50aの除去位置を設定することにより、ヒータ電極50aの除去を精度良く行うことができる。なお、面方向におけるヒータ電極50aの除去位置は、図9のG欄に示すように、ヒータ電極50aの幅方向(図9のG欄ではX軸方向)における端部以外の部分(中央部)であることが好ましい。すなわち、ヒータ電極50aの延伸方向(図9のG欄ではY軸方向)に沿った溝86が形成されるように、ヒータ電極50aの除去が行われることが好ましい。このようにすれば、ヒータ電極50aの幅方向における除去位置にずれが発生しても、ヒータ電極50aにおいて除去される幅の大きさにずれが発生することを抑制することができるため、ヒータ電極50aの除去によるヒータ電極50aの電気抵抗(発熱量)の調整効果のバラツキを抑制することができ、ヒータ電極50aの電気抵抗(発熱量)を精度良く調整することができる。なお、ヒータ電極50aの幅方向に並ぶ複数本の溝86が形成されるように、ヒータ電極50aの除去が行われるとしてもよい。
 なお、例えば、ヒータ電極50aのある箇所に溝86を形成したときに、さらに、ヒータ電極50aにおける該箇所と隣り合う他の箇所にも溝86を形成すると、そのような溝86を形成しない場合と比較して、1つの沿った溝86を形成したことによるヒータ電極50aの電気抵抗(発熱量)の調整効果(電気抵抗(発熱量)増加効果)は高くなる。ヒータ電極50aの除去箇所を設定する際には、このような調整効果の増大作用を考慮して行うことが好ましい。
 また、ヒータ電極50a(およびカバー層112a)の除去の際には、S170において測定されたカバー層112aの厚さに基づき、除去深さが設定される。同じ除去深さであっても、カバー層112aの厚さに応じて、除去されるヒータ電極50aの深さが異なり得るためである。なお、除去深さは、図9のG欄に示すように、ヒータ電極50aにおける厚さ方向の全体が除去される(すなわち、ヒータ電極50aの下の基板層111aの一部も除去される)ように設定されることが好ましい。このようにすれば、ヒータ電極50aにおける厚さ方向の一部のみを除去する態様と比較して、ヒータ電極50aの除去によるヒータ電極50aの電気抵抗(発熱量)の調整効果のバラツキを抑制することができ、ヒータ電極50aの電気抵抗(発熱量)を精度良く調整することができる。
 なお、ヒータ電極50a(およびカバー層112a)の除去は、例えば、レーザー発振器LOにより、下側部分102aの上面S4(カバー層112aが配置された側の表面)に向けてレーザー光LBを照射し、下側部分102aの上面S4に溝86を形成することにより行われる。このように形成される溝86の表面の一部は、ヒータ電極50aの表面の一部(上記除去により露出する表面)により構成される。また本実施形態では、溝86の断面形状は、図9のG欄に示すように略V字形状であるため、上述したように、ヒータ電極50aの除去の際には、カバー層112aの厚さに基づき除去深さを設定することがより好ましいと言える。なお、レーザー光LBのうち、パルス幅がフェムト秒領域(10-15)からピコ秒領域(10-12)にある超短パルスレーザーを用いると、レーザー光LBの照射により発生する熱による温度上昇速度と比較して、発生した熱が基材へ拡散する速度が速いため、加工時の熱影響が小さくなり、該熱影響により除去箇所の周辺部分の形状が不安定となる等の不具合を抑制することができるため、好ましい。また、ヒータ電極50aの除去は、他の方法(例えば、ショットブラストやマシニング装置による研磨)によっても実現することができる。
 なお、溝86の形状の調整は、溝86の形成の際に、例えば、レーザー光LBの照射強度や照射回数を調整したり、ショットブラストの粒径や速度を調整したりすることにより実現することができる。また、本実施形態では、Z軸方向に平行な少なくとも1つの断面(例えば、図5に示す断面のように、ヒータ電極50の延伸方向に直交する断面)において、溝86の開口の縁部88はR形状である。このような形状の溝86は、例えば、レーザー光LBの照射等による溝86の形成の後に、溝86の開口の縁部88に対してバフ研磨を行うことにより形成することができる。あるいは、このような形状の溝86は、例えば、レーザー光LBの照射による溝86の形成の際に、溝86の幅方向の端部に近い位置ほどレーザー光LBの照射回数を少なくすることによっても形成することができる。
 また、ヒータ電極50aの除去によるヒータ電極50aの電気抵抗(発熱量)の調整を行った後、再度、S200の工程と同様に下側部分102aの上面S4の温度分布を測定し、ヒータ電極50aの電気抵抗(発熱量)の調整結果の確認や、ヒータ電極50aの再度の除去の実行要否の判断、必要によりヒータ電極50aの再度の除去の実行等を行ってもよい。このようにすれば、ヒータ電極50aの電気抵抗(発熱量)の微調整の実現、過調整の防止、調整時間の短縮を実現することができる。また、ヒータ電極50aの電気抵抗(発熱量)の調整の有無は、例えば、ヒータ電極50aの抵抗値の変化の有無やIRカメラによる画像の変化の有無により確認することができる。
 次に、下側部分102aの上面S4に形成された溝86(調整工程において除去された部分)と、カバー層112aに形成された貫通孔84とに、絶縁材87を充填する(S220、図10のH欄参照)。本実施形態では、絶縁材87として、中間接合部104の材料と同一の材料が用いられる。S220の工程は、特許請求の範囲における充填工程に相当する。
 次に、下側構造体12を構成する下側部分102aの上面S4に、S110で作製された上側構造体11を構成する上側部分101aを、中間接合部104によって接合する(S230、図10のI欄参照)。より詳細には、例えば下側部分102aの上面S4に、例えばシリコーン系樹脂を含む接着剤(ペースト状接着剤またはシート状接着剤)を配置し、該接着剤の上に上側部分101aを配置し、該接着剤を硬化させる硬化処理を行うことにより、下側部分102aと上側部分101aとを接合する中間接合部104を形成する。S230の工程により、下側部分102aと中間接合部104と上側部分101aとを含む板状部材10が作製される。なお、本実施形態では、S230の工程において、ヒータ電極50への給電を行うことによる発熱を利用して接着剤を硬化させる硬化処理を行うことにより、中間接合部104を形成するものとしている。また、S230の工程の後に、板状部材10の吸着面S1の研磨等の加工を行ってもよい。S230の工程は、特許請求の範囲における第2の接合工程に相当する。
 次に、板状部材10の下側部分102aおよび中間接合部104と接合部30との積層体の外周を取り囲むように、Oリング90を取り付ける(S240、図10のI欄参照)。主として以上の工程により、上述した構成の静電チャック100が製造される。
