CN103733020A - 用于特征化对象并监视制造过程的方法与设备 - Google Patents
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Abstract
一种特征化对象的方法包括判定该对象内一量测点处该对象的深度向组成。与该量测点相邻之一区域内对象的特性可视情况基于该判定来估计。另一种特征化对象的方法包括将一对象的至少一部分安置于一计量工具的一量测区域内，将该对象的一特征与该量测区域内一指定量测点的位置相对于彼此对准，以及执行占据该量测点的该对象的一部分的组成分析。亦揭示了用于执行此等方法的各种设备，以及基于此等方法监测制造制程的方法。
Description
相关申请案的交互引用
本申请案主张于2011年7月25日提出申请的美国临时申请案第61/511,197号的权益，该案的内容以引用的方式并入本文。
技术领域
本发明的实施例系针对特征化对象的方法及系统。本发明的实施例亦针对用于基于对象的组成分析来监测与对象相关联的制造制程及生产良率的方法及系统。
背景技术
全球市场趋势推动制造商在生产产品的同时改进制程工具的利用，并降低所生产的成品的效能可变性。此举对制造诸如以下的产品尤为重要：主动固态电子装置（例如，二极管、晶体管、闸流体及其他借由电荷载流子移动来操作的装置）、电子显示器（例如，液晶显示器、发光二极管显示器、有机发光二极管显示器等）、光子装置、生物医学装置、医药产品或其类似物。用于制造此等产品的制程序列可能会复杂，并且制造制程中的一个态样的细微变化就可能会对制造具有所要的一致效能特性的产品的能力产生不良影响。
发明内容
本文所描述的本发明的一实施例可示例性地特征化为一种方法，该方法包括：判定对象内量测点处依据对象内深度的对象的组成；以及基于该判定，定量估计对象与量测点相邻的区域内对象的至少一个特性。
本文所描述的本发明的另一实施例可示例性地特征化为一种监测可由包括至少一个制程设备的制造系统实施的制造制程的方法，其中该方法包括：判定对象内量测点处依据对象内深度的对象的组成；基于该判定，定量估计对象与量测点相邻的区域内对象的至少一个特性；基于定量估计来产生区域特性数据；以及将估计出的特性数据提供至耦接到经配置以制造对象或修改对象的制造系统的制程设备的控制器。
本文所描述的本发明的又一实施例可示例性地特征化为一种方法，该方法包括提供计量工具，该计量工具包括：对象可至少部分地安置于内的量测区域；经配置以指定量测区域内的区作为量测点的控制器；以及耦接至控制器的量测系统，其中该量测系统经配置以执行占据量测点的材料的组成分析。该方法可进一步包括：将对象的至少一部分安置于量测区域内，其中该对象包括特征；将特征与量测区域内量测点的位置相对于彼此对准；以及执行占据量测点的所安置对象的部分的组成分析。
自以下描述及图式，可显而易见其他实施例、形式、目标、特征、优势、态样及益处。
附图说明
图1为示出根据本发明的一实施例的分布于整个对象上的量测点的示例性布置的示意图。
图2为示意性示出在图1所展示的任意量测点处获得的对象的深度向对象组成的图表。
图3及图4示出一种获取对象的样本以判定深度向对象组成的示例性方法。
图5为示出提供于一实施例的制造系统内的计量工具的示意图。
图6为示出图5所展示的计量工具的一实施例的示意图。
图7为示出分布于整个对象空间内的对象区域特性的估计出的数量变化的图。
具体实施方式
下文将参阅附图更详细地描述本发明的示例性实施例。应了解，此等实施例可以多种其他形式来更改及实施，且不应理解为限于本文阐述的论述。更确切而言，提供此等实施例以使得本揭示案尽可能详尽及完整，并且向熟习此项技术者充分传达本发明的范畴。在图式中，为清晰起见，层及区域的大小及相对大小可能会被夸示。
