JP2023103728A - 保持装置 - Google Patents
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- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001272720 Medialuna californiensis Species 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
- H01L21/2015—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate the substrate being of crystalline semiconductor material, e.g. lattice adaptation, heteroepitaxy
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
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Abstract
【課題】対象物を保持する第1の面(保持面)における温度均一性を向上させることができる保持装置を提供すること。【解決手段】保持面11と下面112とを備える円板状の第1板状部材110と、上面121と下面12と、ヒータ電極14とを備え、保持面11より大きな径の円板状の第2板状部材120と、下面112と上面121との間に配置されて第1板状部材110と第2板状部材120を接合する中間接合層15と、上面21と下面22とを備えるベース部材20と、下面12と上面21との間に配置されて第2板状部材120とベース部材20を接合する接合層30とを有し、第1板状部材110の保持面11上に半導体ウエハWを保持する静電チャック1において、中間接合層15又は接合層30の少なくとも一方の外周が、Z軸方向視で、第2板状部材120の外周より内側に引き下がったところに位置している。【選択図】図2
Description
本開示は、対象物を保持する保持装置に関する。
対象物を保持する保持装置として、例えば特許文献1に記載の保持装置が知られている。このような保持装置において、保持する対象物の温度制御を精度良く行うためには、保持面における温度を均一にすることが重要である。そのため、この保持装置では、対象物を保持する板状部材を、上側部分(第1板状部材)と、下側部分(第2板状部材)と、中間接合部(第1接合層)とで構成し、上側部分と下側部分を接合する前に、下側部分に備わるヒータ電極の一部を除去して、ヒータ電極の電気抵抗の調整を行う。その後、下側部分と上側部分とを中間接合部によって接合することにより、板状部材の保持面における温度を均一にしている。
しかしながら、上記の保持装置では、保持部材を2枚の板状部材(接合層を含む)で構成しているため、1枚当たりの厚さが薄くなってしまうので、板状部材の反りが大きくなる傾向がある。そのため、板状部材(下側部分)をベース部材に接合する際に、板状部材の反りは部分的には矯正されるが、板状部材の外側には製品完成時まで反りが残ってしまうおそれがある。これは、板状部材(下側部分)の最外周では、それより外側に接合層が存在しないので周りからベース部材へ反りを追従させる力が作用しないため、板状部材の外側では反りが矯正され難いからである。
そして、板状部材(下側部分)の外側に反りが残っていると、その外側部分において接合層の厚みのバラツキが大きくなってしまう。例えば、板状部材(下側部分)が下凸状(ベース部材側に凸状)に反っている場合であれば、ベース部材と板状部材(下側部分)とを接合する接合層の外側では外周に向かって接合層の厚みが大きくなってしまう一方、板状部材(上側部分)と板状部材(下側部分)とを接合する接合層の外側では外周に向かって接合層の厚みが小さくなってしまう。
このように接合層の厚みのバラツキが大きくなると、接合層における熱伝導のバラツキが大きくなってしまう。すなわち、接合層の厚みのバラツキが小さい部分と厚みのバラツキが大きい部分とにおける熱伝導に大きな差が生じてしまうため、保持面における温度均一性に悪影響を及ぼすおそれがあった。
そこで、本開示は上記した問題点を解決するためになされたものであり、対象物を保持する第1の面(保持面)における温度均一性を向上させることができる保持装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するためになされた本開示の一形態は、
第1の面と、前記第1の面とは反対側に設けられる第2の面とを備える円板状の第1板状部材と、
