CN112534705A - 保持装置及其制造方法、保持装置用的构造体的制造方法 - Google Patents

保持装置及其制造方法、保持装置用的构造体的制造方法 Download PDF

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上松秀树
铃木淳二
泉原一贵
川村雄司
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NGK Spark Plug Co Ltd
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Abstract

使板状构件的表面的温度分布的控制性提高。保持装置的制造方法包括以下工序:在陶瓷坯片上形成加热器图案的工序;在陶瓷坯片上配置覆盖加热器图案的覆盖层的工序;通过对多个陶瓷坯片的层叠体进行烧制从而制作板状构件的第2部分和加热器电极的工序;利用第2接合部接合第2部分和基座构件的工序;进行由基座构件的冷却机构进行的冷却和向加热器电极供电,并且测量板状构件的第2部分的表面的温度分布的工序;基于温度分布的测量结果,将被覆盖层覆盖的加热器电极的一部分连同覆盖层一起去除,从而调整加热器电极的电阻的工序;以及利用第1接合部接合板状构件的第2部分和第1部分的工序。

Description

保持装置及其制造方法、保持装置用的构造体的制造方法
技术领域
本说明书中公开的技术涉及保持对象物的保持装置的制造方法、保持装置用的构造体的制造方法以及保持装置。
背景技术
例如作为制造半导体元件时保持晶圆的保持装置,使用有静电卡盘。静电卡盘包括包含由陶瓷形成的部分的板状构件、例如金属制的基座构件、接合板状构件和基座构件的接合部以及配置于板状构件的内部的卡盘电极,利用通过对卡盘电极施加电压而产生的静电引力,在板状构件的表面(以下称作“吸附面”。)吸附保持晶圆。
在保持于静电卡盘的吸附面的晶圆的温度未成为期望的温度时,可能导致对晶圆进行的各种处理(成膜、蚀刻等)的精度降低,因此对于静电卡盘要求有控制晶圆的温度分布的性能。因此,通过进行由配置于板状构件的内部的作为电阻发热体的加热器电极进行的加热、由相对于形成在基座构件的制冷剂流路的制冷剂供给实现的冷却,从而进行板状构件的吸附面的温度分布的控制(进而,进行保持于吸附面的晶圆的温度分布的控制)。
以往,公知有这样一种技术:在制造保持晶圆的保持装置时,在将电阻发热体形成于板状的陶瓷烧结体的表面之后,利用激光加工、机械加工去除电阻发热体的局部来调整电阻发热体的电阻值,之后,在陶瓷烧结体的形成有电阻发热体的表面上层叠陶瓷成形体,将陶瓷烧结体、电阻发热体以及陶瓷成形体烧制成一体(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2006-228633号公报
发明内容
发明要解决的问题
上述以往的技术通过调整电阻发热体的电阻值,从而使保持晶圆的表面的温度分布的控制性提高。然而,在静电卡盘中,具有以下的课题:保持晶圆的吸附面的温度分布除了被加热器电极(电阻发热体)的精度左右以外,还被基座构件、接合部的精度左右,因此仅调整电阻发热体的电阻值,无法使保持晶圆的吸附面的温度分布的控制性充分提高。
此外,这样的课题并不限定于静电卡盘,而在包括板状构件、基座构件以及接合部并在板状构件的表面上保持对象物的保持装置中通常为共同的课题。
在本说明书中,公开一种能够解决上述的课题的技术。
用于解决问题的方案
本说明书所公开的技术例如能够作为以下的形态来实现。
(1)本说明书公开一种保持装置的制造方法,该保持装置包括:板状构件,其具有第1表面和与所述第1表面相反的一侧的第2表面,该板状构件具有包含所述第1表面的第1部分、包含所述第2表面并且包含由陶瓷形成的部分的第2部分以及接合所述第1部分和所述第2部分的第1接合部;加热器电极,其配置于所述板状构件的所述第2部分,并由电阻发热体形成;基座构件,其具有第3表面,以所述第3表面位于所述板状构件的所述第2表面所处侧的方式配置,并具有冷却机构;以及第2接合部,其配置于所述板状构件的所述第2表面与所述基座构件的所述第3表面之间,且接合所述板状构件和所述基座构件,该保持装置在所述板状构件的所述第1表面上保持对象物。该保持装置的制造方法包括:形成工序,在该形成工序中,利用作为所述加热器电极的形成材料的加热器用材料在第1陶瓷坯片上形成加热器图案;配置工序,在该配置工序中,在所述第1陶瓷坯片上配置由绝缘材料形成的覆盖层,所述覆盖层覆盖所述加热器图案;烧制工序,在该烧制工序中,通过对包含所述第1陶瓷坯片的多个陶瓷坯片层叠起来的层叠体进行烧制,从而制作所述板状构件的所述第2部分和所述加热器电极;第1接合工序,在该第1接合工序中,利用所述第2接合部接合所述板状构件的所述第2部分和所述基座构件;温度测量工序,在该温度测量工序中,进行由所述冷却机构进行的冷却和向所述加热器电极供电,并且测量所述板状构件的所述第2部分中的与同所述第2接合部相对的表面相反的一侧的表面的温度分布;调整工序,在该调整工序中,基于所述温度分布的测量结果,将被所述覆盖层覆盖的所述加热器电极的一部分连同所述覆盖层一起去除,从而调整所述加热器电极的电阻;以及第2接合工序,在该第2接合工序中,利用所述第1接合部接合所述板状构件的所述第2部分和所述第1部分。
在本保持装置的制造方法中,在作为板状构件中的第2表面所处侧的一部分、且是配置有加热器电极的第2部分接合了基座构件的状态下,进行由基座构件的冷却机构进行的冷却和向加热器电极供电,并且测量第2部分的表面的温度分布,基于温度分布的测量结果,将被覆盖层覆盖的加热器电极的一部分连同覆盖层一起去除,从而调整加热器电极的电阻,之后,将板状构件的第1部分与板状构件的第2部分接合。即,在本保持装置的制造方法中,能够在制作了比加热器电极靠基座构件侧的部分之后,在与实际使用时相同的状态(即,进行了由基座构件的冷却机构进行的冷却和向加热器电极供电的状态)下,进行板状构件的第2部分的表面的温度分布的测量,并基于该温度分布的测量结果,进行加热器电极的电阻的调整。因而,根据本保持装置的制造方法,能够在短时间内高精度地进行加热器电极的电阻的调整,其结果,能够使板状构件的第1表面的温度分布的控制性提高。而且,在本保持装置的制造方法中,由于在作为加热器电极的形成材料的加热器用材料的图案被覆盖层覆盖的状态下进行烧制,因而能够抑制烧制时的加热器用材料的图案的性质变化(例如挥发、升华),能够抑制因加热器用材料的图案的性质变化引起加热器电极的电阻值产生偏差,导致板状构件的第1表面的温度分布的控制性降低。
(2)在上述保持装置的制造方法中,还可以设为以下结构:该保持装置的制造方法还包括填充工序,在该填充工序中,向在所述调整工序中进行了去除的部分填充绝缘材。根据本保持装置的制造方法,能够防止加热器电极之间的短路,并且能够抑制气体向板状构件的内部进入。
(3)在上述保持装置的制造方法中,还可以设为以下结构:在所述配置工序中配置的所述覆盖层形成有在厚度方向贯通上的第1孔,所述保持装置的制造方法还包括厚度测量工序,在该厚度测量工序中,在所述烧制工序之后,在所述第1孔的位置测量所述覆盖层的厚度。根据本保持装置的制造方法,能够基于覆盖层的厚度,适当地设定调整工序中的覆盖层以及加热器电极的去除深度,能够高精度地进行加热器电极的电阻的调整,其结果,能够使板状构件的第1表面的温度分布的控制性有效地提高。
(4)在上述保持装置的制造方法中,还可以设为以下结构:该保持装置的制造方法还包括第1翘曲修正工序和第2翘曲修正工序中的至少一者,在该第1翘曲修正工序中,在所述烧制工序之后,对所述板状构件的所述第2部分施加负荷并且加热来修正翘曲,在该第2翘曲修正工序中,在所述烧制工序之后,研磨所述覆盖层来修正所述第2部分的翘曲。根据本保持装置的制造方法,能够利用第1翘曲修正工序和第2翘曲修正工序中的至少一者来修正第2部分的翘曲,能够有效地降低第2部分的翘曲,进而有效地降低板状构件的翘曲。另外,在本保持装置的制造方法中,在进行第2部分的翘曲修正时,由于加热器电极被覆盖层覆盖,因而能够抑制以下情况:加热器电极与翘曲修正用的治具互相反应而性质变化,并由该性质变化引起加热器电极的电阻值产生偏差,导致板状构件的第1表面的温度分布的控制性降低。
(5)在上述保持装置的制造方法中,还可以设为以下结构:该保持装置的制造方法包括所述第1翘曲修正工序和在所述第1翘曲修正工序之后执行的所述第2翘曲修正工序这两者。根据本保持装置的制造方法,能够利用研磨覆盖层的第2翘曲修正工序来修正利用第1翘曲修正工序也未修正完全的第2部分的翘曲,能够有效地降低第2部分的翘曲,进而有效地降低板状构件的翘曲。另外,在本保持装置的制造方法中,在进行第2部分的翘曲修正时,由于加热器电极被覆盖层覆盖,因而能够抑制以下情况:加热器电极与翘曲修正用的治具互相反应而性质变化,并由该性质变化引起加热器电极的电阻值产生偏差,导致板状构件的第1表面的温度分布的控制性降低。
(6)在上述保持装置的制造方法中,还可以设为以下结构:所述形成工序包含由预定的材料在所述第1陶瓷坯片上形成基准图案的步骤,在所述配置工序中配置的所述覆盖层上的与所述基准图案重叠的位置形成有在厚度方向上贯通的第2孔,在所述调整工序中,将经由形成于所述覆盖层的所述第2孔而暴露的所述基准图案的位置作为基准来设定所述加热器电极中的去除位置。根据本保持装置的制造方法,通过将基准图案的位置作为基准来设定去除位置,能够高精度地进行加热器电极的去除,能够高精度地进行加热器电极的电阻的调整,其结果,能够使板状构件的第1表面的温度分布的控制性有效地提高。
(7)在上述保持装置的制造方法中,还可以设为以下结构:该保持装置的制造方法还包括厚度测量工序,在该厚度测量工序中,在所述烧制工序之后,在所述第2孔的位置测量所述覆盖层的厚度。根据本保持装置的制造方法,由于能够利用为了使基准图案暴露而形成于覆盖层的孔来测量覆盖层的厚度,因而能够减少在覆盖层形成的孔的数量,能够抑制因存在孔而引起板状构件的第1表面的温度分布的控制性降低。
(8)在上述保持装置的制造方法中,还可以设为以下结构:与所述第2接合部相比,所述第1接合部的热阻较低。根据本保持装置的制造方法,能够抑制因存在第1接合部而引起板状构件的发热和/或冷却的响应性降低,能够抑制板状构件的第1表面的温度分布的控制性降低。
