JP7471566B2 - 静電チャック - Google Patents
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Description
本発明の態様は、一般的に、静電チャックに関する。
半導体ウェーハやガラス基板などの処理対象物が載置される静電チャックが知られている。静電チャックは、例えばエッチング、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、スパッタリング、イオン注入、またはアッシングなどを行う半導体製造装置のプラズマ処理チャンバ内において、処理対象物を吸着保持する手段として用いられる。静電チャックは、例えば内蔵する電極に静電吸着用電力を印加し、シリコンウェーハ等の基板を静電力によって吸着するものである。
静電チャックにおいては、ウェーハ等の処理対象物の面内の温度分布を制御することが求められる。そこで、例えば、複数のゾーンに分割されたヒータを設けることが検討されている。各ゾーンの出力を独立に調整することにより、処理対象物の面内の温度分布を制御することができる。例えば、ゾーンの数を増やすことにより、面内の温度分布をより細かく制御することができる。このようなゾーンの数は、近年増加傾向にあり、例えば１００を超える場合もある。
例えば、各ゾーンに対応して発熱抵抗体が設けられ、発熱抵抗体には電源からの電流を発熱抵抗体に流す経路となる導通部が接続される。しかし、導通部の発熱によって試料保持面の均熱性が低下する恐れがあった（特許文献１）。
しかし、ヒータに複数のゾーンを設けると、温度制御を細かく行える一方で、各ゾーンへの給電経路となるバイパス部が細分化されることで、バイパス部の断面積が小さくなりやすい。バイパス部の断面積が小さくなると、バイパス部が発熱しやすくなり、バイパス部からの熱によってウェーハを載置する載置面の温度が設計値からずれてしまうという問題がある。
本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、バイパス部からの熱が載置面の温度に及ぼす影響を低減できる静電チャックを提供することを目的とする。
第１の発明は、処理対象物を載置する基板上面と、前記基板上面とは反対側の基板下面と、を有するセラミック誘電体基板と、前記セラミック誘電体基板側のベースプレート上面と、前記ベースプレート上面とは反対側のベースプレート下面と、を有し、前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、前記基板上面と前記基板下面との間に設けられ、少なくとも１つのヒータ層を有し、前記セラミック誘電体基板を加熱するヒータ部と、前記ヒータ部への給電経路であるバイパス部と、を備え、前記ヒータ部は、前記基板上面に最も近い前記ヒータ層の上面であるヒータ上面と、前記基板下面に最も近い前記ヒータ層の下面であるヒータ下面と、を有し、前記バイパス部は、前記基板下面よりも下方に設けられた第１バイパス部分を有し、前記第１バイパス部分は、前記基板下面側の第１バイパス上面と、前記第１バイパス上面とは反対側の第１バイパス下面と、を有し、前記ヒータ下面と前記第１バイパス上面との間の第２距離は、前記ヒータ上面と前記基板上面との間の第１距離よりも大きい、静電チャックである。
この静電チャックによれば、バイパス部の第１バイパス部分を、基板下面よりも下方に設けるとともに、ヒータ下面と第１バイパス上面との間の第２距離を、ヒータ上面と基板上面との間の第１距離よりも大きくすることで、ヒータ部を相対的に載置面の近くに配置するとともに、バイパス部を載置面及びヒータ部から十分に遠ざけることができる。これにより、バイパス部からの熱が載置面の温度に及ぼす影響を低減できる。
第２の発明は、第１の発明において、前記セラミック誘電体基板は、前記基板上面に対して垂直なＺ方向に沿って見たときに、前記セラミック誘電体基板の中央に位置する中央領域と、前記中央領域の外側に位置する外周領域と、を有し、前記第１バイパス部分は、前記Ｚ方向において、前記外周領域と重なる位置に設けられる、静電チャックである。
静電チャックにおいて、外周領域の温度分布ばらつきは、中央領域の温度分布ばらつきよりも大きくなりやすい場合がある。この静電チャックによれば、第１バイパス部分を、Ｚ方向において、外周領域と重なる位置に設けることで、外周領域においてバイパス部を載置面及びヒータ部から十分に遠ざけることができる。これにより、外周領域における載置面の温度のばらつきが大きくなることを抑制できる。
第３の発明は、第１または第２の発明において、前記バイパス部は、前記基板上面と前記基板下面との間に設けられた第２バイパス部分をさらに有し、前記第２バイパス部分は、前記基板上面側の第２バイパス上面と、前記第２バイパス上面とは反対側の第２バイパス下面と、を有し、前記ヒータ下面と前記第２バイパス上面との間の第３距離は、前記第２バイパス下面と前記第１バイパス上面との間の第４距離よりも大きい、静電チャックである。
この静電チャックによれば、基板上面と基板下面との間に第２バイパス部分を設けることで、バイパス部の設計自由度を高めることができる。また、ヒータ下面と第２バイパス上面との間の第３距離を、第２バイパス下面と第１バイパス上面との間の第４距離よりも大きくすることで、第２バイパス部分をヒータ部から十分に遠ざけることができる。これにより、バイパス部が第２バイパス部分を有する場合にも、バイパス部からの熱が載置面の温度に及ぼす影響を低減できる。
第４の発明は、第３の発明において、前記セラミック誘電体基板は、前記Ｚ方向に沿って見たときに、前記セラミック誘電体基板の中央に位置する中央領域と、前記中央領域の外側に位置する外周領域と、を有し、前記第２バイパス部分は、前記中央領域に設けられる、静電チャックである。
静電チャックにおいて、中央領域の温度分布ばらつきは、外周領域の温度分布ばらつきよりも小さくなりやすい場合がある。この静電チャックによれば、第２バイパス部分を中央領域に設けることで、第２バイパス部分を設けることによる載置面の温度のばらつきを抑制することができる。これにより、バイパス部が第２バイパス部分を有する場合にも、載置面の温度のばらつきを抑制できる。
第５の発明は、第３の発明において、前記基板上面と前記ヒータ上面との間に設けられた吸着電極をさらに備え、前記吸着電極は、前記基板上面側の電極上面と、前記電極上面とは反対側の電極下面と、を有し、前記電極下面と前記ヒータ上面との間の第５距離は、前記第４距離よりも小さい、静電チャックである。