第3の面と、前記第3の面とは反対側に設けられる第4の面と、発熱抵抗体とを備え、前記第1の面より大きな径の円板状の第2板状部材と、
前記第2の面と前記第3の面との間に配置されて前記第1板状部材と前記第2板状部材を接合する第1接合層と、
第5の面と、前記第5の面とは反対側に設けられる第6の面とを備えるベース部材と、
前記第4の面と前記第5の面との間に配置されて前記第2板状部材と前記ベース部材を接合する第2接合層と、を有し、
前記第1板状部材の前記第1の面上に対象物を保持する保持装置において、
前記第1接合層又は前記第2接合層の少なくとも一方の外周が、前記第1板状部材、前記第2板状部材及び前記ベース部材の積層方向から見たときに、前記第2板状部材の外周より内側に引き下がったところに位置していることを特徴とする。
第1の面と、前記第1の面とは反対側に設けられる第2の面とを備える円板状の第1板状部材と、
第3の面と、前記第3の面とは反対側に設けられる第4の面と、発熱抵抗体とを備え、前記第1の面より大きな径の円板状の第2板状部材と、
前記第2の面と前記第3の面との間に配置されて前記第1板状部材と前記第2板状部材を接合する第1接合層と、
第5の面と、前記第5の面とは反対側に設けられる第6の面とを備えるベース部材と、
前記第4の面と前記第5の面との間に配置されて前記第2板状部材と前記ベース部材を接合する第2接合層と、を有し、
前記第1板状部材の前記第1の面上に対象物を保持する保持装置において、
前記第1接合層又は前記第2接合層の少なくとも一方の外周が、前記第1板状部材、前記第2板状部材及び前記ベース部材の積層方向から見たときに、前記第2板状部材の外周より内側に引き下がったところに位置していることを特徴とする。
このように、積層方向から見たときに、第1接合層又は第2接合層の少なくとも一方の外周が、第2板状部材の外周より内側に引き下がったところに位置していることにより、第2板状部材の反りによって第1接合層及び第2接合層の厚みのバラツキが大きくなる外側部分において、第1接合層又は第2接合層が排除される。言い換えると、第1接合層及び第2接合層の厚みのバラツキが大きくなってしまう外側部分には、第1接合層又は第2接合層が形成されなくなる。そのため、第2板状部材の外側部分において、第1板状部材又はベース部材との間に、空間(装置使用時には真空となる)が形成される。そして、この空間部分では熱伝導がほとんど生じない。
そのため、第2板状部材と第1板状部材との間の熱移動は、厚みのバラツキが小さくなった第1接合層を介して行われ、第2板状部材とベース部材との間の熱移動は、厚みのバラツキが小さくなった第2接合層を介して行われる。従って、第2板状部材と第1板状部材との間における熱移動を均一化する、又は第2板状部材とベース部材との間における熱移動を均一化することができるため、対象物を保持する第1の面における温度均一性を向上させることができる。
なお、第1接合層及び第2接合層の両方を第2板状部材の外周より引き下げて配置する場合には、積層方向から見たときに、第1接合層の外周と第2接合層の外周とが一致しない、つまり第1接合層の外周と第2接合層の外周とをずらして配置すればよい。
上記した保持装置において、
前記第1接合層及び前記第2接合層の外周は、前記積層方向から見たときに、前記第1の面の外周より外側に位置していることが好ましい。
前記第1接合層及び前記第2接合層の外周は、前記積層方向から見たときに、前記第1の面の外周より外側に位置していることが好ましい。
ここで、積層方向から見たときに、第1接合層又は第2接合層の外周が、第1の面の外周よりも内側に位置してしまうと、第1の面の外周付近の直下(第1の面の投影面内)において、第2板状部材と第1板状部材との間又は第2板状部材とベース部材との間における熱移動が、ほとんど生じなくなってしまう。そうすると、第1の面における温度均一性が悪化してしまう。
そこで、積層方向から見たときに、第1接合層及び第2接合層の外周を、第1の面の外周より外側に位置させることにより、第1接合層及び前記第2接合層の外周が、第1の面の外周よりも内側に位置することがなくなる。そのため、第1の面における温度均一性を確実に向上させることができる。
上記した保持装置において、
前記ベース部材が前記第2板状部材よりも曲げ剛性が大きい場合には、前記積層方向から見たときに、前記第2接合層の外周が、前記第1接合層の外周よりも外側に位置していることが好ましい。
前記ベース部材が前記第2板状部材よりも曲げ剛性が大きい場合には、前記積層方向から見たときに、前記第2接合層の外周が、前記第1接合層の外周よりも外側に位置していることが好ましい。