(9)在上述保持装置的制造方法中,还可以设为以下结构:所述第2接合工序为利用通过进行向所述加热器电极供电而产生的发热来形成所述第1接合部的工序。根据本保持装置的制造方法,与形成第1接合部时对装置整体进行加热的方法相比,能够抑制由加热对其他构件产生的不良影响(例如,由第2接合部的局部剥离导致吸热性产生偏差),能够抑制板状构件的第1表面的温度分布的控制性降低。
(10)本说明书公开一种保持装置用的构造体的制造方法,该保持装置用的构造体包括:指定构件,其包含指定表面并且包含由陶瓷形成的部分;加热器电极,其配置于所述指定构件,并由电阻发热体形成;基座构件,其具有冷却机构;以及接合部,其配置于所述指定构件的所述指定表面与所述基座构件之间,且接合所述指定构件和所述基座构件,该保持装置用的构造体在所述指定构件的上方保持对象物。该保持装置用的构造体的制造方法包括:准备工序,在该准备工序中,准备调整前构造体,该调整前构造体包括所述指定构件、被作为所述指定构件的局部的覆盖层覆盖的所述加热器电极、所述基座构件以及接合所述指定构件和所述基座构件的所述接合部;温度测量工序,在该温度测量工序中,进行由所述冷却机构进行的冷却和向所述加热器电极供电,并且测量所述指定构件的与所述指定表面相反的一侧的表面的温度分布;以及调整工序,在该调整工序中,基于所述温度分布的测量结果,将被所述覆盖层覆盖的所述加热器电极的一部分连同所述覆盖层一起去除,从而调整所述加热器电极的电阻。
在本保持装置用的构造体的制造方法中,在配置有加热器电极的指定构件接合了基座构件的状态下,进行由基座构件的冷却机构进行的冷却和向加热器电极供电,并且测量指定构件的表面的温度分布,基于温度分布的测量结果,将被覆盖层覆盖的加热器电极的一部分连同覆盖层一起去除,从而调整加热器电极的电阻。即,在本保持装置用的构造体的制造方法中,能够在准备了比加热器电极靠基座构件侧的部分之后,在与实际使用时相同的状态(即,进行了由基座构件的冷却机构进行的冷却和向加热器电极供电的状态)下,进行指定构件的表面的温度分布的测量,并基于该温度分布的测量结果,进行加热器电极的电阻的调整。因而,根据本保持装置用的构造体的制造方法,能够在短时间内高精度地进行加热器电极的电阻的调整,其结果,能够使使用该保持装置用构造体制作而成的保持装置的对象物保持面的温度分布的控制性提高。
(11)本说明书公开一种保持装置,该保持装置包括:板状构件,其具有与第1方向大致正交的第1表面和与所述第1表面相反的一侧的第2表面,该板状构件具有包含所述第1表面的第1部分、包含所述第2表面并且包含由陶瓷形成的部分的第2部分以及接合所述第1部分和所述第2部分的第1接合部;加热器电极,其配置于所述板状构件的所述第2部分,并由电阻发热体形成;基座构件,其具有第3表面,以所述第3表面位于所述板状构件的所述第2表面所处侧的方式配置,并具有冷却机构;以及第2接合部,其配置于所述板状构件的所述第2表面与所述基座构件的所述第3表面之间,且接合所述板状构件和所述基座构件,该保持装置在所述板状构件的所述第1表面上保持对象物。在该保持装置中,在所述板状构件的所述第2部分的表面中的作为与所述第1接合部相对的表面的第4表面形成有槽,所述槽的表面的局部由所述加热器电极的表面的局部构成,在向所述加热器电极供电并且进行所述冷却机构的冷却,所述加热器电极的温度与所述冷却的温度之差为50℃以上时,所述第1表面处的温度的最大值与最小值之差为3.5℃以下。根据本保持装置,由于板状构件的第1表面的各位置处的温度差极小,因而能够使板状构件的第1表面的温度分布的控制性有效地提高。
(12)在上述保持装置中,还可以设为以下结构:在与所述第1方向平行的至少一个截面中,所述槽的开口的缘部为圆弧形状。根据本保持装置,能够在保持装置的制造时等抑制板状构件的第2部分的槽的开口的缘部附近缺损。
(13)在上述保持装置中,还可以设为以下结构:在与所述第1方向平行的至少一个截面中,所述槽为最深部的深度大于自所述第4表面中的除所述槽以外的部分沿着所述第1方向到所述加热器电极的表面的各位置的距离的最大值的形状。根据本保持装置,即使在以槽的最深部为起点产生了裂纹的情况下,也能够避免因该裂纹到达加热器电极内部而使加热器电极的电阻变化,其结果,能够避免加热器电极的发热量变化,能够使板状构件的第1表面的温度分布的控制性进一步有效地提高。
(14)在上述保持装置中,还可以设为以下结构:在与所述第1方向平行的至少一个截面中,所述槽为位置越深则与所述第1方向正交的方向上的宽度越窄的形状。根据本保持装置,与槽的宽度在深度方向上一定的结构相比,在加热器电极的构成槽的表面的表面附近,不存在加热器电极的部分减少,并且能够抑制电阻(发热量)在加热器电极的构成槽的表面的表面的位置急剧变化,加热器电极的电阻(发热量)的偏差减小,能够使板状构件的第1表面的温度分布的控制性进一步有效地提高。
(15)在上述保持装置中,还可以设为以下结构:在与所述第1方向平行的至少一个截面中,所述槽为构成所述槽的表面的线具有一个以下的弯折点的形状。根据本保持装置,能够抑制槽的表面的各位置处的应力集中,其结果,能够抑制以槽的表面为起点的裂纹的产生。
(16)在上述保持装置中,还可以设为以下结构:所述第1接合部的局部进入于所述槽内。根据本保持装置,由于第1接合部中的进入于槽的部分作为锚固件来发挥功能,因而能够使第1接合部的第1部分与第2部分之间的接合强度提高。
此外,本说明书所公开的技术能够以各种各样的形态来实现,例如能够以保持装置、静电卡盘、它们的制造方法等的形态来实现。
附图说明
图1是概略地表示本实施方式的静电卡盘100的外观结构的立体图。
图2是概略地表示本实施方式的静电卡盘100的XZ截面结构的说明图。
图3是概略地表示本实施方式的静电卡盘100的XY截面结构的说明图。
图4是概略地表示本实施方式的静电卡盘100的XY截面结构的说明图。
图5是详细地表示本实施方式的加热器电极50的周边的截面结构的说明图。
图6是表示本实施方式的静电卡盘100的制造方法的流程图。
图7是表示本实施方式的静电卡盘100的制造方法的概要的说明图。
图8是表示本实施方式的静电卡盘100的制造方法的概要的说明图。
图9是表示本实施方式的静电卡盘100的制造方法的概要的说明图。
图10是表示本实施方式的静电卡盘100的制造方法的概要的说明图。
图11是详细地表示本实施方式的加热器电极50的周边的截面结构的说明图。
图12是详细地表示比较例的加热器电极50的周边的截面结构的说明图。
图13是详细地表示变形例的加热器电极50的周边的截面结构的说明图。
图14是表示变形例的静电卡盘100的制造方法的概要的说明图。
具体实施方式
A.实施方式:
A-1.静电卡盘100的结构:
图1是概略地表示本实施方式的静电卡盘100的外观结构的立体图,图2是概略地表示本实施方式的静电卡盘100的XZ截面结构的说明图,图3和图4是概略地表示本实施方式的静电卡盘100的XY截面结构的说明图。图3中示出图2的III-III的位置处的静电卡盘100的XY截面结构,图4中示出图2的IV-IV的位置处的静电卡盘100的XY截面结构。各图中示出用于指定方向的互相正交的XYZ轴。在本说明书中,为了方便,设为将Z轴正方向称作上方向,将Z轴负方向称作下方向,但静电卡盘100实际上也可以按照与这样的朝向不同的朝向来设置。另外,在本说明书中,将与Z轴方向正交的方向称作面方向。Z轴方向相当于权利要求书中的第1方向。
静电卡盘100为利用静电引力吸附保持对象物(例如晶圆W)的装置,例如被用于在半导体制造装置的真空室内固定晶圆W。静电卡盘100包括沿预定的排列方向(本实施方式中的上下方向(Z轴方向))排列配置的板状构件10和基座构件20。板状构件10和基座构件20以板状构件10的下表面S2(参照图2)与基座构件20的上表面S3隔着后述的接合部30在上述排列方向上相对的方式配置。即,基座构件20以基座构件20的上表面S3位于板状构件10的下表面S2所处侧的方式配置。基座构件20的上表面S3相当于权利要求书中的第3表面。
板状构件10为具有与上述的排列方向(Z轴方向)大致正交的大致圆形平面状的上表面(以下称作“吸附面”。)S1和与吸附面S1相反的一侧的下表面S2的大致圆板状构件。在本实施方式中,板状构件10具有跨外周的整周地在面方向上突出的凸缘部109。以下,将板状构件10中的除凸缘部109以外的部分称作主体部108。板状构件10的主体部108的直径例如为50mm~500mm左右(通常为200mm~350mm左右),板状构件10的厚度例如为1mm~10mm左右。板状构件10的吸附面S1相当于权利要求书中的第1表面,板状构件10的下表面S2相当于权利要求书中的第2表面。
如图2所示,在本实施方式中,板状构件10由上侧部分101、下侧部分102以及接合上侧部分101和下侧部分102的中间接合部104构成。
板状构件10的下侧部分102为板状构件10中的包含板状构件10的下表面S2的大致平板状的部分。下侧部分102由基板层111和覆盖层112构成。基板层111为下侧部分102中的包含板状构件10的下表面S2的大致平板状的部分,覆盖层112为下侧部分102中的包含下侧部分102的上表面S4(与中间接合部104相对的表面)的大致平板状的部分。在本实施方式中,构成板状构件10的下侧部分102的基板层111和覆盖层112均由陶瓷(例如氧化铝、氮化铝等)的烧结体形成。板状构件10的下侧部分102相当于权利要求书中的第2部分,下侧部分102的上表面S4相当于权利要求书中的第4表面。
板状构件10的上侧部分101为板状构件10中的包含吸附面S1的大致平板状的部分。凸缘部109形成于上侧部分101。在本实施方式中,板状构件10的上侧部分101由陶瓷(例如氧化铝、氮化铝等)的烧结体形成。此外,上侧部分101优选由与下侧部分102相比耐等离子体性优异的陶瓷材料形成,另外,优选孔隙率较低。上侧部分101相当于权利要求书中的第1部分。
板状构件10的中间接合部104例如由硅酮类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂等粘接材料、玻璃、金属等构成。中间接合部104也可以包含陶瓷粉末等填料。中间接合部104相当于权利要求书中的第1接合部。
