JP6867556B2 - 保持装置の製造方法、保持装置用の構造体の製造方法および保持装置 - Google Patents

保持装置の製造方法、保持装置用の構造体の製造方法および保持装置 Download PDF

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Description

本明細書に開示される技術は、対象物を保持する保持装置の製造方法、保持装置用の構造体の製造方法および保持装置に関する。
例えば半導体素子を製造する際にウェハを保持する保持装置として、静電チャックが用いられる。静電チャックは、セラミックスにより形成された部分を含む板状部材と、例えば金属製のベース部材と、板状部材とベース部材とを接合する接合部と、板状部材の内部に配置されたチャック電極とを備えており、チャック電極に電圧が印加されることにより発生する静電引力を利用して、板状部材の表面(以下、「吸着面」という。)にウェハを吸着して保持する。
静電チャックの吸着面に保持されたウェハの温度が所望の温度にならないと、ウェハに対する各処理(成膜、エッチング等)の精度が低下するおそれがあるため、静電チャックにはウェハの温度分布を制御する性能が求められる。そのため、板状部材の内部に配置された抵抗発熱体であるヒータ電極による加熱や、ベース部材に形成された冷媒流路への冷媒供給による冷却を行うことにより、板状部材の吸着面の温度分布の制御(ひいては、吸着面に保持されたウェハの温度分布の制御)が行われる。
従来、ウェハを保持する保持装置を製造する際に、板状のセラミックス焼結体の表面に抵抗発熱体を形成した後、レーザー加工や機械加工によって抵抗発熱体の一部を除去することにより抵抗発熱体の抵抗値を調整し、その後に、セラミックス焼結体における抵抗発熱体が形成された表面上にセラミックス成形体を積層し、セラミックス焼結体と抵抗発熱体とセラミックス成形体とを一体的に焼成する技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開2006−228633号公報
上記従来の技術は、抵抗発熱体の抵抗値を調整することにより、ウェハを保持する表面の温度分布の制御性を向上させるものである。しかしながら、静電チャックにおいて、ウェハを保持する吸着面の温度分布は、ヒータ電極(抵抗発熱体)の精度の他にベース部材や接合部の精度にも左右されるため、抵抗発熱体の抵抗値を調整するだけでは、ウェハを保持する吸着面の温度分布の制御性を十分に向上させることができない、という課題がある。
なお、このような課題は、静電チャックに限らず、板状部材とベース部材と接合部とを備え、板状部材の表面上に対象物を保持する保持装置一般に共通の課題である。
本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。
本明細書に開示される技術は、例えば、以下の形態として実現することが可能である。
(1)本明細書に開示される保持装置の製造方法は、第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有する板状部材であって、前記第1の表面を含む第1の部分と、前記第2の表面を含むと共にセラミックスにより形成された部分を含む第2の部分と、前記第1の部分と前記第2の部分とを接合する第1の接合部と、を有する板状部材と、前記板状部材の前記第2の部分に配置され、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極と、第3の表面を有し、前記第3の表面が前記板状部材の前記第2の表面側に位置するように配置され、冷却機構を有するベース部材と、前記板状部材の前記第2の表面と前記ベース部材の前記第3の表面との間に配置されて前記板状部材と前記ベース部材とを接合する第2の接合部と、を備え、前記板状部材の前記第1の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法である。該保持装置の製造方法は、第1のセラミックスグリーンシート上に、前記ヒータ電極の形成材料であるヒータ用材料によってヒータパターンを形成する形成工程と、前記第1のセラミックスグリーンシート上に、絶縁材料により形成されるカバー層であって、前記ヒータパターンを覆う前記カバー層を配置する配置工程と、前記第1のセラミックスグリーンシートを含む複数のセラミックスグリーンシートが積層された積層体を焼成することにより、前記板状部材の前記第2の部分と前記ヒータ電極とを作製する焼成工程と、前記第2の接合部により、前記板状部材の前記第2の部分と前記ベース部材とを接合する第1の接合工程と、前記冷却機構による冷却と、前記ヒータ電極への給電と、を行いつつ、前記板状部材の前記第2の部分における前記第2の接合部に対向する表面とは反対側の表面の温度分布を測定する温度測定工程と、前記温度分布の測定結果に基づき、前記カバー層に覆われた前記ヒータ電極の一部分を前記カバー層ごと除去することによって前記ヒータ電極の電気抵抗を調整する調整工程と、前記第1の接合部により、前記板状部材の前記第2の部分と前記第1の部分とを接合する第2の接合工程と、を備える。
本保持装置の製造方法では、板状部材のうちの第2の表面側の一部分であり、ヒータ電極が配置された第2の部分に、ベース部材が接合された状態で、ベース部材の冷却機構による冷却とヒータ電極への給電とを行いつつ、第2の部分の表面の温度分布が測定され、温度分布の測定結果に基づき、カバー層に覆われたヒータ電極の一部分をカバー層ごと除去することによってヒータ電極の電気抵抗が調整され、その後、板状部材の第2の部分に第1の部分が接合される。すなわち、本保持装置の製造方法では、ヒータ電極よりベース部材側の部分を作製した後、実際の使用時と同様の状態(すなわち、ベース部材の冷却機構による冷却とヒータ電極への給電とが行われた状態)で板状部材の第2の部分の表面の温度分布の測定を行い、該温度分布の測定結果に基づきヒータ電極の電気抵抗の調整を行うことができる。従って、本保持装置の製造方法によれば、ヒータ電極の電気抵抗の調整を短時間で精度良く行うことができ、その結果、板状部材の第1の表面の温度分布の制御性を向上させることができる。さらに、本保持装置の製造方法では、ヒータ電極の形成材料であるヒータ用材料のパターンがカバー層により覆われた状態で焼成が行われるため、焼成時のヒータ用材料のパターンの変質(例えば、揮発や昇華)を抑制することができ、ヒータ用材料のパターンの変質に起因してヒータ電極の抵抗値にバラツキが生じ、板状部材の第1の表面の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。
(2)上記保持装置の製造方法において、さらに、前記調整工程において除去された部分に絶縁材を充填する充填工程を備える構成としてもよい。本保持装置の製造方法によれば、ヒータ電極間の短絡を防止しつつ、板状部材の内部への気体の侵入を抑制することができる。
(3)上記保持装置の製造方法において、前記配置工程において配置される前記カバー層には、厚さ方向に貫通する第1の孔が形成されており、前記保持装置の製造方法は、さらに、前記焼成工程の後に、前記第1の孔の位置で前記カバー層の厚さを測定する厚さ測定工程を備える構成としてもよい。本保持装置の製造方法によれば、カバー層の厚さに基づき、調整工程におけるカバー層およびヒータ電極の除去深さを適切に設定することができ、ヒータ電極の電気抵抗の調整を精度良く行うことができ、その結果、板状部材の第1の表面の温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。
(4)上記保持装置の製造方法において、さらに、前記焼成工程の後に、前記板状部材の前記第2の部分に荷重をかけつつ加熱して反りを修正する第1の反り修正工程と、前記焼成工程の後に、前記カバー層を研磨して前記第2の部分の反りを修正する第2の反り修正工程と、の少なくとも一方を備える構成としてもよい。本保持装置の製造方法によれば、第1の反り修正工程と第2の反り修正工程との少なくとも一方によって、第2の部分の反りを修正することができ、第2の部分の反り、ひいては板状部材の反りを効果的に低減することができる。また、本保持装置の製造方法では、第2の部分の反り修正を行う際に、ヒータ電極がカバー層により覆われているため、ヒータ電極が反り修正用の治具と反応して変質し、該変質に起因してヒータ電極の抵抗値にバラツキが生じ、板状部材の第1の表面の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。
(5)上記保持装置の製造方法において、前記第1の反り修正工程と、前記第1の反り修正工程の後に実行される前記第2の反り修正工程と、の両方を備える構成としてもよい。本保持装置の製造方法によれば、第1の反り修正工程によっても修正しきれない第2の部分の反りを、カバー層を研磨する第2の反り修正工程によって修正することができ、第2の部分の反り、ひいては板状部材の反りを効果的に低減することができる。また、本保持装置の製造方法では、第2の部分の反り修正を行う際に、ヒータ電極がカバー層により覆われているため、ヒータ電極が反り修正用の治具と反応して変質し、該変質に起因してヒータ電極の抵抗値にバラツキが生じ、板状部材の第1の表面の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。
(6)上記保持装置の製造方法において、前記形成工程は、前記第1のセラミックスグリーンシート上に、所定の材料で基準パターンを形成することを含み、前記配置工程において配置される前記カバー層には、前記基準パターンと重なる位置に、厚さ方向に貫通する第2の孔が形成されており、前記調整工程では、前記カバー層に形成された前記第2の孔を介して露出した前記基準パターンの位置を基準として、前記ヒータ電極における除去位置を設定する構成としてもよい。本保持装置の製造方法によれば、基準パターンの位置を基準として除去位置を設定することにより、ヒータ電極の除去を精度良く行うことができ、ヒータ電極の電気抵抗の調整を精度良く行うことができ、その結果、板状部材の第1の表面の温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。
(7)上記保持装置の製造方法において、さらに、前記焼成工程の後に、前記第2の孔の位置で前記カバー層の厚さを測定する厚さ測定工程を備える構成としてもよい。本保持装置の製造方法によれば、基準パターンを露出させるためにカバー層に形成された孔を利用して、カバー層の厚さを測定することができるため、カバー層に形成する孔の数を減らすことができ、孔の存在に起因して板状部材の第1の表面の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。
(8)上記保持装置の製造方法において、前記第1の接合部は、前記第2の接合部と比較して、熱抵抗が低い構成としてもよい。本保持装置の製造方法によれば、第1の接合部の存在に起因して板状部材における発熱および/または冷却の応答性が低下することを抑制することができ、板状部材の第1の表面の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。
(9)上記保持装置の製造方法において、前記第2の接合工程は、前記ヒータ電極への給電を行うことによる発熱を利用して、前記第1の接合部を形成する工程である構成としてもよい。本保持装置の製造方法によれば、第1の接合部を形成する際に装置全体を加熱する方法と比較して、加熱による他の部材への悪影響(例えば、第2の接合部の部分的剥離による熱引き性のバラツキの発生)を抑制することができ、板状部材の第1の表面の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。