このように、ベース部材が第2板状部材よりも曲げ剛性が大きい場合には、積層方向から見たときに、第2接合層の外周を、第1接合層の外周よりも外側に位置させることにより、第2板状部材と第2接合層の接触面積を、第2板状部材と第1接合層の接触面積よりも大きくなる。そのため、第2板状部材よりも曲げ剛性が大きいベース部材に、第2板状部材を追従させて反りを効果的に矯正することができる。
そして、第2板状部材の反りが矯正されると、第1接合層及び第2接合層におけるそれぞれの厚みのバラツキが小さくなる。そのため、第2板状部材と第1板状部材又はベース部材との間における熱移動がより均一化されるので、第1の面における温度均一性をより向上させることができる。
上記した保持装置において、
前記第1板状部材が前記第2板状部材よりも曲げ剛性が大きい場合には、前記積層方向から見たときに、前記第1接合層の外周が、前記第2接合層の外周よりも外側に位置していることが好ましい。
前記第1板状部材が前記第2板状部材よりも曲げ剛性が大きい場合には、前記積層方向から見たときに、前記第1接合層の外周が、前記第2接合層の外周よりも外側に位置していることが好ましい。
このように、第1板状部材が第2板状部材よりも曲げ剛性が大きい場合には、積層方向から見たときに、第1接合層の外周を、第2接合層の外周よりも外側に位置させることにより、第2板状部材と第1接合層の接触面積が、第2板状部材と第2接合層の接触面積よりも大きくなる。そのため、第2板状部材よりも曲げ剛性が大きい第1板状部材に、第2板状部材を追従させて反りを効果的に矯正することができる。
そして、第2板状部材の反りが矯正されて小さくなると、第1接合層及び第2接合層におけるそれぞれの厚みのバラツキがより小さくなる。そのため、第2板状部材と第1板状部材又はベース部材との間における熱移動がより均一化されるので、第1の面における温度均一性をより向上させることができる。
上記した保持装置において、
前記第2板状部材と前記ベース部材とが異種材料で形成されて熱膨張率差がある場合には、前記第2接合層の厚みが、前記第1接合層の厚みよりも厚くされていることが好ましい。
前記第2板状部材と前記ベース部材とが異種材料で形成されて熱膨張率差がある場合には、前記第2接合層の厚みが、前記第1接合層の厚みよりも厚くされていることが好ましい。
ここで、第2板状部材とベース部材が異種材料の場合、熱膨張率差に起因して第2接合層が損傷するおそれがある。そして、第2接合層が損傷すると、第2接合層を介する第2板状部材とベース部材との間における熱伝導にバラツキが生じて熱移動が不均一になるため、第1の面における温度均一性が悪化してしまう。
そこで、第2板状部材とベース部材とが異種材料で形成されて熱膨張率差がある場合には、第2接合層の厚みを、第1接合層の厚みよりも厚くすることにより、第2板状部材とベース部材との熱膨張率差に起因する第2接合層の損傷を確実に防ぐことができる。そのため、第2板状部材とベース部材との間における第2接合層を介した熱伝導を適切に行うことができるので、第1の面における温度均一性を確実に向上させることができる。
本開示によれば、対象物を保持する第1の面(保持面)における温度均一性を向上させることができる保持装置を提供することができる。
本開示に係る実施形態である保持装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。本実施形態では、保持装置として、例えば、成膜装置(CVD成膜装置やスパッタリング成膜装置など)やエッチング装置(プラズマエッチング装置など)といった半導体製造装置に使用される静電チャックを例示して説明する。
[第1実施形態]
まず、第1実施形態の静電チャック1について、図1~図3を参照しながら説明する。本実施形態の静電チャック1は、半導体ウエハW(対象物)を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば、半導体製造装置の真空チャンバー内で半導体ウエハWを固定するために使用される。図1に示すように、静電チャック1は、板状部材10と、ベース部材20と、板状部材10とベース部材20とを接合する接合層30とを有する。
まず、第1実施形態の静電チャック1について、図1~図3を参照しながら説明する。本実施形態の静電チャック1は、半導体ウエハW(対象物)を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば、半導体製造装置の真空チャンバー内で半導体ウエハWを固定するために使用される。図1に示すように、静電チャック1は、板状部材10と、ベース部材20と、板状部材10とベース部材20とを接合する接合層30とを有する。
