KR101928356B1 - 반도체 제조 장치 - Google Patents

반도체 제조 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101928356B1
KR101928356B1 KR1020120015984A KR20120015984A KR101928356B1 KR 101928356 B1 KR101928356 B1 KR 101928356B1 KR 1020120015984 A KR1020120015984 A KR 1020120015984A KR 20120015984 A KR20120015984 A KR 20120015984A KR 101928356 B1 KR101928356 B1 KR 101928356B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
carrier body
pocket
inner bottom
extending
wafer
Prior art date
Application number
KR1020120015984A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130094601A (ko
Inventor
성기범
이조영
김만중
안창근
김정현
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020120015984A priority Critical patent/KR101928356B1/ko
Priority to US13/760,424 priority patent/US9418885B2/en
Priority to EP13155303.4A priority patent/EP2629327B1/en
Priority to JP2013027764A priority patent/JP6126405B2/ja
Priority to CN201310052623.9A priority patent/CN103255393B/zh
Publication of KR20130094601A publication Critical patent/KR20130094601A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101928356B1 publication Critical patent/KR101928356B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C13/00—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles
    • B05C13/02—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles for particular articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate

Abstract

실시예의 반도체 제조 장치는 피증착체가 탑재되는 적어도 하나의 포켓 및 적어도 하나의 포켓이 탈착되는 삽입 공간을 갖는 캐리어 몸체를 포함한다. 그러므로, 공정 시간을 단축시키고 공정 비용을 절감시킬 수 있을 뿐만 아니라, 웨이퍼 캐리어 상에서 포켓의 위치별로 각 포켓이 다른 구조를 갖도록 구현할 수 있기 때문에 포켓의 위치에 무관하게 웨이퍼의 표면에 물질을 균일하게 성장시키는 데 기여할 수도 있다.

Description

반도체 제조 장치{Apparatus for manufacturing semiconductor}
실시예는 반도체 제조 장치에 관한 것이다.
도 1은 일반적인 반도체 제조 장치의 단면도를 나타낸다.
도 1을 참조하면, 반도체 제조장치(100)는 소스(source)(110), 반응 챔버(120), 웨이퍼 캐리어(wafer carrier)(또는, 서셉터(susceptor))(130), 회전축(150), 히터(heater) 등의 가열 수단(160), 슈라우드(shroud)(170)를 포함한다.
웨이퍼 캐리어(130)는 반응 챔버(120) 내에 배치되어, 상측에 적어도 하나의 포켓(140)을 포함한다. 포켓(140)에는 웨이퍼(미도시)가 로딩되며, 회전축(150)은 웨이퍼 캐리어(130)의 하부에 축 결합되어 웨이퍼 캐리어(130)를 회전시킨다.
가열 수단(160)은 웨이퍼 캐리어(130)의 하부 및 반응 챔버(120) 내부를 소정 온도로 가열한다. 슈라우드(170)는 소스(110)로부터의 소스 물질 등을 반응 챔버(120)로 공급하는 역할을 한다.
전술한 구성에 의해, 반응 챔버(120) 내로 유입되는 소스 물질의 화학 반응에 의해 웨이퍼(미도시)의 표면에 반도체 박막이나 절연막 등이 성장될 수 있다.
예를 들어, 반도체 제조장치(100)는 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법, 분자 빔 에피텍시법(MBE:Molecular Beam Epitaxy)법, 화학 기상 증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)법을 이용하여 웨이퍼의 표면에 질화 갈륨계 반도체 발광소자, 고 전자 이동도 트랜지스터(HEMT:High Electron Mobility Transistor), 전계 효과 트랜지스터(FET:Field Effect Transistor), 레이저 다이오드 등의 소자를 성장할 수 있다.
웨이퍼 캐리어(130)는 카본(Carbon) 또는 알루미늄 나이트 라이드(AlN:Aluminium Nitride) 재질로 제작되며, 웨이퍼 캐리어(130)의 표면 및 포켓(140) 내에서 웨이퍼와 접촉되는 면은 실리콘 카바이드(SiC:Silicon Carbide), 카본(Carbon), 또는 알루미늄 나이트 라이드 막으로 코팅할 수 있다. 여기서, 웨이퍼 캐리어(130)의 표면에 실리콘 카바이드 또는 알루미늄 나이트라이드 막을 코팅함으로써, 불산을 이용한 화학적 세정 또는 열 세척(thermal cleaning)에 의해 카본 재질의 웨이퍼 캐리어(130)가 손상되는 것을 방지하고 특성 저하를 방지할 수 있다.
한편, 전술한 바와 같은 반도체 제조 장치(100)에서 포켓(140)은 웨이퍼 캐리어(130)의 몸체와 일체형으로 형성되어 분리되지 않는다. 이로 인해, 복수 개의 포켓(140) 중에서 하나의 포켓만이 훼손된다고 하더라도 웨이퍼 캐리어(140) 전체를 교체해야 하는 문제점이 발생한다.
또한, 웨이퍼 캐리어(130)상에 위치한 복수의 포켓(140)은 그의 위치에 따라 다른 온도로 가열된다. 그럼에도 불구하고, 복수의 포켓(140)은 모두 동일한 형상을 가지므로, 포켓(140)의 위치에 따라 웨이퍼의 표면에 물질이 균일하게 성장될 수 없다.
실시예는 포켓을 웨이퍼 캐리어로부터 탈착 가능할 뿐만 아니라 포켓별로 다양한 형상을 갖는 반도체 제조 장치를 제공한다.
실시에의 반도체 제조 장치는, 피증착체가 탑재되는 적어도 하나의 포켓 및 상기 적어도 하나의 포켓이 탈착되는 삽입 공간을 갖는 캐리어 몸체를 포함한다.