(10)本明細書に開示される保持装置用の構造体の製造方法は、特定表面を含むと共にセラミックスにより形成された部分を含む特定部材と、前記特定部材に配置され、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極と、冷却機構を有するベース部材と、前記特定部材の前記特定表面と前記ベース部材との間に配置されて前記特定部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、を備え、前記特定部材の上方に対象物を保持する保持装置用の構造体の製造方法である。該保持装置用の構造体の製造方法は、前記特定部材と、前記特定部材の一部であるカバー層に覆われた前記ヒータ電極と、前記ベース部材と、前記特定部材と前記ベース部材とを接合する前記接合部と、を備える調整前構造体を準備する準備工程と、前記冷却機構による冷却と、前記ヒータ電極への給電と、を行いつつ、前記特定部材における前記特定表面とは反対側の表面の温度分布を測定する温度測定工程と、前記温度分布の測定結果に基づき、前記カバー層に覆われた前記ヒータ電極の一部分を前記カバー層ごと除去することによって前記ヒータ電極の電気抵抗を調整する調整工程と、を備える。
本保持装置用の構造体の製造方法では、ヒータ電極が配置された特定部材にベース部材が接合された状態で、ベース部材の冷却機構による冷却とヒータ電極への給電とを行いつつ、特定部材の表面の温度分布が測定され、温度分布の測定結果に基づき、カバー層に覆われたヒータ電極の一部分をカバー層ごと除去することによってヒータ電極の電気抵抗が調整される。すなわち、本保持装置用の構造体の製造方法では、ヒータ電極よりベース部材側の部分を準備した後、実際の使用時と同様の状態(すなわち、ベース部材の冷却機構による冷却とヒータ電極への給電とが行われた状態)で特定部材の表面の温度分布の測定を行い、該温度分布の測定結果に基づきヒータ電極の電気抵抗の調整を行うことができる。従って、本保持装置用の構造体の製造方法によれば、ヒータ電極の電気抵抗の調整を短時間で精度良く行うことができ、その結果、該保持装置用構造体を用いて作製される保持装置の対象物保持面の温度分布の制御性を向上させることができる。
(11)本明細書に開示される保持装置は、第1の方向に略直交する第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有する板状部材であって、前記第1の表面を含む第1の部分と、前記第2の表面を含むと共にセラミックスにより形成された部分を含む第2の部分と、前記第1の部分と前記第2の部分とを接合する第1の接合部と、を有する板状部材と、前記板状部材の前記第2の部分に配置され、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極と、第3の表面を有し、前記第3の表面が前記板状部材の前記第2の表面側に位置するように配置され、冷却機構を有するベース部材と、前記板状部材の前記第2の表面と前記ベース部材の前記第3の表面との間に配置されて前記板状部材と前記ベース部材とを接合する第2の接合部と、を備え、前記板状部材の前記第1の表面上に対象物を保持する保持装置である。該保持装置は、前記板状部材の前記第2の部分の表面の内、前記第1の接合部と対向する表面である第4の表面には、溝であって、前記溝の表面の一部が前記ヒータ電極の表面の一部により構成された前記溝が形成されており、前記ヒータ電極に給電し、かつ、前記冷却機構による冷却を行い、前記ヒータ電極の温度と前記冷却の温度との差が50℃以上であるときに、前記第1の表面における温度の最大値と最小値との差は、3.5℃以下である。本保持装置によれば、板状部材の第1の表面の各位置での温度差が極めて小さいため、板状部材の第1の表面の温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。
(12)上記保持装置において、前記第1の方向に平行な少なくとも1つの断面において、前記溝の開口の縁部は、R形状である構成としてもよい。本保持装置によれば、保持装置の製造時等において、板状部材の第2の部分における溝の開口の縁部付近が欠けることを抑制することができる。
(13)上記保持装置において、前記第1の方向に平行な少なくとも1つの断面において、前記溝は、最深部の深さが、前記第4の表面における前記溝以外の部分から前記ヒータ電極の表面の各位置までの前記第1の方向に沿った距離の最大値より深い形状である構成としてもよい。本保持装置によれば、溝の最深部を起点としてクラックが発生した場合にも、該クラックがヒータ電極内部まで到達してヒータ電極の電気抵抗が変化することを回避することができ、その結果、ヒータ電極の発熱量が変化することを回避することができ、板状部材の第1の表面の温度分布の制御性をさらに効果的に向上させることができる。
(14)上記保持装置において、前記第1の方向に平行な少なくとも1つの断面において、前記溝は、深い位置ほど、前記第1の方向に直交する方向の幅が狭くなる形状である構成としてもよい。本保持装置によれば、深さ方向に溝の幅が一定である構成と比較して、ヒータ電極における溝の表面を構成する表面付近において、ヒータ電極が存在しない部分が小さくなり、かつ、ヒータ電極における溝の表面を構成する表面の位置において電気抵抗(発熱量)が急激に変化することが抑制され、ヒータ電極の電気抵抗(発熱量)の偏りが小さくなり、板状部材の第1の表面の温度分布の制御性をさらに効果的に向上させることができる。
(15)上記保持装置において、前記第1の方向に平行な少なくとも1つの断面において、前記溝は、前記溝の表面を構成する線が1個以下の折れ曲がり点を有する形状である構成としてもよい。本保持装置によれば、溝の表面の各位置における応力集中を抑制することができ、その結果、溝の表面を起点としたクラックの発生を抑制することができる。
(16)上記保持装置において、前記第1の接合部の一部が、前記溝内に入り込んでいる構成としてもよい。本保持装置によれば、第1の接合部の内、溝に入り込んだ部分がアンカーとして機能するため、第1の接合部による第1の部分と第2の部分との接合強度を向上させることができる。
なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、保持装置、静電チャック、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。
本実施形態における静電チャック100の外観構成を概略的に示す斜視図 本実施形態における静電チャック100のXZ断面構成を概略的に示す説明図 本実施形態における静電チャック100のXY断面構成を概略的に示す説明図 本実施形態における静電チャック100のXY断面構成を概略的に示す説明図 本実施形態におけるヒータ電極50の周辺の断面構成を詳細に示す説明図 本実施形態における静電チャック100の製造方法を示すフローチャート 本実施形態における静電チャック100の製造方法の概要を示す説明図 本実施形態における静電チャック100の製造方法の概要を示す説明図 本実施形態における静電チャック100の製造方法の概要を示す説明図 本実施形態における静電チャック100の製造方法の概要を示す説明図 本実施形態におけるヒータ電極50の周辺の断面構成を詳細に示す説明図 比較例におけるヒータ電極50の周辺の断面構成を詳細に示す説明図 変形例におけるヒータ電極50の周辺の断面構成を詳細に示す説明図 変形例における静電チャック100の製造方法の概要を示す説明図
A.実施形態:
A−1.静電チャック100の構成:
図1は、本実施形態における静電チャック100の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図2は、本実施形態における静電チャック100のXZ断面構成を概略的に示す説明図であり、図3および図4は、本実施形態における静電チャック100のXY断面構成を概略的に示す説明図である。図3には、図2のIII−IIIの位置における静電チャック100のXY断面構成が示されており、図4には、図2のIV−IVの位置における静電チャック100のXY断面構成が示されている。各図には、方向を特定するための互いに直交するXYZ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Z軸正方向を上方向といい、Z軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック100は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。また、本明細書では、Z軸方向に直交する方向を、面方向という。Z軸方向は、特許請求の範囲における第1の方向に相当する。
静電チャック100は、対象物(例えばウェハW)を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウェハWを固定するために使用される。静電チャック100は、所定の配列方向(本実施形態では上下方向(Z軸方向))に並べて配置された板状部材10およびベース部材20を備える。板状部材10とベース部材20とは、板状部材10の下面S2(図2参照)とベース部材20の上面S3とが、後述する接合部30を挟んで上記配列方向に対向するように配置される。すなわち、ベース部材20は、ベース部材20の上面S3が板状部材10の下面S2側に位置するように配置される。ベース部材20の上面S3は、特許請求の範囲における第3の表面に相当する。
板状部材10は、上述した配列方向(Z軸方向)に略直交する略円形平面状の上面(以下、「吸着面」という。)S1と、吸着面S1とは反対側の下面S2とを有する略円板状部材である。本実施形態では、板状部材10は、外周の全周にわたって面方向に突出する鍔部109を有している。以下、板状部材10のうちの鍔部109を除く部分を、本体部108という。板状部材10の本体部108の直径は例えば50mm〜500mm程度(通常は200mm〜350mm程度)であり、板状部材10の厚さは例えば1mm〜10mm程度である。板状部材10の吸着面S1は、特許請求の範囲における第1の表面に相当し、板状部材10の下面S2は、特許請求の範囲における第2の表面に相当する。
図2に示すように、本実施形態では、板状部材10は、上側部分101と、下側部分102と、上側部分101と下側部分102とを接合する中間接合部104とから構成されている。
板状部材10の下側部分102は、板状部材10のうち、板状部材10の下面S2を含む略平板状の部分である。下側部分102は、基板層111と、カバー層112とから構成されている。基板層111は、下側部分102のうち、板状部材10の下面S2を含む略平板状の部分であり、カバー層112は、下側部分102のうち、下側部分102の上面S4(中間接合部104に対向する表面)を含む略平板状の部分である。本実施形態では、板状部材10の下側部分102を構成する基板層111およびカバー層112は、共にセラミックス(例えば、アルミナや窒化アルミニウム等)の焼結体により形成されている。板状部材10の下側部分102は、特許請求の範囲における第2の部分に相当し、下側部分102の上面S4は、特許請求の範囲における第4の表面に相当する。
板状部材10の上側部分101は、板状部材10のうち、吸着面S1を含む略平板状の部分である。鍔部109は、上側部分101に形成されている。本実施形態では、板状部材10の上側部分101は、セラミックス(例えば、アルミナや窒化アルミニウム等)の焼結体により形成されている。なお、上側部分101は、下側部分102と比べて、耐プラズマ性に優れたセラミックス材料により形成されることが好ましく、また、気孔率が低いことが好ましい。上側部分101は、特許請求の範囲における第1の部分に相当する。
板状部材10の中間接合部104は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材やガラス、金属等により構成されている。中間接合部104は、セラミックス粉末等のフィラーを含んでいてもよい。中間接合部104は、特許請求の範囲における第1の接合部に相当する。