以下の説明においては、説明の便宜上、図1に示すようにXYZ軸を定義する。ここで、Z軸は、静電チャック1の軸線方向(図1において上下方向)の軸であり、X軸とY軸は、静電チャック1の径方向の軸である。
板状部材10は、図1に示すように、円盤状の部材であり、上面であり半導体ウエハWを保持する保持面11と、板状部材10の厚み方向(Z軸方向に一致する方向)について保持面11とは反対側に設けられる下面12とを備えている。この板状部材10は、第1板状部材110と、第2板状部材120と、第1板状部材110と第2板状部材120を接合する中間接合層15とを備えている。板状部材10(後述の鍔部114を除いた部分)の直径は、例えば50~500mm程度(通常は200mm~350mm程度)であり、板状部材10の厚さは、例えば1~10mm程度である。
第1板状部材110は、図2に示すように、板状部材10の上面となる保持面11と、厚み方向(Z軸方向に一致する方向)について保持面11とは反対側に設けられる下面112とを備えている。なお、保持面11は本開示の「第1の面」の一例であり、下面12は本開示の「第2の面」の一例である。そして、第1板状部材110は、外周の全周にわたって面方向に突出する鍔部114を有している。
この第1板状部材110の内部には、チャック電極13が配置されている。チャック電極13は、Z軸方向視で、例えば略円形をなしており、導電性材料(例えば、タングステンやモリブデン等)により形成されている。このチャック電極13に対して図示しない電源から電力が供給されることによって、静電引力(吸着力)が発生し、この静電引力により半導体ウエハWが板状部材10の保持面11に吸着固定される。なお、チャック電極13は全体として略円形でありながらも、半月状や扇形状に分割されていてもよい。
このような第1板状部材110は、セラミックスにより形成されている。セラミックスとしては、様々なセラミックスが用いられるが、強度や耐摩耗性、耐プラズマ性等の観点から、例えば、酸化アルミニウム(アルミナ、Al2O3)または窒化アルミニウム(AlN)を主成分とするセラミックスが用いられることが好ましい。また、第1板状部材110は、第2板状部材120よりも気孔率が低いことが好ましい。なお、ここでいう主成分とは、含有割合の最も多い成分(例えば、体積含有率が90vol%以上の成分)を意味する。
第2板状部材120は、図2に示すように、板状部材10の下面12と、厚み方向(Z軸方向に一致する方向)について下面12とは反対側に設けられる上面121とを備えている。第2板状部材120の外径(上面121又は下面12の外周径)は、第1板状部材110の鍔部114を除いた部分の外径(保持面11の外周径)よりも大きい。なお、上面121は本開示の「第3の面」の一例であり、下面12は本開示の「第4の面」の一例である。
この第2板状部材120の内部には、ヒータ電極14を備えている。ヒータ電極14は、Z軸方向視で、例えば略螺旋状に延びるパターンを構成しており、導電性材料(例えば、タングステンやモリブデン、白金等)により形成されている。このヒータ電極14に対して図示しない電源から電力が供給されてヒータ電極14が発熱することによって、保持面11ひいては半導体ウエハWが加熱される。なお、ヒータ電極14は本開示の「発熱抵抗体」の一例である。
このような第2板状部材120も、第1板状部材と同様、セラミックスにより形成されている。セラミックスとしては、様々なセラミックスが用いられるが、強度や耐摩耗性、耐プラズマ性等の観点から、例えば、酸化アルミニウム(アルミナ、Al2O3)または窒化アルミニウム(AlN)を主成分とするセラミックスが用いられることが好ましい。
中間接合層15は、図1、図2に示すように、第1板状部材110の下面112と第2板状部材120の上面121との間に配置され、第1板状部材110と第2板状部材120とを接合している。そして、中間接合層15の外周は、図3に示すように、Z軸方向行視で(積層方向から見たときに)、第2板状部材120の外周より内側に引き下がったところに位置している。また、中間接合層15の外周は、Z軸方向行視で、第1板状部材110の保持面11の外周より外側に位置している。つまり、中間接合層15の外周は、Z軸方向行視で、第1板状部材110の保持面11の外周と第2板状部材120の外周との間に位置していることなる。