또한, 상기 적어도 하나의 포켓은 복수의 포켓을 포함하고, 상기 복수의 포켓 각각이 상기 캐리어 몸체에 삽입되는 깊이는 상기 복수의 포켓별로 다르거나 동일할 수 있다.
또한, 상기 삽입 공간은 상기 캐리어 몸체를 관통하는 홀 형태 또는 상기 캐리어 몸체의 상부면이 파여진 홈 형태일 수 있다.
또한, 상기 적어도 하나의 포켓은 전면에서 상기 피증착체를 지지하는 전면 지지부; 및 배면에서 상기 캐리어 몸체와 결합되는 배면 결합부를 포함하고, 상기 캐리어 몸체와 상기 배면 결합부는 서로 결합 가능한 형태를 가질 수 있다.
또한, 상기 전면 지지부는 상기 적어도 하나의 포켓이 상기 캐리어 몸체에 삽입되는 제1 방향으로 연장되는 제1 내측면; 상기 제1 내측면으로부터 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 연장되며, 상기 피증착체의 테두리 부분이 얹혀지는 제1 내저면; 및 상기 제1 내저면으로부터 상기 제1 방향으로 연장되는 제2 내측면을 포함한다. 상기 전면 지지부는 상기 제2 내측면으로부터 상기 제2 방향으로 연장되며, 상기 적어도 하나의 포켓의 바닥에 해당하는 제2 내저면을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 및 제2 내저면 중 적어도 하나는 상기 피증착체를 향하여 볼록하거나, 오목하거나, 적어도 하나의 단차면을 가질 수 있다.
또한, 상기 배면 결합부는 상기 제1 내측면의 반대측에서 상기 제1 방향으로 연장되는 제1 외측면; 상기 제1 내저면의 반대측에서 상기 제1 외측면으로부터 상기 제2 방향으로 연장되는 제1 외저면; 및 상기 제2 내측면의 반대측에서 상기 제1 외저면으로부터 상기 제1 방향으로 연장되는 제2 외측면을 포함할 수 있다. 상기 배면 결합부는 상기 제2 내저면의 반대측에서 상기 제2 외측면으로부터 상기 제2 방향으로 연장되는 제2 외저면을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 캐리어 몸체는 상기 제1 외측면과 마주하며 상기 제1 방향으로 연장되는 제3 내측면; 상기 제1 외저면과 마주하며 상기 제3 내측면으로부터 상기 제2 방향으로 연장되는 제3 내저면; 및 상기 제2 외측면과 마주하며 상기 제3 내저면으로부터 상기 제1 방향으로 연장되는 제4 내측면을 포함할 수 있다. 상기 캐리어 몸체는 상기 제2 외저면과 마주하며 상기 제4 내측면으로부터 상기 제2 방향으로 연장되는 제4 내저면을 더 포함할 수 있다. 상기 제4 내저면은 상기 피증착체를 향하여 볼록하거나 오목하거나 적어도 하나의 단차를 가질 수 있다. 또한, 상기 캐리어 몸체는 상기 제4 내저면의 반대측의 제3 외저면을 더 포함하고, 상기 제3 외저면은 적어도 하나의 단차를 가질 수 있다.
또한, 상기 포켓은 상기 제1 외저면으로부터 상기 캐리어 몸체의 상기 제3 내저면을 향하여 돌출된 지지 돌기를 포함하고, 상기 캐리어 몸체는 상기 포켓의 상기 지지 돌기가 삽입되도록 상기 제3 내저면에 형성된 지지 홈을 포함할 수 있다.
또한, 상기 배면 결합부는 수나사 형태의 외측벽을 갖고, 상기 캐리어 몸체는 암나사의 형태로 파여진 내측벽을 갖고, 상기 배면 결합부와 상기 캐리어 몸체는 상기 수나사와 상기 암나사가 맞물리는 형태로 결합될 수 있다. 상기 적어도 하나의 포켓의 상부 가장 자리 면에 눈금이 형성되고, 상기 상부 가장 자리 면에 인접하는 상기 캐리어 몸체의 상부 가장 자리에 적어도 하나의 인디케이터가 형성될 수 있다.
또한, 상기 배면 결합부는 상기 적어도 하나의 포켓이 상기 캐리어 몸체에 삽입되는 제1 방향과 다른 제2 방향으로 돌출된 결합 돌기를 갖고, 상기 캐리어 몸체는 상기 적어도 하나의 포켓을 상기 제1 방향으로 가압할 때 상기 결합 돌기가 걸리기에 적합한 적어도 하나의 결합 홈을 가질 수 있다. 또한, 상기 적어도 하나의 결합 홈은 일정 간격으로 서로 이격된 복수 개의 결합 홈을 가질 수 있다. 또한, 상기 배면 결합부의 외측벽에는 상기 적어도 하나의 포켓이 상기 패키지 몸체에 삽입된 깊이를 표시하는 눈금이 형성되어 있을 수 있다.
실시예에 따른 반도체 제조 장치는 포켓을 웨이퍼로부터 탈착시킬 수 있으므로, 어느 포켓이 훼손될 경우 훼손된 포켓을 포함하는 웨이퍼 캐리어 전체를 교체할 필요없이 훼손된 그 포켓만을 손쉽게 교체 가능할 수 있어 공정 시간을 단축시키고 공정 비용을 절감시킬 수 있을 뿐만 아니라, 웨이퍼 캐리어 상에서 포켓의 위치별로 각 포켓이 다른 구조를 갖도록 구현할 수 있기 때문에 포켓의 위치에 무관하게 웨이퍼의 표면에 물질을 균일하게 성장시키는 데 기여할 수도 있다.
도 1은 일반적인 반도체 제조 장치의 단면도를 나타낸다.
도 2a 및 도 2b는 실시예에 의한 웨이퍼 캐리어의 평면도를 나타낸다.