この静電チャックによれば、電極下面とヒータ上面との間の第５距離を、第２バイパス下面と第１バイパス上面との間の第４距離よりも小さくすることで、ヒータ部を載置面により近づけ、バイパス部をより離すことができる。これにより、バイパス部からの熱が載置面の温度に及ぼす影響を低減できる。
本発明の態様によれば、バイパス部からの熱が載置面の温度に及ぼす影響を低減できる静電チャックが提供される。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、実施形態に係る静電チャックを模式的に表す斜視図である。
図２は、実施形態に係る静電チャックを模式的に表す断面図である。
図１では、説明の便宜上、静電チャックの一部において断面図を表している。
図２は、図１に示したＡ１－Ａ２線による断面図である。なお、図２では、処理対象物Ｗを省略している。
図２は、実施形態に係る静電チャックを模式的に表す断面図である。
図１では、説明の便宜上、静電チャックの一部において断面図を表している。
図２は、図１に示したＡ１－Ａ２線による断面図である。なお、図２では、処理対象物Ｗを省略している。
図１及び図２に表したように、実施形態に係る静電チャック１００は、セラミック誘電体基板１０と、ベースプレート２０と、ヒータ部３０と、バイパス部４０と、接合部５０と、吸着電極６０と、を備える。
セラミック誘電体基板１０は、例えば、多結晶セラミック焼結体による平板状の基材である。セラミック誘電体基板１０は、半導体ウェーハ等の処理対象物Ｗを載置する基板上面１０ａと、基板上面１０ａとは反対側の基板下面１０ｂと、を有する。基板上面１０ａは、載置面に相当する。
本願明細書では、基板上面１０ａに対して垂直な方向をＺ方向とする。Ｚ方向は、換言すれば、基板上面１０ａと基板下面１０ｂとを結ぶ方向である。Ｚ方向は、換言すれば、ベースプレート２０からセラミック誘電体基板１０に向かう方向である。また、Ｚ方向と直交する方向の１つをＸ方向、Ｚ方向及びＸ方向に直交する方向をＹ方向とする。本願明細書において、「面内」とは、例えばＸ－Ｙ平面内である。また、本願明細書において、「平面視」とは、Ｚ方向に沿って見た状態を示す。
セラミック誘電体基板１０に含まれる結晶の材料としては、例えばＡｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｙ２Ｏ３及びＹＡＧなどが挙げられる。このような材料を用いることで、セラミック誘電体基板１０における赤外線透過性、熱伝導性、絶縁耐性及びプラズマ耐久性を高めることができる。
セラミック誘電体基板１０の内部には、吸着電極６０が設けられている。吸着電極６０は、基板上面１０ａと、基板下面１０ｂと、の間に介設されている。すなわち、吸着電極６０は、セラミック誘電体基板１０の内部に設けられている。吸着電極６０は、セラミック誘電体基板１０に対して一体的に焼結されている。吸着電極６０は、基板上面１０ａ側の電極上面６０ａと、電極上面６０ａとは反対側の電極下面６０ｂと、を有する。
静電チャック１００は、吸着電極６０に吸着保持用電圧を印加することによって、吸着電極６０の基板上面１０ａ側に電荷を発生させ、静電力によって処理対象物Ｗを吸着保持する。
吸着電極６０は、基板上面１０ａ及び基板下面１０ｂに沿って設けられている。吸着電極６０は、単極型でも双極型でもよい。また、吸着電極６０は、三極型やその他の多極型であってもよい。吸着電極６０の数や吸着電極６０の配置は、適宜選択される。吸着電極６０は、後述のヒータ部３０よりも基板上面１０ａの近くに配置される。それによって、必要な吸着力を発現させることができる。
ベースプレート２０は、セラミック誘電体基板１０の基板下面１０ｂ側に設けられ、セラミック誘電体基板１０を支持する。ベースプレート２０は、セラミック誘電体基板１０側のベースプレート上面２０ａと、ベースプレート上面２０ａとは反対側のベースプレート下面２０ｂと、を有する。ベースプレート２０には、冷却媒体を流すための冷媒流路２１が設けられている。つまり、冷媒流路２１は、ベースプレート２０の内部に設けられている。ベースプレート２０の材料としては、例えば、アルミニウムやアルミニウム合金、チタン、チタン合金が挙げられる。
ベースプレート２０は、セラミック誘電体基板１０の温度調整を行う役目を果たす。例えば、セラミック誘電体基板１０を冷却する場合には、冷媒流路２１へ冷却媒体を流入し、冷媒流路２１を通過させ、冷媒流路２１から冷却媒体を流出させる。これにより、冷却媒体によってベースプレート２０の熱を吸収し、その上に取り付けられたセラミック誘電体基板１０を冷却することができる。
ヒータ部３０は、セラミック誘電体基板１０を加熱する。ヒータ部３０は、セラミック誘電体基板１０を加熱することで、セラミック誘電体基板１０を介して処理対象物Ｗを加熱する。ヒータ部３０は、基板上面１０ａと、基板下面１０ｂと、の間に設けられる。すなわち、ヒータ部３０は、セラミック誘電体基板１０の内部に設けられる。言い換えれば、ヒータ部３０は、セラミック誘電体基板１０に内蔵される。ヒータ部３０を載置面近くに設けることにより、載置面の温度制御性を高めることができる。
ヒータ部３０は、少なくとも１つのヒータ層を有する。この例では、ヒータ部３０は、第１ヒータ層３１と、第２ヒータ層３２と、を有する。第１ヒータ層３１及び第２ヒータ層３２のいずれかは省略されてもよい。また、ヒータ部３０は、第１ヒータ層３１及び第２ヒータ層３２に加えて、他のヒータ層をさらに有していてもよい。
第２ヒータ層３２は、例えば、第１ヒータ層３１よりも少ない熱量を生成する。すなわち、第１ヒータ層３１は高出力のメインヒータであり、第２ヒータ層３２は低出力のサブヒータである。
このように、第２ヒータ層３２が第１ヒータ層３１よりも少ない熱量を生成することで、第１ヒータ層３１のパターンに起因する処理対象物Ｗの面内の温度ムラを、第２ヒータ層３２によって微調整することができる。したがって、処理対象物Ｗの面内の温度分布の均一性を向上させることができる。
第１ヒータ層３１及び第２ヒータ層３２の材料としては、例えば、チタン、クロム、ニッケル、銅、アルミニウム、モリブデン、タングステン、パラジウム、白金、銀、タンタル、モリブデンカーバイド、及びタングステンカーバイドの少なくともいずれかを含む金属などが挙げられる。なお第１ヒータ層３１および第２ヒータ層３２の材料は上記金属とセラミックス材料とを含むことが好ましい。セラミックス材料としては、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ_Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等が挙げられる。第１ヒータ層３１および第２ヒータ層３２に含まれるセラミックス材料はセラミック誘電体基板１０の成分と同じであることが好ましい。