本文所用的术语是仅出于描述特定示例性实施例的目的，且并非意欲限制本发明。如本文所使用，单数形式「一」及「该」意欲亦包括复数形式，除非上下文另有明确说明。应进一步理解，本说明书使用术语「包含」及/或「包括」来指定所述特征、整数、步骤、操作、组件及/或部件的存在，而并不排除一或多个其他特征、整数、步骤、操作、组件、部件及/或其群组的存在或添加。
本文所揭示的实施例是针对用于特征化对象及监测制造制程（例如，用于制造或修改此类对象）的方法及设备。可根据本文所描述的实施例特征化的对象的实例包括诸如制造集成电路（ICs）、功率IC、射频（RF）装置、光电电池、热电装置、液晶显示器（LCD）面板、发光二极管（LEDs）、LED显示器、有机LED（OLEDs）、OLED显示器等时使用的基板（例如，硅基板、二氧化硅基板、氧化铝基板、蓝宝石基板、锗基板、砷化镓基板、硅锗基板、磷化铟基板、氮化铝基板、碳化硅基板、玻璃片、聚合物片等）。此等基板中的任何基板可提供作为未处理基板，或作为已经受至少一个制造制程（例如，掺杂、离子植入、蚀刻、沈积、图案化、分割等）的基板。因此，基板可提供作为芯片（固有形式或掺杂形式），该芯片可为裸芯片，或该芯片内形成有或该芯片表面上或上方形成有至少一个结构或特征（例如，掺杂区域、介电层、晶体管、电容器、电阻器、导电结构、半导体结构、吸光层、磊晶层、抗反射涂层等）。应了解，本文所示例性描述的实施例可经应用以特征化并不包括基板（诸如上文所述之基板）的物件。举例而言，此类对象可包括考古材料、生物检定基板及其他生物材料、陶瓷、地理材料、医药试剂（例如，药丸）、金属、聚合物、石化材料等。
一般而言，可借由判定对象内的复数个离散量测点处对象的深度向组成来特征化对象。举例而言，参阅图1，可在以布置104分布于整个对象100上的复数个离散量测点（诸如，量测点102）处判定出诸如对象100的对象（例如，其上形成有复数个层的蓝宝石基板）的深度向组成。每对基准点102之间的最小中心距（center-to-center distance）或间距（p）可介于0.1mm至10mm之间。应了解，间距p可视以下情况而小于0.1mm或大于10mm：例如，对象100的最大尺寸、特征化的所要分辨率、整个对象100的组成的实际或预期变化或其类似情况或者以上各者的组合。对象的最大尺寸（例如，如图所示的对象100的直径）可介于50mm至450mm之间（例如，50mm、150mm、300mm、400mm、450mm或其类似尺寸）。应了解，对象的最大尺寸可小于50mm（例如，小于或等于25mm，小于或等于10mm或其类似尺寸），或大于450mm（例如，大于或等于500mm，大于或等于700mm，大于或等于900mm，大于或等于1m或其类似尺寸）。应了解，布置104可视以下情况而含有任何数目个量测点102（例如，一个量测点102，两个量测点102，三个量测点102，五个量测点102或其类似数目）：例如，对象100的最大尺寸、特征化之所要分辨率、整个对象100的组成的实际或预期变化或其类似情况或者以上各者之组合。
如示例性说明，布置104可经提供以使得量测点102于整个对象100上的分布至少实质上均一。然而，在其他实施例中，布置104可经提供以使得量测点102随机分布于整个物件100上。在另外的其他实施例中，量测点102可以多种布置分布于整个对象100上，以使得一种布置下每对量测点102之间的间距与另一种布置下每对量测点102之间的间距不同，从而使得对于对象100，一种布置下量测点102相对于另一种布置下量测点102而言，定向大体不同，或达成其他目标，或以上各者的组合。
