JP2024004894A - 保持装置 - Google Patents
保持装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024004894A JP2024004894A JP2022104783A JP2022104783A JP2024004894A JP 2024004894 A JP2024004894 A JP 2024004894A JP 2022104783 A JP2022104783 A JP 2022104783A JP 2022104783 A JP2022104783 A JP 2022104783A JP 2024004894 A JP2024004894 A JP 2024004894A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- plate
- threaded portion
- base member
- insulating sleeve
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 28
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 15
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical group O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本開示は、対象物を保持する保持装置に関する。
保持装置として、例えば、特許文献1に記載された静電チャックが知られている。この静電チャックは、表面(保持面)に対象物を保持するセラミックス板(板状部材)と、セラミックス板に接合された金属製のベース部材(金属部)とを備えており、セラミックス板の内部に、チャック電極やヒータ電極などの内部電極が配置されている。そして、この静電チャックは、内部電極への給電のための構成を備えている。
すなわち、ベース部材の内部に、ベース部材におけるセラミックス板に対向する表面(以下、「上面」という)に開口する端子用貫通孔が形成されており、端子用貫通孔内に、柱状の電極端子が配置されている。また、セラミックス板におけるベース部材に対向する表面(以下、「下面」という)の内の所定の領域には、内部電極に導通する電極パッドが配置されている。そして、電極端子と金属製のベース部材との間の絶縁性を確保するため、ベース部材の端子用貫通孔内に、電極端子と端子用貫通孔の表面との間に介在するように電極端子を連続的に取り囲む絶縁部材が配置され、絶縁部材がセラミックス板に接着剤によって固定されている。
しかしながら、上記の静電チャックでは、近年、高電圧で使用されることが増えており、絶縁距離が不十分となって絶縁性が低下し、絶縁破壊が生じるおそれがある。また、保持面において、絶縁部材が配置されるベース部材の端子用貫通孔の直上部分が温度特異点になるので、保持面における均熱性を向上させるために、端子用貫通孔が小径化される傾向にあり、より高い絶縁性が要求されている。
そこで、本開示は上記した問題点を解決するためになされたものであり、絶縁性を向上させることができる保持装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するためになされた本開示の一形態は、
第1の面と、前記第1の面とは反対側に設けられる第2の面と、前記第2の面に開口する孔と、を備える板状部材と、
前記孔に連通する貫通孔を備え、前記板状部材の前記第2の面側に接合される金属部と、
前記貫通孔に配置される環状の絶縁部材と、を有し、
前記板状部材の前記第1の面上に対象物を保持する保持装置において、
前記孔の内周面には、第1ネジ部が形成され、
前記絶縁部材の外周面には、前記第1ネジ部に螺合する第2ネジ部が形成されていることを特徴とする。
第1の面と、前記第1の面とは反対側に設けられる第2の面と、前記第2の面に開口する孔と、を備える板状部材と、
前記孔に連通する貫通孔を備え、前記板状部材の前記第2の面側に接合される金属部と、
前記貫通孔に配置される環状の絶縁部材と、を有し、
前記板状部材の前記第1の面上に対象物を保持する保持装置において、
前記孔の内周面には、第1ネジ部が形成され、
前記絶縁部材の外周面には、前記第1ネジ部に螺合する第2ネジ部が形成されていることを特徴とする。