第１ヒータ層３１及び第２ヒータ層３２は、それぞれ、電流が流れると発熱する。第１ヒータ層３１及び第２ヒータ層３２は、発熱することで、セラミック誘電体基板１０を加熱する。第１ヒータ層３１及び第２ヒータ層３２は、例えば、セラミック誘電体基板１０を介して処理対象物Ｗを加熱することで、処理対象物Ｗの面内の温度分布を均一にする。あるいは、第１ヒータ層３１及び第２ヒータ層３２は、例えば、セラミック誘電体基板１０を介して処理対象物Ｗを加熱することで、処理対象物Ｗの面内の温度に意図的に差をつけることもできる。
第１ヒータ層３１は、基板上面１０ａ側の第１ヒータ上面３１ａと、第１ヒータ上面３１ａとは反対側の第１ヒータ下面３１ｂと、を有する。第２ヒータ層３２は、基板上面１０ａ側の第２ヒータ上面３２ａと、第２ヒータ上面３２ａとは反対側の第２ヒータ下面３２ｂと、を有する。
この例では、セラミック誘電体基板１０の内部において、第１ヒータ層３１は、第２ヒータ層３２の上に設けられている。つまり、この例では、第１ヒータ上面３１ａ及び第１ヒータ下面３１ｂは、基板上面１０ａと第２ヒータ上面３２ａとの間に位置する。また、第２ヒータ上面３２ａ及び第２ヒータ下面３２ｂは、第１ヒータ下面３１ｂと基板下面１０ｂとの間に位置する。第１ヒータ層３１は、第２ヒータ層３２の下方に設けられていてもよい。
ヒータ部３０は、ヒータ上面３０ａと、ヒータ下面３０ｂと、を有する。ヒータ上面３０ａは、基板上面１０ａに最も近いヒータ層の上面である。ヒータ下面３０ｂは、基板下面１０ｂに最も近いヒータ層の下面である。この例では、基板上面１０ａに最も近いヒータ層は、第１ヒータ層３１である。そのため、この例では、ヒータ上面３０ａは、第１ヒータ上面３１ａである。また、この例では、基板下面１０ｂに最も近いヒータ層は、第２ヒータ層３２である。そのため、この例では、ヒータ下面３０ｂは、第２ヒータ下面３２ｂである。
例えば、第２ヒータ層３２が設けられない場合、基板上面１０ａに最も近いヒータ層及び基板下面１０ｂに最も近いヒータ層は、いずれも、第１ヒータ層３１である。そのため、この場合には、ヒータ上面３０ａは、第１ヒータ上面３１ａであり、ヒータ下面３０ｂは、第１ヒータ下面３１ｂである。同様に、例えば、第１ヒータ層３１が設けられない場合、基板上面１０ａに最も近いヒータ層及び基板下面１０ｂに最も近いヒータ層は、いずれも、第２ヒータ層３２である。そのため、この場合には、ヒータ上面３０ａは、第２ヒータ上面３２ａであり、ヒータ下面３０ｂは、第２ヒータ下面３２ｂである。
この例では、吸着電極６０は、セラミック誘電体基板１０の内部において、ヒータ部３０の上方に設けられている。つまり、この例では、吸着電極６０は、基板上面１０ａとヒータ上面３０ａとの間に設けられている。
バイパス部４０は、ヒータ部３０への給電経路である。バイパス部４０は、接続部４５を介して、ヒータ部３０、具体的には第１ヒータ層３１及び第２ヒータ層３２のそれぞれと電気的に接続されている。
バイパス部４０は、導電性を有する。バイパス部４０がセラミック誘電体基板１０の内部に設けられる場合、バイパス部４０のうちセラミック誘電体基板１０の内部に設けられる部分（すなわち、後述の第２バイパス部分４２）の材料は、例えば、第１ヒータ層３１及び第２ヒータ層３２の材料と同じである。バイパス部４０がセラミック誘電体基板１０の外部に設けられる場合、バイパス部４０のうちセラミック誘電体基板１０の外部に設けられる部分（すなわち、後述の第１バイパス部分４１）の材料は、例えば、第１ヒータ層３１及び第２ヒータ層３２の材料と異なる。この場合、バイパス部４０の材料としては、例えば、ステンレス、チタン、クロム、ニッケル、銅、アルミニウム、インコネル（登録商標）、モリブデン、タングステン、パラジウム、白金、銀、タンタル、モリブデンカーバイド、及びタングステンカーバイドの少なくともいずれかを含む金属などが挙げられる。
バイパス部４０は、例えば絶縁層７０で覆われている。絶縁層７０は、例えばバイパス部４０の載置面側に位置する第１絶縁部７１と、バイパス部４０の反対側に位置する第２絶縁部７２と、を有する。
バイパス部４０には、図示しない給電端子を介して、外部から電力が供給される。外部から供給された電力は、バイパス部４０及び接続部４５を介して、ヒータ部３０（第１ヒータ層３１及び第２ヒータ層３２）に供給される。
バイパス部４０は、複数の領域を有する。バイパス部４０は、例えば、第１ヒータ層３１と接続される領域と、第２ヒータ層３２と接続される領域と、を有する。第１ヒータ層３１と接続される領域及び第２ヒータ層３２と接続される領域は、同一平面上に並んでいてもよいし、それぞれ異なる平面上に設けられていてもよい。
第１ヒータ層３１と接続される領域に印加される電圧は、例えば、第２ヒータ層３２と接続される領域に印加される電圧および電流と、異なる。これにより、第１ヒータ層３１の出力を、第２ヒータ層３２の出力と異ならせることができる。第１ヒータ層３１及び第２ヒータ層３２は、例えば、このようにして別々に制御される。
また、第１ヒータ層３１は、例えば、同一平面上に並んだ複数の第１ゾーンを有する。バイパス部４０は、例えば、第１ヒータ層３１の複数の第１ゾーンのうちの１つのゾーンと接続されるバイパス部４０の領域と、複数の第１ゾーンのうちの他の１つのゾーンと接続されるバイパス部４０の領域と、を有する。第１ヒータ層３１の複数の第１ゾーンのうちの１つのゾーンと接続される領域及び複数の第１ゾーンのうちの他の１つのゾーンと接続される領域は、同一平面上に並んでいてもよいし、それぞれ異なる平面上に設けられていてもよい。
複数の第１ゾーンのうちの１つのゾーンと接続される領域に印加される電圧および電流は、例えば、複数の第１ゾーンのうちの他の１つのゾーンと接続される領域に印加される電圧と、異なる。これにより、複数の第１ゾーンのうちの１つのゾーンの出力を、複数の第１ゾーンのうちの他の１つのゾーンの出力と異ならせることができる。第１ヒータ層３１に含まれる複数の第１ゾーンは、例えば、このようにして別々に制御される。
同様に、第２ヒータ層３２は、例えば、同一平面上に並んだ複数の第２ゾーンを有する。バイパス部４０は、例えば、第２ヒータ層３２の複数の第２ゾーンのうちの１つのゾーンと接続されるバイパス部４０の領域と、複数の第２ゾーンのうちの他の１つのゾーンと接続されるバイパス部４０の領域と、を有する。第２ヒータ層３２の複数の第２ゾーンのうちの１つのゾーンと接続されるバイパス部４０の領域及び複数の第２ゾーンのうちの他の１つのゾーンと接続されるバイパス部４０の領域は、同一平面上に並んでいてもよいし、それぞれ異なる平面上に設けられていてもよい。