図2に示すように、板状部材10の内部(より詳細には、板状部材10を構成する上側部分101の内部)には、導電性材料(例えば、タングステン、モリブデン、白金等)により形成されたチャック電極40が配置されている。Z軸方向視でのチャック電極40の形状は、例えば略円形である。また、静電チャック100には、チャック電極40への給電のための構成が設けられている。具体的には、ベース部材20の下面S7から板状部材10の内部に至る孔120が形成されている。孔120は、ベース部材20を上下方向に貫通する貫通孔と、接合部30を上下方向に貫通する貫通孔と、板状部材10の下面S2からチャック電極40の下面にかけて形成された凹部とが、互いに連通することにより構成された一体の孔である。孔120の内周面(本実施形態では、孔120のうち、ベース部材20と接合部30と板状部材10の下側部分102とに形成された部分の内周面)には、絶縁部材44が配置されている。チャック電極40の下面における孔120に露出した部分には、入力ピン41が接続されている。入力ピン41には、孔120に配置された配線部43の先端に設けられたコネクタ42が嵌合している。電源(図示しない)から配線部43および入力ピン41を介してチャック電極40に電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってウェハWが板状部材10の吸着面S1に吸着固定される。
また、板状部材10の内部(より詳細には、板状部材10を構成する下側部分102の内部)には、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御(すなわち、吸着面S1に保持されたウェハWの温度分布の制御)のための複数のヒータ電極50と、各ヒータ電極50への給電のための構成(ドライバ電極60等)とが配置されている。これらの構成については、後に詳述する。
ベース部材20は、例えば板状部材10の本体部108と同径の、または、板状部材10の本体部108より径が大きい円形平面の板状部材であり、例えば金属(アルミニウムやアルミニウム合金等)により形成されている。ベース部材20の直径は例えば220mm〜550mm程度(通常は220mm〜350mm)であり、ベース部材20の厚さは例えば20mm〜40mm程度である。
ベース部材20は、板状部材10の下面S2とベース部材20の上面S3との間に配置された接合部30によって、板状部材10に接合されている。接合部30は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材により構成されている。接合部30は、セラミックス粉末等のフィラーを含んでいてもよい。接合部30の厚さは、例えば0.1mm〜1mm程度である。接合部30は、中間接合部104と比較して、熱抵抗が高い(換言すれば、中間接合部104は、接合部30と比較して、熱抵抗が低い)ことが好ましい。ここで、接合部(接合部30または中間接合部104)の熱抵抗は、接合部の熱伝導率をλとし、接合部におけるXY断面の断面積をSとし、接合部の厚さをLとしたとき、L/(λ・S)として表される。接合部30は、特許請求の範囲における第2の接合部に相当する。
ベース部材20は、冷却機構を有している。より具体的には、ベース部材20の内部には冷媒流路21が形成されている。冷媒流路21に冷媒(例えば、フッ素系不活性液体や水等)が流されると、ベース部材20が冷却され、接合部30を介したベース部材20と板状部材10との間の伝熱(熱引き)により板状部材10が冷却され、板状部材10の吸着面S1に保持されたウェハWが冷却される。これにより、ウェハWの温度分布の制御が実現される。
また、静電チャック100は、板状部材10の下側部分102および中間接合部104と接合部30との積層体の外周を取り囲むように形成された略円環状のOリング90を備える。Oリング90は、例えばゴム等の絶縁体により形成されている。Oリング90は、上側部分101に形成された鍔部109の下面とベース部材20の上面S3とに密着しており、接合部30や中間接合部104がプラズマ等に晒されて劣化することを防止する。
A−2.ヒータ電極50等の構成:
次に、ヒータ電極50およびヒータ電極50への給電のための構成について詳述する。上述したように、静電チャック100は、複数のヒータ電極50(より具体的には、3つのヒータ電極50A,50B,50C)を備える(図3参照)。本実施形態では、複数のヒータ電極50は、板状部材10の下側部分102を構成する基板層111の上面S8(接合部30に対向する表面とは反対側の表面)に配置されている。すなわち、複数のヒータ電極50は、板状部材10の下側部分102を構成する基板層111とカバー層112との間に挟まれるように配置されている。
図3に示すように、本実施形態の静電チャック100では、板状部材10の本体部108が、面方向に並ぶ3つのセグメントZ(Za,Zb,Zc)に仮想的に分割されている。より具体的には、板状部材10の本体部108が、Z軸方向視で、本体部108の外周線と同心の2つの円形の仮想分割線VL(VL1,VL2)によって、3つのセグメントZに仮想的に分割されている。Z軸方向視での各セグメントZの形状は、略円形または略円環形である。
複数のヒータ電極50のそれぞれは、板状部材10の本体部108に設定された複数のセグメントZのうちの1つに配置されている。具体的には、3つのヒータ電極50の内、1つのヒータ電極50Aは、3つのセグメントZのうちの最も外周側に位置するセグメントZaに配置されており、他の1つのヒータ電極50Cは、3つのセグメントZのうちの最も中心に近い側に位置するセグメントZcに配置されており、残り1つのヒータ電極50Bは、セグメントZaとセグメントZcとに挟まれたセグメントZbに配置されている。
各ヒータ電極50は、Z軸方向視で線状の抵抗発熱体であるヒータライン部51と、ヒータライン部51の両端部に接続されたヒータパッド部52とを有する。ヒータ電極50を構成するヒータライン部51およびヒータパッド部52は、導電性材料(例えば、タングステン、モリブデン、白金、銅等)により形成されている。本実施形態では、Z軸方向視でのヒータライン部51の形状は、略円形または略螺旋状とされている。
また、静電チャック100は、各ヒータ電極50への給電のための構成を備えている。具体的には、静電チャック100は、複数のドライバ電極60(より具体的には、6つのドライバ電極60)を備える(図4参照)。各ドライバ電極60は、面方向に平行な所定の形状の導体パターンであり、導電性材料(例えば、タングステン、モリブデン、白金等)により形成されている。本実施形態では、複数のドライバ電極60は、板状部材10の下側部分102を構成する基板層111の内部に配置されている。また、複数のドライバ電極60は、Z軸方向において互いに同一の位置に配置されている。なお、ドライバ電極60は、下記の(1)および(2)の少なくとも一方を満たすという点で、ヒータ電極50と相違する。
(1)ドライバ電極60の電流が流れる方向に対して垂直方向の断面積は、ヒータ電極50の同様な断面積の5倍以上である。
(2)ヒータ電極50における、ドライバ電極60につながる一方のビアから他方のビアまでの間の抵抗は、ドライバ電極60における、ヒータ電極50につながるビアから給電端子74につながるビアまでの間の抵抗の5倍以上である。
図4に示すように、本実施形態では、静電チャック100が備える6つのドライバ電極60が、それぞれ一対のドライバ電極60から構成された3つのドライバ電極対600(600A,600B,600C)を構成している。3つのドライバ電極対600は、3つのヒータ電極50(50A,50B,50C)に対応している。図2〜図4に示すように、1つのドライバ電極対600(例えば、ドライバ電極対600A)を構成する一対のドライバ電極60の一方は、導電性材料により形成されたヒータ側ビア71を介して、対応するヒータ電極50(例えば、ヒータ電極50A)の一方のヒータパッド部52と電気的に接続されている。また、該ドライバ電極対600(例えば、ドライバ電極対600A)を構成する一対のドライバ電極60の他方は、ヒータ側ビア71を介して、対応するヒータ電極50(例えば、ヒータ電極50A)の他方のヒータパッド部52と電気的に接続されている。
また、図2に示すように、静電チャック100には、ベース部材20の下面S7から板状部材10の内部に至る複数の端子用孔110が形成されている。各端子用孔110は、ベース部材20を上下方向に貫通する貫通孔22と、接合部30を上下方向に貫通する貫通孔32と、板状部材10の下面S2側に形成された凹部13とが、互いに連通することにより構成された一体の孔である。
各端子用孔110には、導電性材料により形成された略柱状の部材である給電端子74が収容されている。また、各端子用孔110を構成する板状部材10の凹部13の底面には、導電性材料により形成された給電電極(電極パッド)73が配置されている。給電端子74の上端部分は、例えばろう付け等により給電電極73に接合されている。
また、図2および図4に示すように、各ドライバ電極対600を構成する一対のドライバ電極60の一方は、該ドライバ電極60から板状部材10の下面S2側に延びる給電側ビア72を介して、1つの給電電極73に電気的に接続されており、該一対のドライバ電極60の他方は、他の給電側ビア72を介して、他の1つの給電電極73に電気的に接続されている。
各給電端子74は、電源(図示せず)に接続されている。電源からの電圧は、給電端子74、給電電極73、給電側ビア72、ドライバ電極60およびヒータ側ビア71を介して、各ヒータ電極50に印加される。各ヒータ電極50に電圧が印加されると、各ヒータ電極50が発熱して板状部材10が加熱され、これにより、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御(すなわち、吸着面S1に保持されたウェハWの温度分布の制御)が実現される。
なお、本実施形態の静電チャック100では、各ヒータ電極50に給電し、かつ、ベース部材20の冷却機構による冷却(冷媒流路21への冷媒の供給)を行い、ヒータ電極50の温度と冷却の温度(冷媒の温度)との差が50℃以上であるときに、板状部材10の吸着面S1における温度の最大値と最小値との差は、3.5℃以下となっている。すなわち、板状部材10の吸着面S1の各位置での温度差が、極めて小さくなっている。このような構成は、例えば、以下に説明する本実施形態の静電チャック100の製造方法に従い静電チャック100を製造することにより実現することができる。なお、ヒータ電極および吸着面S1の各位置での温度は、例えばIRカメラ等の温度測定装置を用いて測定することができる。なお、該温度差は、2.5℃以下であることがさらに好ましく、1.5℃以下であることが一層好ましい。
図5は、本実施形態におけるヒータ電極50の周辺の断面構成を詳細に示す説明図である。図5には、図2のX1部のXZ断面構成が拡大して示されている。図5に示すように、本実施形態の静電チャック100では、板状部材10を構成する下側部分102の上面S4(すなわち、中間接合部104と対向する表面)に、溝86が形成されている。下側部分102の上面S4に形成された溝86の数は、1つであってもよいし、複数であってもよい。溝86は、Z軸方向視で、ヒータ電極50の幅方向の中央付近の位置をヒータ電極50の延伸方向に沿って延びる形状である(後述する図9のG欄参照)。
下側部分102の上面S4に形成された溝86の表面の一部は、ヒータ電極50の表面の一部により構成されている。より具体的には、本実施形態では、溝86の表面の一部は、ヒータ電極50の幅方向の中央付近の側面58により構成されている。また、溝86は、ヒータ電極50まで達するような深さを有する。換言すれば、Z軸方向に平行な少なくとも1つの断面(例えば、図5に示す断面のように、ヒータ電極50の延伸方向に直交する断面)において、溝86の最深部85の深さD1は、下側部分102の上面S4における溝86以外の部分からヒータ電極50の表面の各位置までのZ軸方向に沿った距離の最小値L1(すなわち、下側部分102の上面S4からヒータ電極50の上面56までの距離)より深い。なお、本実施形態では、溝86の深さは、ヒータ電極50を厚さ方向に貫通するような深さである。換言すれば、Z軸方向に平行な少なくとも1つの断面(同様に、例えば、ヒータ電極50の延伸方向に直交する断面)において、溝86の最深部85の深さD1は、下側部分102の上面S4における溝86以外の部分からヒータ電極50の表面の各位置までのZ軸方向に沿った距離の最大値L2(すなわち、下側部分102の上面S4からヒータ電極50の下面57までの距離)より深い。
また、溝86は、Z軸方向に平行な少なくとも1つの断面(例えば、図5に示す断面のように、ヒータ電極50の延伸方向に直交する断面)において、先細り形状である。換言すれば、溝86は、該断面において、深い位置ほど(すなわち、下方の位置ほど)、幅(Z軸に直交する方向の幅)が狭くなる形状である。より具体的には、本実施形態では、該断面において、溝86は、略V字形状である。そのため、該断面において、溝86は、溝86の表面を構成する線が1個のみの折れ曲がり点(最深部85に相当する点)を有する形状である。
