JP6699765B2 - ウェハ保持体 - Google Patents

Description

本発明は、半導体製造装置に搭載されるセラミックス製のウェハ保持体に関する。

ＩＣなどの半導体デバイスの製造工程では、被処理物である半導体基板（ウェハ）に対して成膜やエッチングなどの各種処理が施される。このような半導体基板に対する各種処理を行う半導体製造装置には、処理の際に半導体基板を保持するサセプタとも称されるウェハ保持体が搭載されている。このウェハ保持体の内部には、上記した処理に際して半導体基板を加熱するためのヒータ電極が設けられている。また、成膜時に半導体基板の上方をプラズマ雰囲気にするためのＲＦ電極やウェハ保持体の載置面にウェハを確実に保持するため静電チャック用電極が設けられることもある。

例えば特許文献１には、加熱用のヒータ電極などに対応する導電性部材が埋め込まれたセラミックス部材を備えたサセプタが開示されている。このセラミックス部材にはザグリ穴が設けられており、このザグリ穴の底部に露出した導電性部材に電力を供給するため、ザグリ穴の内側に金属製部材が配置されている。この金属製部材は活性金属ロウ材（以下、ロウ材とも言う）を用いて導電性部材に接合されており、金属製部材に対するロウ材の「流れ性」を制御することにより所望の接合強度が得られると記載されている。

また、特許文献２には、電気回路を内部に有する円板状のセラミックス基材の下面側にネジ穴を設けて該電気回路を露出させ、このネジ穴に金属端子（アンカー部材）をねじ込んでその一端部を電気回路に接続すると共に、その他端部を給電用導電部材に接続したセラミックス製のサセプタが提案されている。このサセプタは高い接合強度が得られると共に、電気回路との良好な電気的接続を確保できると記載されている。

さらに特許文献３には、セラミックス製のウェハ保持体中に埋設された電極に対して、ウェハ保持体の下面側から挿入した金属端子を接続端子を介して接続させる技術が開示されている。この接続端子は、ウェハ保持体と同一材質のセラミックス製部材の表面にメタライズを施したものが用いられており、表面をメタライズすることで埋設電極と金属端子とを電気的に導通させることができるうえ、接続端子とウェハ保持体との熱膨張差がほとんど生じないのでウェハ保持体を薄くすることが可能になると記載されている。

特開平１０−２７３３７１号公報 特開２００３−０８６６６３号公報 特許第４８５８３１９号公報

近年の電子機器の高性能化に伴い、半導体デバイスの製造工程ではよりいっそう高い温度で成膜処理を行うことや、ＲＦ電極への印加電圧を高めて効率よくプラズマによる成膜を行うことが求められている。そのため、上記したようなウェハ保持体において、埋設されたヒータ電極やＲＦ電極に対して熱膨張差による破損等の問題を生ずることなく従来よりも確実に給電できる構造が求められている。

本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、ヒータ回路やＲＦ電極などを内部に有するセラミックス製のウェハ保持体において、これらヒータ回路やＲＦ電極などに対して外部から確実に給電できるうえ、当該給電部分において熱膨張差による破損が生じにくい信頼性の高いウェハ保持体を提供することを目的としている。

上記目的を達成するため、本発明が提供するウェハ保持体は、ウェハ載置面を上面側に備えた略円板形状のセラミックス製の基体と、前記基体の内部に埋設された電極と、前記基体の下面側から挿入された金属端子と、これら電極と金属端子とを互いに電気的に導通させる接続端子とを有するウェハ保持体であって、前記接続端子は、前記基体と同一材質のセラミックス部材と、その側面を全面に亘って覆う金属層とからなり、前記金属層の上端部は前記電極に接続しており、前記金属層の下端部は前記金属端子に金属部材を介して接続している。