複数の第２ゾーンのうちの１つのゾーンと接続される領域に印加される電圧および電流は、例えば、複数の第２ゾーンのうちの他の１つのゾーンと接続される領域に印加される電圧と、異なる。これにより、複数の第２ゾーンのうちの１つのゾーンの出力を、複数の第２ゾーンのうちの他の１つのゾーンの出力と異ならせることができる。第２ヒータ層３２に含まれる複数の第２ゾーンは、例えば、このようにして別々に制御される。
バイパス部４０は、ヒータ部３０とベースプレート上面２０ａとの間に設けられてもよい。バイパス部４０は、ベースプレート下面２０ｂの下方に設けられてもよい。バイパス部４０は、第１バイパス部分４１を有する。第１バイパス部分４１は、基板下面１０ｂよりも下方に設けられている。つまり、第１バイパス部分４１は、セラミック誘電体基板１０の外部に設けられている。この例では、第１バイパス部分４１は、基板下面１０ｂとベースプレート上面２０ａとの間に設けられている。第１バイパス部分４１は、セラミック誘電体基板１０とベースプレート２０との間に設けられている。第１バイパス部分４１は、基板下面１０ｂ側の第１バイパス上面４１ａと、第１バイパス上面４１ａとは反対側の第１バイパス下面４１ｂと、を有する。
この例では、第１バイパス部分４１の一部は、接続部４５を介して、第１ヒータ層３１と接続されている。また、この例では、第１バイパス部分４１の他の一部は、接続部４５を介して、第２ヒータ層３２と接続されている。
第１バイパス部分４１がセラミック誘電体基板１０とベースプレート２０との間に配置される場合には、接合部５０は、セラミック誘電体基板１０とベースプレート２０との間に設けられ、これらを接合する。図２に示す例では、接合部５０は、第１接合部分５１と、第２接合部分５２と、を有する。第１接合部分５１は、例えば基板下面１０ｂおよび第１絶縁部７１と接する。第２接合部分５２は、ベースプレート上面２０ａおよび第２絶縁部７２と接する。第１バイパス部４１がベースプレート２０の下方に配置される場合（図示しない)には、接合部５０は、第１接合部分５１を有し、第１接合部分５１は、ベースプレート下面２０ｂおよび第１絶縁部７１と接する。第１接合部分５１及び第２接合部分５２のいずれかは、省略されてもよい。
第１接合部分５１及び第２接合部分５２の材料としては、例えば、樹脂などの絶縁性材料を用いることができる。第１接合部分５１及び第２接合部分５２の材料としては、例えば、シリコーン樹脂などが挙げられる。
絶縁層７０の材料としては、例えば、樹脂やセラミックなどの絶縁性材料を用いることができる。絶縁層７０が樹脂の場合の例として、ポリイミドやポリアミドイミドなどが挙げられる。
実施形態において、ヒータ下面３０ｂと第１バイパス上面４１ａとの間の第２距離Ｄ２は、ヒータ上面３０ａと基板上面１０ａとの間の第１距離Ｄ１よりも大きい。第１距離Ｄ１は、例えば、０．４ｍｍ以上１．５ｍｍ以下、好ましくは０．５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である。図２，３に示すように、第１バイパス部分４１がセラミック誘電体基板１０とベースプレート２０との間に配置される場合には、第２距離Ｄ２は、例えば、０.２５ｍｍ以上４．１ｍｍ以下である。第１バイパス部分４１がベースプレート２０の下方に配置される場合には、第２距離Ｄ２は、概ね上記数値範囲にベースプレート２０の厚さが加算される(詳細は後述)。この態様においては、第１バイパス部分４１をヒータ部３０から十分に離間させることができる。
電極下面６０ｂとヒータ上面３０ａとの間の第５距離Ｄ５は、例えば、０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である。第５距離Ｄ５が０．３ｍｍ以上であれば、吸着電極６０とヒータ部３０とが短絡することを抑制できる。第５距離Ｄ５が１．０ｍｍ以下であれば、処理対象物Ｗを迅速に加熱することができ、表面温度制御性を向上できる。また加熱するために必要な熱を低減できる。
基板上面１０ａと電極上面６０ａとの間の第６距離Ｄ６は、例えば、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である。第６距離Ｄ６が０．１ｍｍ以上であれば、セラミック誘電体基板１０のうち基板上面１０ａと電極上面６０ａとの間の部分が絶縁破壊することを抑制できる。第６距離Ｄ６が０．５ｍｍ以下であれば、吸着力が低下することを抑制できる。
第１ヒータ下面３１ｂと第２ヒータ上面３２ａとの間の第７距離Ｄ７は、例えば、０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である。第７距離Ｄ７が０．３ｍｍ以上であれば、第１ヒータ層３１と第２ヒータ層３２とが短絡することを抑制できる。第７距離Ｄ７が１．０ｍｍ以下であれば、第２ヒータ層３２を処理対象物Ｗに十分に近づけることができ、表面温度制御性を向上できる。
第２ヒータ下面３２ｂと基板下面１０ｂとの間の第８距離Ｄ８は任意であるが、一例として、０．１ｍｍ以上３ｍｍ以下としてもよい。
第１絶縁部７１の第９厚さＴ９（Ｚ方向の長さ）は、例えば、０．０２５ｍｍ以上０．１ｍｍ以下である。第９厚さＴ９が０．０２５ｍｍ以上であれば、第１バイパス部分４１からの発熱影響をより効果的に抑制できるとともに、第１バイパス部分４１の短絡を抑制できる。
第１ヒータ層３１の第１厚さＴ１（Ｚ方向の長さ）は、例えば、０．０１ｍｍ以上０．２０ｍｍ以下である。第２ヒータ層３２の第２厚さＴ２（Ｚ方向の長さ）は、例えば、０．０１ｍｍ以上０．２０ｍｍ以下である。第１バイパス部分４１の第３厚さＴ３（Ｚ方向の長さ）は、例えば、０．０３ｍｍ以上０．３０ｍｍ以下である。吸着電極６０の第４厚さＴ４（Ｚ方向の長さ）は、例えば、０．００１ｍｍ以上０．１ｍｍ以下である。セラミック誘電体基板１０の第５厚さＴ５（Ｚ方向の長さ）は、例えば、２．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下、好ましくは２．５ｍｍ以上４．０ｍｍ以下である。第１接合部分５１の第６厚さＴ６（Ｚ方向の長さ）は、例えば、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下である。第２接合部分５２の第７厚さＴ７（Ｚ方向の長さ）は、例えば、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下である。絶縁層７０の第８厚さＴ８（Ｚ方向の長さ）は、例えば、０．０８ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である。