对象100的任意量测点102处的对象深度向组成可描述为依据对象100内深度的对象的组成（本文中也称作「对象组成」）。举例而言，参阅图2所示的图表200，可按照对象100内依据对象100内深度（例如，自对象100的表面以微米、奈米等为单位量测出的深度）的元素的量测出的量（例如，以百万分率或十亿分率等为单位进行量测）来表示对象组成。在所说明的实例中，线202、204、206、208及210分别表示在对象100内的一定深度范围内镓、镁、铟、硅及铝的量测出的量。在所说明的实例中，图表200所描述的深度向组成指示对象100包括多个具有p-GaN区域212及MQW区域214的量子阱（MQW）LED结构。然而，应了解，对象100可视对象100所需的特定功能而具有任何深度向元素组成。在其他实施例中，可按照依据对象100内深度的元素、同位素及化合物等的量测出的浓度等来描述对象组成。
应了解，可借由任何适当或所要方法针对一或多个量测点102或全部量测点102来判定深度向对象组成。举例而言，可使用非破坏性技术、破坏性技术或其组合来判定深度向对象组成。可用于判定深度向对象组成的非破坏性技术的实例包括光致发光术、光谱椭圆偏振术、共焦显微镜术或其类似技术或以上各者的组合。可用于判定深度向对象组成的破坏性技术的实例包括辉光放电光发射光谱法（GDOES）、辉光放电质谱法（GDMS）、雷射剥蚀感应耦合电浆质谱法（LAICPMS）、雷射剥蚀感应耦合光发射光谱法（LAICPOES）、雷射诱导崩解光谱法（LIBS）、二次离子质谱法（SIMS）、聚焦离子束光发射光谱法（FIBOES）或其类似技术或以上各者的组合。
一般而言，用于判定深度向对象组成的破坏性技术可包括获得对象100的样本（例如，借由移除对象100的一部分）及分析所获得的样本的组成。举例而言，且参阅图3，对象100的一部分可经移除以形成样本300（例如，含有自对象100移除的材料的羽流（plume））。如图3所示，自对象100的一部分移除样本300的材料后，在量测点102处形成了在对象100的表面304下方延伸深度「d1」的坑或坑口302。因此，样本302的组成对应于自对象100的该部分移除的、用以形成坑302的材料组成。样本300可传送至能够借由质谱法、光发射光谱法、原子吸光光谱法、原子荧光光谱法或其类似方法或以上各者的组合对样本300执行组成分析的任何适当样本分析设备。在一实施例中，样本300经由传送导管来传送，该传送导管的一端接近量测点102处对象100的表面304，且第二端接近样本分析设备。
上文针对图3所描述的移除制程可经执行以增大坑302的深度。如图4所示，移除制程可经执行以形成在量测点102处对象的表面304下方延伸所要深度「dn」的延伸坑或坑口302’。因此，如图4所示的样本300的组成对应于自对象100的该部分移除的、用以形成延伸坑302’的下部分（例如，部分400）的材料组成。
在一实施例中，移除制程可经持续执行以使得样本300持续生成（例如，自坑302初始形成之时起，直至延伸坑302’在量测点102处对象100的表面304下方延伸所要深度「dn」之时为止）。在此类实施例中，样本分析设备可经配置以持续分析延伸坑302’形成期间所生成的样本300，可经配置以周期性分析延伸坑302’形成期间所生成的样本300。
在另一实施例中，移除制程可经重复执行以使得一系列样本300离散地且依序生成（例如，自坑302初始形成之时起，直至延伸坑302’在量测点102处对象100的表面304下方延伸所要深度「dn」之时为止）。在此类实施例中，样本分析设备可经配置以持续地逐个分析延伸坑302’形成期间离散生成的样本300中之一或多者或全部。
延伸坑302’的深度「dn」可经计算、估计或借由任何适当方法以其他方式判定出。举例而言，深度「dn」可借由将形成延伸坑302’所需的预期、估计或实际时间和与形成延伸坑302’所用的移除制程相关联的预定、估计或以其他方式预测的材料移除率相关来判定出。在另一实例（例如，生成一系列离散样本300时）中，深度「dn」可借由将形成延伸坑302’所生成的样本300的预期、估计或实际数目和与生成每一离散样本300所用的移除制程相关联的预定、估计或以其他方式预测的材料移除率相关来判定出。