도 3은 실시예에 따라, 도 2a 또는 도 2b에 도시된 포켓 및 캐리어 몸체를 A-A'선을 따라 절개한 단면의 부분 분해도를 나타낸다.
도 4는 다른 실시예에 따른 도 2a 또는 도 2b에 도시된 포켓 및 캐리어 몸체를 A-A'선을 따라 절개한 부분 분해 단면도를 나타낸다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 도 2a 또는 도 2b에 도시된 포켓 및 캐리어 몸체를 A-A'선을 따라 절개한 부분 분해 단면도를 나타낸다.
도 6은 또 다른 실시예에 따른 도 2a 또는 도 2b에 도시된 포켓 및 캐리어 몸체를 A-A'선을 따라 절개한 부분 분해 단면도를 나타낸다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 도 2a 또는 도 2b에 도시된 포켓 및 캐리어 몸체를 A-A'선을 따라 절개한 부분 분해 단면도를 나타낸다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 도 2a 또는 도 2b에 도시된 포켓 및 캐리어 몸체를 A-A'선을 따라 절개한 부분 분해 단면도를 나타낸다.
도 9는 또 다른 실시예에 따른 도 2a 또는 도 2b에 도시된 포켓 및 캐리어 몸체를 A-A'선을 따라 절개한 부분 분해 단면도를 나타낸다.
도 10은 도 9에 도시된 포켓의 평면도를 개략적으로 나타낸다.
도 11은 또 다른 실시예에 따른 도 2a 또는 도 2b에 도시된 포켓 및 캐리어 몸체를 A-A'선을 따라 절개한 부분 분해 단면도를 나타낸다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
실시예에서, 포켓에 탑재되는 피증착체는 웨이퍼인 것으로 가정하여 설명하지만, 실시예의 포켓은 이에 국한되지 않고 다양한 형태의 피증착체를 탑재할 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 실시예에 의한 웨이퍼 캐리어(또는, 서셉터)(200A, 200B)의 평면도를 나타낸다.
웨이퍼 캐리어(200A, 200B)의 캐리어 몸체(400)의 표면에는 웨이퍼 캐리어(200A, 200B)의 센터를 기준으로 도 2a에 도시된 바와 같이 동심원 형태로 1열 포켓(300) 또는 도 2b에 도시된 바와 같이 동심원 형태로 2열 포켓(300)이 형성될 수 있다. 여기서, 본 실시예는 웨이퍼 캐리어(200A, 200B) 상에 포켓(300)이 배열된 형태, 각 포켓의 모양 및 포켓의 개수에 국한되지 않는다.
즉, 포켓(300)은 동심원 형태의 1열 또는 2열이 아닌 다른 모습으로 캐리어 몸체(400) 상에 배열될 수 있다. 또한, 각 포켓(300)에 탑재되는 피증착체인 웨이퍼의 크기 또는 반응 챔버의 용량에 따라 1개 내지 50개의 포켓 또는 그 이상의 포켓이 웨이퍼 캐리어(200A, 200B) 상에 형성될 수 있다. 또한, 포켓(300)은 원 형태로 형성되거나 원 형태의 일단이 커팅된 플랫 구조로 형성될 수도 있다.
웨이퍼 캐리어(200A, 200B)의 하부의 중심에는 축 결합홈(미도시)이 형성되어 있어, 예를 들면 도 1에 도시된 바와 같은 회전축(150)이 결합될 수 있다. 즉, 도 2a 및 도 2b에 도시된 웨이퍼 캐리어(200A, 200B)는 도 1에 도시된 웨이퍼 캐리어(130) 같이 챔버(120) 내에 배치될 수 있지만 본 실시예는 이에 국한되지 않는다.
실시예에 의하면, 캐리어 몸체(400)는 포켓(300)의 개수만큼의 삽입 공간을 갖고, 각 삽입 공간은 포켓(300)이 탈착 가능한 구조를 갖는다.
이하, 실시예에 의한 포켓(300) 및 캐리어 몸체(400)에 대해 첨부된 도면을 참조하여 다음과 같이 설명한다.
도 3은 실시예에 따라, 도 2a 또는 도 2b에 도시된 포켓(300) 및 캐리어 몸체(400)를 A-A'선을 따라 절개한 단면의 부분 분해도를 나타낸다.
도 3을 참조하면, 실시예에 의한 포켓(300)은 전면 지지부(310) 및 배면 결합부(320)를 포함한다.
전면 지지부(310)는 웨이퍼(500)를 지지하는 역할을 하며, 제1 내측면(inner side surface)(312), 제1 내저면(inner bottom surface)(314), 제2 내측면(316) 및 제2 내저면(318)을 포함한다.
제1 내측면(312)은 포켓(300)이 캐리어 몸체(400)에 삽입되는 제1 방향으로 연장된다. 제1 내저면(314)은 제1 방향과 다른 제2 방향으로 제1 내측면(312)으로부터 연장되며, 웨이퍼(500)의 테두리 부분(502)이 얹혀진다. 웨이퍼(500)가 화살표 방향(602)으로 포켓(300)에 탑재될 때, 웨이퍼(500)의 테두리 부분(502)은 제1 내저면(314)에 얹혀지고, 웨이퍼(500)의 선단(504)과 제1 내측면(312) 사이에 형성되는 이격 거리(d1)는 '0' 이상일 수 있다. 여기서, 제1 방향과 제2 방향은 직각일 수도 있다.
제2 내측면(316)은 제1 내저면(314)으로부터 제3 방향으로 연장된다. 이때, 제3 방향은 제1 방향과 동일할 수 있으나 이에 국한되지 않는다.
제2 내저면(318)은 제2 내측면(316)으로부터 제4 방향으로 연장되며, 포켓(300)의 바닥에 해당한다. 여기서, 제4 방향은 제2 방향과 동일할 수 있으나 이에 국한되지 않는다.