第１距離Ｄ１は、第６距離Ｄ６と、第５距離Ｄ５と、第４厚さＴ４と、の和で表される（Ｄ１＝Ｄ６＋Ｄ５＋Ｔ４）。第６距離Ｄ６、第５距離Ｄ５、及び第４厚さＴ４のいずれかを調整することで、第１距離Ｄ１を調整することができる。
第１バイパス部分４１がセラミック誘電体基板１０とベースプレート２０との間に配置される場合の一例として、第２距離Ｄ２は、第８距離Ｄ８と、第９厚さＴ９と、第６厚さＴ６と、の和で表される（Ｄ２＝Ｄ８＋Ｔ９＋Ｔ６）。第８距離Ｄ８、第９厚さＴ９、及び第６厚さＴ６のいずれかを調整することで、第２距離Ｄ２を調整することができる。第１バイパス部分４１がベースプレート２０の下方に配置される場合には、第２距離Ｄ２は、第８距離Ｄ８と、第９厚さＴ９と、第６厚さＴ６と、第７厚さＴ７と、ベースプレートの厚さと、の和で表される。
このように、バイパス部４０の第１バイパス部分４１を、基板下面１０ｂよりも下方に設けるとともに、ヒータ下面３０ｂと第１バイパス上面４１ａとの間の第２距離Ｄ２を、ヒータ上面３０ａと基板上面１０ａとの間の第１距離Ｄ１よりも大きくすることで、ヒータ部３０を相対的に載置面の近くに配置するとともに、バイパス部４０を載置面及びヒータ部３０から十分に遠ざけることができる。これにより、バイパス部４０からの熱が載置面の温度に及ぼす影響を低減できる。
なお、図２、３では図示を省略しているが、セラミック誘電体基板１０の基板上面１０ａには、処理対象物Ｗが載置される複数のドットおよび、セラミック誘電体基板１０の外周端に設けられるシールリングが配置される場合がある。また、シールリングよりも内周側に、載置面を複数のゾーンに分割するインナーシールが設けられる場合がある。さらに、ドット、シールリング及びインナーシールに処理対象物Ｗが載置された状態で処理対象物Ｗの裏面を冷却するための冷却ガスを供給するための溝が、基板上面１０ａに設けられる場合がある。
本明細書の、第１距離Ｄ１「ヒータ上面３０ａと基板上面１０ａとの間」、第６距離Ｄ６「基板上面１０ａと電極上面６０ａとの間」における距離算出起点としての「基板上面１０ａ」とは、処理対象物Ｗが載置される部分を指す。具体的には、ドットやシール（シールリング、インナーシール）が設けられる場合には、「基板上面１０ａ」とはドットおよびまたはシールの頂面である。複数のドットやシールの高さが載置面内で変化している場合には、それらのうちで最も高い部分を「基板上面１０ａ」とみなす。
本明細書の、第１距離Ｄ１「ヒータ上面３０ａと基板上面１０ａとの間」、第６距離Ｄ６「基板上面１０ａと電極上面６０ａとの間」における距離算出起点としての「基板上面１０ａ」とは、処理対象物Ｗが載置される部分を指す。具体的には、ドットやシール（シールリング、インナーシール）が設けられる場合には、「基板上面１０ａ」とはドットおよびまたはシールの頂面である。複数のドットやシールの高さが載置面内で変化している場合には、それらのうちで最も高い部分を「基板上面１０ａ」とみなす。
また、セラミック誘電体基板１０は、中央領域１１と、外周領域１２と、を有する。中央領域１１は、Ｚ方向に沿って見たときに、セラミック誘電体基板１０の中央に位置する。外周領域１２は、Ｚ方向に沿って見たときに、中央領域１１の外側に位置し、セラミック誘電体基板１０の外周端を含む。静電チャックにおいて、外周領域１２の温度分布のばらつきは、中央領域１１の温度分布のばらつきよりも大きくなりやすい場合がある。
中央領域１１は、例えば、セラミック誘電体基板１０の中心１５を含む。中央領域１１は、中心１５とセラミック誘電体基板１０の外周端１０ｅとの間の中心線ＣＬよりも内側の領域である。つまり、中央領域１１は、中心線ＣＬにより囲まれた領域である。外周領域１２は、中心線ＣＬよりも外側の領域である。つまり、外周領域１２は、中心線ＣＬと外周端１０ｅとにより囲まれた領域である。
第１バイパス部分４１は、例えば、Ｚ方向において、外周領域１２と重なる位置に設けられる。第１バイパス部分４１を、Ｚ方向において、外周領域１２と重なる位置に設けることで、外周領域１２においてバイパス部４０を載置面及びヒータ部３０から十分に遠ざけることができる。これにより、外周領域１２における載置面の温度のばらつきが大きくなることを抑制できる。
なお、セラミック誘電体基板１０の外周部に段が設けられている場合には、本明細書における「セラミック基板の外周端」とは、吸着電極６０が配置された部分の近傍（上段の外周端）を指す。
図３は、実施形態の第１変形例に係る静電チャックを模式的に表す断面図である。
図３は、図１に示したＡ１－Ａ２線による断面図である。なお、図３では、処理対象物Ｗを省略している。
図３に表したように、実施形態の第１変形例に係る静電チャック１００Ａは、第２バイパス部分４２を設けた以外は、上述の静電チャック１００と実質的に同じである。
図３は、図１に示したＡ１－Ａ２線による断面図である。なお、図３では、処理対象物Ｗを省略している。
図３に表したように、実施形態の第１変形例に係る静電チャック１００Ａは、第２バイパス部分４２を設けた以外は、上述の静電チャック１００と実質的に同じである。
この例では、バイパス部４０は、第１バイパス部分４１に加えて、第２バイパス部分４２をさらに有する。第２バイパス部分４２は、基板上面１０ａと基板下面１０ｂとの間に設けられている。つまり、第２バイパス部分４２は、セラミック誘電体基板１０の内部に設けられている。より具体的には、第２バイパス部分４２は、ヒータ下面３０ｂと基板下面１０ｂとの間に設けられている。第２バイパス部分４２は、基板上面１０ａ（ヒータ下面３０ｂ）側の第２バイパス上面４２ａと、第２バイパス上面４２ａとは反対側の第２バイパス下面４２ｂと、を有する。
この例では、第１バイパス部分４１は、接続部４５を介して、第１ヒータ層３１と接続されている。つまり、第１バイパス部分４１は、バイパス部４０の第１ヒータ層３１と接続される領域に相当する。また、この例では、第２バイパス部分４２は、接続部４５を介して、第２ヒータ層３２と接続されている。つまり、第２バイパス部分４２は、バイパス部４０の第２ヒータ層３２と接続される領域に相当する。
この例では、第２バイパス部分４２は、Ｚ方向において、第１バイパス部分４１と重なっている。第２バイパス部分４２は、Ｚ方向において、第１バイパス部分４１と重なってもよいし、第１バイパス部分４１と重ならなくてもよい。
この例でも、ヒータ下面３０ｂと第１バイパス上面４１ａとの間の第２距離Ｄ２は、ヒータ上面３０ａと基板上面１０ａとの間の第１距離Ｄ１よりも大きい。これにより、ヒータ部３０を相対的に載置面の近くに配置するとともに、バイパス部４０を載置面及びヒータ部３０から十分に遠ざけることができ、バイパス部４０からの熱が載置面の温度に及ぼす影響を低減できる。