A-4.本実施形態の効果:
 以上説明したように、本実施形態の静電チャック100は、板状部材10と、ベース部材20と、接合部30とを備える。板状部材10は、吸着面S1と、吸着面S1とは反対側の下面S2と、を有する板状の部材である。板状部材10は、吸着面S1を含む上側部分101と、下面S2を含むと共にセラミックスにより形成された部分を含む下側部分102と、上側部分101と下側部分102とを接合する中間接合部104とを有している。板状部材10の下側部分102には、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極50が配置されている。ベース部材20は、上面S3を有し、上面S3が板状部材10の下面S2側に位置するように配置された部材である。ベース部材20は、冷却機構を有している。すなわち、ベース部材20の内部には、冷媒流路21が形成されている。接合部30は、板状部材10の下面S2とベース部材20の上面S3との間に配置され、板状部材10とベース部材20とを接合する。
 また、本実施形態の静電チャック100の製造方法は、特定セラミックスグリーンシート81上に、ヒータ電極50の形成材料によってヒータパターン501を形成する工程(形成工程、S120)と、特定セラミックスグリーンシート81上に、絶縁材料により形成されるカバー層112であって、ヒータパターン501を覆うカバー層112を配置する工程(配置工程、S130)と、特定セラミックスグリーンシート81を含む複数のセラミックスグリーンシート81,82が積層された積層体15を焼成することにより、板状部材10の下側部分102とヒータ電極50とを作製する工程(焼成工程、S140,S150)と、接合部30により、板状部材10の下側部分102とベース部材20とを接合する工程(第1の接合工程、S190)と、ベース部材20の冷却機構による冷却(冷媒流路21への冷媒の供給)と、ヒータ電極50への給電と、を行いつつ、板状部材10の下側部分102における接合部30に対向する表面とは反対側の表面(上面S4)の温度分布を測定する工程(温度測定工程、S200)と、温度分布の測定結果に基づき、カバー層112に覆われたヒータ電極50の一部分をカバー層112ごと除去することによってヒータ電極50の電気抵抗(発熱量)を調整する工程(調整工程、S210)と、中間接合部104により、板状部材10の下側部分102と上側部分101とを接合する工程(第2の接合工程、S230)とを備える。
 このように、本実施形態の静電チャック100の製造方法では、板状部材10のうちの下面S2側の一部分であり、ヒータ電極50が配置された下側部分102に、ベース部材20が接合された状態で、ベース部材20の冷却機構による冷却(冷媒流路21への冷媒の供給)とヒータ電極50への給電とを行いつつ、下側部分102の上面S4の温度分布が測定され、温度分布の測定結果に基づき、カバー層112に覆われたヒータ電極50の一部分をカバー層112ごと除去することによってヒータ電極50の電気抵抗(発熱量)が調整され、その後、板状部材10の下側部分102に上側部分101が接合される。すなわち、本実施形態の静電チャック100の製造方法では、ヒータ電極50よりベース部材20側(下側)の部分を作製した後、実際の使用時と同様の状態(すなわち、冷媒流路21への冷媒の供給とヒータ電極50への給電とが行われた状態)で下側部分102の上面S4の温度分布の測定を行い、該温度分布の測定結果に基づきヒータ電極50の電気抵抗(発熱量)の調整を行うことができる。従って、本実施形態の静電チャック100の製造方法によれば、ヒータ電極50の電気抵抗(発熱量)の調整を短時間で精度良く行うことができ、その結果、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性を向上させることができる。なお、本明細書において、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性が高いとは、吸着面S1全体の温度分布が均一に近いことと、セグメントZ毎に吸着面S1の温度分布が均一に近いこととの少なくとも一方の意味を含む。
 さらに、本実施形態の静電チャック100の製造方法では、ヒータ電極50の形成材料であるヒータパターン501がカバー層112により覆われた状態で焼成が行われるため、焼成時のヒータパターン501の変質(例えば、揮発や昇華)を抑制することができ、ヒータパターン501の変質に起因してヒータ電極50の抵抗値にバラツキが生じ、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。
 また、本実施形態の静電チャック100の製造方法は、さらに、調整工程(S210)において除去された部分に絶縁材87を充填する工程(充填工程、S220)を備える。そのため、本実施形態の静電チャック100の製造方法によれば、ヒータ電極50間の短絡を防止しつつ、板状部材10の内部への気体の侵入を抑制することができる。
 また、本実施形態の静電チャック100の製造方法では、配置工程(S130)において配置されるカバー層112に、厚さ方向に貫通する貫通孔84が形成されており、該製造方法は、さらに、焼成工程(S150)の後に、貫通孔84の位置でカバー層112の厚さを測定する工程(厚さ測定工程、S170)を備える。そのため、本実施形態の静電チャック100の製造方法によれば、カバー層112の厚さに基づき、調整工程におけるカバー層112およびヒータ電極50の除去深さを適切に設定することができ、ヒータ電極50の電気抵抗(発熱量)の調整を精度良く行うことができ、その結果、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。
 また、本実施形態の静電チャック100の製造方法は、さらに、下側部分102の反りを修正する工程(反り修正工程、S160)を備える。反り修正工程は、焼成工程(S150)の後に、板状部材10の下側部分102に荷重をかけつつ加熱して反りを修正する工程(第1の反り修正工程)と、第1の反り修正工程の後に、カバー層112を研磨して下側部分102の反りを修正する工程(第2の反り修正工程)とを備える。そのため、本実施形態の静電チャック100の製造方法によれば、第1の反り修正工程によっても修正しきれない下側部分102の反りを、カバー層112を研磨する第2の反り修正工程によって修正することができ、下側部分102の反り、ひいては板状部材10の反りを効果的に低減することができる。また、本実施形態の静電チャック100の製造方法では、下側部分102の反り修正を行う際に、ヒータ電極50がカバー層112により覆われているため、ヒータ電極50が反り修正用の治具と反応して変質し、該変質に起因してヒータ電極50の抵抗値にバラツキが生じ、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。