また、本実施形態では、上記断面において、溝86の開口の縁部88は、R形状である。ここで、溝86の開口の縁部88がR形状であるとは、縁部88の形状が、折れ曲がり点の無いなだらかな形状であることを意味する。なお、溝86の開口の縁部88のR形状における曲率半径は、一定である必要はない。該曲率半径は、例えば、15μm以上であることが好ましい。
また、本実施形態では、溝86内に、絶縁材87が配置されている。絶縁材87としては、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材やガラス等が用いられる。
A−3.静電チャック100の製造方法:
次に、本実施形態における静電チャック100の製造方法について説明する。図6は、本実施形態における静電チャック100の製造方法を示すフローチャートである。また、図7から図10は、本実施形態における静電チャック100の製造方法の概要を示す説明図である。図7から図10では、製造過程または製造完了時における静電チャック100の一部の構成の図示を省略している。
はじめに、上側部分101aと、上側部分101aの内部に配置されたチャック電極40と、を含む上側構造体11を作製する(S110、図7のA欄参照)。ここで、上側部分101aは、製造完了後の静電チャック100における上側部分101になる構造体である。上側部分101aは、上側部分101と完全に同一物であってもよいし、上側部分101aに対する種々の加工が行われた結果、上側部分101になるとしてもよい。
上側構造体11の作製方法は、例えば以下の通りである。まず、セラミックスグリーンシートを複数枚作製し、所定のセラミックスグリーンシートに所定の加工を行う。所定の加工としては、例えば、チャック電極40等の形成のためのメタライズペーストの印刷や、孔空け加工等が挙げられる。これらのセラミックスグリーンシートを積層して熱圧着し、切断等の加工を行うことにより、セラミックスグリーンシートの積層体を作製する。作製されたセラミックスグリーンシートの積層体を焼成することにより、上側構造体11を得る。なお、必要により、上側構造体11を構成する上側部分101aの反り修正や表面の研磨加工等を行ってもよい。
また、所定のセラミックスグリーンシート(以下、「特定セラミックスグリーンシート81」という。)の上面S8上に、ヒータ電極50の形成材料であるヒータ用材料によってヒータパターン501を形成すると共に、後述するヒータ電極50の一部分の除去の際の基準となる1つ以上の基準パターン502を形成する(S120、図7のB欄参照)。具体的には、ヒータパターン501は、ヒータ電極50の形成材料(ヒータ用材料)であるメタライズインクを、例えばスクリーン印刷することにより形成する。ヒータパターン501の形状は、ヒータ電極50の設計形状に応じて定められた形状である。また、基準パターン502は、所定の材料(例えば、ヒータ電極50の形成材料と同じメタライズインク)を、例えばスクリーン印刷することにより形成する。基準パターン502の形成材料は、ヒータパターン501の形成材料と同一であることが好ましい。基準パターン502は、任意の形状とすることができるが、本実施形態では、Z軸方向視で略円形の板状とされる(図7のC欄参照)。ヒータパターン501と基準パターン502とは、同一の工程により形成してもよいし、別々の工程により順に形成してもよい。また、ヒータパターン501と基準パターン502とは、スクリーン印刷以外の方法(例えば、フォトリソグラフィーによる方法等)により形成してもよい。なお、特定セラミックスグリーンシート81は、後述する焼成工程により、板状部材10の下側部分102aを構成する基板層111aの一部(ヒータ電極50aが配置される上面S8側の部分)となるものであるため、特定セラミックスグリーンシート81には、必要な加工(ビアの形成のための孔空けおよびメタライズペーストの充填等)がなされている。S120の工程は、特許請求の範囲における形成工程に相当し、特定セラミックスグリーンシート81は、特許請求の範囲における第1のセラミックスグリーンシートに相当する。
次に、特定セラミックスグリーンシート81上に、ヒータパターン501を覆うカバー層112aを配置する(S130、図7のC欄参照)。カバー層112aは、絶縁材料(本実施形態では、セラミックス)により形成されたシート状の部材である。カバー層112aは、例えば、特定セラミックスグリーンシート81におけるヒータパターン501が形成された上面S8と略同径の円板状であり、特定セラミックスグリーンシート81の上面S8全体を覆うように圧着される。また、図7のC欄に示すように、カバー層112aには、特定セラミックスグリーンシート81に形成された基準パターン502と重なる位置に、厚さ方向に貫通する貫通孔84が形成されている。そのため、基準パターン502は、カバー層112aに形成された貫通孔84を介して露出した状態(視認できる状態)となる。上述したように、特定セラミックスグリーンシート81上には、1つ以上の基準パターン502が形成されているため、カバー層112aには、1つ以上の貫通孔84が形成されている。S130の工程は、特許請求の範囲における配置工程に相当し、カバー層112aに形成された貫通孔84は、特許請求の範囲における第1の孔および第2の孔に相当する。
次に、特定セラミックスグリーンシート81におけるヒータパターン501が形成された上面S8とは反対側の表面に、1枚または複数枚の他のセラミックスグリーンシート82を積層することにより、特定セラミックスグリーンシート81を含む複数のセラミックスグリーンシート81,82が積層された積層体15を作製する(S140、図8のD欄参照)。積層体15は、複数のセラミックスグリーンシート81,82を積層して熱圧着し、切断等の加工を行うことにより作製する。なお、上記他のセラミックスグリーンシート82は、後述する焼成工程により、板状部材10の下側部分102aを構成する基板層111aの一部(接合部30に対向する表面側の部分)となるものであるため、上記他のセラミックスグリーンシート82には、必要な加工(ドライバ電極60や給電電極73等の形成のためのメタライズペーストの印刷、各種ビアの形成のための孔空けおよびメタライズペーストの充填等)がなされている。
次に、作製された積層体15を焼成することにより、板状部材10の下側部分102aと、ヒータ電極50aとを備える下側構造体12を作製する(S150、図8のE欄参照)。板状部材10の下側部分102aは、セラミックスグリーンシート81,82が焼成されることにより形成されたセラミックス焼結体である基板層111aと、カバー層112aが焼成されることにより形成された部材(便宜上、これもカバー層112aという。)とから構成される。また、ヒータ電極50aは、ヒータパターン501が焼成されることにより形成される。下側部分102a(カバー層112aおよび基板層111a)とヒータ電極50aとは、それぞれ、製造完了後の静電チャック100における下側部分102(カバー層112および基板層111)とヒータ電極50とになる構造体である。下側部分102aおよびヒータ電極50aは、それぞれ、下側部分102およびヒータ電極50と完全に同一物であってもよいし、下側部分102aおよびヒータ電極50aに対する種々の加工が行われた結果、下側部分102およびヒータ電極50になるとしてもよい。S140およびS150の工程は、特許請求の範囲における焼成工程に相当する。
次に、下側構造体12を構成する下側部分102aの反り修正を行う(S160)。より詳細には、まず、下側部分102aに荷重をかけつつ加熱して反りを修正する第1の反り修正工程を行う。具体的には、例えば、加湿した水素窒素雰囲気で、下側部分102aの両面を一対の加圧部材(例えば、タングステン板やモリブデン板)によって挟んで荷重(例えば、3〜20kPa)を加えつつ、所定の温度(例えば1400〜1500℃)で加熱する処理を行う。次に、下側部分102aを構成するカバー層112a(焼成されたカバー層112a)の上面S4を研磨して下側部分102aの反りを修正する第2の反り修正工程を行う。カバー層112aは、反り修正のために研磨を行ってもヒータ電極50aが露出しない程度の厚さを有している。
次に、下側部分102aを構成するカバー層112aの厚さを測定する(S170)。上述したように、カバー層112aには、1つ以上の貫通孔84が形成されているため、各貫通孔84の位置でカバー層112aの厚さを測定する。カバー層112aの厚さの測定は、複数の箇所で行うことが好ましい。S170の工程は、特許請求の範囲における厚さ測定工程に相当する。
次に、下側構造体12に形成された給電電極73に、給電端子74を、例えばろう付けにより接合する(S180、図9のF欄参照)。なお、給電端子74を給電電極73に接合する前に、給電電極73の表面にメッキ処理(例えば、ニッケルメッキ)を行ってもよい。
次に、下側構造体12を構成する下側部分102aとベース部材20とを、接合部30により接合する(S190、図9のF欄参照)。より詳細には、例えばベース部材20の上面S3に、例えばシリコーン系樹脂を含む接着剤(ペースト状接着剤またはシート状接着剤)を配置し、該接着剤の上に下側部分102aを含む下側構造体12を配置し、該接着剤を硬化させる硬化処理を行うことにより、下側構造体12を構成する下側部分102aとベース部材20とを接合する接合部30を形成する。S190の工程は、特許請求の範囲における第1の接合工程に相当する。
次に、ベース部材20の冷却機構による冷却(冷媒流路21への冷媒の供給)と、下側構造体12に配置された各ヒータ電極50aへの給電とを行いつつ、下側部分102aの上面S4(接合部30に対向する表面とは反対側の表面)の温度分布を測定する(S200)。温度分布の測定は、例えば、下側部分102aの上面S4における複数の測定点の温度を測定することにより行われる。S200の工程は、特許請求の範囲における温度測定工程に相当する。
次に、S200の温度分布の測定結果に基づき、カバー層112aに覆われたヒータ電極50aの一部分をカバー層112aごと除去することによって、ヒータ電極50aの電気抵抗を調整し、これによってヒータ電極50aの発熱量を調整する(S210、図9のG欄参照)。ヒータ電極50aの一部分を除去すると、ヒータ電極50aの該部分の断面積が小さくなることによって電気抵抗が大きくなり、ヒータ電極50aの該部分の発熱量が増加する。そのため、例えば、ヒータ電極50aのうち、S200の温度分布の測定結果において比較的低温であった部分を除去することにより、該部分の温度を高温側に補正することができる。S210の工程は、特許請求の範囲における調整工程に相当する。
なお、ヒータ電極50a(およびカバー層112a)の除去の際には、カバー層112aに形成された貫通孔84を介して露出した基準パターン502の位置を基準として、面方向におけるヒータ電極50aの除去位置が設定される。基準パターン502は、焼成前のヒータ電極50aであるヒータパターン501と同様に、焼成前の特定セラミックスグリーンシート81上に形成されるため、焼成工程においてセラミックスの収縮が発生しても、ヒータ電極50aと基準パターン502との相対的な位置関係は変わらない。そのため、基準パターン502の位置を基準としてヒータ電極50aの除去位置を設定することにより、ヒータ電極50aの除去を精度良く行うことができる。なお、面方向におけるヒータ電極50aの除去位置は、図9のG欄に示すように、ヒータ電極50aの幅方向(図9のG欄ではX軸方向)における端部以外の部分(中央部)であることが好ましい。すなわち、ヒータ電極50aの延伸方向(図9のG欄ではY軸方向)に沿った溝86が形成されるように、ヒータ電極50aの除去が行われることが好ましい。このようにすれば、ヒータ電極50aの幅方向における除去位置にずれが発生しても、ヒータ電極50aにおいて除去される幅の大きさにずれが発生することを抑制することができるため、ヒータ電極50aの除去によるヒータ電極50aの電気抵抗(発熱量)の調整効果のバラツキを抑制することができ、ヒータ電極50aの電気抵抗(発熱量)を精度良く調整することができる。なお、ヒータ電極50aの幅方向に並ぶ複数本の溝86が形成されるように、ヒータ電極50aの除去が行われるとしてもよい。