本発明によれば、セラミックス製基体の内部に埋設されている電極に対して、熱膨張差による破損を生じさせることなく確実に給電することができる。

本発明に係るウェハ保持体の第１の具体例を示す模式的な部分縦断面図である。 本発明に係るウェハ保持体の第２の具体例を示す模式的な部分縦断面図である。 本発明に係るウェハ保持体の第３の具体例を示す模式的な部分縦断面図である。 本発明に係るウェハ保持体の第４の具体例を示す模式的な部分縦断面図である。

最初に本発明の実施形態を列記して説明する。本発明の実施形態のウェハ保持体は、ウェハ載置面を上面側に備えた略円板形状のセラミックス製の基体と、前記基体の内部に埋設された電極と、前記基体の下面側から挿入された金属端子と、これら電極と金属端子とを互いに電気的に導通させる接続端子とを有するウェハ保持体であって、前記接続端子は、前記基体と同一材質のセラミックス部材と、その側面を全面に亘って覆う金属層とからなり、前記金属層の上端部は前記電極に接続しており、前記金属層の下端部は前記金属端子に金属部材を介して接続している。これにより、セラミックス製基体の内部に埋設されている電極に対して、熱膨張差による破損を生じさせることなく確実に給電することが可能になる。

本発明の実施形態のウェハ保持体は、前記金属端子が前記基体に螺合する構造でもよいし、前記金属端子が前記金属部材に螺合する構造でもよい。前者の構造の場合は簡易な構造で確実に金属端子を固定することができる。一方、後者の場合は金属端子と金属部材との接触面積が増えるのでよりいっそう低抵抗を実現することが可能になる。

本発明の実施形態のウェハ保持体は、前記接続端子のセラミックス部材が切頭円錐形状を有しているのが好ましい。これにより、ウェハ保持体の作製の際に、容易に接続端子を基板に隙間無く密着させることが可能になる。また、接続端子がウェハ載置面側に向って移動するのを防ぐことができるので、セラミックス製の基体のうち、該接続端子を介して給電される電極よりも上側に位置する部分が当該接続端子によって押圧されて割れや反りなどのトラブルを生じるのを防ぐことができる。

本発明の実施形態のウェハ保持体は、前記電極が、ＲＦプラズマ形成用電極、ヒータ電極、又は静電チャック用電極であってもよい。電極がこれらのいずれであっても上記した各種の効果を得ることができる。

次に、図１を参照しながら本発明の第１の具体例のウェハ保持体１０について説明する。この本発明の第１の具体例のウェハ保持体１０は、処理対象物である半導体ウェハ（図示せず）が載置されるウェハ載置面１１ａを上面側に備えた略円板形状の基体１１と、この基体１１の内部に埋設されたＲＦ電極１２と、基体１１の下面側から挿入された金属端子１３と、これらＲＦ電極１２と金属端子１３とを互いに電気的に導通させる接続端子１４とを有している。

各構成要素について具体的に説明すると、基体１１は一般に筒状の支持部材によって下から水平に支持される部材であり、この基体１１の材質には、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、又は酸化アルミニウムなどの剛性及び熱伝導性に優れたセラミックスを用いるのが好ましく、窒化アルミニウムがより好ましい。

この基体１１の内部に、成膜時にウェハ載置面１１ａの上方をプラズマ雰囲気にするためのＲＦ電極１２がウェハ載置面１１ａと平行な面上に埋設されている。このＲＦ電極１２に給電を行うか若しくは接地させるため、基体１１の下面側には金属端子１３が下端部を突出させた状態で挿入されている。金属端子１３は少なくとも上端部の外側が螺刻されており、この金属端子１３がねじ込まれる基体１１のネジ穴に螺合している。この突出する金属端子１３の下端部に図示しない導電線が接続される。基体１１の内部には更にウェハ載置面１１ａに載置された半導体ウェハを加熱するためのヒータ電極１５がＲＦ電極１２よりも下側に離間して埋設されている。このヒータ電極１５への給電はＲＦ電極１２と同様の構造でもよいし一般的な端子構造でもよいので説明は省略する。