样本300可由任何适当方法来达成。举例而言，样本300可借由对对象100的一部分进行蒸发、升华、离子化、剥蚀等来获得。在一实施例中，样本300可借由将激光脉冲束导向对象100上来生成。激光脉冲束的参数可经选择以剥蚀对象100的一部分，以使得在将一或多个激光脉冲导向对象100上之后生成样本300。激光脉冲束可具有介于0.1J/cm2至30J/cm2之间的雷射影响，具有介于150fs至20ns之间的雷射脉宽、具有介于193nm至266nm之间的波长，且具有介于1Hz至100Hz的脉冲重复率。在一实施例中，激光脉冲束可具有8J/cm2的雷射影响，具有小于5ns的雷射脉宽、具有193nm的波长，且具有介于1Hz至5Hz的脉冲重复率。然而，应了解，激光脉冲束的参数可经选择以小于或大于上述任何范围。亦应了解，激光脉冲束的参数可经控制以精确控制坑的深度，且因此精确控制样本300中所含的材料量。举例而言，个别激光脉冲的参数可经选择以形成（或逐步延伸而形成）深度介于约10nm至约30nm之间（例如，20nm或约20nm）的坑。
特征化对象100的方法可视情况包括在对象100的某区域内定量估计对象100的至少一个特性（本文中亦称作「区域特性」）。借以定量估计区域特性的对象100的区域可与量测点102中之一或多者或全部相邻。举例而言，区域特性可包括特定组成（例如，元素组成、同位素组成、分子组成或其类似物或以上各者的组合）、电学特性（例如，电导率、电阻率、临限电压、崩溃电流或其类似特性或以上各者的组合）、光学特性（例如，透光率、反光率、吸光率、光射率或其类似特性或以上各者的组合）、热特性（例如，热导率、热膨胀、比热或其类似特性或以上各者的组合）、机械特性（例如，具有特定本质特性的部分的质量、厚度或其类似特性或以上各者的组合）、磁特性（例如，磁导率等）或其类似特性或以上各者的组合。
对象100的区域特性可借由任何适当方法来定量估计。举例而言，对象100的区域特性可借由向先前判定的深度向对象组成施加模型（例如，与特定区域特性相关联的参数化模型）来定量估计。该模型可基于经验性判定的相关性，或可基于所判定出的深度向对象组成与和该组成相关联之一或多个区域特性之间的任何其他关系。举例而言，且继续参阅上文就图2所论述的示例性实施例，一些示例性区域特性可包括LED结构的正向电压（Vf），LED结构能够发射出的光的质心波长（Wd）及LED结构之光输出（Iv）。正向电压（Vf）可基于将P-GaN区域的厚度（图2中区域212所指示）乘以P-GaN区域中镁含量的深度向变化（图2中线段204a所指示）及P-GaN区域中镁的总含量（图2中区域212处线204下方区域所指示）来定量估计。质心波长（Wd）可基于将图2中MQW区域214中的铟铝比乘以P-GaN区域中铟含量的深度向变化（图2中线段206a所指示）及图2中所指示的MQW区域214的厚度来定量估计。光输出（Iv）可基于将图2中MQW区域214中的铟铝比乘以P-GaN区域中镁含量的深度向变化（图2中线段204a所指示）及图2中所指示的MQW区域214的厚度来定量估计。
在施加了区域特性的模型之后，量测点102中之一或多者或全部处的区域特性的定量估计可得以定量估计出。然后，可向定量估计出的点特性应用诸如曲线配适（例如，借由最小平方配适、光滑样条配适等）的技术及其他统计技术，以便生成量测点102之一或多者或全部之间的对象100的区域的定量估计特性。