また、この例では、ヒータ下面３０ｂと第２バイパス上面４２ａとの間の第３距離Ｄ３は、第２バイパス下面４２ｂと第１バイパス上面４１ａとの間の第４距離Ｄ４よりも大きい。
このように、基板上面１０ａと基板下面１０ｂとの間に第２バイパス部分４２を設けることで、バイパス部４０の設計自由度を高めることができる。また、ヒータ下面３０ｂと第２バイパス上面４２ａとの間の第３距離Ｄ３を、第２バイパス下面４２ｂと第１バイパス上面４１ａとの間の第４距離Ｄ４よりも大きくすることで、第２バイパス部分４２をヒータ部３０から十分に遠ざけることができる。これにより、バイパス部４０が第２バイパス部分４２を有する場合にも、バイパス部４０からの熱が載置面の温度に及ぼす影響を低減できる。
また、この例では、吸着電極６０は、基板上面１０ａとヒータ上面３０ａとの間に設けられている。電極下面６０ｂとヒータ上面３０ａとの間の第５距離Ｄ５は、第２バイパス下面４２ｂと第１バイパス上面４１ａとの間の第４距離Ｄ４よりも小さい。
このように、電極下面６０ｂとヒータ上面３０ａとの間の第５距離Ｄ５を、第２バイパス下面４２ｂと第１バイパス上面４１ａとの間の第４距離Ｄ４よりも小さくすることで、ヒータ部３０を載置面により近づけ、バイパス部４０をより離すことができる。これにより、バイパス部４０からの熱が載置面の温度に及ぼす影響を低減できる。
また、セラミック誘電体基板１０は、中央領域１１と、外周領域１２と、を有する。中央領域１１及び外周領域１２は、上述の図１及び図２における中央領域１１及び外周領域１２と同じである。静電チャックにおいて、中央領域１１の温度分布のばらつきは、外周領域１２の温度分布のばらつきよりも小さくなりやすい場合がある。
第２バイパス部分４２は、例えば、中央領域１１に設けられる。第２バイパス部分４２を中央領域１１に設けることで、第２バイパス部分４２を設けることによる載置面の温度のばらつきを抑制することができる。これにより、バイパス部４０が第２バイパス部分４２を有する場合にも、載置面の温度のばらつきを抑制できる。
図４は、実施形態の第２変形例に係る静電チャックを模式的に表す断面図である。
図４は、図１に示したＡ１－Ａ２線による断面図である。なお、図４では、処理対象物Ｗを省略している。
図４に表したように、実施形態の第２変形例に係る静電チャック１００Ｂは、バイパス部４０（第１バイパス部分４１）をベースプレート２０の下に設け、絶縁層７０及び第２接合部分５２を省略した以外は、上述の静電チャック１００と実質的に同じである。
図４は、図１に示したＡ１－Ａ２線による断面図である。なお、図４では、処理対象物Ｗを省略している。
図４に表したように、実施形態の第２変形例に係る静電チャック１００Ｂは、バイパス部４０（第１バイパス部分４１）をベースプレート２０の下に設け、絶縁層７０及び第２接合部分５２を省略した以外は、上述の静電チャック１００と実質的に同じである。
この例では、ベースプレート２０の下部に、上方に向かって窪む凹部２５が設けられている。バイパス部４０（第１バイパス部分４１）は、凹部２５の内部に設けられている。より具体的には、バイパス部４０（第１バイパス部分４１）は、絶縁基板８０の下面に設けられている。絶縁基板８０は、締結部材８２により、凹部２５の底面２５ａに固定されている。絶縁基板８０は、例えば、樹脂などの絶縁材料を含む。締結部材８２は、例えば、ボルトなどである。
バイパス部４０（第１バイパス部分４１）をベースプレート２０の下に設けることで、バイパス部４０を載置面から十分に遠ざけることができ、バイパス部４０からの熱が載置面の温度に及ぼす影響を低減できる。したがって、バイパス部４０からの熱が載置面の均熱性に及ぼす影響を低減できる。
また、この例でも、ヒータ下面３０ｂと第１バイパス上面４１ａとの間の第２距離Ｄ２は、ヒータ上面３０ａと基板上面１０ａとの間の第１距離Ｄ１よりも大きい。これにより、ヒータ部３０を相対的に載置面の近くに配置するとともに、バイパス部４０を載置面及びヒータ部３０から十分に遠ざけることができ、バイパス部４０からの熱が載置面の温度に及ぼす影響を低減できる。
なお、第２バイパス部分４２がさらに設けられる場合には、第２バイパス部分４２は、セラミック誘電体基板１０の内部に設けられ、第１バイパス部分４１は、ベースプレート２０の下に設けられる。
図５は、実施形態の第３変形例に係る静電チャックを模式的に表す断面図である。
図５は、図１に示したＡ１－Ａ２線による断面図である。なお、図５では、処理対象物Ｗを省略している。
図５に表したように、実施形態の第３変形例に係る静電チャック１００Ｃは、第１金属板８４及び第２金属板８６の間に挟まれたバイパス部４０（第１バイパス部分４１）を、接合部５５を介して、ベースプレート２０の凹部２５の内部に設けた以外は、上述の静電チャック１００Ｂと実質的に同じである。
図５は、図１に示したＡ１－Ａ２線による断面図である。なお、図５では、処理対象物Ｗを省略している。
図５に表したように、実施形態の第３変形例に係る静電チャック１００Ｃは、第１金属板８４及び第２金属板８６の間に挟まれたバイパス部４０（第１バイパス部分４１）を、接合部５５を介して、ベースプレート２０の凹部２５の内部に設けた以外は、上述の静電チャック１００Ｂと実質的に同じである。
この例では、バイパス部４０（第１バイパス部分４１）は、第１金属板８４及び第２金属板８６の間に設けられている。バイパス部４０（第１バイパス部分４１）は、絶縁層７０に囲まれている。第１金属板８４は、凹部２５の内部において、接合部５５を介して、凹部２５の底面２５ａに固定されている。接合部５５は、第１金属板８４とベースプレート２０との間に設けられ、これらを接合している。第１金属板８４及び第２金属板８６は、例えば、アルミニウムなどの金属を含む。接合部５５の材料としては、例えば、第１接合部分５１及び第２接合部分５２の材料として挙げたものと同じものを用いることができる。
この例でも、バイパス部４０（第１バイパス部分４１）をベースプレート２０の下に設けることで、バイパス部４０を載置面から十分に遠ざけることができ、バイパス部４０からの熱が載置面の温度に及ぼす影響を低減できる。したがって、バイパス部４０からの熱が載置面の均熱性に及ぼす影響を低減できる。
また、この例でも、ヒータ下面３０ｂと第１バイパス上面４１ａとの間の第２距離Ｄ２は、ヒータ上面３０ａと基板上面１０ａとの間の第１距離Ｄ１よりも大きい。これにより、ヒータ部３０を相対的に載置面の近くに配置するとともに、バイパス部４０を載置面及びヒータ部３０から十分に遠ざけることができ、バイパス部４０からの熱が載置面の温度に及ぼす影響を低減できる。