基体１１の内部には、更に基体１１と同一材質からなる切頭円錐形状のセラミックス部材１４ａと、その側面を全面に亘って覆う金属層１４ｂとからなる接続端子１４が埋設されている。この接続端子１４は、その中心軸を基体１１の厚み方向に向けた状態で埋設されており、先細の先端部側端面がＲＦ電極１２の下側に当接すると共に、その反対側の下端部側端面が円板状の金属部材１６を介して金属端子１３の上端面に当接している。

このように、セラミックス部材１４ａを基体１１と同一の材質で形成することで、幅広い温度範囲に亘って熱膨張差がほとんど生じないので接続端子１４とその周辺部との間で熱応力が生じにくく、基体１１の板厚が薄いウェハ保持体であってもクラックなどの破損が生じにくくなる。なお、セラミックス部材１４ａの形状は、円柱状、角柱状、中間部が縮径若しくは拡径された柱状、切頭角錐形状等でもよいが、より信頼性の高い接続端子構造を簡易に作製できる点において上記した切頭円錐形状が最も好ましい。

上記した金属層１４ｂ及び金属部材１６の材質並びに前述したＲＦ電極１２及びヒータ電極１５の材質は不可避不純物を除いて、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、又はこれらの合金が好ましい。これら金属はいずれも基体１１を形成するセラミックスとの熱膨張係数の差が比較的小さく、ウェハ保持体が反ったりクラックが入ったりする不良の発生を抑制することができるからである。また、金属端子１３の材質は不可避不純物を除いて、タングステン、モリブデン、及びこれらの合金、ニッケル、コバール、銅−タングステン合金、銅−モリブデン合金、銅−ニッケル−鉄−タングステン合金からなる群から選ばれた少なくとも１種が好ましい。

上記した接続端子１４の下端部側端面に当接する円板状の金属部材１６は、その外径が当該接続端子１４の下端部側端面の外径よりも大きいものを用いる。これにより、接続端子１４の金属層１４ｂは、その環状の上端部が全周に亘ってＲＦ電極１２に当接すると共に、その環状の下端部も全周に亘って金属部材１６に当接することができる。よって、従来の給電端子よりも金属端子１３の上端部とＲＦ電極１２とを確実に導通させることが可能になり、給電の際にジュール熱の局所的な発生などのトラブルが生じにくくなる。なお、金属部材１６の形状は金属層１４ｂの環状の下端部が全周に亘って当接できるのであれば円板状に限定されるものではなく、多角形の板状部材や環状部材等であってもよい。

上記したウェハ保持体は、例えば下記の方法で作製することができる。すなわち、先ず同じ材質で且つ同じ外径を有する３枚のセラミックス製基板を用意し、その内の１枚の基板に対して上記した接続端子１４が埋設される位置に貫通孔を設ける。この貫通孔はウェハ載置面１１ａ側に向かって徐々に内径が小さくなるようなテーパー構造にする。そして、この貫通孔に嵌合するテーパー構造を有し且つ上記セラミック製基板と同じ材質の切頭円錐形状のセラミックス部材を用意し、その側面を全周に亘って略同じ肉厚の金属層で覆う。

セラミックス部材の側面を金属層で覆う方法としては、例えばタングステンペーストを塗布して焼成するメタライズ法によって厚み１０〜５０μｍ程度のタングステン層を被覆させてもよいし、セラミックス部材の側面に装着可能な肉厚５０μｍ〜２ｍｍ程度のタングステン製のスリーブ状部材を別途作製し、これをセラミックス部材の側面に装着させてもよい。この金属層で覆われたセラミックス部材を基板の貫通孔に挿入して、より確実に基板に密着させることにより、金属層で覆われたセラミックス部材の周辺部に隙間がほとんど存在しなくなるのでプラズマの進入を防ぐことができる。