 また、本実施形態の静電チャック100の製造方法では、特定セラミックスグリーンシート81上にヒータパターン501を形成する形成工程(S120)は、特定セラミックスグリーンシート81上に所定の材料で基準パターン502を形成することを含み、配置工程(S130)において配置されるカバー層112には、基準パターン502と重なる位置に、厚さ方向に貫通する貫通孔84が形成されており、ヒータ電極50の電気抵抗(発熱量)を調整する調整工程(S210)では、カバー層112に形成された貫通孔84を介して露出した基準パターン502の位置を基準として、ヒータ電極50における除去位置を設定する。そのため、本実施形態の静電チャック100の製造方法によれば、基準パターン502の位置を基準として除去位置を設定することにより、ヒータ電極50の除去を精度良く行うことができ、ヒータ電極50の電気抵抗(発熱量)の調整を精度良く行うことができ、その結果、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。
 また、本実施形態の静電チャック100の製造方法は、さらに、積層体15を焼成する焼成工程(S150)の後に、基準パターン502を露出させるための貫通孔84の位置でカバー層112の厚さを測定する厚さ工程(測定工程、S170)を備える。そのため、本実施形態の静電チャック100の製造方法によれば、基準パターン502を露出させるためにカバー層112に形成された貫通孔84を利用して、カバー層112の厚さを測定することができるため、カバー層112に形成する孔の数を減らすことができ、孔の存在に起因して板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。
 また、本実施形態の静電チャック100の製造方法では、中間接合部104は、接合部30と比較して、熱抵抗が低い。そのため、本実施形態の静電チャック100の製造方法によれば、中間接合部104の存在に起因して板状部材10における発熱および/または冷却の応答性が低下することを抑制することができ、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。
 また、本実施形態の静電チャック100の製造方法では、中間接合部104によって板状部材10の下側部分102と上側部分101とを接合する第2の接合工程(S230)は、ヒータ電極50への給電を行うことによる発熱を利用して中間接合部104を形成する工程である。そのため、本実施形態の静電チャック100の製造方法によれば、中間接合部104を形成する際に装置全体を加熱する方法と比較して、加熱による他の部材への悪影響(例えば、接合部30の部分的剥離による熱引き性のバラツキの発生)を抑制することができ、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。
 また、本実施形態の静電チャック100の製造方法では、ヒータ電極50の電気抵抗(発熱量)を調整する調整工程(S210)は、板状部材10の下側部分102におけるカバー層112が配置された側の表面にレーザー光LBを照射することによりヒータ電極50を除去する工程である。そのため、本実施形態の静電チャック100の製造方法によれば、調整工程におけるヒータ電極50の除去精度を向上させることができ、ヒータ電極50の電気抵抗(発熱量)の調整を精度良く行うことができ、その結果、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。
 また、本実施形態の静電チャック100は、板状部材10と、ベース部材20と、接合部30とを備える。板状部材10は、Z軸方向に略直交する吸着面S1と、吸着面S1とは反対側の下面S2と、を有する板状の部材である。板状部材10は、吸着面S1を含む上側部分101と、下面S2を含むと共にセラミックスにより形成された部分を含む下側部分102と、上側部分101と下側部分102とを接合する中間接合部104とを有している。板状部材10の下側部分102には、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極50が配置されている。ベース部材20は、上面S3を有し、上面S3が板状部材10の下面S2側に位置するように配置された部材である。ベース部材20は、冷却機構を有している。すなわち、ベース部材20の内部には、冷媒流路21が形成されている。接合部30は、板状部材10の下面S2とベース部材20の上面S3との間に配置され、板状部材10とベース部材20とを接合する。また、本実施形態の静電チャック100では、板状部材10の下側部分102の表面の内、中間接合部104と対向する表面である上面S4には、溝86が形成されている。溝86の表面の一部は、ヒータ電極50の表面の一部により構成されている。また、本実施形態の静電チャック100では、ヒータ電極50に給電し、かつ、ベース部材20の冷却機構による冷却(冷媒流路21への冷媒の供給)を行い、ヒータ電極50の温度と冷却の温度(冷媒の温度)との差が50℃以上であるときに、板状部材10の吸着面S1における温度の最大値と最小値との差は、3.5℃以下である。
 このように、本実施形態の静電チャック100では、板状部材10の下側部分102の上面S4に、溝86が形成されており、溝86の表面の一部がヒータ電極50の表面の一部により構成されており、ヒータ電極50に給電し、かつ、ベース部材20の冷却機構による冷却を行った状態での板状部材10の吸着面S1の各位置での温度差が、極めて小さくなっている。従って、本実施形態の静電チャック100によれば、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。
 また、本実施形態の静電チャック100では、Z軸方向に平行な少なくとも1つの断面(例えば、図5に示す断面のように、ヒータ電極50の延伸方向に直交する断面)において、溝86の開口の縁部88は、R形状である。そのため、本実施形態の静電チャック100によれば、該縁部88がR形状ではなく角が立った形状である構成と比較して、静電チャック100の製造時等において該縁部88付近に力が加わった場合に、滑るように該力を逃すことができると共に、衝撃を受ける断面の面積を大きくすることができ、溝86の開口の縁部88付近が欠けることを抑制することができる。