应了解，上述方法及设备可经应用以特征化任何适当对象100，且可以手动或自动方式实施。此外，在一实施例中，能够实施上文所示例性揭示的方法的设备可并入制造系统内作为可用于在线监测制造制程的计量工具。举例而言，诸如制造系统500的制造系统可包括第一制程设备502及第二制程设备504，该两个设备各自经配置以执行一或多个制造制程。尽管制造系统500图标为仅包括两个制程设备，但是应了解，制造系统500可仅包括单个制程设备，或包括两个以上制程设备。制造系统500内的任何制程设备可经配置以执行任何所要制造制程。举例而言，制程设备可提供作为沈积设备（例如，溅镀沈积设备、化学气相沈积（CVD）设备、电浆增强化学气相沈积（PECVD）设备、有机金属化学气相沈积（MOCVD）设备、原子层沈积（ALD）设备等）、蚀刻设备（例如，湿式蚀刻设备、干式蚀刻设备等）、CMP设备、离子植入设备或其类似设备或以上各者的组合。
继续参阅上文就图2所论述的示例性实施例，第一制程设备502可包括经配置以形成上述MQW LED结构的至少一部分的MOCVD设备，且第二制程设备504可包括经配置以图案化MQW LED结构以形成电极接触区域的干式蚀刻设备。应了解，制造系统500可进一步包括其他制程设备，诸如经配置以将自MQW LED结构最终形成的LED装置分离成复数个个别LED装置的单一化设备。
制造系统500可进一步包括制程控制器506，其耦接至一或多个制程设备（例如，耦接至第一制程设备502及第二制程设备504），且制程控制器506可经配置以控制其所耦接至的制程设备的操作。一般而言，制程控制器506可包括用于定义各种控制、管理及/或调节功能的操作逻辑（未图标），且该操作逻辑可呈诸如固线式状态机的专用硬件的形式、执行程序指令的处理器的形式及/或熟习此项技术者可能会想到的其他形式。操作逻辑可包括数字电路、模拟电路或此等两种电路的混合组合。在一实施例中，操作逻辑包括可程序化微控制器或微处理器，其可包括经布置以执行内存（未图标）中所储存的软件及/或韧体的一或多个处理单元。内存可包括一或多种类型，包括半导体、磁性及/或光学变体，及/或内存可为挥发性及/或非挥发性变体。在一实施例中，内存储存操作逻辑的程序指令。或者或另外地，内存可储存由操作逻辑操纵的数据。在一布置中，操作逻辑及内存包括于用于管理及控制第一制程设备502及第二制程设备504的操作态样的操作逻辑的控制器/处理器形式中，尽管在其他布置中，操作逻辑及内存可为独立的。
制造系统500可进一步包括对象传送系统508，其经配置以将对象100（例如，在制程控制器506的控制下）传送至制造系统500的各种制程设备及自制造系统500的各种制程设备传送对象100。举例而言，对象传送系统508可包括一或多个机器人传送手臂（例如，各自具有经调适以操纵对象100的真空或静电端接器）、一或多个输送带（例如，经配置以将对象100输送至制程设备或自制程设备输送对象100）或其类似物或以上各者的组合。在一实施例中，对象传送系统508可包括晶匣或其他储存机构，以有助于制造系统500内多个对象的高效传送。
制造系统500可进一步包括计量工具510，其经配置以借由上文所示例性描述的方式特征化对象100。尽管制造系统500图标为仅包括一个计量工具510，但是应了解，制造系统500可包括经配置以特征化制造系统500内所包括的任何制程设备所制造的对象的任何数目的计量工具510。
如示例性图示，计量工具510可包括量测区域512、量测系统514及计量控制器516。一般而言，量测区域512经配置以容纳对象100的至少一部分。在一实施例中，对象传送系统508可经配置以将对象100传送至量测区域512中（例如，自第一制程设备502传送）及/或传送出量测区域512（例如，传送至第二制程设备504）。量测系统514经配置以在对象100安置于量测区域512内时判定对象100的深度向组成（例如，一或多个量测点102处）。计量控制器516经配置以指定量测区域512内之一或多个区作为待判定对象100的深度向组成的量测点。计量控制器516可进一步经配置以控制量测系统514，以便判定所指定量测点处对象100的深度向组成。
在一实施例中，计量工具510包括内部界定有量测区域512的腔室。该腔室可提供为任何适当类型。在另一实施例中，计量工具510包括气幕生成器，其经配置以生成用于界定量测区域512的周边的惰性气体流（例如，空气、氮气、氩气等）。量测区域512内的压力可维持在介于0.1atm至5atm之间。然而，应了解，量测区域512内之压力可小于0.1atm或大于5atm。另外，量测区域内的气氛可至少为实质上惰性的。尽管量测区域512图标为位于第一制程设备502及第二制程设备504中的每一者的外部，但是应了解，计量工具510可经配置以使得量测区域512安置于于第一制程设备502或第二制程设备504内。举例而言，量测区域512可界定于于第一制程设备502或第二制程设备504的制程腔室内。
量测系统514可提供为能够如上文所论述判定对象100的深度向组成的适当系统。举例而言，量测系统516可提供为光致发光系统、光谱椭圆偏振系统、共焦显微镜系统、GDOES系统、GDMS系统、LAICPMS系统、LAICPOES系统、LIBS系统、SIMS系统、FIBOES系统或其类似系统或以上各者的组合。量测系统514可将判定出的深度向对象组成传达至计量控制器516作为组成数据。在一实施例中，量测系统514为LAICPMS或LASICPOES系统，且量测区域512由诸如以下的腔室界定：非接触式剥蚀腔室、如于2011年12月23日提出申请之同在申请中的美国专利申请案第13/336,991号（其全文以引用的方式并入本文）中所示例性描述的腔室。
参阅图6，计量工具510可视情况包括对象定位系统600，其经配置以将对象100相对于量测系统514对准。对象定位系统600可提供为经配置以相对于量测系统514移动对象100（例如，在X、Y及/或Z方向上，在R、Θ及/或Z方向上或其类似方向或以上各者的组合）的平台。在另一实施例中，量测系统514的至少一部分可经配置以相对于对象100移动。对象定位系统600及量测系统514中的一者或两者的移动可手动达成或在（例如）计量控制器516的控制下借助一或多个马达、致动器等的操作来达成。
对象定位系统600及量测系统514中的一者或两者的移动可经执行以借由已知或所要方式使对象100相对于量测系统514对准。在一实施例中，计量工具510可进一步包括用于侦测对象100在量测区域512内的位置的装置（例如，摄影机602）。举例而言，摄影机602可借由目视侦测对象100上之一或多个特征（诸如，对象100的边缘或对准标记、装置、切割线等）来侦测对象100的位置。计量控制器516可使用对象100的侦测到的位置，以便控制量测系统514及/或对象100的移动（例如，经由对象定位系统600）。
在另一实施例中，对象100相对于量测系统514的虚拟对准可借由调整指定量测点在量测区域512内的空间位置而在计量控制器516内达成。在此类实施例中，指定量测点相对于对象100在量测区域512内的对准可借由使指定量测点相对于摄影机602所侦测到之一或多个特征对准来达成。
参阅图5及图6，计量控制器516可经配置以基于自量测系统514接收到的组成数据来定量估计对象100之一或多个区域特性。在一实施例中，计量控制器516可将对象100之一或多个定量估计出之区域特性传达至制程控制器506、传达至输出装置（例如，监视器、打印机等）或其类似装置或传达至以上各者的组合作为区域特性数据。在另一实施例中，计量控制器516可将组成数据传达至制程控制器506。接着，制程控制器506可基于接收到的组成数据、区域特性数据或其组合来修改制造系统500之一或多个部件之操作。
举例而言，若计量控制器516所传达的数据指示第一制程设备502并未制造出所要的对象100的一些态样（例如，MQW LED结构），则制程控制器506可修改第一制程设备502的操作，以确保第一制程设备502制造出所要的MQWLED结构。在另一实例中，若计量控制器516所传达的数据指示第一制程设备502并未制造出所要的对象100的一些态样（例如，MQW LED结构），则制程控制器506可修改第二制程设备502的操作，以补偿第一制程设备502借以制造出第一制程设备502的方式。因此，可使用计量工具510所生成的数据来实时监测制造系统500所执行的制造制程。在又一实例中，制程控制器506可控制对象传送系统508的操作，以便将对象100传送至制造系统500内的另一制程设备（未图标）或位置，从而基于计量控制器516所传达的数据来优化对象100的制造方式。
在一实施例中，计量控制器516可将组成数据及区域特性数据传达至用户可存取式输出装置，诸如计算机屏幕、打印机或其类似物或以上各者的组合。当资料传达至此类用户可存取式输出装置时，组成数据可以如图2所示的可视方式呈现。当资料传达至此类用户可存取式输出装置时，区域特性数据可以有实际意义的方式呈现给使用者。举例而言，且继续参阅上文就图2所论述的示例性实施例，区域特性数据可在视觉上表示为二维图，其图标依据整个对象100的空间位置的区域特性（例如，MQW LED结构的正向电压）的变化。如图7所示例性图示，落入不同范围内的区域特性的定量估计可表示为不同的视觉区域702、704及706。尽管图7中仅将一个区域特性的数据视觉表示为二维图，但是应了解，区域特性数据可视觉表示为任何其他形式（例如，表示为三维图，其图标依据整个对象及对象内的空间位置的区域特性的变化）。亦应了解，可同时视觉表示出多个区域特性的数据。
返回参阅图5及图6，计量控制器516通常可包括用于定义各种控制、管理及/或调节功能的操作逻辑（未图标），且该操作逻辑可呈诸如固线式状态机的专用硬件的形式、执行程序指令之处理器的形式及/或熟习此项技术者可能会想到的其他形式。操作逻辑可包括数字电路、模拟电路或此等两种电路的混合组合。在一实施例中，操作逻辑包括可程序化微控制器或微处理器，其可包括经布置以执行内存（未图标）中所储存的软件及/或韧体的一或多个处理单元。内存可包括一或多种类型，包括半导体、磁性及/或光学变体，及/或内存可为挥发性及/或非挥发性变体。在一实施例中，内存储存操作逻辑的程序指令。或者或另外地，内存可储存由操作逻辑操纵的数据。在一布置中，操作逻辑及内存包括于用于管理及控制量测系统514的操作态样的操作逻辑的控制器/处理器形式中，以及包括于计量工具510的其他部件中（例如，对象定位系统600、装置602等），尽管在其他布置中，操作逻辑及内存可为独立的。
充分详尽地描述以下实施例，以使得熟习此项技术者能够制造及使用本发明。应理解，基于本揭示内容，其他实施例将显而易见，且可在不偏离权利要求书中所界定的本发明的范畴的情况下进行制程或机械修改。在以下描述中，提供许多特定详情，以便提供对本发明的详尽理解。然而，显而易见的是，本发明可在并无此等特定详情的情况下实施。为避免模糊本发明，并未详尽揭示一些熟知系统配置及制程步骤。同样地，展示系统的实施例的图式为示意性的且并未按比例绘制，且特定言之，一些尺寸系出于清楚呈现之目的，且图式中大幅夸示了一些尺寸。另外，在揭示及描述具有一些共同特征的多个实施例时，出于清楚且简洁地说明、描述及其组合的目的，通常将彼此类似或相同的特征描述为相同组件符号。
Claims (25)
1.一种方法，其包括：
判定在对象内的量测点处依据该对象内深度的该对象的组成；以及
基于该判定，定量估计该对象与该量测点相邻的区域内该对象的至少一个特性。
2.如权利要求1所述的方法，其进一步包括判定该对象内复数个离散量测点处依据该对象内深度的该对象的该组成。
3.如权利要求2所述的方法，其进一步包括基于该判定，定量估计该对象与该复数个量测点相邻的区域内该对象的至少一个特性。
4.如权利要求1所述的方法，其中该对象包括基板。