如图2所示,在板状构件10的内部(更详细而言,构成板状构件10的上侧部分101的内部)配置有由导电性材料(例如钨、钼、铂等)形成的卡盘电极40。在Z轴方向上观察时的卡盘电极40的形状例如为大致圆形。另外,在静电卡盘100设有用于向卡盘电极40供电的结构。具体而言,形成有自基座构件20的下表面S7到达板状构件10的内部的孔120。孔120为在上下方向上贯通基座构件20的贯通孔、在上下方向上贯通接合部30的贯通孔、自板状构件10的下表面S2形成到卡盘电极40的下表面的凹部通过互相连通而构成的一体的孔。在孔120的内周面(在本实施方式中,孔120中的形成在基座构件20、接合部30、板状构件10的下侧部分102的部分的内周面)配置有绝缘构件44。在卡盘电极40的下表面中的暴露于孔120的部分连接有输入销41。输入销41与在配置于孔120的布线部43的顶端设置的连接器42嵌合。在自电源(未图示)经由布线部43和输入销41向卡盘电极40施加电压时,产生静电引力,利用该静电引力,将晶圆W吸附固定于板状构件10的吸附面S1。
另外,在板状构件10的内部(更详细而言,构成板状构件10的下侧部分102的内部)配置有用于控制板状构件10的吸附面S1的温度分布(即,控制保持于吸附面S1的晶圆W的温度分布)的多个加热器电极50和用于向各加热器电极50供电的结构(驱动电极60等)。关于这些结构,在之后详细说明。
基座构件20为例如与板状构件10的主体部108相同直径的、或者直径大于板状构件10的主体部108的直径的圆形平面的板状构件,例如由金属(铝、铝合金等)形成。基座构件20的直径例如为220mm~550mm左右(通常为220mm~350mm),基座构件20的厚度例如为20mm~40mm左右。
基座构件20利用配置于板状构件10的下表面S2与基座构件20的上表面S3之间的接合部30与板状构件10接合。接合部30例如由硅酮类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂等的粘接材料构成。接合部30也可以包含陶瓷粉末等填料。接合部30的厚度例如为0.1mm~1mm左右。接合部30优选与中间接合部104相比热阻较高(换言之,中间接合部104与接合部30相比热阻较低)。在此,将接合部(接合部30或者中间接合部104)的热导率设为λ,将接合部的XY截面的截面积设为S,将接合部的厚度设为L,此时接合部的热阻表示为L/(λ·S)。接合部30相当于权利要求书中的第2接合部。
基座构件20具有冷却机构。更具体而言,在基座构件20的内部形成有制冷剂流路21。在使制冷剂(例如氟类非活性液体、水等)在制冷剂流路21流动时,基座构件20被冷却,通过基座构件20与板状构件10之间的经由接合部30的传热(吸热),板状构件10被冷却,保持于板状构件10的吸附面S1的晶圆W被冷却。由此,能够实现晶圆W的温度分布的控制。
另外,静电卡盘100包括大致圆环状的O形环90,该O形环90形成为包围板状构件10的下侧部分102以及中间接合部104与接合部30的层叠体的外周。O形环90例如由橡胶等绝缘体形成。O形环90与形成于上侧部分101的凸缘部109的下表面和基座构件20的上表面S3密合,防止接合部30、中间接合部104暴露于等离子体等而劣化。
A-2.加热器电极50等的结构:
接着,详细说明加热器电极50和用于向加热器电极50供电的结构。如上所述,静电卡盘100包括多个加热器电极50(更具体而言,三个加热器电极50A、50B、50C)(参照图3)。在本实施方式中,多个加热器电极50配置于构成板状构件10的下侧部分102的基板层111的上表面S8(与同接合部30相对的表面相反的一侧的表面)。即,多个加热器电极50配置为夹在构成板状构件10的下侧部分102的基板层111与覆盖层112之间。
如图3所示,在本实施方式的静电卡盘100中,板状构件10的主体部108被虚拟地分割成在面方向上排列的三个区段Z(Za、Zb、Zc)。更具体而言,在Z轴方向上观察时,板状构件10的主体部108被与主体部108的外周线同心的两个圆形的虚拟分割线VL(VL1、VL2)虚拟地分割成三个区段Z。在Z轴方向上观察时的各区段Z的形状为大致圆形或大致圆环形。
多个加热器电极50分别配置在设定于板状构件10的主体部108的多个区段Z中的一个区段Z。具体而言,三个加热器电极50中的一个加热器电极50A配置于三个区段Z中的位于最外周侧的位置的区段Za,另一加热器电极50C配置于三个区段Z中的位于最靠近中心的一侧的位置的区段Zc,剩余的一个加热器电极50B配置于夹在区段Za与区段Zc之间的区段Zb。
各加热器电极50具有在Z轴方向上观察时呈线状的电阻发热体即加热线部51和与加热线部51的两端部连接的加热器焊盘部52。构成加热器电极50的加热线部51和加热器焊盘部52由导电性材料(例如钨、钼、铂、铜等)形成。在本实施方式中,在Z轴方向上观察时的加热线部51的形状成为大致圆形或者大致螺旋状。
另外,静电卡盘100包括用于向各加热器电极50供电的结构。具体而言,静电卡盘100包括多个驱动电极60(更具体而言,六个驱动电极60)(参照图4)。各驱动电极60为与面方向平行的预定的形状的导体图案,由导电性材料(例如钨、钼、铂等)形成。在本实施方式中,多个驱动电极60配置于构成板状构件10的下侧部分102的基板层111的内部。另外,多个驱动电极60在Z轴方向上配置于互相相同的位置。此外,驱动电极60在满足下述的(1)和(2)中的至少一者的方面与加热器电极50不同。
(1)驱动电极60的相对于电流流动的方向垂直的方向上的截面积为加热器电极50的相对于电流流动的方向垂直的方向上的截面积的5倍以上。
(2)加热器电极50的自与驱动电极60相连的一个通孔到另一通孔之间的阻力为驱动电极60的自与加热器电极50相连的通孔到与供电端子74相连的通孔之间的阻力的5倍以上。
如图4所示,在本实施方式中,静电卡盘100具备的六个驱动电极60构成三个驱动电极对600(600A、600B、600C),该三个驱动电极对600(600A、600B、600C)分别由一对驱动电极60构成。三个驱动电极对600对应于三个加热器电极50(50A、50B、50C)。如图2~图4所示,构成一个驱动电极对600(例如驱动电极对600A)的一对驱动电极60中的一个驱动电极60经由由导电性材料形成的加热器侧通孔71与对应的加热器电极50(例如加热器电极50A)的一个加热器焊盘部52电连接。另外,构成该驱动电极对600(例如驱动电极对600A)的一对驱动电极60中的另一驱动电极60经由加热器侧通孔71与对应的加热器电极50(例如加热器电极50A)的另一加热器焊盘部52电连接。
另外,如图2所示,在静电卡盘100形成有自基座构件20的下表面S7到达板状构件10的内部的多个端子用孔110。各端子用孔110为在上下方向上贯通基座构件20的贯通孔22、在上下方向上贯通接合部30的贯通孔32、形成于板状构件10的下表面S2所处侧的凹部13通过互相连通而构成的一体的孔。
在各端子用孔110收容有由导电性材料形成的大致柱状的构件即供电端子74。另外,在构成各端子用孔110的板状构件10的凹部13的底面配置有由导电性材料形成的供电电极(电极焊盘)73。供电端子74的上端部分利用例如钎焊等与供电电极73接合。
另外,如图2和图4所示,构成各驱动电极对600的一对驱动电极60中的一个驱动电极60经由自该驱动电极60向板状构件10的下表面S2所处侧延伸的供电侧通孔72与一个供电电极73电连接,该一对驱动电极60中的另一驱动电极60经由另一供电侧通孔72与另一个供电电极73电连接。
各供电端子74连接于电源(未图示)。来自电源的电压经由供电端子74、供电电极73、供电侧通孔72、驱动电极60以及加热器侧通孔71施加于各加热器电极50。在向各加热器电极50施加电压时,各加热器电极50发热而加热板状构件10,由此能够实现板状构件10的吸附面S1的温度分布的控制(即,保持于吸附面S1的晶圆W的温度分布的控制)。
此外,在本实施方式的静电卡盘100中,向各加热器电极50供电,并且进行由基座构件20的冷却机构进行的冷却(向制冷剂流路21的制冷剂的供给),当加热器电极50的温度与冷却的温度(制冷剂的温度)之差为50℃以上时,板状构件10的吸附面S1处的温度的最大值与最小值之差为3.5℃以下。即,板状构件10的吸附面S1的各位置处的温度差极小。例如,通过按照以下说明的本实施方式的静电卡盘100的制造方法来制造静电卡盘100,能够实现这样的结构。此外,加热器电极和吸附面S1的各位置处的温度例如能够使用IR照相机等温度测量装置进行测量。此外,该温度差更优选为2.5℃以下,进一步优选为1.5℃以下。
图5是详细地表示本实施方式的加热器电极50的周边的截面结构的说明图。图5中放大地示出图2的X1部的XZ截面结构。如图5所示,在本实施方式的静电卡盘100中,在构成板状构件10的下侧部分102的上表面S4(即,与中间接合部104相对的表面)形成有槽86。形成于下侧部分102的上表面S4的槽86的数量可以是一个,也可以是多个。在Z轴方向上观察时,槽86为在加热器电极50的宽度方向上的中央附近的位置沿着加热器电极50的延伸方向延伸的形状(参照后述的图9的G栏)。
形成于下侧部分102的上表面S4的槽86的表面的局部由加热器电极50的表面的局部构成。更具体而言,在本实施方式中,槽86的表面的局部由加热器电极50的宽度方向上的中央附近的侧面58构成。另外,槽86具有到达加热器电极50那样的深度。换言之,在与Z轴方向平行的至少一个截面(例如像图5所示的截面那样与加热器电极50的延伸方向正交的截面)中,槽86的最深部85的深度D1大于自下侧部分102的上表面S4中的除槽86以外的部分沿着Z轴方向到加热器电极50的表面的各位置的距离的最小值L1(即,自下侧部分102的上表面S4到加热器电极50的上表面56的距离)。此外,在本实施方式中,槽86的深度为在厚度方向上贯通加热器电极50那样的深度。换言之,在与Z轴方向平行的至少一个截面(同样,例如与加热器电极50的延伸方向正交的截面)中,槽86的最深部85的深度D1大于自下侧部分102的上表面S4中的除槽86以外的部分沿着Z轴方向到加热器电极50的表面的各位置的距离的最大值L2(即,自下侧部分102的上表面S4到加热器电极50的下表面57的距离)。
另外,槽86在与Z轴方向平行的至少一个截面(例如像图5所示的截面那样与加热器电极50的延伸方向正交的截面)中为顶端变细的形状。换言之,槽86在该截面中为位置越深(即,越靠下方的位置)则宽度(与Z轴正交的方向上的宽度)越窄的形状。更具体而言,在本实施方式中,在该截面中,槽86为大致V字形状。因此,在该截面中,槽86为构成槽86的表面的线仅具有一个弯折点(相当于最深部85的点)的形状。