 また、本実施形態の静電チャック100では、Z軸方向に平行な少なくとも1つの断面(例えば、図5に示す断面のように、ヒータ電極50の延伸方向に直交する断面)において、溝86の形状は、溝86の最深部85の深さD1が、下側部分102の上面S4における溝86以外の部分からヒータ電極50の表面の各位置までのZ軸方向に沿った距離の最大値L2(すなわち、ヒータ電極50の下面57までの距離)より深い形状である。すなわち、溝86は、ヒータ電極50を貫通するような形状である。溝86がヒータ電極50を貫通するような形状であると、図11に示すように、溝86の最深部85を起点としてクラックCRが発生した場合にも、該クラックCRがヒータ電極50内部まで到達してヒータ電極50の電気抵抗が変化することを回避することができる。そのため、本実施形態の静電チャック100によれば、下側部分102の内部で発生したクラックCRがヒータ電極50内部まで到達してヒータ電極50の電気抵抗が変化することを回避することができ、その結果、ヒータ電極50の発熱量が変化することを回避することができ、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性をさらに効果的に向上させることができる。
 また、本実施形態の静電チャック100では、Z軸方向に平行な少なくとも1つの断面(例えば、図5に示す断面のように、ヒータ電極50の延伸方向に直交する断面)において、溝86は、深い位置ほど(すなわち、下方の位置ほど)、幅(Z軸に直交する方向の幅)が狭くなる形状である。ここで、図12に示す比較例のように、溝86Xによるヒータ電極50の除去体積が本実施形態と同じであるとして、溝86Xが一定の幅を有する形状(断面が矩形の形状)であると、ヒータ電極50における溝86Xの表面を構成する表面付近において、ヒータ電極50が存在しない部分が大きくなり、かつ、ヒータ電極50における溝86Xの表面を構成する表面の位置において電気抵抗(発熱量)が急激に変化するため、ヒータ電極50の電気抵抗(発熱量)の偏りが大きくなる。これに対し、図11に示すように、本実施形態では、溝86が、深い位置ほど幅が狭くなる形状であるため、ヒータ電極50における溝86の表面を構成する表面付近において、ヒータ電極50が存在しない部分が小さくなり、かつ、ヒータ電極50における溝86の表面を構成する表面の位置において電気抵抗(発熱量)が急激に変化することが抑制され、ヒータ電極50の電気抵抗(発熱量)の偏りが小さくなる。そのため、本実施形態の静電チャック100によれば、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性をさらに効果的に向上させることができる。
 また、本実施形態の静電チャック100では、Z軸方向に平行な少なくとも1つの断面(例えば、図5に示す断面のように、ヒータ電極50の延伸方向に直交する断面)において、溝86は、溝86の表面を構成する線が1個のみの折れ曲がり点(最深部85に相当する点)を有する形状である。上記折れ曲がり点は、応力集中が発生しやすいため、クラックCRの起点となりやすい点である。本実施形態の静電チャック100によれば、上記折れ曲がり点が1つしかないため、複数の折れ曲がり点を有する構成と比較して、溝86の表面の各位置における応力集中を抑制することができ、その結果、溝86の表面を起点としたクラックCRの発生を抑制することができる。
B.変形例:
 本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。
 上記実施形態における静電チャック100の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態におけるヒータ電極50の個数や、各ヒータ電極50の形状、板状部材10における各ヒータ電極50の配置は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態の静電チャック100は、3つのヒータ電極50を備えるが、静電チャック100が備えるヒータ電極50の個数は、2つ以下であってもよいし、4つ以上であってもよい。同様に、上記実施形態におけるセグメントZの個数や、各セグメントZの形状、板状部材10における各セグメントZの配置は、あくまで一例であり、種々変形可能である。また、板状部材10にセグメントZが設定されていなくてもよい。
 また、上記実施形態におけるドライバ電極60の個数や、各ドライバ電極60の形状、板状部材10における各ドライバ電極60の配置は、あくまで一例であり、種々変形可能である。また、上記実施形態において、静電チャック100がドライバ電極60を備えないとしてもよい。また、上記実施形態において、各ビアは、単数のビアにより構成されてもよいし、複数のビアのグループにより構成されてもよい。また、上記実施形態において、各ビアは、ビア部分のみからなる単層構成であってもよいし、複数層構成(例えば、ビア部分とパッド部分とビア部分とが積層された構成)であってもよい。また、上記実施形態では、鍔部109が板状部材10の上側部分101に形成されているが、鍔部109が板状部材10の下側部分102に形成されていてもよい。また、上記実施形態において、静電チャック100がOリング90を備えないとしてもよい。また、上記実施形態において、板状部材10が鍔部109を有さないとしてもよい。
 また、上記実施形態では、板状部材10の内部に1つのチャック電極40が設けられた単極方式が採用されているが、板状部材10の内部に一対のチャック電極40が設けられた双極方式が採用されてもよい。また、上記実施形態の静電チャック100における各部材を形成する材料は、あくまで例示であり、各部材が他の材料により形成されてもよい。
 また、上記実施形態では、ベース部材20が、冷却機構として、ベース部材20の内部に形成された冷媒流路21を有しているが、ベース部材20が、他の冷却機構(例えば、ベース部材20の下面に配置された冷却装置)を有していてもよい。