또한, 미도시 되었으나, 웨이퍼(500)와 포켓(300)을 고정시키는 제1 고정부(미도시), 또는 포켓(300)과 캐리어 몸체(400)를 고정시키는 제2 고정부(미도시), 또는 웨이퍼(500), 포켓(300) 및 캐리어 몸체(400)를 동시에 고정시키는 제3 고정부(미도시)를 더 포함할 수 있다.
도 4 내지 도 9 및 도 11은 다른 실시예에 따른 도 2a 또는 도 2b에 도시된 포켓(300) 및 캐리어 몸체(400)를 A-A'선을 따라 절개한 부분 분해 단면도를 나타낸다.
다른 실시예에 의하면, 도 3에 도시된 제2 내저면(318)은 생략될 수도 있다. 즉, 도 4 또는 도 8에 도시된 바와 같이 포켓(300)은 바닥을 갖지 않는 홀 모양으로 구현될 수도 있다.
또한, 제1 및 제2 내저면(314, 318) 중 적어도 하나는 웨이퍼(500)를 향하여 볼록하거나 오목한 모양을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 내저면(318)은 도 5에 도시된 바와 같이 웨이퍼(500)를 향하여 볼록한 모양을 가질 수도 있고, 도 6에 도시된 바와 같이 웨이퍼(500)를 향하여 오목한 모양을 가질 수도 있다.
또한, 제1 및 제2 내저면(314, 318) 중 적어도 하나는 적어도 하나의 단차면을 가질 수도 있다. 예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이 제2 내저면(318)의 가장 자리에 홈(340)이 형성될 경우, 제2 내저면(318)의 가장 자리의 면(342)은 제2 내저면(318)의 중앙 부분과 단차를 갖는다. 또한, 제1 및 제2 내저면(314, 318) 중 적어도 하나는 경사진 형태를 가질 수도 있다.
이와 같이, 제1 및 제2 내저면(314, 318) 중 적어도 하나의 형태를 다양하게 하는 이유는, 웨이퍼(500)가 성장하는 동안 예를 들면 도 1에 도시된 가열 수단(160)에 의해 가열될 때, 웨이퍼(500)의 가장 자리와 중앙 부분의 온도가 다르기 때문에, 이러한 온도를 균일하게 하기 위함이다.
한편, 도 3을 참조하면 포켓(300)의 배면 결합부(320)는 포켓(300)의 배면에서 캐리어 몸체(400)와 결합한다. 이를 위해, 배면 결합부(320)와 캐리어 몸체(400)는 서로 결합 가능한 형태를 갖는다.
실시예에 의하면, 배면 결합부(320)는 제1 외측면(outer side surface)(322), 제1 외저면(outer bottom surface)(324), 제2 외측면(326) 및 제2 외저면(328)을 포함한다.
제1 외측면(322)은 제1 내측면(312)의 반대측에서 제5 방향으로 연장된다. 여기서, 제5 방향은 제1 방향과 동일할 수 있다.
제1 외저면(324)은 제1 내저면(314)의 반대측에서 제1 외측면(322)으로부터 제5 방향과 다른 제6 방향으로 연장된다. 제6 방향은 제2 방향과 동일할 수 있다.
제2 외측면(326)은 제2 내측면(316)의 반대측에서 제1 외저면(324)으로부터 제7 방향으로 연장된다. 제7 방향은 제1 방향과 동일할 수 있다.
제2 외저면(328)은 제2 내저면(318)의 반대측에서 제2 외측면(326)으로부터 제8 방향으로 연장된다. 제8 방향은 제2 방향과 동일할 수 있다.
만일, 전면 지지부(310)가 제2 내저면(318)을 생략한다면, 배면 결합부(320) 역시 제2 외저면(328)을 도 4 또는 도 8에 도시된 바와 같이 생략할 수 있다.
한편, 도 3을 참조하면, 캐리어 몸체(400)는 제3 내측면(412), 제3 내저면(414), 제4 내측면(416), 제4 내저면(420) 및 제3 외저면(440)을 포함할 수 있다.
제3 내측면(412)은 제1 외측면(322)과 마주하며 제9 방향으로 연장된다. 제9 방향은 제1 방향일 수 있다.
제3 내저면(414)은 제1 외저면(324)과 마주하며 제3 내측면(412)으로부터 제10 방향으로 연장된다. 제10 방향은 제2 방향일 수 있다.
제4 내측면(416)은 제2 외측면(326)과 마주하며 제3 내저면(414)으로부터 제11 방향으로 연장된다. 제11 방향은 제1 방향일 수 있다.
예를 들어, 포켓(300)을 캐리어 몸체(400)에 화살표 방향(604)으로 가압하여, 캐리어 몸체(400)의 삽입 공간(402)에 포켓(300)을 끼울 때, 제3 내측면(412)과 제1 외측면(322) 사이의 이격 거리(d2)는 '0' 이상일 수 있고, 제4 내측면(416)과 제2 외측면(326) 사이의 이격 거리(d3)는 '0' 이상일 수 있다.
제4 내저면(420)은 제2 외저면(328)과 마주하며 제4 내측면(416)으로부터 제12 방향으로 연장된다. 제12 방향은 제2 방향일 수 있다.
제3 및 제4 내저면(414, 420) 중 적어도 하나는 도 3에 도시된 바와 같이 평평한 모양일 수 있으나, 볼록하거나 오목하거나 적어도 하나의 단차면을 가질 수도 있다. 예를 들어, 제4 내저면(420)은 도 4에 도시된 바와 같이 웨이퍼(500)를 향하여 볼록한 모양일 수도 있다. 또는, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 달리, 제4 내저면(420)은 웨이퍼(500)를 향하여 오목한 모양일 수도 있다.