なお、例えば、ヒータ電極50aのある箇所に溝86を形成したときに、さらに、ヒータ電極50aにおける該箇所と隣り合う他の箇所にも溝86を形成すると、そのような溝86を形成しない場合と比較して、1つの沿った溝86を形成したことによるヒータ電極50aの電気抵抗(発熱量)の調整効果(電気抵抗(発熱量)増加効果)は高くなる。ヒータ電極50aの除去箇所を設定する際には、このような調整効果の増大作用を考慮して行うことが好ましい。
また、ヒータ電極50a(およびカバー層112a)の除去の際には、S170において測定されたカバー層112aの厚さに基づき、除去深さが設定される。同じ除去深さであっても、カバー層112aの厚さに応じて、除去されるヒータ電極50aの深さが異なり得るためである。なお、除去深さは、図9のG欄に示すように、ヒータ電極50aにおける厚さ方向の全体が除去される(すなわち、ヒータ電極50aの下の基板層111aの一部も除去される)ように設定されることが好ましい。このようにすれば、ヒータ電極50aにおける厚さ方向の一部のみを除去する態様と比較して、ヒータ電極50aの除去によるヒータ電極50aの電気抵抗(発熱量)の調整効果のバラツキを抑制することができ、ヒータ電極50aの電気抵抗(発熱量)を精度良く調整することができる。
なお、ヒータ電極50a(およびカバー層112a)の除去は、例えば、レーザー発振器LOにより、下側部分102aの上面S4(カバー層112aが配置された側の表面)に向けてレーザー光LBを照射し、下側部分102aの上面S4に溝86を形成することにより行われる。このように形成される溝86の表面の一部は、ヒータ電極50aの表面の一部(上記除去により露出する表面)により構成される。また本実施形態では、溝86の断面形状は、図9のG欄に示すように略V字形状であるため、上述したように、ヒータ電極50aの除去の際には、カバー層112aの厚さに基づき除去深さを設定することがより好ましいと言える。なお、レーザー光LBのうち、パルス幅がフェムト秒領域(10−15)からピコ秒領域(10−12)にある超短パルスレーザーを用いると、レーザー光LBの照射により発生する熱による温度上昇速度と比較して、発生した熱が基材へ拡散する速度が速いため、加工時の熱影響が小さくなり、該熱影響により除去箇所の周辺部分の形状が不安定となる等の不具合を抑制することができるため、好ましい。また、ヒータ電極50aの除去は、他の方法(例えば、ショットブラストやマシニング装置による研磨)によっても実現することができる。
なお、溝86の形状の調整は、溝86の形成の際に、例えば、レーザー光LBの照射強度や照射回数を調整したり、ショットブラストの粒径や速度を調整したりすることにより実現することができる。また、本実施形態では、Z軸方向に平行な少なくとも1つの断面(例えば、図5に示す断面のように、ヒータ電極50の延伸方向に直交する断面)において、溝86の開口の縁部88はR形状である。このような形状の溝86は、例えば、レーザー光LBの照射等による溝86の形成の後に、溝86の開口の縁部88に対してバフ研磨を行うことにより形成することができる。あるいは、このような形状の溝86は、例えば、レーザー光LBの照射による溝86の形成の際に、溝86の幅方向の端部に近い位置ほどレーザー光LBの照射回数を少なくすることによっても形成することができる。
また、ヒータ電極50aの除去によるヒータ電極50aの電気抵抗(発熱量)の調整を行った後、再度、S200の工程と同様に下側部分102aの上面S4の温度分布を測定し、ヒータ電極50aの電気抵抗(発熱量)の調整結果の確認や、ヒータ電極50aの再度の除去の実行要否の判断、必要によりヒータ電極50aの再度の除去の実行等を行ってもよい。このようにすれば、ヒータ電極50aの電気抵抗(発熱量)の微調整の実現、過調整の防止、調整時間の短縮を実現することができる。また、ヒータ電極50aの電気抵抗(発熱量)の調整の有無は、例えば、ヒータ電極50aの抵抗値の変化の有無やIRカメラによる画像の変化の有無により確認することができる。
次に、下側部分102aの上面S4に形成された溝86(調整工程において除去された部分)と、カバー層112aに形成された貫通孔84とに、絶縁材87を充填する(S220、図10のH欄参照)。本実施形態では、絶縁材87として、中間接合部104の材料と同一の材料が用いられる。S220の工程は、特許請求の範囲における充填工程に相当する。
次に、下側構造体12を構成する下側部分102aの上面S4に、S110で作製された上側構造体11を構成する上側部分101aを、中間接合部104によって接合する(S230、図10のI欄参照)。より詳細には、例えば下側部分102aの上面S4に、例えばシリコーン系樹脂を含む接着剤(ペースト状接着剤またはシート状接着剤)を配置し、該接着剤の上に上側部分101aを配置し、該接着剤を硬化させる硬化処理を行うことにより、下側部分102aと上側部分101aとを接合する中間接合部104を形成する。S230の工程により、下側部分102aと中間接合部104と上側部分101aとを含む板状部材10が作製される。なお、本実施形態では、S230の工程において、ヒータ電極50への給電を行うことによる発熱を利用して接着剤を硬化させる硬化処理を行うことにより、中間接合部104を形成するものとしている。また、S230の工程の後に、板状部材10の吸着面S1の研磨等の加工を行ってもよい。S230の工程は、特許請求の範囲における第2の接合工程に相当する。
次に、板状部材10の下側部分102aおよび中間接合部104と接合部30との積層体の外周を取り囲むように、Oリング90を取り付ける(S240、図10のI欄参照)。主として以上の工程により、上述した構成の静電チャック100が製造される。
A−4.本実施形態の効果:
以上説明したように、本実施形態の静電チャック100は、板状部材10と、ベース部材20と、接合部30とを備える。板状部材10は、吸着面S1と、吸着面S1とは反対側の下面S2と、を有する板状の部材である。板状部材10は、吸着面S1を含む上側部分101と、下面S2を含むと共にセラミックスにより形成された部分を含む下側部分102と、上側部分101と下側部分102とを接合する中間接合部104とを有している。板状部材10の下側部分102には、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極50が配置されている。ベース部材20は、上面S3を有し、上面S3が板状部材10の下面S2側に位置するように配置された部材である。ベース部材20は、冷却機構を有している。すなわち、ベース部材20の内部には、冷媒流路21が形成されている。接合部30は、板状部材10の下面S2とベース部材20の上面S3との間に配置され、板状部材10とベース部材20とを接合する。
また、本実施形態の静電チャック100の製造方法は、特定セラミックスグリーンシート81上に、ヒータ電極50の形成材料によってヒータパターン501を形成する工程(形成工程、S120)と、特定セラミックスグリーンシート81上に、絶縁材料により形成されるカバー層112であって、ヒータパターン501を覆うカバー層112を配置する工程(配置工程、S130)と、特定セラミックスグリーンシート81を含む複数のセラミックスグリーンシート81,82が積層された積層体15を焼成することにより、板状部材10の下側部分102とヒータ電極50とを作製する工程(焼成工程、S140,S150)と、接合部30により、板状部材10の下側部分102とベース部材20とを接合する工程(第1の接合工程、S190)と、ベース部材20の冷却機構による冷却(冷媒流路21への冷媒の供給)と、ヒータ電極50への給電と、を行いつつ、板状部材10の下側部分102における接合部30に対向する表面とは反対側の表面(上面S4)の温度分布を測定する工程(温度測定工程、S200)と、温度分布の測定結果に基づき、カバー層112に覆われたヒータ電極50の一部分をカバー層112ごと除去することによってヒータ電極50の電気抵抗(発熱量)を調整する工程(調整工程、S210)と、中間接合部104により、板状部材10の下側部分102と上側部分101とを接合する工程(第2の接合工程、S230)とを備える。
このように、本実施形態の静電チャック100の製造方法では、板状部材10のうちの下面S2側の一部分であり、ヒータ電極50が配置された下側部分102に、ベース部材20が接合された状態で、ベース部材20の冷却機構による冷却(冷媒流路21への冷媒の供給)とヒータ電極50への給電とを行いつつ、下側部分102の上面S4の温度分布が測定され、温度分布の測定結果に基づき、カバー層112に覆われたヒータ電極50の一部分をカバー層112ごと除去することによってヒータ電極50の電気抵抗(発熱量)が調整され、その後、板状部材10の下側部分102に上側部分101が接合される。すなわち、本実施形態の静電チャック100の製造方法では、ヒータ電極50よりベース部材20側(下側)の部分を作製した後、実際の使用時と同様の状態(すなわち、冷媒流路21への冷媒の供給とヒータ電極50への給電とが行われた状態)で下側部分102の上面S4の温度分布の測定を行い、該温度分布の測定結果に基づきヒータ電極50の電気抵抗(発熱量)の調整を行うことができる。従って、本実施形態の静電チャック100の製造方法によれば、ヒータ電極50の電気抵抗(発熱量)の調整を短時間で精度良く行うことができ、その結果、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性を向上させることができる。なお、本明細書において、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性が高いとは、吸着面S1全体の温度分布が均一に近いことと、セグメントZ毎に吸着面S1の温度分布が均一に近いこととの少なくとも一方の意味を含む。
さらに、本実施形態の静電チャック100の製造方法では、ヒータ電極50の形成材料であるヒータパターン501がカバー層112により覆われた状態で焼成が行われるため、焼成時のヒータパターン501の変質(例えば、揮発や昇華)を抑制することができ、ヒータパターン501の変質に起因してヒータ電極50の抵抗値にバラツキが生じ、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。
また、本実施形態の静電チャック100の製造方法は、さらに、調整工程(S210)において除去された部分に絶縁材87を充填する工程(充填工程、S220)を備える。そのため、本実施形態の静電チャック100の製造方法によれば、ヒータ電極50間の短絡を防止しつつ、板状部材10の内部への気体の侵入を抑制することができる。
また、本実施形態の静電チャック100の製造方法では、配置工程(S130)において配置されるカバー層112に、厚さ方向に貫通する貫通孔84が形成されており、該製造方法は、さらに、焼成工程(S150)の後に、貫通孔84の位置でカバー層112の厚さを測定する工程(厚さ測定工程、S170)を備える。そのため、本実施形態の静電チャック100の製造方法によれば、カバー層112の厚さに基づき、調整工程におけるカバー層112およびヒータ電極50の除去深さを適切に設定することができ、ヒータ電極50の電気抵抗(発熱量)の調整を精度良く行うことができ、その結果、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。
また、本実施形態の静電チャック100の製造方法は、さらに、下側部分102の反りを修正する工程(反り修正工程、S160)を備える。反り修正工程は、焼成工程(S150)の後に、板状部材10の下側部分102に荷重をかけつつ加熱して反りを修正する工程(第1の反り修正工程)と、第1の反り修正工程の後に、カバー層112を研磨して下側部分102の反りを修正する工程(第2の反り修正工程)とを備える。そのため、本実施形態の静電チャック100の製造方法によれば、第1の反り修正工程によっても修正しきれない下側部分102の反りを、カバー層112を研磨する第2の反り修正工程によって修正することができ、下側部分102の反り、ひいては板状部材10の反りを効果的に低減することができる。また、本実施形態の静電チャック100の製造方法では、下側部分102の反り修正を行う際に、ヒータ電極50がカバー層112により覆われているため、ヒータ電極50が反り修正用の治具と反応して変質し、該変質に起因してヒータ電極50の抵抗値にバラツキが生じ、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。