 また、上記実施形態における溝86の形状は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、溝86の深さが、ヒータ電極50を厚さ方向に貫通するような深さであるが、溝86の深さがそれよりも浅くてもよい。また、上記実施形態では、溝86は、Z軸方向に平行な少なくとも1つの断面(例えば、図5に示す断面のように、ヒータ電極50の延伸方向に直交する断面)において、深い位置ほど幅が狭くなる形状であるが、溝86が、一定の幅を有する形状であってもよいし、深い位置ほど幅が広くなる部分を有する形状であってもよい。また、上記実施形態では、溝86は、該断面において、溝86の表面を構成する線が1個の折れ曲がり点を有する形状であるが、溝86が、該線が0個または2個以上の折れ曲がり点を有する形状であってもよい。また、上記実施形態では、該断面において、溝86の開口の縁部88はR形状であるが、溝86の開口の縁部88はR形状でなくてもよい。また、上記実施形態では、板状部材10の下側部分102の上面S4に形成された溝86の内部に絶縁材87が配置されているが、溝86の内部に絶縁材87が配置されていなくてもよい。例えば、溝86の内部が空間(真空も含む)であってもよい。また、板状部材10の下側部分102の上面S4に複数の溝86が形成されている場合に、すべての溝86が上述した特徴を具備している必要はなく、少なくとも1つの溝86が該特徴を具備していればよい。
 また、図13に示す変形例のように、中間接合部104の一部が、溝86内に入り込んでいるとしてもよい。このような変形例によれば、中間接合部104の内、溝86に入り込んだ部分がアンカーとして機能するため、中間接合部104による板状部材10の上側部分101と下側部分102との接合強度を向上させることができる。なお、図13に示す変形例では、溝86が中間接合部104によって完全に埋められているが、溝86の一部(例えば、溝86における上側部分)のみが中間接合部104によって埋められ、溝86の残りの一部(例えば、溝86における下側部分)は中間接合部104によって埋められていなくてもよい。
 また、上記実施形態における静電チャック100の製造方法は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態における静電チャック100の製造方法における少なくとも1つの工程(例えば、反り修正工程(S160)、厚さ測定工程(S170)、充填工程(S220)等)を省略してもよい。また、反り修正工程(S160)が行われる場合において、第1の反り修正工程と第2の反り修正工程との一方を省略してもよい。
 また、上記実施形態では、カバー層112は、ヒータパターン501が形成された特定セラミックスグリーンシート81の上面S8全体を覆うように配置されるが、カバー層112は、少なくともヒータパターン501を覆うように配置されればよく、必ずしも特定セラミックスグリーンシート81の上面S8全体を覆う必要はない。また、上記実施形態では、シート状のカバー層112を特定セラミックスグリーンシート81の上面S8に圧着しているが、特定セラミックスグリーンシート81の上面S8にカバー層112の材料であるスラリーを例えばスクリーン印刷により塗布することにより、カバー層112を配置するとしてもよい。また、上記実施形態では、カバー層112はセラミックスにより形成されるとしているが、カバー層112が他の絶縁材料により形成されるとしてもよい。なお、カバー層112の形成材料は、絶縁性に加えて、熱膨張係数が板状部材10の形成材料と近いこと、耐熱性が高いこと、研磨加工が可能であること等の特性を有していることが好ましい。
 また、上記実施形態では、カバー層112に貫通孔84が形成されるとしているが、例えば、カバー層112を透過して基準パターン502を視認することができる場合等には、必ずしもカバー層112に貫通孔84を設ける必要はない。また、上記実施形態では、基準パターン502と重なる位置に貫通孔84が形成されるが、基準パターン502と重ならない位置に、カバー層112の厚さを測定するための貫通孔が形成されてもよい。
 また、上記実施形態では、特定セラミックスグリーンシート81の上面S8上に基準パターン502が形成されるとしているが、基準パターン502の形成方法はこれに限られない。図14は、変形例における静電チャック100の製造方法の概要を示す説明図である。図14に示す変形例の静電チャック100の製造方法では、上記実施形態の静電チャック100の製造方法における図7のB欄およびC欄にその概要が示される工程の代わりに、図14のB欄およびC欄にその概要が示される工程が実行される。すなわち、図14に示す変形例の静電チャック100の製造方法では、特定セラミックスグリーンシート81の上面S8上に基準パターン502が形成されない。その代わりに、図14のB欄に示すように、カバー層112aに基準パターン503が形成される。カバー層112aに形成される基準パターン503は、カバー層112aの上面側から視認されることができる限りにおいて、任意の形態を取り得るが、例えば、カバー層112aに形成されたビアを基準パターン503とすることができる。図14のC欄に示すように、このようなカバー層112aを、特定セラミックスグリーンシート81上に配置することにより、ヒータパターン501がカバー層112aに覆われ、かつ、基準パターン503がカバー層112aの上面側から視認できる構造体を作製することができる。
 また、上記実施形態では、溝86や貫通孔84に充填する絶縁材87として、中間接合部104の材料と同一の材料を用いているが、これに限られず、任意の絶縁材料(例えば、無機接着剤、ガラス、樹脂接着剤等)を用いることができる。また、必ずしも、溝86や貫通孔84に絶縁材87を充填する必要はない。
 また、上記実施形態では、特定セラミックスグリーンシート81にヒータパターン501を形成した後に、特定セラミックスグリーンシート81を含む複数のセラミックスグリーンシート81,82が積層された積層体15を作製するものとしているが、ヒータパターン501を形成する前に積層体15を作製した後に、積層体15の上面を構成する特定セラミックスグリーンシート81の表面にヒータパターン501を形成するとしてもよい。