另外,在本实施方式中,在上述截面中,槽86的开口的缘部88为圆弧形状(R形状)。在此,槽86的开口的缘部88为圆弧形状是指,缘部88的形状为没有弯折点的平缓的形状。此外,槽86的开口的缘部88的圆弧形状的曲率半径并不需要为一定。该曲率半径例如优选为15μm以上。
另外,在本实施方式中,在槽86内配置有绝缘材87。作为绝缘材87,例如能够使用硅酮类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂等粘接材料、玻璃等。
A-3.静电卡盘100的制造方法:
接着,说明本实施方式的静电卡盘100的制造方法。图6是表示本实施方式的静电卡盘100的制造方法的流程图。另外,图7至图10是表示本实施方式的静电卡盘100的制造方法的概要的说明图。在图7至图10中,省略了制造过程中和制造完成时的静电卡盘100的局部的结构的图示。
首先,制作包含上侧部分101a和配置于上侧部分101a的内部的卡盘电极40的上侧构造体11(S110,参照图7的A栏)。在此,上侧部分101a为成为制造完成后的静电卡盘100的上侧部分101的构造体。上侧部分101a既可以是与上侧部分101完全相同的物体,也可以通过进行相对于上侧部分101a的各种加工,而结果成为上侧部分101。
上侧构造体11的制作方法例如以下所示。首先,制作多张陶瓷坯片,对预定的陶瓷坯片进行预定的加工。作为预定的加工,例如可列举用于形成卡盘电极40等的金属化糊剂的印刷、开孔加工等。通过将这些陶瓷坯片层叠而进行热压接、切断等加工,从而制作陶瓷坯片的层叠体。通过对制作出的陶瓷坯片的层叠体进行烧制,从而得到上侧构造体11。此外,也可以根据需要而对构成上侧构造体11的上侧部分101a进行翘曲修正、表面的研磨加工等。
另外,由作为加热器电极50的形成材料的加热器用材料在预定的陶瓷坯片(以下称作“指定陶瓷坯片81”。)的上表面S8上形成加热器图案501,并且形成一个以上的基准图案502,该基准图案502成为后述的加热器电极50的一部分的去除时的基准(S120,参照图7的B栏)。具体而言,通过将作为加热器电极50的形成材料(加热器用材料)的金属化墨例如进行丝网印刷而形成加热器图案501。加热器图案501的形状为根据加热器电极50的设计形状而确定的形状。另外,通过将预定的材料(例如与加热器电极50的形成材料相同的金属化墨)例如进行丝网印刷而形成基准图案502。基准图案502的形成材料优选与加热器图案501的形成材料相同。基准图案502能够设为任意的形状,在本实施方式中,设为在Z轴方向上观察时呈大致圆形的板状(参照图7的C栏)。加热器图案501和基准图案502既可以利用同一工序形成,也可以利用不同的工序依次形成。另外,加热器图案501和基准图案502还可以利用丝网印刷以外的方法(例如光刻的方法等)形成。此外,指定陶瓷坯片81利用后述的烧制工序成为构成板状构件10的下侧部分102a的基板层111a的局部(供加热器电极50a配置的上表面S8所处侧的部分),因此对指定陶瓷坯片81进行必要的加工(用于形成通孔的开孔以及金属化糊剂的填充等)。S120的工序相当于权利要求书中的形成工序,指定陶瓷坯片81相当于权利要求书中的第1陶瓷坯片。
接着,在指定陶瓷坯片81上配置覆盖加热器图案501的覆盖层112a(S130,参照图7的C栏)。覆盖层112a为由绝缘材料(在本实施方式中,陶瓷)形成的片状的构件。覆盖层112a例如为与指定陶瓷坯片81的形成有加热器图案501的上表面S8大致相同直径的圆板状,以覆盖指定陶瓷坯片81的上表面S8整体的方式被压接。另外,如图7的C栏所示,在覆盖层112a上的与形成于指定陶瓷坯片81的基准图案502重叠的位置形成有在厚度方向上贯通的贯通孔84。因此,基准图案502成为经由形成于覆盖层112a的贯通孔84而暴露的状态(可视的状态)。如上所述,由于在指定陶瓷坯片81上形成有一个以上的基准图案502,因而在覆盖层112a形成有一个以上的贯通孔84。S130的工序相当于权利要求书中的配置工序,形成于覆盖层112a的贯通孔84相当于权利要求书中的第1孔和第2孔。
接着,通过在指定陶瓷坯片81的与形成有加热器图案501的上表面S8相反的一侧的表面层叠一张或者多张其他的陶瓷坯片82,从而制作包含指定陶瓷坯片81的多个陶瓷坯片81、82层叠起来的层叠体15(S140,参照图8的D栏)。通过层叠多个陶瓷坯片81、82而进行热压接、切断等加工,从而制作层叠体15。此外,上述其他的陶瓷坯片82利用后述的烧制工序成为构成板状构件10的下侧部分102a的基板层111a的局部(与接合部30相对的表面所处侧的部分),因此对上述其他的陶瓷坯片82进行必要的加工(用于形成驱动电极60、供电电极73等的金属化糊剂的印刷、用于形成各种通孔的开孔以及金属化糊剂的填充等)。
接着,通过对制作出的层叠体15进行烧制,从而制作包括板状构件10的下侧部分102a和加热器电极50a的下侧构造体12(S150,参照图8的E栏)。板状构件10的下侧部分102a由作为通过对陶瓷坯片81、82进行烧制而形成的陶瓷烧结体的基板层111a和通过对覆盖层112a进行烧制而形成的构件(为了方便,也将其称作覆盖层112a。)构成。另外,通过对加热器图案501进行烧制而形成加热器电极50a。下侧部分102a(覆盖层112a和基板层111a)和加热器电极50a分别为成为制造完成后的静电卡盘100的下侧部分102(覆盖层112和基板层111)和加热器电极50的构造体。下侧部分102a和加热器电极50a既可以分别为与下侧部分102和加热器电极50完全相同的部件,也可以通过对下侧部分102a和加热器电极50a进行各种加工,而结果成为下侧部分102和加热器电极50。S140的工序和S150的工序相当于权利要求书中的烧制工序。
接着,进行构成下侧构造体12的下侧部分102a的翘曲修正(S160)。更详细而言,首先,进行第1翘曲修正工序,在该第1翘曲修正工序中,对下侧部分102a施加负荷并且进行加热来修正翘曲。具体而言,例如,进行如下处理:在加湿了的氢氮气氛中,利用一对加压构件(例如钨板、钼板)夹着下侧部分102a的两面并施加负荷(例如3~20kPa),并且以预定的温度(例如1400~1500℃)加热。接着,进行第2翘曲修正工序,在该第2翘曲修正工序中,研磨构成下侧部分102a的覆盖层112a(烧制后的覆盖层112a)的上表面S4来修正下侧部分102a的翘曲。覆盖层112a具有即使为了翘曲修正而进行研磨也不会使加热器电极50a暴露的程度的厚度。
接着,测量构成下侧部分102a的覆盖层112a的厚度(S170)。如上所述,由于在覆盖层112a形成有一个以上的贯通孔84,因此在各贯通孔84的位置测量覆盖层112a的厚度。覆盖层112a的厚度的测量优选在多个部位进行。S170的工序相当于权利要求书中的厚度测量工序。
接着,利用例如钎焊使供电端子74与形成于下侧构造体12的供电电极73接合(S180,参照图9的F栏)。此外,也可以在使供电端子74与供电电极73接合之前,对供电电极73的表面进行镀敷处理(例如镀镍)。
接着,将构成下侧构造体12的下侧部分102a和基座构件20利用接合部30接合(S190,参照图9的F栏)。更详细而言,例如在基座构件20的上表面S3配置含有例如硅酮类树脂的粘接剂(膏状粘接剂或者片状粘接剂),在该粘接剂之上配置包含下侧部分102a的下侧构造体12,通过进行使该粘接剂固化的固化处理,从而形成将构成下侧构造体12的下侧部分102a和基座构件20接合的接合部30。S190的工序相当于权利要求书中的第1接合工序。
接着,进行由基座构件20的冷却机构进行的冷却(向制冷剂流路21的制冷剂的供给)和向配置在下侧构造体12的各加热器电极50a供电,并且测量下侧部分102a的上表面S4(与同接合部30相对的表面相反的一侧的表面)的温度分布(S200)。例如通过测量下侧部分102a的上表面S4中的多个测量点的温度从而进行温度分布的测量。S200的工序相当于权利要求书中的温度测量工序。
接着,基于S200的温度分布的测量结果,通过将被覆盖层112a覆盖的加热器电极50a的一部分连同覆盖层112a一起去除,从而调整加热器电极50a的电阻,由此调整加热器电极50a的发热量(S210,参照图9的G栏)。在去除加热器电极50a的一部分时,由于加热器电极50a的该部分的截面积减小,因而电阻增大,加热器电极50a的该部分的发热量增加。因此,例如去除加热器电极50a中的在S200的温度分布的测量结果中为相对低温的部分,能够将该部分的温度向高温侧校正。S210的工序相当于权利要求书中的调整工序。
此外,在去除加热器电极50a(以及覆盖层112a)时,将经由形成于覆盖层112a的贯通孔84而暴露的基准图案502的位置作为基准,来设定加热器电极50a的面方向上的去除位置。由于基准图案502与作为烧制前的加热器电极50a的加热器图案501相同地形成在烧制前的指定陶瓷坯片81上,因此即使在烧制工序中产生陶瓷的收缩,加热器电极50a与基准图案502之间的相对的位置关系也不会变化。因此,通过将基准图案502的位置作为基准来设定加热器电极50a的去除位置,能够高精度地进行加热器电极50a的去除。此外,如图9的G栏所示,加热器电极50a的面方向上的去除位置优选为加热器电极50a的宽度方向(图9的G栏中的X轴方向)上的除端部以外的部分(中央部)。即,优选以形成沿着加热器电极50a的延伸方向(图9的G栏中的Y轴方向)的槽86的方式进行加热器电极50a的去除。这样一来,即使加热器电极50a的宽度方向上的去除位置产生偏移,也能够抑制加热器电极50a中被去除的宽度的大小产生偏差,因此能够抑制由加热器电极50a的去除实现的加热器电极50a的电阻(发热量)的调整效果的偏差,能够高精度地调整加热器电极50a的电阻(发热量)。此外,还可以以形成在加热器电极50a的宽度方向上排列的多个槽86的方式进行加热器电极50a的去除。
此外,例如在加热器电极50a的某一部位形成了槽86时,若还在加热器电极50a中的与该部位相邻的另一部位也形成槽86,则与未形成这样的槽86的情况相比,形成一个并行的槽86所带来的加热器电极50a的电阻(发热量)的调整效果(电阻(发热量)增加效果)提高。在设定加热器电极50a的去除部位时,优选考虑这样的调整效果的增大作用来进行设定。