5.如权利要求4所述的方法，其中该对象包括安置于该基板上的至少一层。
6.如权利要求5所述的方法，其中该至少一层为磊晶层。
7.如权利要求1所述的方法，其中判定该量测点处依据该对象内深度的该对象的该组成包括：
获得该对象的样本；以及
分析该样本的该组成。
8.如权利要求7所述的方法，其中判定该量测点处依据该对象内深度的该对象的该组成进一步包括：
自该对象内的不同深度获得复数个离散样本；以及
分析该复数个离散样本中的至少两者的该组成。
9.如权利要求7所述的方法，其中获得该对象的该样本包括将雷射能量脉冲导向该对象上。
10.如权利要求7所述的方法，其中移除该对象的该部分包括在曝露于介于0.1atm至5atm之间的压力时移除该对象的该部分。
11.如权利要求7所述的方法，其中分析该对象的该移除部分的该组成包括藉由质谱法（MS）分析该组成。
12.如权利要求7所述的方法，其进一步包括判定该对象内借以获得该样本的至少一部分处的深度。
13.如权利要求1所述的方法，其中定量估计该至少一个特性包括定量估计选自由以下各者组成的群组的至少一个特性：该对象的组成、该对象的电学特性、该对象的光学特性、该对象的热特性、该对象的机械特性及该对象的磁特性。
14.一种监测制造制程的方法，该制造制程由包括至少一个制程设备的制造系统实施，该方法包括：
判定在对象内的量测点处依据该对象内深度的该对象的组成；
基于该判定，定量估计该对象与该量测点相邻的区域内该对象的至少一个特性；
基于该定量估计来生成区域特性数据；以及
将估计出的该特性数据提供至控制器，该控制器耦接至经配置以制造该对象或修改该对象的该制造系统的制程设备。
15.如权利要求14所述的方法，其中该对象具有至少50mm的最大尺寸。
16.如权利要求14所述的方法，其中该对象具有至少150mm的最大尺寸。
17.如权利要求14所述的方法，其中该判定系于该制造系统的制程设备外部执行。
18.如权利要求17所述的方法，其进一步包括在判定该对象的该组成之前，自该制造系统的第一制程设备接收该对象，其中该第一制程设备经配置以制造该对象。
19.如权利要求18所述的方法，其进一步包括在判定该对象的该组成之后，将该对象传送至该制造系统的第二制程设备，其中该第二制程设备经配置以修改该对象。
20.如权利要求14所述的方法，其中提供估计出的该特性数据报括将估计出的该特性数据提供至耦接到经配置以制造该对象的该制造系统的制程设备的控制器，其中该制程设备为有机金属化学气相沈积设备。
21.一种方法，其包括：
提供计量工具，该计量工具包括：
量测区域，对象至少部分地安置于内；
控制器，其经配置以指定该量测区域内的一区作为量测点；以及
量测系统，其耦接至该控制器，其中该量测系统经配置以执行占据该量测点的材料的组成分析；
将对象的至少一部分安置于该量测区域内，其中该对象包括特征；
将该特征与该量测区域内该量测点的位置相对于彼此对准；以及
执行占据该量测点的已安置的该对象的该部分的组成分析。
22.如权利要求21所述的方法，其中该控制器经配置以指定该量测区域内复数个离散量测点，其中该方法进一步包括：
将该特征相对于该量测系统对准，使得已安置的该对象的一部分占据量测点；以及
执行已占据的该量测点处的已安置的该对象的部分的组成分析。
23.如权利要求22所述的方法，其中执行该组成分析包括判定已占据的该量测点处、依据该对象内深度的已安置的该对象的该部分的组成。
24.如权利要求23所述的方法，其进一步包括基于该判定来定量估计该对象的一部分的至少一个特性。
25.如权利要求21所述的方法，其中将该特征与该量测点的位置相对于彼此对准包括选自由以下各者组成的群组的至少一者：调整该对象的位置、调整该量测系统的位置以及调整该量测区域内该量测点的空间位置。
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