なお、中間接合層15は本開示の「第1接合層」の一例である。この中間接合層15を介して、第1板状部材110の下面112と第2板状部材120の上面121とが熱的に接続されている。中間接合層15は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材により構成されている。中間接合層15は、セラミックス粉末等のフィラーを含んでいてもよい。なお、中間接合層15の厚さ(Z軸方向の寸法)は、例えば0.1~1.0mm程度である。
ベース部材20は、図1、図2に示すように、上面21と、ベース部材20の厚さ方向(すなわち、Z軸方向)について上面21とは反対側に設けられる下面22とを備え、円柱状に形成されている。このベース部材20は、金属(例えば、アルミニウムやアルミニウム合金等)により形成されていることが好ましいが、金属以外(例えば、セラミックス等)であってもよい。なお、本実施形態のベース部材20は金属製である。ベース部材20の直径は、例えば220mm~550mm程度(通常は220mm~350mm程度)であり、ベース部材20の厚さ(Z軸方向の寸法)は、例えば20mm~40mm程度である。
なお、ベース部材20には、冷媒(例えば、フッ素系不活性液体や水等)を流すための冷媒流路23が形成されており、この冷媒流路23内に冷媒を流すことにより、ベース部材20が冷却され、これにより、接合層30を介して板状部材10が冷却されるようになっている。
接合層30は、図1、図2に示すように、板状部材10の下面12とベース部材20の上面21との間に配置され、板状部材10とベース部材20とを接合している。この接合層30の厚みは、中間接合層15よりも厚くなっている。そして、接合層30の外周は、図3に示すように、Z軸方向視で(積層方向から見たときに)、第2板状部材120の外周とほぼ一致するところに位置している。そのため、接合層30の外周は、中間接合層15の外周よりも外側に位置していることになる。また、第2板状部材120の外周は保持面11の外周よりも大きいため、接合層30の外周は、保持面11の外周より外側に位置していることになる。
なお、接合層30は本開示の「第2接合層」の一例である。この接合層30を介して、板状部材10の下面12とベース部材20の上面21とが熱的に接続されている。接合層30は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材により構成されている。なお、接合層30の厚さ(Z軸方向の寸法)は、例えば0.1~1.0mm程度であるが、中間接合層15よりも厚くなっている。
このような構成を有する静電チャック1は、図1、図2に示すように、第2板状部材120及び中間接合層15と接合層30との積層体の外周を取り囲むように配置された略円環状のOリング40を備えている。Oリング40は、例えばゴム等の絶縁体により形成されている。このOリング40は、第1板状部材110の鍔部114の下面とベース部材20の上面21とに密着して配置されている。これにより、静電チャック1の使用時に、接合層30及び中間接合層15がプラズマ等に晒されて腐食することを防止している。
ここで、本実施形態の静電チャック1では、板状部材10が、2枚の板状部材110,120(中間接合層15を含む)で構成されているため、板状部材110,120の1枚当たりの厚さが薄くなってしまう。そのため、図4に示すように、第2板状部材120をベース部材20に接合する際に、第2板状部材120の反りは部分的に矯正されるが、第2板状部材120の外側には製品完成時まで反りが残ってしまうおそれがある。これは、第2板状部材120の最外周では、それより外側に接合層30が存在しないので周りからベース部材20へ反りを追従させる力が作用しないため、第2板状部材120の外側では反りが矯正され難いからである。
そして、第2板状部材120の外側に反りが残っていると、その外側部分において接合層30の厚みのバラツキが大きくなってしまう。例えば図4に示すように、第2板状部材120が下凸状(ベース部材20側に凸状)に反った場合、ベース部材20と第2板状部材120とを接合する接合層30の外側では外周に向かって接合層30の厚みが大きくなってしまう一方、第1板状部材110と第2板状部材120とを接合する中間接合層15の外側では外周に向かって厚みが小さくなってしまう。
このように接合層15,30の厚みのバラツキが大きくなると、接合層15,30における熱伝導のバラツキが大きくなってしまう。すなわち、接合層15,30の厚みのバラツキが小さい部分と厚みのバラツキが大きい部分とにおける熱伝導に大きな差が生じてしまうため、保持面11における温度均一性に悪影響を及ぼすおそれがあった。