另外,在去除加热器电极50a(以及覆盖层112a)时,基于在S170中测量到的覆盖层112a的厚度来设定去除深度。这是因为,即使是相同的去除深度,被去除的加热器电极50a的深度也会根据覆盖层112a的厚度而可能不同。此外,如图9的G栏所示,优选以加热器电极50a的厚度方向上的整体被去除(即,加热器电极50a之下的基板层111a的局部也被去除)的方式设定去除深度。这样一来,与仅去除加热器电极50a的厚度方向上的局部的形态相比,能够抑制由加热器电极50a的去除实现的加热器电极50a的电阻(发热量)的调整效果的偏差,能够高精度地调整加热器电极50a的电阻(发热量)。
此外,例如通过利用激光振荡器LO朝向下侧部分102a的上表面S4(配置有覆盖层112a的一侧的表面)照射激光LB并在下侧部分102a的上表面S4形成槽86,从而进行加热器电极50a(以及覆盖层112a)的去除。这样形成的槽86的表面的局部由加热器电极50a的表面的局部(通过上述去除而暴露的表面)构成。另外,在本实施方式中,槽86的截面形状如图9的G栏所示呈大致V字形状,因此,可以说,在如上所述地去除加热器电极50a时,更优选基于覆盖层112a的厚度来设定去除深度。此外,在激光LB中,若使用脉冲宽度位于飞秒区域(10-15)至皮秒区域(10-12)的超短脉冲激光,则与由照射激光LB产生的热导致的温度上升速度相比,产生的热向基材扩散的速度较快,因此,加工时的热影响较小,能够抑制由该热影响导致去除部位的周边部分的形状不稳定等不良情况,因而优选。另外,加热器电极50a的去除还能够利用其它的方法(例如喷丸、利用加工装置进行的研磨)来实现。
此外,槽86的形状的调整能够通过在形成槽86时调整例如激光LB的照射强度、照射次数或调整调整喷丸的粒径、速度来实现。另外,在本实施方式中,在与Z轴方向平行的至少一个截面(例如像图5所示的截面那样与加热器电极50的延伸方向正交的截面)中,槽86的开口的缘部88为圆弧形状。例如,能够通过在照射激光LB等而形成了槽86之后对槽86的开口的缘部88进行抛光研磨,从而形成这样的形状的槽86。或者,例如还能够在通过照射激光LB而形成槽86时,越是靠近槽86的宽度方向上的端部的位置则越减少激光LB的照射次数,从而形成这样的形状的槽86。
另外,还可以在通过去除加热器电极50a而进行了加热器电极50a的电阻(发热量)的调整之后,再次与S200的工序相同地测量下侧部分102a的上表面S4的温度分布,并进行对加热器电极50a的电阻(发热量)的调整结果的确认、对是否执行加热器电极50a的再次去除的判断和根据需要对加热器电极50a的再次去除的执行等。这样一来,能够实现对加热器电极50a的电阻(发热量)的微调整,能够防止过度调整,能够实现调整时间的缩短。另外,例如能够通过加热器电极50a的电阻值有无变化、由IR照相机拍摄的图像有无变化,来确认加热器电极50a的电阻(发热量)有无调整。
接着,在形成于下侧部分102a的上表面S4的槽86(在调整工序中进行了去除的部分)和形成于覆盖层112a的贯通孔84填充绝缘材87(S220,参照图10的H栏)。在本实施方式中,作为绝缘材87,能够使用与中间接合部104的材料相同的材料。S220的工序相当于权利要求书中的填充工序。
接着,在构成下侧构造体12的下侧部分102a的上表面S4利用中间接合部104接合在S110中制作出的构成上侧构造体11的上侧部分101a(S230,参照图10的I栏)。更详细而言,例如在下侧部分102a的上表面S4配置包含例如硅酮类树脂的粘接剂(膏状粘接剂或者片状粘接剂),在该粘接剂之上配置上侧部分101a,进行使该粘接剂固化的固化处理,从而形成将下侧部分102a和上侧部分101a接合的中间接合部104。利用S230的工序,制作包含下侧部分102a、中间接合部104以及上侧部分101a的板状构件10。此外,在本实施方式中,在S230的工序中,设为通过利用进行向加热器电极50供电所产生的发热来进行使粘接剂固化的固化处理,从而形成中间接合部104。另外,在S230的工序之后,还可以进行板状构件10的吸附面S1的研磨等加工。S230的工序相当于权利要求书中的第2接合工序。
接着,以包围板状构件10的下侧部分102a和中间接合部104与接合部30的层叠体的外周的方式安装O形环90(S240,参照图10的I栏)。主要利用以上的工序,来制造上述结构的静电卡盘100。
A-4.本实施方式的效果:
如以上说明那样,本实施方式的静电卡盘100包括板状构件10、基座构件20以及接合部30。板状构件10为具有吸附面S1和与吸附面S1相反的一侧的下表面S2的板状的构件。板状构件10具有包含吸附面S1的上侧部分101、包含下表面S2并且包含由陶瓷形成的部分的下侧部分102以及接合上侧部分101和下侧部分102的中间接合部104。在板状构件10的下侧部分102配置有由电阻发热体形成的加热器电极50。基座构件20为具有上表面S3并以上表面S3位于板状构件10的下表面S2所处侧的方式配置的构件。基座构件20具有冷却机构。即,在基座构件20的内部形成有制冷剂流路21。接合部30配置于板状构件10的下表面S2与基座构件20的上表面S3之间,且接合板状构件10和基座构件20。
另外,本实施方式的静电卡盘100的制造方法包括以下工序:利用加热器电极50的形成材料在指定陶瓷坯片81上形成加热器图案501的工序(形成工序,S120);在指定陶瓷坯片81上配置由绝缘材料形成的覆盖层112,该覆盖层112覆盖加热器图案501的工序(配置工序,S130);通过对包含指定陶瓷坯片81的多个陶瓷坯片81、82层叠起来的层叠体15进行烧制,从而制作板状构件10的下侧部分102和加热器电极50的工序(烧制工序,S140、S150);利用接合部30接合板状构件10的下侧部分102和基座构件20的工序(第1接合工序,S190);进行由基座构件20的冷却机构进行的冷却(向制冷剂流路21的制冷剂的供给)和向加热器电极50供电,并且测量板状构件10的下侧部分102中的与同接合部30相对的表面相反的一侧的表面(上表面S4)的温度分布的工序(温度测量工序,S200);基于温度分布的测量结果,将被覆盖层112覆盖的加热器电极50的一部分连同覆盖层112一起去除,从而调整加热器电极50的电阻(发热量)的工序(调整工序,S210);以及利用中间接合部104接合板状构件10的下侧部分102和上侧部分101的工序(第2接合工序,S230)。
如此,在本实施方式的静电卡盘100的制造方法中,在作为板状构件10中的下表面S2所处侧的一部分、且是配置有加热器电极50的下侧部分102接合了基座构件20的状态下,进行由基座构件20的冷却机构进行的冷却(向制冷剂流路21的制冷剂的供给)和向加热器电极50供电,并且测量下侧部分102的上表面S4的温度分布,基于温度分布的测量结果,将被覆盖层112覆盖的加热器电极50的一部分连同覆盖层112一起去除,从而调整加热器电极50的电阻(发热量),之后,将板状构件10的上侧部分101与板状构件10的下侧部分102接合。即,在本实施方式的静电卡盘100的制造方法中,能够在制作了比加热器电极50靠基座构件20侧(下侧)的部分之后,在与实际使用时相同的状态(即,进行了向制冷剂流路21的制冷剂的供给和向加热器电极50供电的状态)下,进行下侧部分102的上表面S4的温度分布的测量,并基于该温度分布的测量结果,进行加热器电极50的电阻(发热量)的调整。因而,根据本实施方式的静电卡盘100的制造方法,能够在短时间内高精度地进行加热器电极50的电阻(发热量)的调整,其结果,能够使板状构件10的吸附面S1的温度分布的控制性提高。此外,在本说明书中,板状构件10的吸附面S1的温度分布的控制性较高包含吸附面S1整体的温度分布接近均匀、在每个区段Z中吸附面S1的温度分布接近均匀这两个意思中的至少一者。
而且,在本实施方式的静电卡盘100的制造方法中,由于在作为加热器电极50的形成材料的加热器图案501被覆盖层112覆盖的状态下进行烧制,因此能够抑制烧制时的加热器图案501的性质变化(例如挥发、升华),能够抑制由加热器图案501的性质变化引起加热器电极50的电阻值产生偏差,导致板状构件10的吸附面S1的温度分布的控制性降低。
另外,本实施方式的静电卡盘100的制造方法还包括以下工序:向在调整工序(S210)中进行了去除的部分填充绝缘材87的工序(填充工序,S220)。因此,根据本实施方式的静电卡盘100的制造方法,能够防止加热器电极50之间的短路,并且能够抑制气体向板状构件10的内部进入。
另外,在本实施方式的静电卡盘100的制造方法中,配置工序(S130)中配置的覆盖层112形成有在厚度方向上贯通的贯通孔84,该制造方法还包括以下工序:在烧制工序(S150)之后,在贯通孔84的位置测量覆盖层112的厚度的工序(厚度测量工序,S170)。因此,根据本实施方式的静电卡盘100的制造方法,能够基于覆盖层112的厚度,适当地设定调整工序中的覆盖层112以及加热器电极50的去除深度,能够高精度地进行加热器电极50的电阻(发热量)的调整,其结果,能够使板状构件10的吸附面S1的温度分布的控制性有效地提高。
另外,本实施方式的静电卡盘100的制造方法还包括以下工序:修正下侧部分102的翘曲的工序(翘曲修正工序,S160)。翘曲修正工序包括以下工序:在烧制工序(S150)之后,对板状构件10的下侧部分102施加负荷并且进行加热来修正翘曲的工序(第1翘曲修正工序);以及在第1翘曲修正工序之后,研磨覆盖层112来修正下侧部分102的翘曲的工序(第2翘曲修正工序)。因此,根据本实施方式的静电卡盘100的制造方法,能够利用研磨覆盖层112的第2翘曲修正工序来修正利用第1翘曲修正工序也未修正完全的下侧部分102的翘曲,能够有效地降低下侧部分102的翘曲,进而有效地降低板状构件10的翘曲。另外,在本实施方式的静电卡盘100的制造方法中,在进行下侧部分102的翘曲修正时,由于加热器电极50被覆盖层112覆盖,因此能够抑制以下情况:加热器电极50与翘曲修正用的治具互相反应而性质变化,并由该性质变化引起加热器电极50的电阻值产生偏差,导致板状构件10的吸附面S1的温度分布的控制性降低。
另外,在本实施方式的静电卡盘100的制造方法中,在指定陶瓷坯片81上形成加热器图案501的形成工序(S120)包含由预定的材料在指定陶瓷坯片81上形成基准图案502的工序,在配置工序(S130)中配置的覆盖层112上的与基准图案502重叠的位置形成有在厚度方向上贯通的贯通孔84,在调整加热器电极50的电阻(发热量)的调整工序(S210)中,将经由形成于覆盖层112的通孔84而暴露的基准图案502的位置作为基准来设定加热器电极50中的去除位置。因此,根据本实施方式的静电卡盘100的制造方法,通过将基准图案502的位置作为基准来设定去除位置,能够高精度地进行加热器电极50的去除,能够高精度地进行加热器电极50的电阻(发热量)的调整,其结果,能够使板状构件10的吸附面S1的温度分布的控制性有效地提高。