セラミック製基板の表裏面にはそれぞれ金属層の上端部及び下端部が環状に露出している。セラミック製基板の表裏面にＲＦ電極及びヒータ電極を形成すべく例えばタングステンペーストのパターニング層をスクリーン印刷法により塗布する。塗布後はパターニング層を乾燥させてから８００℃程度の窒素雰囲気中で脱脂し、残りの２枚の基板をそれぞれ表裏面に重ね合わせて１８００℃程度の窒素雰囲気中でホットプレスを行う。これにより、３枚のセラミックス製基板が一体化された円板状の結合体が得られる。

次に、この円板状結合体の下面側からセラミックス部材に向かって金属端子が嵌合する大きさの内径を有するザグリ穴を形成し、セラミックス部材の下端部をその側面を覆う金属層と共に露出させる。そして、この露出した金属層及びセラミックス部材の下端部にロウ付けや好適にはタングステンによるメタライズにより金属部材を接合させる。更に、このザグリ穴に先端部が螺刻された金属端子をねじ込みながらその先端面を金属部材の下端面に当接させる。これによりウェハ保持体が完成する。

次に、本発明の第２の具体例のウェハ保持体について説明する。図２に示すように、この本発明の第２の具体例のウェハ保持体２０は、金属端子２３と基板２１とが互いに螺合されておらず、代わりに金属端子２３と金属部材２６とが互いに螺合していることを特徴としており、それ以外は基本的には上記した本発明の第１の具体例のウェハ保持体１０と同様の構造を有している。

具体的には、ウェハ載置面２１ａを上面側に備えた略円板形状の例えば窒化アルミニウム製の基体２１と、この基体２１の内部に埋設されたＲＦ電極２２と、基体２１の下面側から挿入された金属端子２３と、これらＲＦ電極２２と金属端子２３とを互いに電気的に導通させる接続端子２４と、ＲＦ電極２２よりも下側に離間して埋設されたヒータ電極２５とを有している。接続端子２４は、基体２１と同一材質からなる切頭円錐形状のセラミックス部材２４ａと、その側面を全面に亘って覆う金属層２４ｂとからなり、その先細の先端部側端面がＲＦ電極２２の下側に当接すると共に、その反対側の下端部側端面が円板状の金属部材２６を介して金属端子２３の上端面に電気的に接続している。

これら金属端子２３と金属部材２６との螺合は、図２に示すように金属部材２６の下面に下方に向って突出する雄ネジ部を設けると共に、これに螺合する雌ネジを金属部材２６の先端部に設けてもよいし、これとは逆に金属部材の先端部に上方に突出する雄ネジ部を設けると共に、これに螺合する雌ネジを金属部材の下面側に設けてもよい。いずれの場合であっても金属端子と金属部材との接触面積が増えるのでより低抵抗を実現することが可能になる。

次に、本発明の第３の具体例のウェハ保持体について説明する。図３（ａ）に示すように、この本発明の第３の具体例のウェハ保持体３０は、金属端子３３が挿入される基板３１のネジ穴に段差を設けることによって該ネジ穴の内径が開口部側において部分的に大きくなっており、この大径部分に金属端子３３を囲むように筒状の封止部材３７が外装されている。そして、この封止部材３７の環状の先端部と上記したネジ穴の段差との間がガラス３８で封止されている。これにより、金属端子３３と基板３１との螺合部に大気や雰囲気ガスが侵入して腐食などの悪影響を及ぼすのを防ぐことができる。

本発明の第３の具体例のウェハ保持体は、上記した筒状の封止部材３７及びガラス３８以外は基本的には上記した本発明の第１の具体例のウェハ保持体１０と同様の構造を有している。具体的には、ウェハ載置面３１ａを上面側に備えた略円板形状の例えば窒化アルミニウム製の基体３１と、この基体３１の内部に埋設されたＲＦ電極３２と、基体３１の下面側から挿入された金属端子３３と、これらＲＦ電極３２と金属端子３３とを互いに電気的に導通させる接続端子３４と、ＲＦ電極３２よりも下側に離間して埋設されたヒータ電極３５とを有している。接続端子３４は、基体３１と同一材質からなる切頭円錐形状のセラミックス部材３４ａと、その側面を全面に亘って覆う金属層３４ｂとからなり、その先細の先端部側端面がＲＦ電極３２の下側に当接すると共に、その反対側の下端部側端面が円板状の金属部材３６を介して金属端子３３の上端面に電気的に接続している。