또한, 제3 외저면(440)은 제4 내저면(420)의 반대측에 위치하며, 적어도 하나의 단차를 가질 수도 있다. 예를 들어, 제3 외저면(440)은 도 6에 도시된 바와 같은 단차를 가질 수 있다.
또한, 전술한 포켓(300)이 삽입될 공간(402)은 캐리어 몸체(400)의 상부면에 파여진 홈 형태일 수 있다. 이 경우, 도 3, 도 4 또는 도 6에 도시된 바와 같이 캐리어 몸체(400)는 제4 내저면(420) 및 제3 외저면(440)을 갖는다.
그러나, 삽입 공간(402)은 캐리어 몸체(400)를 관통하는 홀 형태를 가질 수 있다. 이 경우, 도 5, 7, 8, 9 또는 11에 도시된 바와 같이 캐리어 몸체(400)에서 제4 내저면(420) 및 제3 외저면(440)은 생략된다.
이와 같이, 캐리어 몸체(400)의 제3 내저면(414), 제4 내저면(420) 및 제3 외저면(440) 중 적어도 하나의 형태를 다양하게 하는 이유는, 웨이퍼(500)가 성장하는 동안 예를 들면 도 1에 도시된 가열 수단(160)에 의해 가열될 때, 웨이퍼(500)의 가장 자리와 중앙 부분의 온도가 다르기 때문에, 이러한 온도를 균일하게 하기 위함이다.
또한, 제2 외측면(326)의 제1 높이(h1)는 '0' 이상일 수 있다. 만일, 제1 높이(h1)가 '0'인 경우, 웨이퍼(500)는 제1 및 제2 내저면(314, 318) 상에 얹혀진다.
또한, 제2 외측면(326)의 제1 높이(h1)는 제4 내측면(416)의 제2 높이(h2)와 동일할 수도 있고, 제4 내측면(416)의 제2 높이(h2) 보다 작을 수도 있다. 예를 들어, 제1 높이(h1)가 제2 높이(h2)보다 작아질 수록, 포켓(300)의 중앙 부근의 온도는 점점 낮아진다.
또한, 제1 외측면(322)의 제3 높이(h3)와 제3 내측면(412)의 제4 높이(h4)는 서로 동일할 수도 있고 다를 수도 있다.
또한, 도 2a 또는 도 2b에 도시된 바와 같이 웨이퍼 캐리어(200A, 200B)가 복수의 포켓(300)을 가질 경우, 캐리어 몸체(400)에 포켓(300)이 삽입되는 깊이는 복수의 포켓(300)별로 동일하거나 다를 수 있다. 즉, 제1 높이(h1)와 제2 높이(h2) 간의 차이(Δh1) 및 제3 높이(h3)와 제4 높이(h4) 간의 차이(Δh2) 중 적어도 하나는 복수의 포켓(300) 별로 동일하거나 다를 수 있다.
이와 같이, 제1 내지 제4 높이(h1 내지 h4)를 다양하게 하는 이유는, 웨이퍼(500)가 성장하는 동안 예를 들면 도 1에 도시된 가열 수단(160)에 의해 가열될 때, 웨이퍼(500)의 가장 자리와 중앙 부분의 온도가 다르기 때문에, 이러한 온도를 균일하게 하기 위함이다. 또한, 도 3에 도시된 포켓(300)의 바닥의 두께(t1) 및 캐리어 몸체(400)의 바닥의 두께(t2)를 조절하여 웨이퍼(500)의 가장 자리와 중앙 간의 온도 차를 보상할 수도 있다.
한편, 전술한 포켓(300)이 캐리어 몸체(400)와 결합 후, 웨이퍼 캐리어(200A, 200B)가 회전할 때의 원심력에 의해 포켓(300)이 캐리어 몸체(400)로부터 이탈할 수도 있다. 이를 방지하기 위해, 포켓(300)은 지지 돌기를 더 포함하고, 캐리어 몸체(400)는 지지 홈을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 도 8에 도시된 바와 같이, 포켓(300)의 지지 돌기(330)는 캐리어 몸체(400)의 제3 내저면(414)을 향하여 제1 외저면(324)으로부터 돌출되어 형성될 수 있다. 이 경우, 지지 홈(430)은 포켓(300)의 지지 돌기(330)가 삽입되도록 제3 내저면(414)에 형성될 수 있다. 이와 같이, 지지 돌기(330)가 지지 홈(430)에 삽입됨으로 인해, 웨이퍼 캐리어(200A, 200B)의 회전시 원심력이 있다고 하더라도 포켓(300)은 캐리어 몸체(400)로부터 이탈되거나 유격됨이 없이 안정되게 고정될 수 있다.
다른 실시예에 의하면, 도시되지는 않았지만, 포켓(300)의 지지 돌기(미도시)는 캐리어 몸체(400)의 제3 내측면(412)을 향하여 제1 외측면(322)으로부터 돌출되어 형성될 수 있다. 이 경우, 지지 홈(미도시)은 포켓(300)의 지지 돌기가 삽입되도록 제3 내측면(412)에 형성될 수 있다.
한편, 전술한 도 3 내지 도 8에서, 배면 결합부(320)와 캐리어 몸체의 내측벽(410)은 구부러진 형상에 의해 서로 결합되었다. 그러나, 이에 국한되지 않고 포켓(300)은 다양한 형태로 캐리어 몸체(400)에 탈착될 수 있다.
실시예에 의하면, 원형 모양의 포켓(300)의 외측벽은 수나사의 형태를 갖고, 캐리어 몸체(400)의 내측벽은 암나사의 형태를 갖도록 구현될 수 있다.