そこで、本実施形態の静電チャック1では、Z軸方向視で、中間接合層15を、中間接合層15の外周が第2板状部材120の外周より内側に引き下がったところに位置するように、配置している。そのため、図5に示すように、第2板状部材120の反りによって中間接合層15及び接合層30の厚みのバラツキが大きくなる外側部分において、中間接合層15が排除される。すなわち、中間接合層15及び接合層30の厚みのバラツキが大きくなってしまう外側部分には、中間接合層15が形成されなくなる(存在しない)。
従って、第2板状部材120の外側部分において、第1板状部材110との間に、空間Sが形成される。なお、空間Sは、装置使用時に真空となる。そして、この空間Sでは熱伝導がほとんど生じない。そのため、第2板状部材120と第1板状部材110との間の熱移動は、厚みのバラツキが小さくなった中間接合層15を介して行われる。
ここで、第2板状部材120とベース部材20との間の熱移動は、厚みのバラツキが大きい接合層30を介して行われるため、接合層30の厚みが大きい第2板状部材120の外側部分では熱移動量が少なくなる。しかしながら、第2板状部材120の外側部分と第1板状部材110との間には、中間接合層15が存在せずに空間Sが形成されているため、第2板状部材120の外側部分と第1板状部材110との間では熱移動がほとんど行われない。
そのため、ベース部材20と第1板状部材110との間における熱移動は、接合層30のうち厚みのバラツキが小さい部分、第2板状部材120のうち反りが抑制された部分、及び中間接合層15を介して行われることになる。従って、第1板状部材110と第2板状部材120及びベース部材20との間における熱移動が均一になる。その結果、半導体ウエハWを保持する保持面11における温度均一性を向上させることができる。
そして、本実施形態の静電チャック1では、中間接合層15及び接合層30の各外周は、Z軸方向視で、保持面11の外周より外側に位置している。つまり、中間接合層15及び接合層30の各外周が、保持面11の外周よりも内側に位置していない、言い換えると、中間接合層15及び接合層30は保持面11よりも表面積が大きい。そのため、第1板状部材110(保持面11の部分)とベース部材20との間で、中間接合層15及び接合層30を介して確実に熱移動が行われるので、保持面11における温度均一性を確実に向上させることができる。
また、本実施形態の静電チャック1では、Z軸方向視で、接合層30の外周が、中間接合層15の外周よりも外側に位置している。そのため、第2板状部材120と接合層30の接触面積が、第2板状部材120と中間接合層15の接触面積よりも大きくなる。そして、第2板状部材120よりもベース部材20の方が曲げ剛性が大きいため、第2板状部材120をベース部材20に確実に追従させて反りを効果的に矯正することができる。このように、第2板状部材120の反りが効果的に矯正されるため、中間接合層15及び接合層30におけるそれぞれの厚みのバラツキを小さくすることができる。その結果、第1板状部材110と第2板状部材120との間における熱移動、及びベース部材20と第2板状部材120との間における熱移動がより均一化されるので、保持面11における温度均一性をより向上させることができる。
さらに、本実施形態の静電チャック1では、接合層30の厚みが、中間接合層15の厚みよりも厚くなっている。そのため、第2板状部材120(セラミックス製)とベース部材20(金属製)との熱膨張率差に起因する接合層30の損傷を確実に防ぐことができる。従って、第2板状部材120とベース部材20との間における接合層30を介した熱伝導を適切に行うことができる。その結果として、保持面11における温度均一性を確実に向上させることができる。
以上のように、本実施形態の静電チャック1によれば、Z軸方向視で、中間接合層15の外周が、第2板状部材120の外周より内側に引き下がったところに位置している。そのため、第2板状部材120の反りによって中間接合層15及び接合層30の厚みのバラツキが大きくなる外側部分において、中間接合層15が排除されて空間Sが形成される。そして、この空間Sでは熱伝導がほとんど生じないため、第2板状部材120と第1板状部材110との間の熱移動は、厚みのバラツキが小さくなった中間接合層15を介して行われることになる。従って、第1板状部材110と第2板状部材120及びベース部材120との間における熱移動を均一化することができるので、半導体ウエハWを保持する保持面11における温度均一性を向上させることができる。
[第2実施形態]