 また、上記実施形態における静電チャック100の製造方法において、S190(図6)の工程が完了した時点における構造物を、例えば作製したり購入したりして準備し、その後に、S200およびS210の工程(または、S200~S220の工程)を実行するものとしてもよい。すなわち、本明細書に開示される技術は、下面S2を含むと共にセラミックスにより形成された部分を含む下側部分102と、下側部分102に配置され、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極50と、冷却機構を有するベース部材20と、下側部分102の下面S2とベース部材20との間に配置されて下側部分102とベース部材20とを接合する接合部30と、を備え、下側部分102の上方に対象物(例えば、ウェハW)を保持する保持装置(例えば、静電チャック100)用の構造体の製造方法において、下側部分102と、下側部分102の一部であるカバー層112に覆われたヒータ電極50と、ベース部材20と、下側部分102とベース部材20とを接合する接合部30と、を備える調整前構造体(例えば、図9のF欄に示される構造体)を準備する準備工程と、ベース部材20の冷却機構による冷却と、ヒータ電極50への給電と、を行いつつ、下側部分102における下面S2とは反対側の表面(すなわち、上面S4)の温度分布を測定する温度測定工程と、温度分布の測定結果に基づき、カバー層112に覆われたヒータ電極50の一部分をカバー層112ごと除去することによってヒータ電極50の電気抵抗を調整する調整工程と、を備える保持装置用の構造体の製造方法の形態としても実現することができる。なお、この形態において、板状部材10の下側部分102は、特許請求の範囲における特定部材に相当し、下側部分102の下面S2は、特許請求の範囲における特定表面に相当する。
 また、本発明は、板状部材10とベース部材20とを備え、静電引力を利用してウェハWを保持する静電チャック100に限らず、板状部材と、ベース部材と、板状部材とベース部材とを接合する接合部と、板状部材の内部に配置されたヒータ電極とを備え、板状部材の表面上に対象物を保持する他の保持装置にも同様に適用可能である。
10:板状部材 11:上側構造体 12:下側構造体 13:凹部 15:積層体 20:ベース部材 21:冷媒流路 22:貫通孔 30:接合部 32:貫通孔 40:チャック電極 41:入力ピン 42:コネクタ 43:配線部 44:絶縁部材 50:ヒータ電極 51:ヒータライン部 52:ヒータパッド部 56:上面 57:下面 58:側面 60:ドライバ電極 71:ヒータ側ビア 72:給電側ビア 73:給電電極 74:給電端子 81:特定セラミックスグリーンシート 82:セラミックスグリーンシート 84:貫通孔 85:最深部 86:溝 87:絶縁材 88:縁部 90:Oリング 100:静電チャック 101:上側部分 102:下側部分 104:中間接合部 108:本体部 109:鍔部 110:端子用孔 111:基板層 112:カバー層 120:孔 501:ヒータパターン 502:基準パターン 600:ドライバ電極対 LB:レーザー光 LO:レーザー発振器 S1:吸着面 S2:下面 S3:上面 S4:上面 S7:下面 S8:上面 VL:仮想分割線 W:ウェハ Z:セグメント

Claims (16)

  1.  第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有する板状部材であって、前記第1の表面を含む第1の部分と、前記第2の表面を含むと共にセラミックスにより形成された部分を含む第2の部分と、前記第1の部分と前記第2の部分とを接合する第1の接合部と、を有する板状部材と、
     前記板状部材の前記第2の部分に配置され、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極と、
     第3の表面を有し、前記第3の表面が前記板状部材の前記第2の表面側に位置するように配置され、冷却機構を有するベース部材と、
     前記板状部材の前記第2の表面と前記ベース部材の前記第3の表面との間に配置されて前記板状部材と前記ベース部材とを接合する第2の接合部と、
    を備え、前記板状部材の前記第1の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法において、
     第1のセラミックスグリーンシート上に、前記ヒータ電極の形成材料であるヒータ用材料によってヒータパターンを形成する形成工程と、
     前記第1のセラミックスグリーンシート上に、絶縁材料により形成されるカバー層であって、前記ヒータパターンを覆う前記カバー層を配置する配置工程と、
     前記第1のセラミックスグリーンシートを含む複数のセラミックスグリーンシートが積層された積層体を焼成することにより、前記板状部材の前記第2の部分と前記ヒータ電極とを作製する焼成工程と、
     前記第2の接合部により、前記板状部材の前記第2の部分と前記ベース部材とを接合する第1の接合工程と、
     前記冷却機構による冷却と、前記ヒータ電極への給電と、を行いつつ、前記板状部材の前記第2の部分における前記第2の接合部に対向する表面とは反対側の表面の温度分布を測定する温度測定工程と、
     前記温度分布の測定結果に基づき、前記カバー層に覆われた前記ヒータ電極の一部分を前記カバー層ごと除去することによって前記ヒータ電極の電気抵抗を調整する調整工程と、
     前記第1の接合部により、前記板状部材の前記第2の部分と前記第1の部分とを接合する第2の接合工程と、
    を備える、
     ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  2.  請求項1に記載の保持装置の製造方法において、さらに、
     前記調整工程において除去された部分に絶縁材を充填する充填工程を備える、
     ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  3.  請求項1または請求項2に記載の保持装置の製造方法において、
     前記配置工程において配置される前記カバー層には、厚さ方向に貫通する第1の孔が形成されており、
     前記保持装置の製造方法は、さらに、前記焼成工程の後に、前記第1の孔の位置で前記カバー層の厚さを測定する厚さ測定工程を備える、
     ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  4.  請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の保持装置の製造方法において、さらに、
     前記焼成工程の後に、前記板状部材の前記第2の部分に荷重をかけつつ加熱して反りを修正する第1の反り修正工程と、前記焼成工程の後に、前記カバー層を研磨して前記第2の部分の反りを修正する第2の反り修正工程と、の少なくとも一方を備える、
     ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  5.  請求項4に記載の保持装置の製造方法において、
     前記第1の反り修正工程と、前記第1の反り修正工程の後に実行される前記第2の反り修正工程と、の両方を備える、
     ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  6.  請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の保持装置の製造方法において、
     前記形成工程は、前記第1のセラミックスグリーンシート上に、所定の材料で基準パターンを形成することを含み、
     前記配置工程において配置される前記カバー層には、前記基準パターンと重なる位置に、厚さ方向に貫通する第2の孔が形成されており、
     前記調整工程では、前記カバー層に形成された前記第2の孔を介して露出した前記基準パターンの位置を基準として、前記ヒータ電極における除去位置を設定する、
     ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  7.  請求項6に記載の保持装置の製造方法において、さらに、
     前記焼成工程の後に、前記第2の孔の位置で前記カバー層の厚さを測定する厚さ測定工程を備える、
     ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  8.  請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載の保持装置の製造方法において、
     前記第1の接合部は、前記第2の接合部と比較して、熱抵抗が低い、
     ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  9.  請求項1から請求項8までのいずれか一項に記載の保持装置の製造方法において、
     前記第2の接合工程は、前記ヒータ電極への給電を行うことによる発熱を利用して、前記第1の接合部を形成する工程である、
     ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  10.  特定表面を含むと共にセラミックスにより形成された部分を含む特定部材と、
     前記特定部材に配置され、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極と、
     冷却機構を有するベース部材と、
     前記特定部材の前記特定表面と前記ベース部材との間に配置されて前記特定部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、
    を備え、前記特定部材の上方に対象物を保持する保持装置用の構造体の製造方法において、
     前記特定部材と、前記特定部材の一部であるカバー層に覆われた前記ヒータ電極と、前記ベース部材と、前記特定部材と前記ベース部材とを接合する前記接合部と、を備える調整前構造体を準備する準備工程と、
     前記冷却機構による冷却と、前記ヒータ電極への給電と、を行いつつ、前記特定部材における前記特定表面とは反対側の表面の温度分布を測定する温度測定工程と、
     前記温度分布の測定結果に基づき、前記カバー層に覆われた前記ヒータ電極の一部分を前記カバー層ごと除去することによって前記ヒータ電極の電気抵抗を調整する調整工程と、
    を備える、
     ことを特徴とする保持装置用の構造体の製造方法。
  11.  第1の方向に略直交する第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有する板状部材であって、前記第1の表面を含む第1の部分と、前記第2の表面を含むと共にセラミックスにより形成された部分を含む第2の部分と、前記第1の部分と前記第2の部分とを接合する第1の接合部と、を有する板状部材と、
     前記板状部材の前記第2の部分に配置され、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極と、
     第3の表面を有し、前記第3の表面が前記板状部材の前記第2の表面側に位置するように配置され、冷却機構を有するベース部材と、
     前記板状部材の前記第2の表面と前記ベース部材の前記第3の表面との間に配置されて前記板状部材と前記ベース部材とを接合する第2の接合部と、
    を備え、前記板状部材の前記第1の表面上に対象物を保持する保持装置において、
     前記板状部材の前記第2の部分の表面の内、前記第1の接合部と対向する表面である第4の表面には、溝であって、前記溝の表面の一部が前記ヒータ電極の表面の一部により構成された前記溝が形成されており、
     前記ヒータ電極に給電し、かつ、前記冷却機構による冷却を行い、前記ヒータ電極の温度と前記冷却の温度との差が50℃以上であるときに、前記第1の表面における温度の最大値と最小値との差は、3.5℃以下である、
     ことを特徴とする保持装置。
  12.  請求項11に記載の保持装置において、
     前記第1の方向に平行な少なくとも1つの断面において、前記溝の開口の縁部は、R形状である、
     ことを特徴とする保持装置。
  13.  請求項11または請求項12に記載の保持装置において、
     前記第1の方向に平行な少なくとも1つの断面において、前記溝は、最深部の深さが、前記第4の表面における前記溝以外の部分から前記ヒータ電極の表面の各位置までの前記第1の方向に沿った距離の最大値より深い形状である、
     ことを特徴とする保持装置。
  14.  請求項11から請求項13までのいずれか一項に記載の保持装置において、
     前記第1の方向に平行な少なくとも1つの断面において、前記溝は、深い位置ほど、前記第1の方向に直交する方向の幅が狭くなる形状である、
     ことを特徴とする保持装置。
  15.  請求項11から請求項14までのいずれか一項に記載の保持装置において、
     前記第1の方向に平行な少なくとも1つの断面において、前記溝は、前記溝の表面を構成する線が1個以下の折れ曲がり点を有する形状である、
     ことを特徴とする保持装置。
  16.  請求項11から請求項15までのいずれか一項に記載の保持装置において、
     前記第1の接合部の一部が、前記溝内に入り込んでいる、
     ことを特徴とする保持装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023136096A1 (ja) * 2022-01-14 2023-07-20 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP7471566B2 (ja) 2022-09-28 2024-04-22 Toto株式会社 静電チャック