この筒状の封止部材及びガラスによる封止は、図３（ｂ）に示すように上記した第２の具体例のウェハ保持体１３０の給電端子構造に適用してもよい。また、図３（ｃ）のウェハ保持体２３０に示すように、金属端子２３３において基板２３１のネジ穴の段差部の位置にフランジ部２３３ａを形成し、このフランジ部２３３ａの下面側とネジ穴の段差面とに筒状の封止部材３７の先端面を対向させて、この対向部分にガラス３８を充填してもよい。この場合は、ガラス３８によるシール面が筒状の封止部材３７の押圧方向に対して垂直となるので、より確実にシールすることが可能になる。

このように金属端子にフランジ部を形成して封止する場合は、上記した第２の具体例の給電端子構造に適用するのが特に好ましい。その理由は、第２の具体例に適用した図３（ｄ）のウェハ保持体３３０と前述した図３（ｃ）のウェハ保持体２３０とを比較して分かるように、ウェハ保持体３３０の方が基板に固定される金属端子３３３の先端部とそのフランジ部３３３ａとの離間距離Ｌ２を、ウェハ保持体２３０の場合の離間距離Ｌ１よりも短くできるので、材質の異なる基板と金属端子との間の熱膨張差の影響をより少なくできるからである。

次に、本発明の第４の具体例のウェハ保持体について説明する。図４（ａ）に示すように、この本発明の第４の具体例のウェハ保持体４０は、金属端子４３に外嵌される筒状の封止部材４７の上部に該封止部材４７と略同径の環状部材４９が設けられている。そして、これら封止部材４７と環状部材４９との間にガラス４８が充填されており、環状部材４９とネジ穴の段差部との間にはガラスが充填されていないことを特徴としている。

本発明の第４の具体例のウェハ保持体は、上記した筒状の封止部材４７、環状部材４９及びガラス４８以外は基本的には上記した本発明の第１の具体例のウェハ保持体１０と同様の構造を有している。具体的には、ウェハ載置面４１ａを上面側に備えた略円板形状の例えば窒化アルミニウム製の基体４１と、この基体４１の内部に埋設されたＲＦ電極４２と、基体４１の下面側から挿入された金属端子４３と、これらＲＦ電極４２と金属端子４３とを互いに電気的に導通させる接続端子４４と、ＲＦ電極４２よりも下側に離間して埋設されたヒータ電極４５とを有している。接続端子４４は、基体４１と同一材質からなる切頭円錐形状のセラミックス部材４４ａと、その側面を全面に亘って覆う金属層４４ｂとからなり、その先細の先端部側端面がＲＦ電極４２の下側に当接すると共に、その反対側の下端部側端面が円板状の金属部材４６を介して金属端子４３の上端面に電気的に接続している。

セラミック基板のネジ穴の段差部のような隅部Ａにガラスを充填した場合は、当該隅部のガラスには応力が集中して割れが発生するおそれがあるが、上記したように封止部材と環状部材との間にガラスを充填することによって隅部Ａにガラスを充填する必要がなくなるので、より確実に封止することが可能になる。この場合は、ネジ穴の段差部の隅部Ａをなめらかな曲面で形成することがより好ましい。なお、図４（ｂ）〜（ｄ）のウェハ保持体１４０、２４０及び３４０は、上記した第３の具体例の図３（ｂ）〜（ｄ）のウェハ保持体１３０、２３０及び３３０にそれぞれ対応しており、それぞれ上記した本発明の第３の具体例の効果に加えてこの２分割した封止部材の効果が得られる。