예를 들어, 도 9를 참조하면, 포켓(300)의 배면 결합부는 수나사 형태로 파여진 외측벽(352)를 갖고, 캐리어 몸체(400)는 암나사의 형태로 파여진 내측벽(450)을 갖는다. 따라서, 배면 결합부(350)의 외측벽(352)과 캐리어 몸체(400)의 내측벽(450)은 수나사와 암나사가 결합되는 방식으로 결합될 수 있다.
또한, 배면 결합부(350)의 외측벽(352)와 캐리어 몸체(400)의 내측벽(450)은 나사의 형태에 국한되지 않는다. 예를 들어, 외측벽(352)와 내측벽(450)은 오른나사 형태 또는 왼나사 형태 등 다양한 형태로 구현될 수 있음은 물론이다.
도 10은 도 9에 도시된 포켓(300)의 평면도를 개략적으로 나타낸다.
도 10을 참조하면, 포켓(300)의 상부 가장 자리 면(311)에 적어도 하나의 눈금(302)이 형성되고, 포켓(300)의 상부 가장 자리 면(311)에 인접하는 캐리어 몸체(400)의 상부 가장 자리에 적어도 하나의 인디케이터(402)가 형성될 수 있다. 따라서, 수나사 형태의 포켓(300)을 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전시켜 암나사 형태의 캐리어 몸체(400)에 끼울 때, 인디케이터(402)를 기준으로 눈금(302)을 보면, 포켓(300)이 회전한 정도 즉, 포켓(300)이 캐리어 몸체(400)에 삽입된 깊이를 가늠할 수 있다. 이를 위해, 눈금(302) 중 하나에는 '0'의 숫자가 표시될 수 있다.
한편, 도 11을 참조하면, 포켓(300)의 배면 결합부는 결합 돌기(360)를 갖고, 캐리어 몸체(400)는 적어도 하나의 결합 홈(460)을 가질 수도 있다. 따라서, 적어도 하나의 포켓(300)을 제1 방향으로 가압할 때, 결합 돌기(360)가 결합 홈(460)에 걸림으로써, 포켓(300)은 패키지 몸체(400)에 결합될 수 있다.
포켓(300)의 결합 돌기(360)는 포켓(300)이 캐리어 몸체(400)에 삽입되는 제1 방향과 다른 제2 방향으로 돌출되어 있다. 적어도 하나의 결합 홈(460)은 포켓(300)의 결합 돌기(360)가 걸리기에 적합한 형태로서 캐리어 몸체(400)의 내측벽에 형성되어 있다.
예를 들어, 적어도 하나의 결합 홈(460)은 일정 간격으로 서로 이격된 복수 개일 수 있다. 도 11의 경우, 제1 내지 제3 결합 홈(462 내지 466)이 서로 일정한 간격으로 형성되어 있다.
이때, 포켓(300)의 배면 결합부의 외측벽에는 포켓(300)이 패키지 몸체(400)에 삽입된 깊이를 측정하는데 도움을 주는 눈금(370)이 형성될 수 있다. 즉, 결합 돌기(360)가 캐리어 몸체(400)의 내측벽의 가장 상단에 위치한 제1 결합 홈(462)에 삽입될 때의 눈금 개수와 결합 돌기(360)가 제1 결합 홈(462)의 하부에 위치한 제2 결합 홈(464)에 삽입될 때의 눈금의 개수와 제3 결합 홈(466)에 삽입될 때의 눈금의 개수를 통해, 결합 돌기(360)가 다수개의 제1 내지 제3 결합 홈(462 내지 466) 중 어느 홈에 끼워졌는가를 가늠할 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 반도체 제조장치 110: 소스
120: 반응 챔버 130: 웨이퍼 캐리어
150; 회전축 160: 가열 수단
170: 슈라우드 200A, 200B: 웨이퍼 캐리어
302, 370: 눈금 310: 전면 지지부
312; 제1 내측면 314: 제1 내저면
316: 제2 내측면 318: 제2 내저면
320, 350: 배면 결합부 322: 제1 외측면
324: 제1 외저면 326: 제2 외측면
328: 제2 외저면 330: 지지 돌기
352: 외측벽 360, 462, 464, 466: 결합홈
402: 인디케이터 412: 제3 내측면
414: 제3 내저면 416: 제4 내측면
420: 제4 내저면 430: 지지 홈
440: 제3 외저면 450: 내측벽

Claims (25)

  1. 피증착체가 탑재되는 적어도 하나의 포켓; 및
    상기 적어도 하나의 포켓이 탈착되는 삽입 공간을 갖는 캐리어 몸체를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 포켓은
    전면에서 상기 피증착체를 지지하는 전면 지지부; 및
    배면에서 상기 캐리어 몸체와 결합되는 배면 결합부를 포함하고,
    상기 캐리어 몸체와 상기 배면 결합부는 서로 결합 가능한 형태를 갖고,
    상기 전면 지지부는
    상기 적어도 하나의 포켓이 상기 캐리어 몸체에 삽입되는 제1 방향으로 연장되는 제1 내측면;
    상기 제1 내측면으로부터 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 연장되며, 상기 피증착체의 테두리 부분이 얹혀지는 제1 내저면;
    상기 제1 내저면으로부터 상기 제1 방향으로 연장되는 제2 내측면; 및
    상기 제2 내측면으로부터 상기 제2 방향으로 연장되며, 상기 적어도 하나의 포켓의 바닥에 해당하는 제2 내저면을 포함하고,
    상기 배면 결합부는 수나사 형태의 외측벽을 갖고,
    상기 캐리어 몸체는 암나사의 형태로 파여진 내측벽을 갖고,
    상기 배면 결합부와 상기 캐리어 몸체는 상기 수나사와 상기 암나사가 맞물리는 형태로 결합되고, 상기 적어도 하나의 포켓의 상부 가장 자리 면에 눈금이 형성되고,
    상기 상부 가장 자리 면에 인접하는 상기 캐리어 몸체의 상부 가장 자리에 적어도 하나의 인디케이터가 형성되어 있는 반도체 제조 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1 항에 있어서, 상기 삽입 공간은 상기 캐리어 몸체를 관통하는 홀 형태를 갖고, 상기 삽입 공간은 상기 캐리어 몸체의 상부면이 파여진 홈 형태를 갖는 반도체 제조 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 내저면 중 적어도 하나는 상기 피증착체를 향하여 볼록하거나 오목한 모양을 갖고, 상기 제1 및 제2 내저면 중 적어도 하나는 적어도 하나의 단차면을 갖는 반도체 제조 장치.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제1 항에 있어서, 상기 배면 결합부는
    상기 제1 내측면의 반대측에서 상기 제1 방향으로 연장되는 제1 외측면;
    상기 제1 내저면의 반대측에서 상기 제1 외측면으로부터 상기 제2 방향으로 연장되는 제1 외저면;
    상기 제2 내측면의 반대측에서 상기 제1 외저면으로부터 상기 제1 방향으로 연장되는 제2 외측면; 및
    상기 제2 내저면의 반대측에서 상기 제2 외측면으로부터 상기 제2 방향으로 연장되는 제2 외저면을 포함하는 반도체 제조 장치.