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11631597B2 (en) * 2017-02-01 2023-04-18 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Holding apparatus
WO2019159862A1 (ja) * 2018-02-16 2019-08-22 日本特殊陶業株式会社 保持装置
US11234297B2 (en) * 2018-02-26 2022-01-25 Charmgraphene Co., Ltd. Plate heater

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006228633A (ja) * 2005-02-18 2006-08-31 Ngk Insulators Ltd 基板加熱装置の製造方法及び基板加熱装置
JP2016001757A (ja) * 2015-09-02 2016-01-07 新光電気工業株式会社 静電チャック
JP2016115933A (ja) * 2014-12-10 2016-06-23 Toto株式会社 静電チャックおよびウェーハ処理装置
JP2018120909A (ja) * 2017-01-24 2018-08-02 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP2018120910A (ja) * 2017-01-24 2018-08-02 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP2018157186A (ja) * 2017-03-15 2018-10-04 日本特殊陶業株式会社 セラミックスヒータ及び静電チャック並びにセラミックスヒータの製造方法
JP2018181992A (ja) * 2017-04-10 2018-11-15 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP2018181993A (ja) * 2017-04-10 2018-11-15 日本特殊陶業株式会社 保持装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6035101A (en) * 1997-02-12 2000-03-07 Applied Materials, Inc. High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods
US6835916B2 (en) * 1999-08-09 2004-12-28 Ibiden, Co., Ltd Ceramic heater
US6924464B2 (en) 2000-11-24 2005-08-02 Ibiden Co., Ltd. Ceramic heater and manufacturing method of ceramic heater
JP4866836B2 (ja) * 2005-02-23 2012-02-01 京セラ株式会社 接合体とウェハ保持部材及びその取付構造並びにウェハの処理方法
TW200735254A (en) * 2006-03-03 2007-09-16 Ngk Insulators Ltd Electrostatic chuck and producing method thereof
US8486726B2 (en) * 2009-12-02 2013-07-16 Veeco Instruments Inc. Method for improving performance of a substrate carrier
CN203697242U (zh) * 2014-03-08 2014-07-09 浙江运发文化发展有限公司 一种用于夹持泥坯模具的固定架
JP6463936B2 (ja) * 2014-10-01 2019-02-06 日本特殊陶業株式会社 半導体製造装置用部品の製造方法
CN108081487A (zh) * 2017-12-08 2018-05-29 河南科睿机械工程研究服务有限公司 一种碳硅棒切割用固定装置
JP7064895B2 (ja) * 2018-02-05 2022-05-11 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006228633A (ja) * 2005-02-18 2006-08-31 Ngk Insulators Ltd 基板加熱装置の製造方法及び基板加熱装置
JP2016115933A (ja) * 2014-12-10 2016-06-23 Toto株式会社 静電チャックおよびウェーハ処理装置
JP2016001757A (ja) * 2015-09-02 2016-01-07 新光電気工業株式会社 静電チャック
JP2018120909A (ja) * 2017-01-24 2018-08-02 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP2018120910A (ja) * 2017-01-24 2018-08-02 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP2018157186A (ja) * 2017-03-15 2018-10-04 日本特殊陶業株式会社 セラミックスヒータ及び静電チャック並びにセラミックスヒータの製造方法
JP2018181992A (ja) * 2017-04-10 2018-11-15 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP2018181993A (ja) * 2017-04-10 2018-11-15 日本特殊陶業株式会社 保持装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023136096A1 (ja) * 2022-01-14 2023-07-20 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP7471566B2 (ja) 2022-09-28 2024-04-22 Toto株式会社 静電チャック

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