この保持装置では、孔の内周面に第1ネジ部が形成され、絶縁部材の外周面に第1ネジ部に螺合する第2ネジ部が形成されている。そのため、第2ネジ部を第1ネジ部に螺合することにより、絶縁部材を板状部材に対して固定することができる。これにより、板状部材(孔)と絶縁部材の組付け部(ネジ部)における絶縁破壊経路が、直線ではなくジグザクに形成されるため、絶縁距離を長くすることができる。そして、有底孔には第1ネジ部が形成されるだけなので、有底孔に連通する貫通孔の径はほとんど変わらない。従って、貫通孔の径を変えることなく、保持装置における絶縁性を向上させることができる。
上記した保持装置において、
前記第1ネジ部と前記第2ネジ部との間に接着剤が充填されていることが好ましい。
前記第1ネジ部と前記第2ネジ部との間に接着剤が充填されていることが好ましい。
このように第1ネジ部と第2ネジ部とが螺合するネジ部分に接着剤を充填することにより、ネジ部分の絶縁性をさらに向上させるとともに、ネジ部分における接合強度を向上させることができる。
上記したいずれかの保持装置において、
前記板状部材を形成する材料の熱膨張係数と、前記金属部を形成する材料の熱膨張係数との間に差があり、
前記絶縁部材と前記貫通孔との間に隙間が形成されていることが好ましい。
前記板状部材を形成する材料の熱膨張係数と、前記金属部を形成する材料の熱膨張係数との間に差があり、
前記絶縁部材と前記貫通孔との間に隙間が形成されていることが好ましい。
板状部材と金属部との間に熱膨張差があると、保持装置の温度が上昇/下降する際に、熱膨張差によって板状部材と金属部との変形量に差が生じる。そのため、絶縁部材が金属部に接触することで、絶縁部材が損傷して絶縁性が低下するおそれがある。
そこで、絶縁部材と貫通孔との間に隙間を設けることにより、熱膨張差に起因する絶縁部材の損傷を確実に防止することができる。これにより、熱膨張差に起因する絶縁部材の損傷による絶縁性の低下を回避することができる。
本開示によれば、絶縁性を向上させることができる保持装置を提供することができる。
本開示に係る実施形態である保持装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。本実施形態では、保持装置として、例えば、成膜装置(CVD成膜装置やスパッタリング成膜装置など)やエッチング装置(プラズマエッチング装置など)といった半導体製造装置に使用される静電チャックを例示して説明する。
そこで、本実施形態の静電チャック1について、図1~図3を参照しながら説明する。本実施形態の静電チャック1は、半導体ウエハW(対象物)を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば、半導体製造装置の真空チャンバー内で半導体ウエハWを固定するために使用される。図1に示すように、静電チャック1は、板状部材10と、ベース部材20と、板状部材10とベース部材20とを接合する接合層40とを有する。
以下の説明においては、説明の便宜上、図1に示すようにXYZ軸を定義する。ここで、Z軸は、静電チャック1の軸線方向(図1において上下方向)の軸であり、X軸とY軸は、静電チャック1の径方向の軸である。
板状部材10は、図1に示すように、円形の部材であり、セラミックスにより形成されている。セラミックスとしては、様々なセラミックスが用いられるが、強度や耐摩耗性、耐プラズマ性等の観点から、例えば、酸化アルミニウム(アルミナ、Al2O3)または窒化アルミニウム(AlN)を主成分とするセラミックスが用いられることが好ましい。なお、ここでいう主成分とは、含有割合の最も多い成分(例えば、体積含有率が90vol%以上の成分)を意味する。板状部材10の直径は、例えば150mm~350mm程度であり、板状部材10の厚さは、例えば2mm~6mm程度である。
図1、図2に示すように、板状部材10は、半導体ウエハWを保持する保持面11と、板状部材10の厚み方向(Z軸方向に一致する方向、上下方向)について保持面11とは反対側に設けられる下面12とを備えている。この保持面11上に半導体ウエハWが保持される。なお、保持面11は本開示の「第1の面」の一例であり、下面12は本開示の「第2の面」の一例である。
また、図2に示すように、板状部材10は、その内部にチャック電極50を備えている。チャック電極50は、Z軸方向視で、例えば略円形をなしており、導電性材料(例えば、タングステンやモリブデン等)により形成されている。このチャック電極50には、ビア61が接続されている。このビア61は、チャック電極50から下面12側にZ軸方向へ延びるように配置されている。