  13. 삭제
  14. 제12 항에 있어서, 상기 캐리어 몸체는
    상기 제1 외측면과 마주하며 상기 제1 방향으로 연장되는 제3 내측면;
    상기 제1 외저면과 마주하며 상기 제3 내측면으로부터 상기 제2 방향으로 연장되는 제3 내저면;
    상기 제2 외측면과 마주하며 상기 제3 내저면으로부터 상기 제1 방향으로 연장되는 제4 내측면; 및
    상기 제2 외저면과 마주하며 상기 제4 내측면으로부터 상기 제2 방향으로 연장되는 제4 내저면을 포함하는 반도체 제조 장치.
  15. 삭제
  16. 제14 항에 있어서, 상기 제4 내저면은 상기 피증착체를 향하여 볼록하거나 오목한 모양을 갖고, 상기 제4 내저면은 적어도 하나의 단차를 갖는 반도체 제조 장치.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 제14 항에 있어서, 상기 캐리어 몸체는 상기 제4 내저면의 반대측의 제3 외저면을 더 포함하고, 상기 제3 외저면은 적어도 하나의 단차를 갖는 반도체 제조 장치.
  20. 제14 항에 있어서, 상기 포켓은 상기 제1 외저면으로부터 상기 캐리어 몸체의 상기 제3 내저면을 향하여 돌출된 지지 돌기를 포함하고,
    상기 캐리어 몸체는 상기 포켓의 상기 지지 돌기가 삽입되도록 상기 제3 내저면에 형성된 지지 홈을 포함하는 반도체 제조 장치.
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 삭제
KR1020120015984A 2012-02-16 2012-02-16 반도체 제조 장치 KR101928356B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120015984A KR101928356B1 (ko) 2012-02-16 2012-02-16 반도체 제조 장치
US13/760,424 US9418885B2 (en) 2012-02-16 2013-02-06 Semiconductor manufacturing apparatus
EP13155303.4A EP2629327B1 (en) 2012-02-16 2013-02-14 Semiconductor manufacturing apparatus
JP2013027764A JP6126405B2 (ja) 2012-02-16 2013-02-15 半導体製造装置
CN201310052623.9A CN103255393B (zh) 2012-02-16 2013-02-18 半导体制造设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120015984A KR101928356B1 (ko) 2012-02-16 2012-02-16 반도체 제조 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130094601A KR20130094601A (ko) 2013-08-26
KR101928356B1 true KR101928356B1 (ko) 2018-12-12

Family

ID=47722104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120015984A KR101928356B1 (ko) 2012-02-16 2012-02-16 반도체 제조 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9418885B2 (ko)
EP (1) EP2629327B1 (ko)
JP (1) JP6126405B2 (ko)
KR (1) KR101928356B1 (ko)
CN (1) CN103255393B (ko)

Families Citing this family (236)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
ITCO20130041A1 (it) * 2013-09-27 2015-03-28 Lpe Spa Suscettore con elemento di supporto
ITCO20130073A1 (it) * 2013-12-19 2015-06-20 Lpe Spa Camera di reazione di un reattore per crescite epitassiali adatta per l'uso con un dispositivo di carico/scarico e reattore
KR102181390B1 (ko) * 2014-02-07 2020-11-20 엘지이노텍 주식회사 반도체 제조 장치
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
JP6800022B2 (ja) 2014-07-03 2020-12-16 エルピーイー ソシエタ ペル アチオニ 基板を操作するためのツール、操作方法およびエピタキシャル反応器
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR101682776B1 (ko) * 2014-12-31 2016-12-05 주식회사 티씨케이 포켓 교체형 서셉터
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
KR102417931B1 (ko) * 2017-05-30 2022-07-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
CN109411401B (zh) * 2017-08-18 2020-12-25 上海新昇半导体科技有限公司 衬底支撑装置以及外延生长设备
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102540125B1 (ko) * 2017-08-30 2023-06-05 주성엔지니어링(주) 기판안치수단 및 기판처리장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
WO2019045340A1 (ko) * 2017-08-30 2019-03-07 주성엔지니어링(주) 기판안치수단 및 기판처리장치
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
WO2019142055A2 (en) 2018-01-19 2019-07-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TWI794475B (zh) * 2018-05-09 2023-03-01 德商索萊爾有限公司 用於接收多個基板以進行處理之保持裝置、處理系統及方法
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
CN114761615A (zh) * 2019-12-20 2022-07-15 苏州晶湛半导体有限公司 一种晶圆承载盘及化学气相淀积设备
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008034465A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Nisshinbo Ind Inc ウエハ固定装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7209297A (ko) * 1972-07-01 1974-01-03
US4512841A (en) * 1984-04-02 1985-04-23 International Business Machines Corporation RF Coupling techniques
JPH0828333B2 (ja) 1992-11-30 1996-03-21 株式会社半導体プロセス研究所 半導体装置の製造装置
IT1271233B (it) 1994-09-30 1997-05-27 Lpe Reattore epitassiale munito di suscettore discoidale piano ed avente flusso di gas parallelo ai substrati