次に、第2実施形態について、図6を参照しながら説明する。第2実施形態は、第1実施形態と基本的な構成は同じであるが、第1板状部材110の曲げ剛性を、第2板状部材120より大きくしている点が第1実施形態とは異なる。なお、第1板状部材110、第2板状部材120は、ともにセラミックス製であるが、第1板状部材110が第2板状部材120より反り(撓み)難くなっている。そこで、第1実施形態と同様の構成については同符号を付して説明を適宜省略し、第1実施形態との相違点を中心に説明する。
次に、第2実施形態について、図6を参照しながら説明する。第2実施形態は、第1実施形態と基本的な構成は同じであるが、第1板状部材110の曲げ剛性を、第2板状部材120より大きくしている点が第1実施形態とは異なる。なお、第1板状部材110、第2板状部材120は、ともにセラミックス製であるが、第1板状部材110が第2板状部材120より反り(撓み)難くなっている。そこで、第1実施形態と同様の構成については同符号を付して説明を適宜省略し、第1実施形態との相違点を中心に説明する。
本実施形態の静電チャック1aでは、第1板状部材110が第2板状部材120より反り(撓み)難くいため、第2板状部材120をベース部材20ではなく第1板状部材110に追従させて、第2板状部材120の反りを抑制するようになっている。そのため、静電チャック1aにおいては、図6に示すように、Z軸方向視で、中間接合層15の外周が、接合層30の外周よりも外側に位置している。
これにより、第2板状部材120と中間接合層15の接触面積が、第2板状部材120と接合層30の接触面積よりも大きくなる。そのため、第2板状部材120よりも曲げ剛性が大きい第1板状部材110に対して、第2板状部材120を追従させて反りを効果的に矯正することができるのである。
このようにして第2実施形態では、第2板状部材120の反りが矯正されて小さくなるため、中間接合層15及び接合層30におけるそれぞれの厚みのバラツキをより小さくすることができる。従って、ベース部材と第2板状部材120の間、及び第2板状部材120と第1板状部材110の間における熱移動がより均一化される。その結果として、保持面11における温度均一性をより向上させることができる。
なお、上記の実施形態は単なる例示にすぎず、本開示を何ら限定するものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能であることはもちろんである。例えば、上記の実施形態では、本開示を静電チャックに適用した場合を例示したが、本開示は、静電チャックに限られることなく、表面に対象物を保持する保持装置全般について適用することができる。
また、上記の実施形態では、第2板状部材120に反り(又は撓み)が生じた場合を例示して説明したが、第1板状部材110に反り(又は撓み)が生じた場合にも本開示を適用することができる。さらに、上記の実施形態では、第2板状部材120が下凸状(ベース部材20側に凸状)に反った場合を例示して説明したが、第2板状部材120(又は第1板状部材110)が上凸状(保持面11側に凸状)に反った場合にも本開示を適用することができる。
また、上記の実施形態では、中間接合層15又は接合層30のいずれか一方を第2板状部材120の外周より引き下げて配置(内側に配置)する場合を例示したが、中間接合層15及び接合層30の両方を第2板状部材120の外周より引き下げて配置することもできる。この場合には、Z軸方向視で、中間接合層15の外周と接合層30の外周とが一致しない、つまり中間接合層15の外周と接合層30の外周とをずらして配置する必要がある。
また、上記の実施形態において、第1板状部材110として鍔部114を備えるものを例示したが、第1板状部材110は、必ずしも鍔部114を備えている必要はない。
1 静電チャック
11 保持面
15 中間接合層
20 ベース部材
30 接合層
110 第1板状部材
120 第2板状部材
W 半導体ウエハ
11 保持面
15 中間接合層
20 ベース部材
30 接合層
110 第1板状部材
120 第2板状部材
W 半導体ウエハ
Claims (5)
- 第1の面と、前記第1の面とは反対側に設けられる第2の面とを備える円板状の第1板状部材と、
第3の面と、前記第3の面とは反対側に設けられる第4の面と、発熱抵抗体とを備え、前記第1の面より大きな径の円板状の第2板状部材と、
前記第2の面と前記第3の面との間に配置されて前記第1板状部材と前記第2板状部材を接合する第1接合層と、
第5の面と、前記第5の面とは反対側に設けられる第6の面とを備えるベース部材と、
前記第4の面と前記第5の面との間に配置されて前記第2板状部材と前記ベース部材を接合する第2接合層と、を有し、
前記第1板状部材の前記第1の面上に対象物を保持する保持装置において、