実施形態は、以下の構成を含んでもよい。
（構成１）
処理対象物を載置する基板上面と、前記基板上面とは反対側の基板下面と、を有するセラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板側のベースプレート上面と、前記ベースプレート上面とは反対側のベースプレート下面と、を有し、前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
前記基板上面と前記基板下面との間に設けられ、少なくとも１つのヒータ層を有し、前記セラミック誘電体基板を加熱するヒータ部と、
前記ヒータ部への給電経路であるバイパス部と、
を備え、
前記ヒータ部は、前記基板上面に最も近い前記ヒータ層の上面であるヒータ上面と、前記基板下面に最も近い前記ヒータ層の下面であるヒータ下面と、を有し、
前記バイパス部は、前記基板下面よりも下方に設けられた第１バイパス部分を有し、
前記第１バイパス部分は、前記基板下面側の第１バイパス上面と、前記第１バイパス上面とは反対側の第１バイパス下面と、を有し、
前記ヒータ下面と前記第１バイパス上面との間の第２距離は、前記ヒータ上面と前記基板上面との間の第１距離よりも大きい、静電チャック。
処理対象物を載置する基板上面と、前記基板上面とは反対側の基板下面と、を有するセラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板側のベースプレート上面と、前記ベースプレート上面とは反対側のベースプレート下面と、を有し、前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
前記基板上面と前記基板下面との間に設けられ、少なくとも１つのヒータ層を有し、前記セラミック誘電体基板を加熱するヒータ部と、
前記ヒータ部への給電経路であるバイパス部と、
を備え、
前記ヒータ部は、前記基板上面に最も近い前記ヒータ層の上面であるヒータ上面と、前記基板下面に最も近い前記ヒータ層の下面であるヒータ下面と、を有し、
前記バイパス部は、前記基板下面よりも下方に設けられた第１バイパス部分を有し、
前記第１バイパス部分は、前記基板下面側の第１バイパス上面と、前記第１バイパス上面とは反対側の第１バイパス下面と、を有し、
前記ヒータ下面と前記第１バイパス上面との間の第２距離は、前記ヒータ上面と前記基板上面との間の第１距離よりも大きい、静電チャック。
（構成２）
前記セラミック誘電体基板は、前記基板上面に対して垂直なＺ方向に沿って見たときに、前記セラミック誘電体基板の中央に位置する中央領域と、前記中央領域の外側に位置する外周領域と、を有し、
前記第１バイパス部分は、前記Ｚ方向において、前記外周領域と重なる位置に設けられる、構成１記載の静電チャック。
前記セラミック誘電体基板は、前記基板上面に対して垂直なＺ方向に沿って見たときに、前記セラミック誘電体基板の中央に位置する中央領域と、前記中央領域の外側に位置する外周領域と、を有し、
前記第１バイパス部分は、前記Ｚ方向において、前記外周領域と重なる位置に設けられる、構成１記載の静電チャック。
（構成３）
前記バイパス部は、前記基板上面と前記基板下面との間に設けられた第２バイパス部分をさらに有し、
前記第２バイパス部分は、前記基板上面側の第２バイパス上面と、前記第２バイパス上面とは反対側の第２バイパス下面と、を有し、
前記ヒータ下面と前記第２バイパス上面との間の第３距離は、前記第２バイパス下面と前記第１バイパス上面との間の第４距離よりも大きい、構成１または２に記載の静電チャック。
前記バイパス部は、前記基板上面と前記基板下面との間に設けられた第２バイパス部分をさらに有し、
前記第２バイパス部分は、前記基板上面側の第２バイパス上面と、前記第２バイパス上面とは反対側の第２バイパス下面と、を有し、
前記ヒータ下面と前記第２バイパス上面との間の第３距離は、前記第２バイパス下面と前記第１バイパス上面との間の第４距離よりも大きい、構成１または２に記載の静電チャック。
（構成４）
前記セラミック誘電体基板は、前記Ｚ方向に沿って見たときに、前記セラミック誘電体基板の中央に位置する中央領域と、前記中央領域の外側に位置する外周領域と、を有し、
前記第２バイパス部分は、前記中央領域に設けられる、構成３記載の静電チャック。
前記セラミック誘電体基板は、前記Ｚ方向に沿って見たときに、前記セラミック誘電体基板の中央に位置する中央領域と、前記中央領域の外側に位置する外周領域と、を有し、
前記第２バイパス部分は、前記中央領域に設けられる、構成３記載の静電チャック。
（構成５）
前記基板上面と前記ヒータ上面との間に設けられた吸着電極をさらに備え、
前記吸着電極は、前記基板上面側の電極上面と、前記電極上面とは反対側の電極下面と、を有し、
前記電極下面と前記ヒータ上面との間の第５距離は、前記第４距離よりも小さい、構成３または４に記載の静電チャック。
前記基板上面と前記ヒータ上面との間に設けられた吸着電極をさらに備え、
前記吸着電極は、前記基板上面側の電極上面と、前記電極上面とは反対側の電極下面と、を有し、
前記電極下面と前記ヒータ上面との間の第５距離は、前記第４距離よりも小さい、構成３または４に記載の静電チャック。
以上のように、実施形態によれば、バイパス部からの熱が載置面の温度に及ぼす影響を低減できる静電チャックが提供される。
以上、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、静電チャックが備える各要素の形状、寸法、材質、配置、設置形態などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
１０：セラミック誘電体基板
１０ａ：基板上面
１０ｂ：基板下面
１０ｅ：外周端
１１：中央領域
１２：外周領域
１５：中心
２０：ベースプレート
２０ａ：ベースプレート上面
２０ｂ：ベースプレート下面
２１：冷媒流路
２５：凹部
３０：ヒータ部
３０ａ：ヒータ上面
３０ｂ：ヒータ下面
３１：第１ヒータ層
３１ａ：第１ヒータ上面
３１ｂ：第１ヒータ下面
３２：第２ヒータ層
３２ａ：第２ヒータ上面
３２ｂ：第２ヒータ下面
４０：バイパス部
４１：第１バイパス部分
４１ａ：第１バイパス上面
４１ｂ：第１バイパス下面
４２：第２バイパス部分
４２ａ：第２バイパス上面
４２ｂ：第２バイパス下面
４５：接続部
５０：接合部
５１：第１接合部分
５２：第２接合部分
５５：接合部
６０：吸着電極
６０ａ：電極上面
６０ｂ：電極下面
７０：絶縁層
７１：第１絶縁部
７２：第２絶縁部
８０：絶縁基板
８２：締結部材
８４、８６：第１、第２金属板
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ：静電チャック
ＣＬ：中心線
Ｗ 処理対象物
１０ａ：基板上面
１０ｂ：基板下面
１０ｅ：外周端
１１：中央領域
１２：外周領域
１５：中心
２０：ベースプレート
２０ａ：ベースプレート上面
２０ｂ：ベースプレート下面
２１：冷媒流路
２５：凹部
３０：ヒータ部
３０ａ：ヒータ上面
３０ｂ：ヒータ下面
３１：第１ヒータ層
３１ａ：第１ヒータ上面
３１ｂ：第１ヒータ下面
３２：第２ヒータ層
３２ａ：第２ヒータ上面
３２ｂ：第２ヒータ下面
４０：バイパス部
４１：第１バイパス部分
４１ａ：第１バイパス上面
４１ｂ：第１バイパス下面
４２：第２バイパス部分
４２ａ：第２バイパス上面
４２ｂ：第２バイパス下面
４５：接続部
５０：接合部
５１：第１接合部分
５２：第２接合部分
５５：接合部
６０：吸着電極
６０ａ：電極上面
６０ｂ：電極下面
７０：絶縁層
７１：第１絶縁部
７２：第２絶縁部
８０：絶縁基板
８２：締結部材
８４、８６：第１、第２金属板
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ：静電チャック
ＣＬ：中心線
Ｗ 処理対象物
Claims (5)
- 処理対象物を載置する基板上面と、前記基板上面とは反対側の基板下面と、を有するセラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板側のベースプレート上面と、前記ベースプレート上面とは反対側のベースプレート下面と、を有し、前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
前記基板上面と前記基板下面との間に設けられ、少なくとも１つのヒータ層を有し、前記セラミック誘電体基板を加熱するヒータ部と、
前記ヒータ部への給電経路であるバイパス部と、
を備え、
前記ヒータ部は、前記基板上面に最も近い前記ヒータ層の上面であるヒータ上面と、前記基板下面に最も近い前記ヒータ層の下面であるヒータ下面と、を有し、
前記バイパス部は、前記基板下面よりも下方に設けられた第１バイパス部分を有し、
前記第１バイパス部分は、前記基板下面側の第１バイパス上面と、前記第１バイパス上面とは反対側の第１バイパス下面と、を有し、
前記ヒータ下面と前記第１バイパス上面との間の第２距離は、前記ヒータ上面と前記基板上面との間の第１距離よりも大きい、静電チャック。 - 前記セラミック誘電体基板は、前記基板上面に対して垂直なＺ方向に沿って見たときに、前記セラミック誘電体基板の中央に位置する中央領域と、前記中央領域の外側に位置する外周領域と、を有し、
前記第１バイパス部分は、前記Ｚ方向において、前記外周領域と重なる位置に設けられる、請求項１記載の静電チャック。 - 前記バイパス部は、前記基板上面と前記基板下面との間に設けられた第２バイパス部分をさらに有し、
前記第２バイパス部分は、前記基板上面側の第２バイパス上面と、前記第２バイパス上面とは反対側の第２バイパス下面と、を有し、
前記ヒータ下面と前記第２バイパス上面との間の第３距離は、前記第２バイパス下面と前記第１バイパス上面との間の第４距離よりも大きい、請求項１または２に記載の静電チャック。 - 前記セラミック誘電体基板は、前記基板上面に対して垂直なＺ方向に沿って見たときに、前記セラミック誘電体基板の中央に位置する中央領域と、前記中央領域の外側に位置する外周領域と、を有し、
前記第２バイパス部分は、前記中央領域に設けられる、請求項３記載の静電チャック。 - 前記基板上面と前記ヒータ上面との間に設けられた吸着電極をさらに備え、
前記吸着電極は、前記基板上面側の電極上面と、前記電極上面とは反対側の電極下面と、を有し、
前記電極下面と前記ヒータ上面との間の第５距離は、前記第４距離よりも小さい、請求項３記載の静電チャック。
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|---|---|---|---|
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| JP2015515713A (ja) | 2012-02-28 | 2015-05-28 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 半導体処理用の交流駆動を用いる多重ヒータアレイ |
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| WO2020213368A1 (ja) | 2019-04-16 | 2020-10-22 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置の製造方法、保持装置用の構造体の製造方法および保持装置 |
| WO2021054322A1 (ja) | 2019-09-18 | 2021-03-25 | 日本碍子株式会社 | 静電チャックヒータ |
| JP2021132190A (ja) | 2020-02-21 | 2021-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および載置台 |
-
2023
- 2023-08-08 JP JP2023129267A patent/JP7471566B2/ja active Active
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| JP2019505092A (ja) | 2016-01-22 | 2019-02-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | マルチゾーン静電チャックのためのセンサシステム |
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| WO2021054322A1 (ja) | 2019-09-18 | 2021-03-25 | 日本碍子株式会社 | 静電チャックヒータ |
| JP2021132190A (ja) | 2020-02-21 | 2021-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および載置台 |
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