そして、板状部材10の下面12には、有底孔15が形成されている。この有底孔15は、下面12側に開口する円形凹部であり、Z軸方向視で、後述するベース部材20の貫通孔25に重なる領域が、保持面11側へ凹んだ形状をなしている。また、有底孔15の直径は、例えば7mm~8mmである。そして、有底孔15の内周面15aには、雌ネジ部16が形成されている(図3参照)。また、有底孔15の底面15bには、端子パッド60が配置されている。Z軸方向視における端子パッド60の形状は、例えば、略円形である。なお、有底孔15は本開示の「孔」の一例であり、雌ネジ部16は本開示の「第1ネジ部」の一例である。
この端子パッド60の上面には、チャック電極50に接続されたビア61の他端が接続されている。これにより、端子パッド60は、ビア61を介して、チャック電極50に電気的に接続されている。端子パッド60及びビア61は、導電性材料(例えば、タングステンやモリブデン等)により形成されている。なお、本実施形態では、端子パッド60は、図2に示すように、厚さ方向(Z軸方向)の全体が板状部材10から露出しているが、端子パッド60の下面が板状部材10から露出している限りにおいて、端子パッド60における厚さ方向の一部分又は全体が、板状部材10に埋設されていてもよい。そして、端子パッド60の下面(露出面)に、外部電源に接続するための給電端子62が接合(ロウ付け)されており、外部電源から給電端子62、端子パッド60、ビア61を介して、チャック電極50に電力が供給される。
ベース部材20は、図1に示すように円柱状、詳しくは、直径の異なる2つの円柱が、大きな直径の円柱状の上面部の上に小さな直径の円柱状の下面部が載せられるようにして、中心軸を共通にして重ねられて形成された段付きの円柱状である。このベース部材20は、金属(例えば、アルミニウムやアルミニウム合金等)により形成されている。なお、ベース部材20は、本開示の「金属部」の一例である。
そして、図1、図2に示すように、ベース部材20は、上面21と、Z軸方向について上面21とは反対側に設けられる下面22と、を備えている。なお、上面21は本開示の「第3の面」の一例であり、下面22は本開示の「第4の面」の一例である。
ベース部材20の直径は、上段部が例えば150mm~300mm程度であり、下段部が例えば180mm~350mm程度である。また、ベース部材20の厚さ(Z軸方向の寸法)は、例えば20mm~50mm程度である。
なお、ベース部材20には、冷媒(例えば、フッ素系不活性液体や水等)を流すための冷媒流路が形成されており、冷媒流路内に冷媒を流すことにより、ベース部材20が冷却され、これにより、接合層40を介して板状部材10が冷却されるようになっている。
そして、ベース部材20には、上面21と下面22との間を厚み方向(Z軸方向、図2において上下方向)に貫通する円筒形状の貫通孔25が形成されている。この貫通孔25内には、給電端子62と絶縁スリーブ30が配置されている。絶縁スリーブ30は、環状の部材であり、給電端子62を覆うように配置され、有底孔15側の端部が板状部材10に固定されている。なお、絶縁スリーブ30及びその固定構造の詳細については後述する。
接合層40は、板状部材10の下面12とベース部材20の上面21との間に配置され、板状部材10とベース部材20とを接合している。この接合層40を介して、板状部材10の下面12とベース部材20の上面21とが熱的に接続されている。なお、接合層40の厚さ(Z軸方向の寸法)は、例えば0.1mm~1.0mm程度である。
接合層40は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の樹脂接着剤により構成されている。この接合層40には、図2に示すように、絶縁スリーブ30が配置される貫通孔45が形成されている。つまり、有底孔15と貫通孔25との間に、円筒形状の貫通孔45が形成されている。貫通孔45は、有底孔15及び貫通孔25と同軸であり、有底孔15と貫通孔45と貫通孔25とが、Z軸方向(静電チャック1の軸線方向)に連なって配置されて、端子パッド60及び給電端子62が配置される端子孔65が形成されている。