以上、本発明のウェハ保持体について複数の具体例を挙げて説明したが、本発明はこれら具体例に限定されるものではなく、本発明の主旨から逸脱しない範囲の種々の態様で実施可能である。例えば、上記した具体例のウェハ保持体は、内部に埋設されている電極（埋設電極）が、プラズマ形成用のＲＦ電極及びヒータ電極であったが、これら電極のいずれかに代えて若しくはこれら電極の少なくともいずれかに加えて静電チャック用電極が埋設されていてもよく、これら電極の少なくともいずれかに上記した給電端子構造を適用してもよい。

本発明の効果を確認するため、図１に示すような本発明の第１の具体例のウェハ保持体を作製して運転を行った。具体的には、先ず外径３３０ｍｍで厚みがそれぞれ９ｍｍ、５ｍｍ、及び９ｍｍの３枚の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）製の円板を用意した。これら３枚のうち、厚み９ｍｍの１枚のセラミック板に平均内径４ｍｍのテーパー状の貫通孔を設け、このテーパー角と同じテーパー角を有する窒化アルミニウム製の切頭円錐体を用意した。この切頭円錐体の側面にタングステンペーストを塗布した後、焼成して厚み０.０３ｍｍの金属層を設けた。

この側面がメタライズされた切頭円錐体を上記したセラミック板の貫通孔に嵌め込んで固定した。セラミックス板の表裏面に、それぞれＲＦ電極用及びヒータ電極用のタングステンペーストのパターニング層をスクリーン印刷により塗布した後、焼成して電極を形成した。この表裏面に電極が形成されたセラミックス板のＲＦ電極側に前述した５ｍｍのセラミックス板を重ね合わせ、反対側のヒータ電極側には９ｍｍのセラミックス板を重ね合わせた。この状態でホットプレスして３枚のセラミックス板を一体化させた。

次に、この一体化した基板の下面側から切頭円錐体に向かってザグリ穴を機械加工で形成し、切頭円錐体の下端部をその側面の金属層と共に露出させた。そして、この露出した金属層及び切頭円錐体の下端部にタングステンのペーストを用いて外径５.０ｍｍ、厚み１ｍｍのタングステン製円板を接合させた。そして、このザグリ穴に先端部が螺刻されたタングステン製の金属端子を螺合させながらその先端面をタングステン製円板の下端面に当接させた。なお、ヒータ電極は下面側からネジ穴をあけて露出させた後、このネジ穴にタングステン製の金属端子をねじ込むことで接続させた。

このようにして作製したウェハ保持体の下面部に筒状の支持部を取り付け、半導体製造装置の真空チャンバー内に設置した。また、この筒状支持部の内側に導電線を通してウェハ保持体の下面から突出している金属端子に接続した。そして、真空雰囲気でヒータ電極用の導電線に給電してウェハ保持体を５５０℃まで昇温させた後、５５０℃を維持しながらＲＦ電極用の導電線から１６００Ｗ、１３.５６ＭＨｚの交流電圧によるＯＮ（６０秒）／ＯＦＦ（３０秒）を１万回繰り返した。その結果、過熱や割れなどのトラブルが生じることなく良好に運転することができた。

１０、２０、３０、４０ ウェハ保持体
１１、２１、３１、４１ 基板
１１ａ、２１ａ、３１ａ、４１ａ ウェハ載置面
１２、２２、３２、４２ ＲＦ電極
１３、２３、３３、４３ 金属端子
１４、２４、３４、４４ 接続端子
１４ａ、２４ａ、３４ａ、４４ａ セラミックス部材
１４ｂ、２４ｂ、３４ｂ、４４ｂ 金属層
１５、２５、３５、４５ ヒータ電極
１６、２６、３６、４６ 金属部材
３７、４７ 封止部材
３８、４８ ガラス
４９ 環状部材
１３０、２３０、３３０ ウェハ保持体
１４０、２４０、３４０ ウェハ保持体
２３３、３３３ 金属端子
２３３ａ、３３３ａ フランジ部
Ａ 隅部

Claims (12)

1. ウェハ載置面を上面側に備えた略円板形状のセラミックス製の基体と、
   前記基体の内部に埋設された電極と、
   一方の端面が前記電極に接するように埋設された接続端子と、
   前記接続端子の他方の端面を底面として前記基体の下面側に開口する穴と、
   前記穴の内部に配置される金属端子と
   前記穴の内部に配置される金属部材とを備え、
   前記穴は前記接続端子側に位置する第１の内径部と、前記第１の内径部の内径よりも大きな内径であって前記下面側に開口した第２の内径部とを有し、
   前記第２の内径部には、前記金属端子を囲むように配置された筒状の封止部材を備え、
   前記第１の内径部と前記第２の内径部との間に位置する段差部と前記封止部材の先端部とで形成される空間に充填材を有し、
   前記金属部材は、前記接続端子と前記金属端子との間において前記接続端子と前記金属端子との双方に接するように設けられており、
   前記充填材と前記金属部材とは接していない、
   ウェハ保持体。
2. 前記金属端子はフランジ部を有し、
   前記封止部材は前記フランジ部に接するように設けられている、
   請求項１に記載のウェハ保持体。
3. ウェハ載置面を上面側に備えた略円板形状のセラミックス製の基体と、
   前記基体の内部に埋設された電極と、
   一方の端面が前記電極に接するように埋設された接続端子と、
   前記接続端子の他方の端面を底面として前記基体の下面側に開口する穴と、
   前記穴の内部に配置される金属端子とを備え、
   前記穴は前記接続端子側に位置する第１の内径部と、前記第１の内径部の内径よりも大きな内径であって前記下面側に開口した第２の内径部とを有し、
   前記第２の内径部には、前記金属端子を囲むように配置された筒状の封止部材と、前記金属端子を囲むように配置された筒状の環状部材を備え、
   前記環状部材は前記封止部材よりも前記第１の内径部側に位置し、
   前記封止部材と前記環状部材との間に、前記第２の内径部と前記金属端子との隙間を封止する充填材を有する、
   ウェハ保持体。
4. 前記金属端子はフランジ部を有し、
   前記環状部材は前記フランジ部に接するように設けられている、
   請求項３に記載のウェハ保持体。
5. 前記穴の内部に金属部材を備え、
   前記金属部材は、前記接続端子と前記金属端子との間において前記接続端子と前記金属端子との双方に接するように設けられている、
   請求項３又は請求項４に記載のウェハ保持体。
6. 前記金属部材の一方の面は円板状であり、前記一方の面が前記接続端子に接しており、
   前記一方の面の外径が、前記接続端子の下端部側の端面の外径よりも大きい、
   請求項１、請求項２又は請求項５に記載のウェハ保持体。
7. 前記接続端子は前記基体と同一材質のセラミックス部材と、その側面を覆う金属層とを有し、
   前記接続端子の上端部において前記金属層は前記電極に接しており、
   前記接続端子の下端部において前記金属層は前記金属部材に接しており、前記金属部材 は前記金属層が接している部分の反対側において前記金属端子に接している、
   請求項１、請求項２、請求項５又は請求項６に記載のウェハ保持体。
8. 前記穴は前記第１の内径部と前記第２の内径部との間に、前記第１の内径部と前記第２の内径部との中間の内径を有する第３の内径部を備える、
   請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のウェハ保持体。
9. 前記充填材はガラスである、
   請求項１から請求項８のいずれか一項に記載のウェハ保持体。
10. 前記金属端子が前記基体又は前記金属部材に螺合している、
    請求項１から請求項９のいずれか一項に記載のウェハ保持体。
11. 前記接続端子が切頭円錐形状をしている、
    請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載のウェハ保持体。
12. 前記電極が、ＲＦプラズマ形成用電極、ヒータ電極、又は静電チャック用電極である、
    請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載のウェハ保持体。

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