另外,本实施方式的静电卡盘100的制造方法还包括以下工序:在对层叠体15进行烧制的烧制工序(S150)之后,在用于使基准图案502暴露的贯通孔84的位置测量覆盖层112的厚度(测量工序,S170)。因此,根据本实施方式的静电卡盘100的制造方法,能够利用为了使基准图案502暴露而形成于覆盖层112的贯通孔84来测量覆盖层112的厚度,因此能够减少在覆盖层112形成的孔的数量,能够抑制因存在孔而引起板状构件10的吸附面S1的温度分布的控制性降低。
另外,在本实施方式的静电卡盘100的制造方法中,与接合部30相比,中间接合部104的热阻较低。因此,根据本实施方式的静电卡盘100的制造方法,能够抑制因存在中间接合部104而引起板状构件10的发热和/或冷却的响应性降低,能够抑制板状构件10的吸附面S1的温度分布的控制性降低。
另外,在本实施方式的静电卡盘100的制造方法中,利用中间接合部104接合板状构件10的下侧部分102和上侧部分101的第2接合工序(S230)为利用通过进行向加热器电极50供电而产生的发热来形成中间接合部104的工序。因此,根据本实施方式的静电卡盘100的制造方法,与在形成中间接合部104时对装置整体进行加热的方法相比,能够抑制由加热对其他构件产生的不良影响(例如,由接合部30的局部剥离导致吸热性产生偏差),能够抑制板状构件10的吸附面S1的温度分布的控制性降低。
另外,在本实施方式的静电卡盘100的制造方法中,调整加热器电极50的电阻(发热量)的调整工序(S210)为通过向板状构件10的下侧部分102的配置有覆盖层112的一侧的表面照射激光LB从而去除加热器电极50的工序。因此,根据本实施方式的静电卡盘100的制造方法,能够使调整工序中的加热器电极50的去除精度提高,能够高精度地进行加热器电极50的电阻(发热量)的调整,其结果,能够使板状构件10的吸附面S1的温度分布的控制性有效地提高。
另外,本实施方式的静电卡盘100包括板状构件10、基座构件20以及接合部30。板状构件10为具有与Z轴方向大致正交的吸附面S1和与吸附面S1相反的一侧的下表面S2的板状的构件。板状构件10具有包含吸附面S1的上侧部分101、包含下表面S2并且包含由陶瓷形成的部分的下侧部分102以及接合上侧部分101和下侧部分102的中间接合部104。在板状构件10的下侧部分102配置有由电阻发热体形成的加热器电极50。基座构件20为具有上表面S3并以上表面S3位于板状构件10的下表面S2所处侧的方式配置的构件。基座构件20具有冷却机构。即,在基座构件20的内部形成有制冷剂流路21。接合部30配置于板状构件10的下表面S2与基座构件20的上表面S3之间,且接合板状构件10和基座构件20。另外,在本实施方式的静电卡盘100中,在板状构件10的下侧部分102的表面中的作为与中间接合部104相对的表面的上表面S4形成有槽86。槽86的表面的局部由加热器电极50的表面的局部构成。另外,在本实施方式的静电卡盘100中,在向加热器电极50供电并且进行由基座构件20的冷却机构进行的冷却(向制冷剂流路21的制冷剂的供给),加热器电极50的温度与冷却的温度(制冷剂的温度)之差为50℃以上时,板状构件10的吸附面S1处的温度的最大值与最小值之差为3.5℃以下。
如此,在本实施方式的静电卡盘100中,在板状构件10的下侧部分102的上表面S4形成有槽86,槽86的表面的局部由加热器电极50的表面的局部构成,在向加热器电极50供电并且进行了由基座构件20的冷却机构进行的冷却的状态下的板状构件10的吸附面S1的各位置处的温度差极小。因而,根据本实施方式的静电卡盘100,能够使板状构件10的吸附面S1的温度分布的控制性有效地提高。
另外,在本实施方式的静电卡盘100中,在与Z轴方向平行的至少一个截面(例如图5所示的截面那样与加热器电极50的延伸方向正交的截面)中,槽86的开口的缘部88为圆弧形状。因此,根据本实施方式的静电卡盘100,与该缘部88不是圆弧形状而是带有棱角的形状的结构相比,在静电卡盘100的制造时等向该缘部88附近施加了力的情况下,能够以滑动的方式释放该力,并且能够增大截面的承受冲击的面积,能够抑制槽86的开口的缘部88附近缺损。
另外,在本实施方式的静电卡盘100中,在与Z轴方向平行的至少一个截面(例如像图5所示的截面那样与加热器电极50的延伸方向正交的截面)中,槽86的形状为槽86的最深部85的深度D1大于自下侧部分102的上表面S4中的除槽86以外的部分沿着Z轴方向到加热器电极50的表面的各位置的距离的最大值L2(即,到加热器电极50的下表面57的距离)的形状。即,槽86为贯通加热器电极50那样的形状。若槽86为贯通加热器电极50那样的形状,则如图11所示,即使在以槽86的最深部85为起点产生了裂纹CR的情况下,也能够避免因该裂纹CR到达加热器电极50内部而使加热器电极50的电阻变化。因此,根据本实施方式的静电卡盘100,能够避免因在下侧部分102的内部产生的裂纹CR到达加热器电极50内部而使加热器电极50的电阻变化,其结果,能够避免加热器电极50的发热量变化,能够使板状构件10的吸附面S1的温度分布的控制性进一步有效地提高。
另外,在本实施方式的静电卡盘100中,在与Z轴方向平行的至少一个截面(例如像图5所示的截面那样与加热器电极50的延伸方向正交的截面)中,槽86为位置越深(即,越靠下方的位置)则宽度(与Z轴正交的方向上的宽度)越窄的形状。在此,像图12所示的比较例那样,设为由槽86X实现的加热器电极50的去除体积与本实施方式相同,在槽86X为具有一定的宽度的形状(截面呈矩形的形状)时,在加热器电极50的构成槽86X的表面的表面附近,不存在加热器电极50的部分较大,并且电阻(发热量)在加热器电极50的构成槽86X的表面的表面的位置急剧变化,因此加热器电极50的电阻(发热量)的偏差较大。相对于此,如图11所示,在本实施方式中,由于槽86为位置越深则宽度越窄的形状,因此在加热器电极50的构成槽86的表面的表面附近,不存在加热器电极50的部分较小,并且能够抑制电阻(发热量)在加热器电极50的构成槽86的表面的表面的位置急剧变化,加热器电极50的电阻(发热量)的偏差较小。因此,根据本实施方式的静电卡盘100,能够使板状构件10的吸附面S1的温度分布的控制性进一步有效地提高。
另外,在本实施方式的静电卡盘100中,在与Z轴方向平行的至少一个截面(例如像图5所示的截面那样与加热器电极50的延伸方向正交的截面)中,槽86为构成槽86的表面的线仅具有一个弯折点(相当于最深部85的点)的形状。上述弯折点由于容易产生应力集中,因而为容易成为裂纹CR的起点的点。根据本实施方式的静电卡盘100,由于上述弯折点仅有一个,因此与具有多个弯折点的结构相比,能够抑制槽86的表面的各位置处的应力集中,其结果,能够抑制以槽86的表面为起点的裂纹CR的产生。
B.变形例:
本说明书中公开的技术并不限定于上述的实施方式,在不脱离其主旨的范围内,能够以各种形态变形,例如还能够进行以下这样的变形。
上述实施方式中的静电卡盘100的结构仅为一个例子,能够进行各种变形。例如,上述实施方式中的加热器电极50的个数、各加热器电极50的形状、板状构件10中的各加热器电极50的配置仅为一个例子,能够进行各种变形。例如,上述实施方式中的静电卡盘100包括三个加热器电极50,但静电卡盘100所具备的加热器电极50的个数也可以是两个以下,还可以是四个以上。同样,上述实施方式中的区段Z的个数、各区段Z的形状、板状构件10中的各区段Z的配置仅为一个例子,能够进行各种变形。另外,还可以不在板状构件10设定区段Z。
另外,上述实施方式中的驱动电极60的个数、各驱动电极60的形状、板状构件10中的各驱动电极60的配置仅为一个例子,能够进行各种变形。另外,在上述实施方式中,也可以设为静电卡盘100不具备驱动电极60。另外,在上述实施方式中,各通孔既可以由单个通孔构成,也可以由多个通孔的组构成。另外,在上述实施方式中,各通孔既可以是仅由通孔部分形成的单层结构,也可以是多层结构(例如通孔部分、焊盘部分以及通孔部分层叠起来的结构)。另外,在上述实施方式中,凸缘部109形成于板状构件10的上侧部分101,但凸缘部109也可以形成于板状构件10的下侧部分102。另外,在上述实施方式中,也可以设为静电卡盘100不具备O形环90。另外,在上述实施方式中,也可以设为板状构件10不具有凸缘部109。
另外,在上述实施方式中,采用在板状构件10的内部设有一个卡盘电极40的单极方式,但也可以采用在板状构件10的内部设有一对卡盘电极40的双极方式。另外,上述实施方式的形成静电卡盘100的各构件的材料仅为例示,各构件也可以由其他材料形成。
另外,在上述实施方式中,基座构件20作为冷却机构而具有形成于基座构件20的内部的制冷剂流路21,但基座构件20也可以具有其他的冷却机构(例如配置于基座构件20的下表面的冷却装置)。
另外,上述实施方式中的槽86的形状仅为一个例子,能够进行各种变形。例如在上述实施方式中,槽86的深度为在厚度方向上贯通加热器电极50那样的深度,但槽86的深度也可以小于该深度。另外,在上述实施方式中,槽86在与Z轴方向平行的至少一个截面(例如图5所示的截面那样与加热器电极50的延伸方向正交的截面)中为位置越深则宽度越窄的形状,但槽86既可以是具有一定的宽度的形状,也可以是具有位置越深则宽度越宽的部分的形状。另外,在上述实施方式中,槽86在该截面中为构成槽86的表面的线具有一个弯折点的形状,但槽86也可以是该线具有0个或者两个以上的弯折点的形状。另外,在上述实施方式中,在该截面中,槽86的开口的缘部88为圆弧形状,但槽86的开口的缘部88也可以不是圆弧形状。另外,在上述实施方式中,在形成于板状构件10的下侧部分102的上表面S4的槽86的内部配置有绝缘材87,但也可以不在槽86的内部配置绝缘材87。例如,槽86的内部可以为空间(也包含真空)。另外,当在板状构件10的下侧部分102的上表面S4形成有多个槽86时,不需要使全部槽86具备上述的特征,至少一个槽86具备该特征即可。
另外,还可以像图13所示的变形例那样,设为中间接合部104的局部进入于槽86内。根据这样的变形例,由于中间接合部104中的进入于槽86的部分作为锚固件来发挥功能,因此能够使中间接合部104的板状构件10的上侧部分101与下侧部分102之间的接合强度提高。此外,在图13所示的变形例中,槽86被中间接合部104完全填埋,但也可以是仅槽86的局部(例如槽86的上侧部分)被中间接合部104填埋,而槽86的剩余的部分(例如槽86的下侧部分)未被中间接合部104填埋。
另外,上述实施方式的静电卡盘100的制造方法仅为一个例子,能够进行各种变形。例如,也可以省略上述实施方式的静电卡盘100的制造方法中的至少一个工序(例如翘曲修正工序(S160)、厚度测量工序(S170)、填充工序(S220)等)。另外,在进行翘曲修正工序(S160)的情况下,也可以省略第1翘曲修正工序和第2翘曲修正工序中的一者。
另外,在上述实施方式中,将覆盖层112以使其覆盖形成有加热器图案501的指定陶瓷坯片81的上表面S8整体的方式进行配置,不过将覆盖层112以使其至少覆盖加热器图案501的方式进行配置即可,不一定必须覆盖指定陶瓷坯片81的上表面S8整体。另外,在上述实施方式中,将片状的覆盖层112压接于指定陶瓷坯片81的上表面S8,但也可以通过在指定陶瓷坯片81的上表面S8利用例如丝网印刷涂布作为覆盖层112的材料的浆料,从而配置覆盖层112。另外,在上述实施方式中,设为覆盖层112由陶瓷形成,但也可以设为覆盖层112由其他的绝缘材料形成。此外,覆盖层112的形成材料除了具有绝缘性以外,还优选具有热膨胀系数接近板状构件10的形成材料的热膨胀系数、耐热性较高、能够进行研磨加工等的特性。
另外,在上述实施方式中,设为在覆盖层112形成有贯通孔84,但例如在能够透过覆盖层112视觉观察到基准图案502的情况等时,不一定必须在覆盖层112设置贯通孔84。另外,在上述实施方式中,在与基准图案502重叠的位置形成贯通孔84,但还可以在不与基准图案502重叠的位置形成用于测量覆盖层112的厚度的贯通孔。
另外,在上述实施方式中,设为在指定陶瓷坯片81的上表面S8上形成基准图案502,但基准图案502的形成方法并不限定于此。图14是表示变形例的静电卡盘100的制造方法的概要的说明图。在图14所示的变形例的静电卡盘100的制造方法中,代替上述实施方式的静电卡盘100的制造方法中的在图7的B栏和C栏示出其概要的工序,而执行在图14的B栏和C栏示出其概要的工序。即,在图14所示的变形例的静电卡盘100的制造方法中,不在指定陶瓷坯片81的上表面S8上形成基准图案502。代替于此,如图14的B栏所示,在覆盖层112a形成基准图案503。只要能够从覆盖层112a的上表面所处侧进行视觉观察,形成于覆盖层112a的基准图案503就能够采取任意的形态,例如能够将形成于覆盖层112a的通孔作为基准图案503。如图14的C栏所示,通过将这样的覆盖层112a配置在指定陶瓷坯片81上,能够制作加热器图案501被覆盖层112a覆盖且能够从覆盖层112a的上表面所处侧视觉观察基准图案503的构造体。
另外,在上述实施方式中,作为向槽86、贯通孔84填充的绝缘材87,使用与中间接合部104的材料相同的材料,但并不限定于此,而能够使用任意的绝缘材料(例如无机粘接剂、玻璃、树脂粘接剂等)。另外,不一定必须在槽86、贯通孔84填充绝缘材87。
另外,在上述实施方式中,设为在指定陶瓷坯片81形成了加热器图案501之后,制作包含指定陶瓷坯片81的多个陶瓷坯片81、82层叠起来的层叠体15,但也可以在形成加热器图案501之前制作了层叠体15之后,在构成层叠体15的上表面的指定陶瓷坯片81的表面形成加热器图案501。
另外,在上述实施方式的静电卡盘100的制造方法中,还可以设为通过例如制作、购入来准备完成了S190(图6)的工序的时点的构造物,之后,执行S200的工序和S210的工序(或者S200~S220的工序)。即,本说明书中公开的技术还能够作为保持装置(例如静电卡盘100)用的构造体的制造方法的形态来实现,在该保持装置用的构造体的制造方法中,该保持装置包括:下侧部分102,其包含下表面S2并且包含由陶瓷形成的部分;加热器电极50,其配置于下侧部分102,由电阻发热体形成;基座构件20,其具有冷却机构;以及接合部30,其配置于下侧部分102的下表面S2与基座构件20之间,且接合下侧部分102和基座构件20,该保持装置在下侧部分102的上方保持对象物(例如晶圆W),该保持装置用的构造体的制造方法包括:准备工序,在该准备工序中,准备调整前构造体(例如图9的F栏所示的构造体),该调整前构造体包括下侧部分102、被作为下侧部分102的局部的覆盖层112覆盖的加热器电极50、基座构件20以及接合下侧部分102和基座构件20的接合部30;温度测量工序,在该温度测量工序中,进行由基座构件20的冷却机构进行的冷却和向加热器电极50供电,并且测量下侧部分102中的与下表面S2相反的一侧的表面(即,上表面S4)的温度分布;以及调整工序,在该调整工序中,基于温度分布的测量结果,将被覆盖层112覆盖的加热器电极50的一部分连同覆盖层112一起去除,从而调整加热器电极50的电阻。此外,在该形态中,板状构件10的下侧部分102相当于权利要求书中的指定构件,下侧部分102的下表面S2相当于权利要求书中的指定表面。
另外,本发明并不限定于包括板状构件10和基座构件20并利用静电引力来保持晶圆W的静电卡盘100,还能够同样地应用于包括板状构件、基座构件、接合板状构件和基座构件的接合部以及配置于板状构件的内部的加热器电极并在板状构件的表面上保持对象物的其他的保持装置。
附图标记说明
10、板状构件;11、上侧构造体;12、下侧构造体;13、凹部;15、层叠体;20、基座构件;21、制冷剂流路;22、贯通孔;30、接合部;32、贯通孔;40、卡盘电极;41、输入销;42、连接器;43、布线部;44、绝缘构件;50、加热器电极;51、加热线部;52、加热器焊盘部;56、上表面;57、下表面;58、侧面;60、驱动电极;71、加热器侧通孔;72、供电侧通孔;73、供电电极;74、供电端子;81、指定陶瓷坯片;82、陶瓷坯片;84、贯通孔;85、最深部;86、槽;87、绝缘材;88、缘部;90、O形环;100、静电卡盘;101、上侧部分;102、下侧部分;104、中间接合部;108、主体部;109、凸缘部;110、端子用孔;111、基板层;112、覆盖层;120、孔;501、加热器图案;502、基准图案;600、驱动电极对;LB、激光;LO、激光振荡器;S1、吸附面;S2、下表面;S3、上表面;S4、上表面;S7、下表面;S8、上表面;VL、虚拟分割线;W、晶圆;Z、区段。

Claims (16)

1.一种保持装置的制造方法,该保持装置包括:
板状构件,其具有第1表面和与所述第1表面相反的一侧的第2表面,该板状构件具有包含所述第1表面的第1部分、包含所述第2表面并且包含由陶瓷形成的部分的第2部分以及接合所述第1部分和所述第2部分的第1接合部;
加热器电极,其配置于所述板状构件的所述第2部分,并由电阻发热体形成;
基座构件,其具有第3表面,以所述第3表面位于所述板状构件的所述第2表面所处侧的方式配置,并具有冷却机构;以及
第2接合部,其配置于所述板状构件的所述第2表面与所述基座构件的所述第3表面之间,且接合所述板状构件和所述基座构件,
该保持装置在所述板状构件的所述第1表面上保持对象物,该保持装置的制造方法的特征在于,
该保持装置的制造方法包括:
形成工序,在该形成工序中,利用作为所述加热器电极的形成材料的加热器用材料在第1陶瓷坯片上形成加热器图案;
配置工序,在该配置工序中,在所述第1陶瓷坯片上配置由绝缘材料形成的覆盖层,所述覆盖层覆盖所述加热器图案;
烧制工序,在该烧制工序中,通过对包含所述第1陶瓷坯片的多个陶瓷坯片层叠起来的层叠体进行烧制,从而制作所述板状构件的所述第2部分和所述加热器电极;
第1接合工序,在该第1接合工序中,利用所述第2接合部接合所述板状构件的所述第2部分和所述基座构件;
温度测量工序,在该温度测量工序中,进行由所述冷却机构进行的冷却和向所述加热器电极供电,并且测量所述板状构件的所述第2部分中的与同所述第2接合部相对的表面相反的一侧的表面的温度分布;
调整工序,在该调整工序中,基于所述温度分布的测量结果,将被所述覆盖层覆盖的所述加热器电极的一部分连同所述覆盖层一起去除,从而调整所述加热器电极的电阻;以及
第2接合工序,在该第2接合工序中,利用所述第1接合部接合所述板状构件的所述第2部分和所述第1部分。
2.根据权利要求1所述的保持装置的制造方法,其特征在于,
该保持装置的制造方法还包括填充工序,在该填充工序中,向在所述调整工序中进行了去除的部分填充绝缘材。
3.根据权利要求1或2所述的保持装置的制造方法,其特征在于,
在所述配置工序中配置的所述覆盖层形成有在厚度方向上贯通的第1孔,
所述保持装置的制造方法还包括厚度测量工序,在该厚度测量工序中,在所述烧制工序之后,在所述第1孔的位置测量所述覆盖层的厚度。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的保持装置的制造方法,其特征在于,
该保持装置的制造方法还包括第1翘曲修正工序和第2翘曲修正工序中的至少一者,在该第1翘曲修正工序中,在所述烧制工序之后,对所述板状构件的所述第2部分施加负荷并且加热来修正翘曲,在该第2翘曲修正工序中,在所述烧制工序之后,研磨所述覆盖层来修正所述第2部分的翘曲。
5.根据权利要求4所述的保持装置的制造方法,其特征在于,
该保持装置的制造方法包括所述第1翘曲修正工序和在所述第1翘曲修正工序之后执行的所述第2翘曲修正工序这两者。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的保持装置的制造方法,其特征在于,
所述形成工序包含由预定的材料在所述第1陶瓷坯片上形成基准图案的步骤,
在所述配置工序中配置的所述覆盖层上的与所述基准图案重叠的位置形成有在厚度方向上贯通的第2孔,
在所述调整工序中,将经由形成于所述覆盖层的所述第2孔而暴露的所述基准图案的位置作为基准来设定所述加热器电极中的去除位置。
7.根据权利要求6所述的保持装置的制造方法,其特征在于,
该保持装置的制造方法还包括厚度测量工序,
在该厚度测量工序中,在所述烧制工序之后,在所述第2孔的位置测量所述覆盖层的厚度。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的保持装置的制造方法,其特征在于,
与所述第2接合部相比,所述第1接合部的热阻较低。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的保持装置的制造方法,其特征在于,
所述第2接合工序为利用通过进行向所述加热器电极供电而产生的发热来形成所述第1接合部的工序。
10.一种保持装置用的构造体的制造方法,该保持装置用的构造体包括:
指定构件,其包含指定表面并且包含由陶瓷形成的部分;
加热器电极,其配置于所述指定构件,并由电阻发热体形成;
基座构件,其具有冷却机构;以及
接合部,其配置于所述指定构件的所述指定表面与所述基座构件之间,且接合所述指定构件和所述基座构件,
该保持装置用的构造体在所述指定构件的上方保持对象物,该保持装置用的构造体的制造方法的特征在于,
该保持装置用的构造体的制造方法包括:
准备工序,在该准备工序中,准备调整前构造体,该调整前构造体包括所述指定构件、被作为所述指定构件的局部的覆盖层覆盖的所述加热器电极、所述基座构件以及接合所述指定构件和所述基座构件的所述接合部;
温度测量工序,在该温度测量工序中,进行由所述冷却机构进行的冷却和向所述加热器电极供电,并且测量所述指定构件的与所述指定表面相反的一侧的表面的温度分布;以及
调整工序,在该调整工序中,基于所述温度分布的测量结果,将被所述覆盖层覆盖的所述加热器电极的一部分连同所述覆盖层一起去除,从而调整所述加热器电极的电阻。
11.一种保持装置,该保持装置包括:
板状构件,其具有与第1方向大致正交的第1表面和与所述第1表面相反的一侧的第2表面,该板状构件具有包含所述第1表面的第1部分、包含所述第2表面并且包含由陶瓷形成的部分的第2部分以及接合所述第1部分和所述第2部分的第1接合部;
加热器电极,其配置于所述板状构件的所述第2部分,由电阻发热体形成;
基座构件,其具有第3表面,以所述第3表面位于所述板状构件的所述第2表面所处侧的方式配置,并具有冷却机构;以及
第2接合部,其配置于所述板状构件的所述第2表面与所述基座构件的所述第3表面之间,且接合所述板状构件和所述基座构件,
该保持装置在所述板状构件的所述第1表面上保持对象物,该保持装置的特征在于,
在所述板状构件的所述第2部分的表面中的作为与所述第1接合部相对的表面的第4表面形成有槽,所述槽的表面的局部由所述加热器电极的表面的局部构成,
在向所述加热器电极供电并且进行由所述冷却机构进行的冷却,所述加热器电极的温度与所述冷却的温度之差为50℃以上时,所述第1表面处的温度的最大值与最小值之差为3.5℃以下。
12.根据权利要求11所述的保持装置,其特征在于,
在与所述第1方向平行的至少一个截面中,所述槽的开口的缘部为圆弧形状。
13.根据权利要求11或12所述的保持装置,其特征在于,
在与所述第1方向平行的至少一个截面中,所述槽为最深部的深度大于自所述第4表面中的除所述槽以外的部分沿着所述第1方向到所述加热器电极的表面的各位置的距离的最大值的形状。
14.根据权利要求11~13中任一项所述的保持装置,其特征在于,
在与所述第1方向平行的至少一个截面中,所述槽为位置越深则与所述第1方向正交的方向上的宽度越窄的形状。
15.根据权利要求11~14中任一项所述的保持装置,其特征在于,
在与所述第1方向平行的至少一个截面中,所述槽为构成所述槽的表面的线具有一个以下的弯折点的形状。
16.根据权利要求11~15中任一项所述的保持装置,其特征在于,
所述第1接合部的局部进入于所述槽内。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210136877A1 (en) * 2018-02-26 2021-05-06 Charmgraphene Co., Ltd. Plate heater

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018143288A1 (ja) * 2017-02-01 2018-08-09 日本特殊陶業株式会社 保持装置
CN111712910B (zh) * 2018-02-16 2023-11-07 日本特殊陶业株式会社 保持装置
JP2023103728A (ja) * 2022-01-14 2023-07-27 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP7471566B2 (ja) 2022-09-28 2024-04-22 Toto株式会社 静電チャック

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070217117A1 (en) * 2006-03-03 2007-09-20 Ngk Insulators, Ltd. Electrostatic chuck and producing method thereof
CN203697242U (zh) * 2014-03-08 2014-07-09 浙江运发文化发展有限公司 一种用于夹持泥坯模具的固定架
CN105489541A (zh) * 2014-10-01 2016-04-13 日本特殊陶业株式会社 半导体制造装置用部件及其制造方法
CN108081487A (zh) * 2017-12-08 2018-05-29 河南科睿机械工程研究服务有限公司 一种碳硅棒切割用固定装置
JP2018157186A (ja) * 2017-03-15 2018-10-04 日本特殊陶業株式会社 セラミックスヒータ及び静電チャック並びにセラミックスヒータの製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6035101A (en) * 1997-02-12 2000-03-07 Applied Materials, Inc. High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods
US6835916B2 (en) * 1999-08-09 2004-12-28 Ibiden, Co., Ltd Ceramic heater
WO2002043441A1 (fr) * 2000-11-24 2002-05-30 Ibiden Co., Ltd. Element chauffant en ceramique et procede de production
JP2006228633A (ja) 2005-02-18 2006-08-31 Ngk Insulators Ltd 基板加熱装置の製造方法及び基板加熱装置
US8956459B2 (en) * 2005-02-23 2015-02-17 Kyocera Corporation Joined assembly, wafer holding assembly, attaching structure thereof and method for processing wafer
US8486726B2 (en) * 2009-12-02 2013-07-16 Veeco Instruments Inc. Method for improving performance of a substrate carrier
JP5987966B2 (ja) * 2014-12-10 2016-09-07 Toto株式会社 静電チャックおよびウェーハ処理装置
JP5891332B2 (ja) * 2015-09-02 2016-03-22 新光電気工業株式会社 静電チャック
JP6850137B2 (ja) * 2017-01-24 2021-03-31 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP6850138B2 (ja) * 2017-01-24 2021-03-31 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP6979279B2 (ja) * 2017-04-10 2021-12-08 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP7030420B2 (ja) * 2017-04-10 2022-03-07 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP7064895B2 (ja) * 2018-02-05 2022-05-11 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070217117A1 (en) * 2006-03-03 2007-09-20 Ngk Insulators, Ltd. Electrostatic chuck and producing method thereof
CN203697242U (zh) * 2014-03-08 2014-07-09 浙江运发文化发展有限公司 一种用于夹持泥坯模具的固定架
CN105489541A (zh) * 2014-10-01 2016-04-13 日本特殊陶业株式会社 半导体制造装置用部件及其制造方法
JP2018157186A (ja) * 2017-03-15 2018-10-04 日本特殊陶業株式会社 セラミックスヒータ及び静電チャック並びにセラミックスヒータの製造方法
CN108081487A (zh) * 2017-12-08 2018-05-29 河南科睿机械工程研究服务有限公司 一种碳硅棒切割用固定装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210136877A1 (en) * 2018-02-26 2021-05-06 Charmgraphene Co., Ltd. Plate heater
US11716790B2 (en) * 2018-02-26 2023-08-01 Charmgraphene Co., Ltd. Plate heater

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