また、本実施形態の静電チャック100の製造方法では、特定セラミックスグリーンシート81上にヒータパターン501を形成する形成工程(S120)は、特定セラミックスグリーンシート81上に所定の材料で基準パターン502を形成することを含み、配置工程(S130)において配置されるカバー層112には、基準パターン502と重なる位置に、厚さ方向に貫通する貫通孔84が形成されており、ヒータ電極50の電気抵抗(発熱量)を調整する調整工程(S210)では、カバー層112に形成された貫通孔84を介して露出した基準パターン502の位置を基準として、ヒータ電極50における除去位置を設定する。そのため、本実施形態の静電チャック100の製造方法によれば、基準パターン502の位置を基準として除去位置を設定することにより、ヒータ電極50の除去を精度良く行うことができ、ヒータ電極50の電気抵抗(発熱量)の調整を精度良く行うことができ、その結果、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。
また、本実施形態の静電チャック100の製造方法は、さらに、積層体15を焼成する焼成工程(S150)の後に、基準パターン502を露出させるための貫通孔84の位置でカバー層112の厚さを測定する厚さ工程(測定工程、S170)を備える。そのため、本実施形態の静電チャック100の製造方法によれば、基準パターン502を露出させるためにカバー層112に形成された貫通孔84を利用して、カバー層112の厚さを測定することができるため、カバー層112に形成する孔の数を減らすことができ、孔の存在に起因して板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。
また、本実施形態の静電チャック100の製造方法では、中間接合部104は、接合部30と比較して、熱抵抗が低い。そのため、本実施形態の静電チャック100の製造方法によれば、中間接合部104の存在に起因して板状部材10における発熱および/または冷却の応答性が低下することを抑制することができ、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。
また、本実施形態の静電チャック100の製造方法では、中間接合部104によって板状部材10の下側部分102と上側部分101とを接合する第2の接合工程(S230)は、ヒータ電極50への給電を行うことによる発熱を利用して中間接合部104を形成する工程である。そのため、本実施形態の静電チャック100の製造方法によれば、中間接合部104を形成する際に装置全体を加熱する方法と比較して、加熱による他の部材への悪影響(例えば、接合部30の部分的剥離による熱引き性のバラツキの発生)を抑制することができ、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。
また、本実施形態の静電チャック100の製造方法では、ヒータ電極50の電気抵抗(発熱量)を調整する調整工程(S210)は、板状部材10の下側部分102におけるカバー層112が配置された側の表面にレーザー光LBを照射することによりヒータ電極50を除去する工程である。そのため、本実施形態の静電チャック100の製造方法によれば、調整工程におけるヒータ電極50の除去精度を向上させることができ、ヒータ電極50の電気抵抗(発熱量)の調整を精度良く行うことができ、その結果、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。
また、本実施形態の静電チャック100は、板状部材10と、ベース部材20と、接合部30とを備える。板状部材10は、Z軸方向に略直交する吸着面S1と、吸着面S1とは反対側の下面S2と、を有する板状の部材である。板状部材10は、吸着面S1を含む上側部分101と、下面S2を含むと共にセラミックスにより形成された部分を含む下側部分102と、上側部分101と下側部分102とを接合する中間接合部104とを有している。板状部材10の下側部分102には、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極50が配置されている。ベース部材20は、上面S3を有し、上面S3が板状部材10の下面S2側に位置するように配置された部材である。ベース部材20は、冷却機構を有している。すなわち、ベース部材20の内部には、冷媒流路21が形成されている。接合部30は、板状部材10の下面S2とベース部材20の上面S3との間に配置され、板状部材10とベース部材20とを接合する。また、本実施形態の静電チャック100では、板状部材10の下側部分102の表面の内、中間接合部104と対向する表面である上面S4には、溝86が形成されている。溝86の表面の一部は、ヒータ電極50の表面の一部により構成されている。また、本実施形態の静電チャック100では、ヒータ電極50に給電し、かつ、ベース部材20の冷却機構による冷却(冷媒流路21への冷媒の供給)を行い、ヒータ電極50の温度と冷却の温度(冷媒の温度)との差が50℃以上であるときに、板状部材10の吸着面S1における温度の最大値と最小値との差は、3.5℃以下である。
このように、本実施形態の静電チャック100では、板状部材10の下側部分102の上面S4に、溝86が形成されており、溝86の表面の一部がヒータ電極50の表面の一部により構成されており、ヒータ電極50に給電し、かつ、ベース部材20の冷却機構による冷却を行った状態での板状部材10の吸着面S1の各位置での温度差が、極めて小さくなっている。従って、本実施形態の静電チャック100によれば、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性を効果的に向上させることができる。
また、本実施形態の静電チャック100では、Z軸方向に平行な少なくとも1つの断面(例えば、図5に示す断面のように、ヒータ電極50の延伸方向に直交する断面)において、溝86の開口の縁部88は、R形状である。そのため、本実施形態の静電チャック100によれば、該縁部88がR形状ではなく角が立った形状である構成と比較して、静電チャック100の製造時等において該縁部88付近に力が加わった場合に、滑るように該力を逃すことができると共に、衝撃を受ける断面の面積を大きくすることができ、溝86の開口の縁部88付近が欠けることを抑制することができる。
また、本実施形態の静電チャック100では、Z軸方向に平行な少なくとも1つの断面(例えば、図5に示す断面のように、ヒータ電極50の延伸方向に直交する断面)において、溝86の形状は、溝86の最深部85の深さD1が、下側部分102の上面S4における溝86以外の部分からヒータ電極50の表面の各位置までのZ軸方向に沿った距離の最大値L2(すなわち、ヒータ電極50の下面57までの距離)より深い形状である。すなわち、溝86は、ヒータ電極50を貫通するような形状である。溝86がヒータ電極50を貫通するような形状であると、図11に示すように、溝86の最深部85を起点としてクラックCRが発生した場合にも、該クラックCRがヒータ電極50内部まで到達してヒータ電極50の電気抵抗が変化することを回避することができる。そのため、本実施形態の静電チャック100によれば、下側部分102の内部で発生したクラックCRがヒータ電極50内部まで到達してヒータ電極50の電気抵抗が変化することを回避することができ、その結果、ヒータ電極50の発熱量が変化することを回避することができ、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性をさらに効果的に向上させることができる。
また、本実施形態の静電チャック100では、Z軸方向に平行な少なくとも1つの断面(例えば、図5に示す断面のように、ヒータ電極50の延伸方向に直交する断面)において、溝86は、深い位置ほど(すなわち、下方の位置ほど)、幅(Z軸に直交する方向の幅)が狭くなる形状である。ここで、図12に示す比較例のように、溝86Xによるヒータ電極50の除去体積が本実施形態と同じであるとして、溝86Xが一定の幅を有する形状(断面が矩形の形状)であると、ヒータ電極50における溝86Xの表面を構成する表面付近において、ヒータ電極50が存在しない部分が大きくなり、かつ、ヒータ電極50における溝86Xの表面を構成する表面の位置において電気抵抗(発熱量)が急激に変化するため、ヒータ電極50の電気抵抗(発熱量)の偏りが大きくなる。これに対し、図11に示すように、本実施形態では、溝86が、深い位置ほど幅が狭くなる形状であるため、ヒータ電極50における溝86の表面を構成する表面付近において、ヒータ電極50が存在しない部分が小さくなり、かつ、ヒータ電極50における溝86の表面を構成する表面の位置において電気抵抗(発熱量)が急激に変化することが抑制され、ヒータ電極50の電気抵抗(発熱量)の偏りが小さくなる。そのため、本実施形態の静電チャック100によれば、板状部材10の吸着面S1の温度分布の制御性をさらに効果的に向上させることができる。
また、本実施形態の静電チャック100では、Z軸方向に平行な少なくとも1つの断面(例えば、図5に示す断面のように、ヒータ電極50の延伸方向に直交する断面)において、溝86は、溝86の表面を構成する線が1個のみの折れ曲がり点(最深部85に相当する点)を有する形状である。上記折れ曲がり点は、応力集中が発生しやすいため、クラックCRの起点となりやすい点である。本実施形態の静電チャック100によれば、上記折れ曲がり点が1つしかないため、複数の折れ曲がり点を有する構成と比較して、溝86の表面の各位置における応力集中を抑制することができ、その結果、溝86の表面を起点としたクラックCRの発生を抑制することができる。
B.変形例:
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。
上記実施形態における静電チャック100の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態におけるヒータ電極50の個数や、各ヒータ電極50の形状、板状部材10における各ヒータ電極50の配置は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態の静電チャック100は、3つのヒータ電極50を備えるが、静電チャック100が備えるヒータ電極50の個数は、2つ以下であってもよいし、4つ以上であってもよい。同様に、上記実施形態におけるセグメントZの個数や、各セグメントZの形状、板状部材10における各セグメントZの配置は、あくまで一例であり、種々変形可能である。また、板状部材10にセグメントZが設定されていなくてもよい。
また、上記実施形態におけるドライバ電極60の個数や、各ドライバ電極60の形状、板状部材10における各ドライバ電極60の配置は、あくまで一例であり、種々変形可能である。また、上記実施形態において、静電チャック100がドライバ電極60を備えないとしてもよい。また、上記実施形態において、各ビアは、単数のビアにより構成されてもよいし、複数のビアのグループにより構成されてもよい。また、上記実施形態において、各ビアは、ビア部分のみからなる単層構成であってもよいし、複数層構成(例えば、ビア部分とパッド部分とビア部分とが積層された構成)であってもよい。また、上記実施形態では、鍔部109が板状部材10の上側部分101に形成されているが、鍔部109が板状部材10の下側部分102に形成されていてもよい。また、上記実施形態において、静電チャック100がOリング90を備えないとしてもよい。また、上記実施形態において、板状部材10が鍔部109を有さないとしてもよい。
また、上記実施形態では、板状部材10の内部に1つのチャック電極40が設けられた単極方式が採用されているが、板状部材10の内部に一対のチャック電極40が設けられた双極方式が採用されてもよい。また、上記実施形態の静電チャック100における各部材を形成する材料は、あくまで例示であり、各部材が他の材料により形成されてもよい。