ここで、端子孔65内の構成について、図2、図3を参照しながら説明する。図2に示すように、端子孔65内には、端子パッド60と給電端子62が配置されており、これらの周囲に絶縁スリーブ30が配置されている。そして、絶縁スリーブ30は、有底孔15側で板状部材10に対して固定されており、その先端(固定端とは反対側)がベース部材20の下面22に位置している。つまり、絶縁スリーブ30は、ベース部材20の下面22まで延びて貫通孔25の全域に配置されている。なお、絶縁スリーブ30と貫通孔25との間に一定の隙間Sが形成されている。
絶縁スリーブ30は、板状部材10と同様にセラミックスにより形成されており、図3に示すように、有底孔15の内周面15aに形成された雌ネジ部16に螺合する雄ネジ部36を備えている。雄ネジ部36は、絶縁スリーブ30の外周面30aのうち有底孔15に配置される端部に形成されている。これにより、絶縁スリーブ30を回転させながら有底孔15に挿入すると、絶縁スリーブ30の雄ネジ部36が有底孔15の雌ネジ部16に螺合して、絶縁スリーブ30が板状部材10にネジ固定される。なお、雄ネジ部36は本開示の「第2ネジ部」の一例である。
そして、雄ネジ部36と雌ネジ部16との間には,接着剤70が充填されている。つまり、絶縁スリーブ30を有底孔15に挿入する前に、雄ネジ部36又は雌ネジ部16の少なくとも一方に硬化前の接着剤70を塗布しておき、絶縁スリーブ30を板状部材10にネジ固定した後、接着剤70を硬化させている。これにより、絶縁スリーブ30と板状部材10との接合部分、すなわち、雌ネジ部16と雄ネジ部36とが螺合するネジ部分に接着剤70を充填することができる。
このように本実施形態の静電チャック1では、板状部材10の有底孔15に雌ネジ部16が形成され、絶縁スリーブ30に雌ネジ部16に螺合する雄ネジ部36が形成されている。そのため、雄ネジ部36を雌ネジ部16に螺合することにより、絶縁スリーブ30を板状部材10に対して固定することができる。これにより、板状部材10(有底孔15)と絶縁スリーブ30の接合部分(ネジ部分)における絶縁破壊経路が、直線ではなくジグザクに形成されるため、絶縁距離を長くすることができる。そして、有底孔15には雌ネジ部16が形成されるだけなので、有底孔15の径はほとんど変わらないため、有底孔15に連通するベース部材20の貫通孔25の径が大きくなることはない。従って、貫通孔25の径を変える(大きくする)ことなく、静電チャック1における絶縁性を向上させることができる。
また、本実施形態の静電チャック1では、雌ネジ部16と雄ネジ部36とが螺合する接合部分(ネジ部分)に接着剤70が充填されている。そのため、板状部材10(有底孔15)と絶縁スリーブ30の接合部分(ネジ部分)における絶縁性をさらに向上させるとともに、接合部分(ネジ部分)における接合強度を向上させることができる。
ここで、本実施形態の静電チャック1では、板状部材10とベース部材20との間に熱膨張差があるため、温度が上昇/下降する際に、熱膨張差によって板状部材10とベース部材20との変形量に差が生じる。そのため、板状部材10に固定されている絶縁スリーブ30がベース部材20に接触することで、絶縁スリーブ30が損傷して絶縁性が低下するおそれがある。
そのため、本実施形態の静電チャック1では、絶縁スリーブ30と貫通孔25との間に隙間Sを設けている。これにより、静電チャック1の温度が上昇/下降する際に、板状部材10とベース部材20との熱膨張差に起因する絶縁スリーブ30の損傷を確実に防止することができる。従って、熱膨張差に起因する絶縁スリーブ30の損傷による絶縁性の低下を回避することができる。なお、隙間Sとしては、ベース部材20が熱変形した際に絶縁スリーブ30がベース部材20に接触しない程度(例えば、0.5mm程度)を設定すればよい。
そして、絶縁スリーブ30は、ベース部材20の下面22まで延びて貫通孔25の全域に配置されている。これにより、ベース部材20の貫通孔25の内周面全域が絶縁スリーブ30で覆われるため、静電チャック1における絶縁性を一層向上させることができる。
以上のように、本実施形態の静電チャック1によれば、板状部材10の有底孔15に雌ネジ部16を設け、絶縁スリーブ30に雄ネジ部36を設けて、雄ネジ部36を雌ネジ部16に螺合することにより、絶縁スリーブ30を板状部材10に対して固定している。従って、板状部材10(有底孔15)と絶縁スリーブ30の接合部分(ネジ部分)における絶縁距離を長くすることができるため、絶縁性を向上させることができる。
[第2実施形態]
次に、第2実施形態について説明する。第2実施形態では、第1実施形態と基本的な構成は同じであるが、接合層が金属材料を主成分とする金属接合材により構成されている点が異なる。そこで、第1実施形態と同様の構成については同符号を付して説明を適宜省略し、第1実施形態との相違点を中心に説明する。