前記第1接合層又は前記第2接合層の少なくとも一方の外周が、前記第1板状部材、前記第2板状部材及び前記ベース部材の積層方向から見たときに、前記第2板状部材の外周より内側に引き下がったところに位置している
ことを特徴とする保持装置。 - 請求項1に記載する保持装置において、
前記第1接合層及び前記第2接合層の外周は、前記積層方向から見たときに、前記第1の面の外周より外側に位置している
ことを特徴とする保持装置。 - 請求項1又は請求項2に記載する保持装置において、
前記ベース部材が前記第2板状部材よりも曲げ剛性が大きい場合には、前記積層方向から見たときに、前記第2接合層の外周が、前記第1接合層の外周よりも外側に位置している
ことを特徴とする保持装置。 - 請求項1又は請求項2に記載する保持装置において、
前記第1板状部材が前記第2板状部材よりも曲げ剛性が大きい場合には、前記積層方向から見たときに、前記第1接合層の外周が、前記第2接合層の外周よりも外側に位置している
ことを特徴とする保持装置。 - 請求項1から請求項4に記載するいずれか1つの保持装置において、
前記第2板状部材と前記ベース部材とが異種材料で形成されて熱膨張率差がある場合には、前記第2接合層の厚みが、前記第1接合層の厚みよりも厚くされている
ことを特徴とする保持装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022004420A JP2023103728A (ja) | 2022-01-14 | 2022-01-14 | 保持装置 |
PCT/JP2022/047607 WO2023136096A1 (ja) | 2022-01-14 | 2022-12-23 | 保持装置 |
TW112100969A TW202343654A (zh) | 2022-01-14 | 2023-01-10 | 保持裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022004420A JP2023103728A (ja) | 2022-01-14 | 2022-01-14 | 保持装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023103728A true JP2023103728A (ja) | 2023-07-27 |
Family
ID=87278976
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022004420A Pending JP2023103728A (ja) | 2022-01-14 | 2022-01-14 | 保持装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023103728A (ja) |
TW (1) | TW202343654A (ja) |
WO (1) | WO2023136096A1 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5935202B2 (ja) * | 2011-05-27 | 2016-06-15 | 国立大学法人東北大学 | 静電チャック装置及びその製造方法 |
JP2016160123A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 耐食性部材および静電チャック装置 |
JP6867556B2 (ja) * | 2019-04-16 | 2021-04-28 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置の製造方法、保持装置用の構造体の製造方法および保持装置 |
-
2022
- 2022-01-14 JP JP2022004420A patent/JP2023103728A/ja active Pending
- 2022-12-23 WO PCT/JP2022/047607 patent/WO2023136096A1/ja unknown
-
2023
- 2023-01-10 TW TW112100969A patent/TW202343654A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202343654A (zh) | 2023-11-01 |
WO2023136096A1 (ja) | 2023-07-20 |
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