また、上記実施形態では、ベース部材20が、冷却機構として、ベース部材20の内部に形成された冷媒流路21を有しているが、ベース部材20が、他の冷却機構(例えば、ベース部材20の下面に配置された冷却装置)を有していてもよい。
また、上記実施形態における溝86の形状は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、溝86の深さが、ヒータ電極50を厚さ方向に貫通するような深さであるが、溝86の深さがそれよりも浅くてもよい。また、上記実施形態では、溝86は、Z軸方向に平行な少なくとも1つの断面(例えば、図5に示す断面のように、ヒータ電極50の延伸方向に直交する断面)において、深い位置ほど幅が狭くなる形状であるが、溝86が、一定の幅を有する形状であってもよいし、深い位置ほど幅が広くなる部分を有する形状であってもよい。また、上記実施形態では、溝86は、該断面において、溝86の表面を構成する線が1個の折れ曲がり点を有する形状であるが、溝86が、該線が0個または2個以上の折れ曲がり点を有する形状であってもよい。また、上記実施形態では、該断面において、溝86の開口の縁部88はR形状であるが、溝86の開口の縁部88はR形状でなくてもよい。また、上記実施形態では、板状部材10の下側部分102の上面S4に形成された溝86の内部に絶縁材87が配置されているが、溝86の内部に絶縁材87が配置されていなくてもよい。例えば、溝86の内部が空間(真空も含む)であってもよい。また、板状部材10の下側部分102の上面S4に複数の溝86が形成されている場合に、すべての溝86が上述した特徴を具備している必要はなく、少なくとも1つの溝86が該特徴を具備していればよい。
また、図13に示す変形例のように、中間接合部104の一部が、溝86内に入り込んでいるとしてもよい。このような変形例によれば、中間接合部104の内、溝86に入り込んだ部分がアンカーとして機能するため、中間接合部104による板状部材10の上側部分101と下側部分102との接合強度を向上させることができる。なお、図13に示す変形例では、溝86が中間接合部104によって完全に埋められているが、溝86の一部(例えば、溝86における上側部分)のみが中間接合部104によって埋められ、溝86の残りの一部(例えば、溝86における下側部分)は中間接合部104によって埋められていなくてもよい。
また、上記実施形態における静電チャック100の製造方法は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態における静電チャック100の製造方法における少なくとも1つの工程(例えば、反り修正工程(S160)、厚さ測定工程(S170)、充填工程(S220)等)を省略してもよい。また、反り修正工程(S160)が行われる場合において、第1の反り修正工程と第2の反り修正工程との一方を省略してもよい。
また、上記実施形態では、カバー層112は、ヒータパターン501が形成された特定セラミックスグリーンシート81の上面S8全体を覆うように配置されるが、カバー層112は、少なくともヒータパターン501を覆うように配置されればよく、必ずしも特定セラミックスグリーンシート81の上面S8全体を覆う必要はない。また、上記実施形態では、シート状のカバー層112を特定セラミックスグリーンシート81の上面S8に圧着しているが、特定セラミックスグリーンシート81の上面S8にカバー層112の材料であるスラリーを例えばスクリーン印刷により塗布することにより、カバー層112を配置するとしてもよい。また、上記実施形態では、カバー層112はセラミックスにより形成されるとしているが、カバー層112が他の絶縁材料により形成されるとしてもよい。なお、カバー層112の形成材料は、絶縁性に加えて、熱膨張係数が板状部材10の形成材料と近いこと、耐熱性が高いこと、研磨加工が可能であること等の特性を有していることが好ましい。
また、上記実施形態では、カバー層112に貫通孔84が形成されるとしているが、例えば、カバー層112を透過して基準パターン502を視認することができる場合等には、必ずしもカバー層112に貫通孔84を設ける必要はない。また、上記実施形態では、基準パターン502と重なる位置に貫通孔84が形成されるが、基準パターン502と重ならない位置に、カバー層112の厚さを測定するための貫通孔が形成されてもよい。
また、上記実施形態では、特定セラミックスグリーンシート81の上面S8上に基準パターン502が形成されるとしているが、基準パターン502の形成方法はこれに限られない。図14は、変形例における静電チャック100の製造方法の概要を示す説明図である。図14に示す変形例の静電チャック100の製造方法では、上記実施形態の静電チャック100の製造方法における図7のB欄およびC欄にその概要が示される工程の代わりに、図14のB欄およびC欄にその概要が示される工程が実行される。すなわち、図14に示す変形例の静電チャック100の製造方法では、特定セラミックスグリーンシート81の上面S8上に基準パターン502が形成されない。その代わりに、図14のB欄に示すように、カバー層112aに基準パターン503が形成される。カバー層112aに形成される基準パターン503は、カバー層112aの上面側から視認されることができる限りにおいて、任意の形態を取り得るが、例えば、カバー層112aに形成されたビアを基準パターン503とすることができる。図14のC欄に示すように、このようなカバー層112aを、特定セラミックスグリーンシート81上に配置することにより、ヒータパターン501がカバー層112aに覆われ、かつ、基準パターン503がカバー層112aの上面側から視認できる構造体を作製することができる。
また、上記実施形態では、溝86や貫通孔84に充填する絶縁材87として、中間接合部104の材料と同一の材料を用いているが、これに限られず、任意の絶縁材料(例えば、無機接着剤、ガラス、樹脂接着剤等)を用いることができる。また、必ずしも、溝86や貫通孔84に絶縁材87を充填する必要はない。
また、上記実施形態では、特定セラミックスグリーンシート81にヒータパターン501を形成した後に、特定セラミックスグリーンシート81を含む複数のセラミックスグリーンシート81,82が積層された積層体15を作製するものとしているが、ヒータパターン501を形成する前に積層体15を作製した後に、積層体15の上面を構成する特定セラミックスグリーンシート81の表面にヒータパターン501を形成するとしてもよい。
また、上記実施形態における静電チャック100の製造方法において、S190(図6)の工程が完了した時点における構造物を、例えば作製したり購入したりして準備し、その後に、S200およびS210の工程(または、S200〜S220の工程)を実行するものとしてもよい。すなわち、本明細書に開示される技術は、下面S2を含むと共にセラミックスにより形成された部分を含む下側部分102と、下側部分102に配置され、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極50と、冷却機構を有するベース部材20と、下側部分102の下面S2とベース部材20との間に配置されて下側部分102とベース部材20とを接合する接合部30と、を備え、下側部分102の上方に対象物(例えば、ウェハW)を保持する保持装置(例えば、静電チャック100)用の構造体の製造方法において、下側部分102と、下側部分102の一部であるカバー層112に覆われたヒータ電極50と、ベース部材20と、下側部分102とベース部材20とを接合する接合部30と、を備える調整前構造体(例えば、図9のF欄に示される構造体)を準備する準備工程と、ベース部材20の冷却機構による冷却と、ヒータ電極50への給電と、を行いつつ、下側部分102における下面S2とは反対側の表面(すなわち、上面S4)の温度分布を測定する温度測定工程と、温度分布の測定結果に基づき、カバー層112に覆われたヒータ電極50の一部分をカバー層112ごと除去することによってヒータ電極50の電気抵抗を調整する調整工程と、を備える保持装置用の構造体の製造方法の形態としても実現することができる。なお、この形態において、板状部材10の下側部分102は、特許請求の範囲における特定部材に相当し、下側部分102の下面S2は、特許請求の範囲における特定表面に相当する。
また、本発明は、板状部材10とベース部材20とを備え、静電引力を利用してウェハWを保持する静電チャック100に限らず、板状部材と、ベース部材と、板状部材とベース部材とを接合する接合部と、板状部材の内部に配置されたヒータ電極とを備え、板状部材の表面上に対象物を保持する他の保持装置にも同様に適用可能である。
10:板状部材 11:上側構造体 12:下側構造体 13:凹部 15:積層体 20:ベース部材 21:冷媒流路 22:貫通孔 30:接合部 32:貫通孔 40:チャック電極 41:入力ピン 42:コネクタ 43:配線部 44:絶縁部材 50:ヒータ電極 51:ヒータライン部 52:ヒータパッド部 56:上面 57:下面 58:側面 60:ドライバ電極 71:ヒータ側ビア 72:給電側ビア 73:給電電極 74:給電端子 81:特定セラミックスグリーンシート 82:セラミックスグリーンシート 84:貫通孔 85:最深部 86:溝 87:絶縁材 88:縁部 90:Oリング 100:静電チャック 101:上側部分 102:下側部分 104:中間接合部 108:本体部 109:鍔部 110:端子用孔 111:基板層 112:カバー層 120:孔 501:ヒータパターン 502:基準パターン 600:ドライバ電極対 LB:レーザー光 LO:レーザー発振器 S1:吸着面 S2:下面 S3:上面 S4:上面 S7:下面 S8:上面 VL:仮想分割線 W:ウェハ Z:セグメント

Claims (16)

  1. 第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有する板状部材であって、前記第1の表面を含む第1の部分と、前記第2の表面を含むと共にセラミックスにより形成された部分を含む第2の部分と、前記第1の部分と前記第2の部分とを接合する第1の接合部と、を有する板状部材と、
    前記板状部材の前記第2の部分に配置され、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極と、
    第3の表面を有し、前記第3の表面が前記板状部材の前記第2の表面側に位置するように配置され、冷却機構を有するベース部材と、
    前記板状部材の前記第2の表面と前記ベース部材の前記第3の表面との間に配置されて前記板状部材と前記ベース部材とを接合する第2の接合部と、
    を備え、前記板状部材の前記第1の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法において、
    第1のセラミックスグリーンシート上に、前記ヒータ電極の形成材料であるヒータ用材料によってヒータパターンを形成する形成工程と、
    前記第1のセラミックスグリーンシート上に、絶縁材料により形成されるカバー層であって、前記ヒータパターンを覆う前記カバー層を配置する配置工程と、
    前記第1のセラミックスグリーンシートを含む複数のセラミックスグリーンシートが積層された積層体を焼成することにより、前記板状部材の前記第2の部分と前記ヒータ電極とを作製する焼成工程と、
    前記第2の接合部により、前記板状部材の前記第2の部分と前記ベース部材とを接合する第1の接合工程と、
    前記冷却機構による冷却と、前記ヒータ電極への給電と、を行いつつ、前記板状部材の前記第2の部分における前記第2の接合部に対向する表面とは反対側の表面の温度分布を測定する温度測定工程と、
    前記温度分布の測定結果に基づき、前記カバー層に覆われた前記ヒータ電極の一部分を前記カバー層ごと除去することによって前記ヒータ電極の電気抵抗を調整する調整工程と、
    前記第1の接合部により、前記板状部材の前記第2の部分と前記第1の部分とを接合する第2の接合工程と、
    を備える、
    ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  2. 請求項1に記載の保持装置の製造方法において、さらに、
    前記調整工程において除去された部分に絶縁材を充填する充填工程を備える、
    ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  3. 請求項1または請求項2に記載の保持装置の製造方法において、
    前記配置工程において配置される前記カバー層には、厚さ方向に貫通する第1の孔が形成されており、
    前記保持装置の製造方法は、さらに、前記焼成工程の後に、前記第1の孔の位置で前記カバー層の厚さを測定する厚さ測定工程を備える、
    ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  4. 請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の保持装置の製造方法において、さらに、
    前記焼成工程の後に、前記板状部材の前記第2の部分に荷重をかけつつ加熱して反りを修正する第1の反り修正工程と、前記焼成工程の後に、前記カバー層を研磨して前記第2の部分の反りを修正する第2の反り修正工程と、の少なくとも一方を備える、
    ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  5. 請求項4に記載の保持装置の製造方法において、
    前記第1の反り修正工程と、前記第1の反り修正工程の後に実行される前記第2の反り修正工程と、の両方を備える、
    ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  6. 請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の保持装置の製造方法において、
    前記形成工程は、前記第1のセラミックスグリーンシート上に、所定の材料で基準パターンを形成することを含み、
    前記配置工程において配置される前記カバー層には、前記基準パターンと重なる位置に、厚さ方向に貫通する第2の孔が形成されており、
    前記調整工程では、前記カバー層に形成された前記第2の孔を介して露出した前記基準パターンの位置を基準として、前記ヒータ電極における除去位置を設定する、
    ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  7. 請求項6に記載の保持装置の製造方法において、さらに、
    前記焼成工程の後に、前記第2の孔の位置で前記カバー層の厚さを測定する厚さ測定工程を備える、
    ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  8. 請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載の保持装置の製造方法において、
    前記第1の接合部は、前記第2の接合部と比較して、熱抵抗が低い、
    ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  9. 請求項1から請求項8までのいずれか一項に記載の保持装置の製造方法において、
    前記第2の接合工程は、前記ヒータ電極への給電を行うことによる発熱を利用して、前記第1の接合部を形成する工程である、
    ことを特徴とする保持装置の製造方法。
  10. 特定表面を含むと共にセラミックスにより形成された部分を含む特定部材と、
    前記特定部材に配置され、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極と、
    冷却機構を有するベース部材と、
    前記特定部材の前記特定表面と前記ベース部材との間に配置されて前記特定部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、
    を備え、前記特定部材の上方に対象物を保持する保持装置用の構造体の製造方法において、
    前記特定部材と、前記特定部材の一部であるカバー層に覆われた前記ヒータ電極と、前記ベース部材と、前記特定部材と前記ベース部材とを接合する前記接合部と、を備える調整前構造体を準備する準備工程と、
    前記冷却機構による冷却と、前記ヒータ電極への給電と、を行いつつ、前記特定部材における前記特定表面とは反対側の表面の温度分布を測定する温度測定工程と、
    前記温度分布の測定結果に基づき、前記カバー層に覆われた前記ヒータ電極の一部分を前記カバー層ごと除去することによって前記ヒータ電極の電気抵抗を調整する調整工程と、
    を備える、
    ことを特徴とする保持装置用の構造体の製造方法。
  11. 第1の方向に略直交する第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有する板状部材であって、前記第1の表面を含む第1の部分と、前記第2の表面を含むと共にセラミックスにより形成された部分を含む第2の部分と、前記第1の部分と前記第2の部分とを接合する第1の接合部と、を有する板状部材と、
    前記板状部材の前記第2の部分に配置され、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極と、
    第3の表面を有し、前記第3の表面が前記板状部材の前記第2の表面側に位置するように配置され、冷却機構を有するベース部材と、
    前記板状部材の前記第2の表面と前記ベース部材の前記第3の表面との間に配置されて前記板状部材と前記ベース部材とを接合する第2の接合部と、
    を備え、前記板状部材の前記第1の表面上に対象物を保持する保持装置において、
    前記板状部材の前記第2の部分の表面の内、前記第1の接合部と対向する表面である第4の表面には、溝であって、前記溝の表面の一部が前記ヒータ電極の表面の一部により構成された前記溝が形成されており、
    前記ヒータ電極に給電し、かつ、前記冷却機構による冷却を行い、前記ヒータ電極の温度と前記冷却の温度との差が50℃以上であるときに、前記第1の表面における温度の最大値と最小値との差は、3.5℃以下である、
    ことを特徴とする保持装置。
  12. 請求項11に記載の保持装置において、
    前記第1の方向に平行な少なくとも1つの断面において、前記溝の開口の縁部は、R形状である、
    ことを特徴とする保持装置。
  13. 請求項11または請求項12に記載の保持装置において、
    前記第1の方向に平行な少なくとも1つの断面において、前記溝は、最深部の深さが、前記第4の表面における前記溝以外の部分から前記ヒータ電極の表面の各位置までの前記第1の方向に沿った距離の最大値より深い形状である、
    ことを特徴とする保持装置。
  14. 請求項11から請求項13までのいずれか一項に記載の保持装置において、
    前記第1の方向に平行な少なくとも1つの断面において、前記溝は、深い位置ほど、前記第1の方向に直交する方向の幅が狭くなる形状である、
    ことを特徴とする保持装置。
  15. 請求項11から請求項14までのいずれか一項に記載の保持装置において、
    前記第1の方向に平行な少なくとも1つの断面において、前記溝は、前記溝の表面を構成する線が1個以下の折れ曲がり点を有する形状である、
    ことを特徴とする保持装置。
  16. 請求項11から請求項15までのいずれか一項に記載の保持装置において、
    前記第1の接合部の一部が、前記溝内に入り込んでいる、
    ことを特徴とする保持装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2019159862A1 (ja) * 2018-02-16 2019-08-22 日本特殊陶業株式会社 保持装置
US11234297B2 (en) * 2018-02-26 2022-01-25 Charmgraphene Co., Ltd. Plate heater
JP7498139B2 (ja) 2021-04-01 2024-06-11 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP2023103728A (ja) * 2022-01-14 2023-07-27 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP7471566B2 (ja) 2022-09-28 2024-04-22 Toto株式会社 静電チャック

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6035101A (en) * 1997-02-12 2000-03-07 Applied Materials, Inc. High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods
US6835916B2 (en) * 1999-08-09 2004-12-28 Ibiden, Co., Ltd Ceramic heater
WO2002043441A1 (fr) * 2000-11-24 2002-05-30 Ibiden Co., Ltd. Element chauffant en ceramique et procede de production
JP2006228633A (ja) 2005-02-18 2006-08-31 Ngk Insulators Ltd 基板加熱装置の製造方法及び基板加熱装置
US8956459B2 (en) * 2005-02-23 2015-02-17 Kyocera Corporation Joined assembly, wafer holding assembly, attaching structure thereof and method for processing wafer
TW200735254A (en) * 2006-03-03 2007-09-16 Ngk Insulators Ltd Electrostatic chuck and producing method thereof
US8486726B2 (en) * 2009-12-02 2013-07-16 Veeco Instruments Inc. Method for improving performance of a substrate carrier
CN203697242U (zh) * 2014-03-08 2014-07-09 浙江运发文化发展有限公司 一种用于夹持泥坯模具的固定架
JP6463936B2 (ja) * 2014-10-01 2019-02-06 日本特殊陶業株式会社 半導体製造装置用部品の製造方法
JP5987966B2 (ja) * 2014-12-10 2016-09-07 Toto株式会社 静電チャックおよびウェーハ処理装置
JP5891332B2 (ja) * 2015-09-02 2016-03-22 新光電気工業株式会社 静電チャック
JP6850137B2 (ja) * 2017-01-24 2021-03-31 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP6850138B2 (ja) * 2017-01-24 2021-03-31 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP7050455B2 (ja) * 2017-03-15 2022-04-08 日本特殊陶業株式会社 静電チャックの製造方法
JP7030420B2 (ja) * 2017-04-10 2022-03-07 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP6979279B2 (ja) * 2017-04-10 2021-12-08 日本特殊陶業株式会社 保持装置
CN108081487A (zh) * 2017-12-08 2018-05-29 河南科睿机械工程研究服务有限公司 一种碳硅棒切割用固定装置
JP7064895B2 (ja) * 2018-02-05 2022-05-11 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置

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