次に、第2実施形態について説明する。第2実施形態では、第1実施形態と基本的な構成は同じであるが、接合層が金属材料を主成分とする金属接合材により構成されている点が異なる。そこで、第1実施形態と同様の構成については同符号を付して説明を適宜省略し、第1実施形態との相違点を中心に説明する。
第2実施形態の静電チャック1aでは、図4に示すように、板状部材10とベース部材20とが、金属接合材で構成される接合層40aによって接合されている。なお、接合層40aは本開示の「金属部」の一例である。このように金属接合材で構成される接合層40aで板状部材10とベース部材20とを接合しているため、樹脂接着剤では耐熱性が不足する高温下(例えば250℃以上)で使用する場合に好適である。金属接合材としては、例えば、金属粉末や金属箔を用いて接合する金属接着剤や、金属繊維、ポーラス材、網目構造体などの金属メッシュとロウ材で構成されるもの、あるいは、複数の柱状金属片とロウ材で構成されるもの等を使用することができる。金属接着剤、金属メッシュや金属片を形成する金属としては、チタン、ニッケル、アルミニウム、銅、真鍮、これらの合金、又はステンレス鋼などを使用することができる。なお、図4では、第1実施形態の静電チャック1における絶縁スリーブ30の接合部周辺(図2に示すA部に相当する部分)を示している。
この第2実施形態の静電チャック1aでも、第1実施形態と同様に、板状部材10の有底孔15に雌ネジ部16を形成し、絶縁スリーブ30に雄ネジ部36を形成して、雄ネジ部36を雌ネジ部16に螺合することにより、絶縁スリーブ30を板状部材10に対して固定している。これにより、板状部材10(有底孔15)と絶縁スリーブ30の接合部分(ネジ部分)における絶縁距離を伸ばしている。従って、貫通孔25の径を変える(大きくする)ことなく、静電チャック1aにおける絶縁性を向上させることができる。
そして、雌ネジ部16と雄ネジ部36とが螺合する接合部分(ネジ部分)に接着剤70を充填して、接合強度を向上させるとともに、絶縁性を一層向上させている。
また、絶縁スリーブ30と接合層40aの貫通孔45との間、及び絶縁スリーブ30とベース部材20の貫通孔25との間に隙間Sを設けている。これにより、板状部材10と接合層40a及びベース部材20との熱膨張差に起因する絶縁スリーブ30の損傷を防止することができるため、熱膨張差に起因する絶縁スリーブ30の損傷による絶縁性の低下を回避することができる。
このように第2実施形態の静電チャック1aによれば、金属接合材で構成される接合層40aで板状部材10とベース部材20とを接合する場合でも、貫通孔25の径を変える(大きくする)ことなく絶縁性を向上させることができる。
なお、上記の実施形態は単なる例示にすぎず、本開示を何ら限定するものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能であることはもちろんである。例えば、上記の実施形態では、端子孔65としてチャック電極50の端子孔を例示しているが、チャック電極50に限らず、高周波電極やヒータ電極などの端子孔においても本開示を適用することができる。
また、上記の実施形態では、端子孔65に絶縁スリーブ30を配置する場合に本開示を適用したものを例示したが、端子孔に限らず、保持面11に不活性ガスを供給するガス孔や、リフトピンが配置されるリフトピン孔など静電チャックに形成される貫通孔に絶縁スリーブを配置する場合にも本開示を適用することができる。つまり、本開示の「第2の面に開口する孔」は、上記の実施形態で例示した有底孔に限られることはなく、板状部材を貫通する貫通孔であってもよい。
1 静電チャック
10 板状部材
11 保持面
12 下面
15 有底孔
16 雌ネジ部
20 ベース部材
21 上面
22 下面
25 貫通孔
30 絶縁スリーブ
36 雄ネジ部
40 接合層
70 接着剤
S 隙間
W 半導体ウエハ
10 板状部材
11 保持面
12 下面
15 有底孔
16 雌ネジ部
20 ベース部材
21 上面
22 下面
25 貫通孔
30 絶縁スリーブ
36 雄ネジ部
40 接合層
70 接着剤
S 隙間
W 半導体ウエハ
Claims (3)
- 第1の面と、前記第1の面とは反対側に設けられる第2の面と、前記第2の面に開口する孔と、を備える板状部材と、
前記孔に連通する貫通孔を備え、前記板状部材の前記第2の面側に接合される金属部と、
前記貫通孔に配置される環状の絶縁部材と、を有し、
前記板状部材の前記第1の面上に対象物を保持する保持装置において、
前記孔の内周面には、第1ネジ部が形成され、
前記絶縁部材の外周面には、前記第1ネジ部に螺合する第2ネジ部が形成されている
ことを特徴とする保持装置。 - 請求項1に記載する保持装置において、
前記第1ネジ部と前記第2ネジ部との間に接着剤が充填されている
ことを特徴とする保持装置。 - 請求項1又は請求項2に記載する保持装置において、
前記板状部材を形成する材料の熱膨張係数と、前記金属部を形成する材料の熱膨張係数との間に差があり、
前記絶縁部材と前記貫通孔との間に隙間が形成されている
ことを特徴とする保持装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022104783A JP2024004894A (ja) | 2022-06-29 | 2022-06-29 | 保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022104783A JP2024004894A (ja) | 2022-06-29 | 2022-06-29 | 保持装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2024004894A true JP2024004894A (ja) | 2024-01-17 |
Family
ID=89539855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022104783A Pending JP2024004894A (ja) | 2022-06-29 | 2022-06-29 | 保持装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2024004894A (ja) |
-
2022
- 2022-06-29 JP JP2022104783A patent/JP2024004894A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102501916B1 (ko) | 웨이퍼 유지체 | |
US10354904B2 (en) | Electrostatic chuck | |
US7403386B2 (en) | Electrostatic chuck | |
JP5117146B2 (ja) | 加熱装置 | |
US10622239B2 (en) | Electrostatic chuck device | |
JP2015207765A (ja) | 静電チャック装置 | |
JP2007258615A (ja) | 静電チャック | |
JP2007027218A (ja) | ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ | |
JP4858319B2 (ja) | ウェハ保持体の電極接続構造 | |
WO2019208191A1 (ja) | ウエハ支持台 | |
JP2024004894A (ja) | 保持装置 | |
JP2007235171A (ja) | ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ | |
JP7175323B2 (ja) | セラミック構造体及びウェハ用システム | |
JP2024025435A (ja) | 保持装置 | |
KR20230043781A (ko) | 웨이퍼 지지 장치 | |
JP6483533B2 (ja) | 試料保持具およびこれを用いたプラズマエッチング装置 | |
JP2020004809A (ja) | 保持装置 | |
JP2018139255A (ja) | 試料保持具およびこれを用いたプラズマエッチング装置用部品 | |
JP2023177720A (ja) | 保持装置 | |
JP7489940B2 (ja) | 試料保持具 | |
JP6586259B1 (ja) | ウエハ支持台 | |
US11735459B2 (en) | Electrostatic chuck | |
JP7255659B1 (ja) | 静電チャック装置 | |
JP2022178936A (ja) | 保持装置 | |
JP2024005747A (ja) | 保持装置 |