US6001183A (en) * 1996-06-10 1999-12-14 Emcore Corporation Wafer carriers for epitaxial growth processes
JP2003004465A (ja) * 2001-06-27 2003-01-08 Kenwood Corp カーナビゲーション装置における気象情報の報知装置
US7270708B2 (en) 2001-11-30 2007-09-18 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Susceptor, vapor phase growth apparatus, epitaxial wafer manufacturing apparatus, epitaxial wafer manufacturing method, and epitaxial wafer
US20030114016A1 (en) * 2001-12-18 2003-06-19 Tischler Michael A. Wafer carrier for semiconductor process tool
JP2003197532A (ja) 2001-12-21 2003-07-11 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp エピタキシャル成長方法及びエピタキシャル成長用サセプター
JP4019998B2 (ja) * 2003-04-14 2007-12-12 信越半導体株式会社 サセプタ及び気相成長装置
JP4042618B2 (ja) * 2003-04-25 2008-02-06 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャルウエーハ製造方法
US9612215B2 (en) * 2004-07-22 2017-04-04 Toyo Tanso Co., Ltd. Susceptor
JP4490304B2 (ja) 2005-02-16 2010-06-23 株式会社ブリヂストン サセプタ
JP5169097B2 (ja) * 2007-09-14 2013-03-27 住友電気工業株式会社 半導体装置の製造装置および製造方法
JP5139105B2 (ja) * 2008-02-08 2013-02-06 大陽日酸株式会社 気相成長装置
JP2009270143A (ja) * 2008-05-02 2009-11-19 Nuflare Technology Inc サセプタ、半導体製造装置及び半導体製造方法
JP5215033B2 (ja) * 2008-05-09 2013-06-19 大陽日酸株式会社 気相成長方法
JP2009275255A (ja) * 2008-05-14 2009-11-26 Taiyo Nippon Sanso Corp 気相成長装置
US20100055318A1 (en) * 2008-08-29 2010-03-04 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with varying thermal resistance
JP5042966B2 (ja) * 2008-10-31 2012-10-03 シャープ株式会社 トレイ、気相成長装置及び気相成長方法
KR101046068B1 (ko) * 2008-11-27 2011-07-01 삼성엘이디 주식회사 화학 기상 증착 장치용 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상증착 장치
KR101149464B1 (ko) * 2009-07-07 2012-05-24 주식회사 그린플러스 비닐 하우스의 이중 필름 피복장치
JP5310512B2 (ja) * 2009-12-02 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US9650726B2 (en) * 2010-02-26 2017-05-16 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for deposition processes
US20110232569A1 (en) * 2010-03-25 2011-09-29 Applied Materials, Inc. Segmented substrate loading for multiple substrate processing
CN101949008A (zh) 2010-07-02 2011-01-19 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 载板、用载板进行沉积处理方法及等离子体沉积处理设备

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008034465A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Nisshinbo Ind Inc ウエハ固定装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6126405B2 (ja) 2017-05-10
CN103255393A (zh) 2013-08-21
CN103255393B (zh) 2017-05-31
JP2013168650A (ja) 2013-08-29
US20130213300A1 (en) 2013-08-22
US9418885B2 (en) 2016-08-16
KR20130094601A (ko) 2013-08-26
EP2629327B1 (en) 2020-04-01
EP2629327A2 (en) 2013-08-21
EP2629327A3 (en) 2017-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101928356B1 (ko) 반도체 제조 장치
KR20230023702A (ko) 착탈형 기판 트레이 및 어셈블리 그리고 이를 포함하는 반응기
TWI649781B (zh) 用於化學氣相沈積之自定中心晶圓載具系統
US9487862B2 (en) Semiconductor growing apparatus
US11387137B2 (en) Self-centering susceptor ring assembly
JP5237390B2 (ja) 改善された膜厚均一性を有するエピタキシャルバレルサセプタ
US20100126419A1 (en) Susceptor for cvd apparatus and cvd apparatus including the same
KR20200084355A (ko) 반도체 웨이퍼의 전면에 에피택셜 층을 증착하는 방법 및 이 방법을 수행하기 위한 장치
US20220172980A1 (en) Self-centering susceptor ring assembly
KR20140142873A (ko) 반도체 제조 장치
US20150259827A1 (en) Susceptor
US20210040643A1 (en) Susceptor, method for producing epitaxial substrate, and epitaxial substrate
KR20150093495A (ko) 반도체 제조 장치
KR20090011345A (ko) 서셉터 및 이를 구비한 반도체 제조장치
US20150013608A1 (en) Ceramic heater
US20170067162A1 (en) Wafer holder and semiconductor manufacturing apparatus
KR20190094903A (ko) 반도체 제조 장치
KR20140142442A (ko) 반도체 제조 장치
KR20160015554A (ko) 에피택셜 성장용 서셉터
KR102113734B1 (ko) 화학 기상 증착 장치용 서셉터 및 이를 구비한 화학 기상 증착 장치
JP2018522401A (ja) 化学蒸着のための自己心合ウエハキャリアシステム
JP2011165697A (ja) 気相成長装置
KR20130080645A (ko) 반도체 제조용 서셉터
JP6493982B2 (ja) サセプタ
KR20120043813A (ko) 실리콘 잉곳 성장장치의 열차폐구조체

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant