KR20140142873A - 반도체 제조 장치 - Google Patents

반도체 제조 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20140142873A
KR20140142873A KR20130064547A KR20130064547A KR20140142873A KR 20140142873 A KR20140142873 A KR 20140142873A KR 20130064547 A KR20130064547 A KR 20130064547A KR 20130064547 A KR20130064547 A KR 20130064547A KR 20140142873 A KR20140142873 A KR 20140142873A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pocket
carrier body
inner bottom
pockets
wafer
Prior art date
Application number
KR20130064547A
Other languages
English (en)
Inventor
손호민
이조영
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR20130064547A priority Critical patent/KR20140142873A/ko
Publication of KR20140142873A publication Critical patent/KR20140142873A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

실시 예의 반도체 제조 장치는 피증착체가 탑재되는 적어도 하나의 포켓 및 적어도 하나의 포켓이 탈착되는 삽입 공간을 내부에 갖는 캐리어 몸체를 포함하고, 적어도 하나의 포켓은 캐리어 몸체의 내부 바닥면을 향하여 돌출된 결합 돌기를 포함하고, 캐리어 몸체는 결합 돌기가 삽입되도록 바닥면에 형성된 결합 돌기를 포함한다.

Description

반도체 제조 장치{Apparatus for manufacturing semiconductor}
실시 예는 반도체 제조 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 장치는 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법, 분자 빔 에피텍시법(MBE:Molecular Beam Epitaxy)법 또는 화학 기상 증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)법 등을 이용하여 웨이퍼의 표면에 질화 갈륨계 반도체 발광소자, 고 전자 이동도 트랜지스터(HEMT:High Electron Mobility Transistor), 전계 효과 트랜지스터(FET:Field Effect Transistor), 레이저 다이오드 등의 소자를 성장할 수 있다.
웨이퍼 캐리어(wafer carrier)(또는, 서셉터(susceptor))는 반응 챔버 내에 배치되며, 복수 개의 포켓(pocket)을 포함할 수 있다. 포켓에는 웨이퍼가 로딩된다. 이때, 반응 챔버 내로 유입되는 소스 물질의 화학 반응에 의해 웨이퍼의 표면에 반도체 박막이나 절연막 등이 성장될 수 있다.
웨이퍼 캐리어 상에 위치한 복수의 포켓은 그 위치에 따라 서로 다른 온도로 가열된다. 또한, 각 포켓의 중심보다는 가장 자리 쪽이 더 높은 온도로 가열되기 때문에, 포켓에 장착되는 웨이퍼의 표면에 물질이 균일하게 성장되기 어려울 수 있다.
실시 예는 열 균일도가 향상된 포켓을 갖는 반도체 제조 장치를 제공한다.
실시예의 반도체 제조 장치는, 피증착체가 탑재되는 적어도 하나의 포켓; 및 상기 적어도 하나의 포켓이 탈착되는 삽입 공간을 내부에 갖는 캐리어 몸체를 포함하고, 상기 적어도 하나의 포켓은 상기 캐리어 몸체의 내부 바닥면을 향하여 돌출된 결합 돌기를 포함하고, 상기 캐리어 몸체는 상기 결합 돌기가 삽입되도록 상기 바닥면에 형성된 결합 돌기를 포함한다.
상기 적어도 하나의 포켓은 상기 피증착체를 지지 가능한 형상을 갖는 전면부; 및 상기 캐리어 몸체의 상기 삽입 공간에 삽입될 때, 상기 전면부의 반대측에서 상기 캐리어 몸체와 대향하는 배면부를 포함하고, 상기 결합 돌기는 상기 배면부로부터 돌출된다. 상기 결합 홈의 폭 및 깊이 각각은 5 ㎜ 내지 10 ㎜이고, 상기 결합 돌기의 길이는 5 ㎜ 내지 10 ㎜일 수 있다.
상기 전면부는 상기 적어도 하나의 포켓이 상기 캐리어 몸체에 삽입되는 제1 방향으로 연장되는 제1 내측면; 상기 제1 내측면으로부터 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 연장되며, 상기 피증착체의 테두리 부분이 얹혀지는 제1 내저면; 상기 제1 내저면으로부터 상기 제1 방향으로 연장되는 제2 내측면; 및 상기 제2 내측면으로부터 상기 제2 방향으로 연장되며, 상기 적어도 하나의 포켓의 바닥에 해당하는 제2 내저면을 포함한다.
상기 제1 및 제2 내저면 중 적어도 하나는 상기 피증착체를 향하여 볼록하거나 오목한 모양을 갖고 및/또는 적어도 하나의 단차면을 가질 수 있다.
상기 배면부는 상기 제1 및 제2 내측면의 반대측에서 상기 제1 방향으로 연장되는 제1 외측면; 및 상기 제2 내저면의 반대측에서 상기 제1 외측면으로부터 상기 제2 방향으로 연장되는 외저면을 더 포함하고, 상기 결합 돌기는 상기 외저면으로부터 상기 제1 방향으로 돌출된다. 상기 제1 외측면의 높이는 4 ㎜ 내지 10 ㎜일 수 있다.
상기 캐리어 몸체는 상기 제1 외측면과 마주하며 상기 제1 방향으로 연장되는 제3 내측면; 및 상기 외저면과 마주하며 상기 제3 내측면으로부터 상기 제2 방향으로 연장되는 제3 내저면을 더 포함하고, 상기 결합 돌기는 상기 외저면으로부터 상기 제3 내저면을 향하여 돌출되고, 상기 결합 홈은 상기 결합 돌기가 삽입되도록 상기 제3 내저면에 형성된다.
상기 결합 돌기는 상기 외저면의 가운데로부터 돌출되고, 상기 결합 홈은 상기 제3 내저면의 가운데에 파여진다.
상기 제1 외측면과 상기 제3 내측면 간의 이격 거리는 0.5 ㎜ 내지 1.5 ㎜이고, 상기 제1 내측면과 상기 제1 외측면 사이의 이격 거리는 1 ㎜ 내지 4 ㎜이고, 상기 외저면과 상기 제3 내저면 사이의 이격 거리는 0.5 ㎜ 내지 1 ㎜일 수 있다. 또한, 상기 제3 내측면의 높이와 상기 결합 홈에 상기 결합 돌기가 결합된 이후의 상기 포켓의 최상단면의 높이차는 0 ㎜ 내지 1 ㎜일 수 있다.
상기 결합 돌기는 수나사 형태의 외측벽을 갖고, 상기 결합 홈은 암나사의 형태로 파여진 내측벽을 갖고, 상기 결합 돌기와 상기 결합 홈은 상기 수나사와 암사나가 맞물리는 형태로 결합될 수 있다.
상기 수나사의 피치는 0.5 ㎜ 내지 3 ㎜일 수 있다.
상기 적어도 하나의 포켓은 복수의 포켓을 포함하고, 상기 캐리어 몸체는 복수의 포켓을 분리하는 분리벽을 더 포함할 수 있다. 상기 분리벽의 폭은 2 ㎜ 내지 7 ㎜일 수 있다.
다른 실시예의 반도체 제조 장치는, 피증착체가 탑재되는 적어도 하나의 포켓; 상기 적어도 하나의 포켓이 탈착되는 삽입 공간을 갖는 캐리어 몸체; 및 상기 삽입 공간에 상기 적어도 하나의 포켓이 삽입될 때, 상기 적어도 하나의 포켓과 상기 캐리어 몸체를 서로 이격시켜 열 복사 공간을 형성하는 이격 부재를 포함한다.
상기 이격 부재는 상기 적어도 하나의 포켓의 하부로부터 돌출된 결합 돌기; 및 상기 결합 돌기를 수용 가능한 형태를 갖고 상기 캐리어 몸체의 내부 바닥면에 파여진 결합 홈을 포함한다.
실시 예에 따른 반도체 제조 장치는 캐리어 몸체에 삽입된 포켓의 최상단면이 캐리어 몸체의 최상단면보다 낮기 때문에, 소스 물질이 포켓으로 안정적으로 공급될 수 있고, 열 접촉 방식보다는 열 복사 방식에 의해 주로 캐리어 몸체로부터 포켓으로 열이 전달되기 때문에 포켓으로의 열 전달이 균일하게 이루어져 웨이퍼 같은 피증착체의 표면에 물질이 균일하게 증착될 수 있다.
도 1은 실시 예에 의한 반도체 제조 장치의 단면도를 나타낸다.
도 2a 및 도 2b는 실시 예에 의한 웨이퍼 캐리어의 평면도를 나타낸다.
도 3a 및 도 3b는 일 실시 예에 따라, 도 2a 또는 도 2b에 예시된 포켓 및 캐리어 몸체를 A-A'선을 따라 절개한 단면의 부분 분해도 및 결합 단면도를 각각 나타낸다.
도 3c 및 도 3d는 다른 실시예에 따라, 도 2a 또는 도 2b에 예시된 포켓 및 캐리어 몸체를 A-A'선을 따라 절개한 단면의 결합 단면도를 나타낸다.
도 4a 및 도 4b는 또 다른 실시 예에 따라, 도 2a 또는 도 2b에 예시된 포켓 및 캐리어 몸체를 A-A'선을 따라 절개한 단면의 부분 분해도 및 결합 단면도를 나타낸다.
도 4c 및 도 4d는 또 다른 실시 예에 따라, 도 2a 또는 도 2b에 예시된 포켓 및 캐리어 몸체를 A-A'선을 따라 절개한 단면의 결합 단면도를 나타낸다.
도 5 (a) 및 (b)는 도 2a에 도시된 B-B' 선을 따라 기존 및 실시 예의 반도체 제조 장치에서 포켓의 온도를 측정한 그래프를 각각 나타낸다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
도 1은 실시 예에 의한 반도체 제조 장치(100)의 단면도를 나타낸다.
도 1을 참조하면, 반도체 제조 장치(100)는 소스(source)(110), 반응 챔버(120), 웨이퍼 캐리어(wafer carrier)(또는, 서셉터(susceptor))(130), 회전축(150), 히터(heater) 등의 가열 수단(160), 슈라우드(shroud)(170) 및 포켓(300)을 포함한다.
이하 설명되는 실시 예에서 포켓(300)에 탑재되는 피증착체는 웨이퍼인 것으로 가정하여 설명하지만, 실시 예의 포켓(300)은 이에 국한되지 않고 다양한 형태의 피증착체를 탑재할 수 있다.
웨이퍼 캐리어(130)는 반응 챔버(120) 내에 배치되며, 그의 상측에 적어도 하나의 포켓(300)이 탈착 가능한 형태로 배치된다. 포켓(300)에는 웨이퍼가 로딩되며, 회전축(150)은 웨이퍼 캐리어(130)의 하부에 축 결합되어 웨이퍼 캐리어(130)를 회전시킨다.
가열 수단(160)은 웨이퍼 캐리어(130)의 하부 및 반응 챔버(120) 내부를 소정 온도로 가열한다. 웨이퍼 캐리어(130)가 가열 수단(160)에 의해 가열되면, 웨이퍼 캐리어(130)로부터 포켓(300)으로 열 전달이 이루어진다.
슈라우드(170)는 소스(110)로부터의 소스 물질 등을 반응 챔버(120)로 공급하는 역할을 한다.
전술한 구성에 의해, 반응 챔버(120) 내로 유입되는 소스 물질의 화학 반응에 의해 웨이퍼의 표면에 에피텍셜 성장(epitaxial growth)이 이루어질 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼의 표면에 반도체 박막이나 절연막 등이 성장될 수 있다.
웨이퍼 캐리어(130)는 카본(Carbon) 또는 알루미늄 나이트 라이드(AlN:Aluminium Nitride) 재질로 제작되며, 웨이퍼 캐리어(130)의 표면 및 포켓(300) 내에서 웨이퍼와 접촉되는 면은 실리콘 카바이드(SiC:Silicon Carbide), 카본(Carbon), 또는 알루미늄 나이트 라이드 막으로 코팅할 수 있다. 여기서, 웨이퍼 캐리어(130)의 표면에 실리콘 카바이드 또는 알루미늄 나이트라이드 막을 코팅함으로써, 불산을 이용한 화학적 세정 또는 열 세척(thermal cleaning)에 의해 카본 재질의 웨이퍼 캐리어(130)가 손상되는 것을 방지하고 특성 저하를 방지할 수 있다. 여기서, 포켓(300)은 흑연(graphite)으로 이루어질 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 실시 예에 의한 웨이퍼 캐리어(130A, 130B)의 평면도를 나타낸다. 여기서, 웨이퍼 캐리어(130A, 130B)는 도 1에 예시된 웨이퍼 캐리어(130)에 해당할 수 있다.
웨이퍼 캐리어(130A, 130B)의 캐리어 몸체(400)의 표면에는 웨이퍼 캐리어(130A, 130B)의 센터를 기준으로 도 2a에 예시된 바와 같이 동심원 형태로 1열 포켓(300) 또는 도 2b에 예시된 바와 같이 동심원 형태로 2열 포켓(300)이 탈착 가능한 형태로 배치될 수 있다. 도 1의 반도체 제조 장치(100)의 경우, 포켓(300)이 도 2b에 도시된 바와 같이 2열 포켓(300)으로 배치된 모습을 나타낸다.
실시 예는 웨이퍼 캐리어(130A, 130B) 상에 포켓(300)이 배치된 형태, 각 포켓의 평면 모양 및 포켓의 개수에 국한되지 않는다. 즉, 포켓(300)은 동심원 형태의 1열 또는 2열이 아닌 다른 모습으로 캐리어 몸체(400) 상에 배치될 수 있다. 또한, 각 포켓(300)에 탑재되는 피증착체인 웨이퍼의 크기 또는 반응 챔버(120)의 용량에 따라 1개 내지 50개의 포켓 또는 그 이상의 포켓이 웨이퍼 캐리어(130A, 130B) 상에 탈착 가능한 형태로 배치될 수 있다. 또한, 포켓(300)은 도 2a 및 도 2b에 예시된 바와 같이 원 형태를 갖거나 원 형태의 일단이 커팅된 플랫 구조를 가질 수도 있다.
또한, 도 2a 및 도 2b에 예시된 웨이퍼 캐리어(130A, 130B)는 도 1에 예시된 바와 같은 모습으로 반응 챔버(120) 내에 배치될 수 있지만 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 이하에서 설명되는 포켓(300:300A ~ 300F)과 캐리어 몸체(400:400A, 400B)의 구조는 도 1에 예시된 반도체 제조 장치(100)의 구조에 국한되지 않는다. 예를 들어, 포켓(300:300A ~ 300G)과 캐리어 몸체(400:400A ~ 400D)는 도 1에 예시된 반응 챔버(120)의 구조, 가열 수단(160)의 배치 위치, 소스(110)의 위치, 슈라우드(170)의 위치 및 슈라우드(170)의 존재 여부 등에 국한되지 않는다.
실시 예에 의하면, 캐리어 몸체(400)는 포켓(300)의 개수만큼의 삽입 공간을 갖고, 각 삽입 공간에 포켓(300)의 탈착을 허용하는 구조를 갖는다. 이에, 포켓(300) 역시 캐리어 몸체(400)의 삽입 공간으로 탈착 가능한 구조를 갖는다.
이하, 실시 예에 의한 포켓(300) 및 캐리어 몸체(400)에 대해 첨부된 도면을 참조하여 다음과 같이 설명한다.
도 3a 및 도 3b는 일 실시 예에 따라, 도 2a 또는 도 2b에 예시된 포켓(300) 및 캐리어 몸체(400)를 A-A'선을 따라 절개한 단면의 부분 분해도 및 결합 단면도를 각각 나타낸다.
도 3c 및 도 3d는 다른 실시예에 따라, 도 2a 또는 도 2b에 예시된 포켓(300) 및 캐리어 몸체(400)를 A-A'선을 따라 절개한 단면의 결합 단면도를 나타낸다.
도 3a 내지 도 3d에서, 포켓(300A, 300B, 300C)은 도 1 내지 도 2b에 예시된 포켓(300)에 해당하고, 캐리어 몸체(400A)는 도 2a 및 도 2b에 예시된 캐리어 몸체(400)에 해당할 수 있다.
도 3a 내지 도 3d를 참조하면, 실시 예에 의한 포켓(300A, 300B, 300C)은 전면부(310A, 310B, 310C) 및 배면부(320A)를 포함한다.
전면부(310A, 310B, 310C)는 전면에서 웨이퍼(500)를 지지하는 역할을 한다. 이를 위해, 전면부(310A, 310B, 310C)는 웨이퍼(500)를 지지 가능한 형상을 갖는다. 이를 위해, 전면부(310A, 310B, 310C)는 제1 내측면(inner side surface)(312), 제1 내저면(inner bottom surface)(314), 제2 내측면(316) 및 제2 내저면(318A)을 포함한다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 제1 내측면(312)은 포켓(300A)이 캐리어 몸체(400A)에 삽입되는 제1 방향으로 연장된다. 제1 내저면(314)은 제1 방향과 다른 제2 방향으로 제1 내측면(312)으로부터 연장되며, 웨이퍼(500)의 테두리 부분(502)이 얹혀진다. 도 3a에 예시된 바와 같이 웨이퍼(500)가 화살표 방향(602)으로 포켓(300A)에 탑재될 때, 도 3b에 예시된 바와 같이 웨이퍼(500)의 테두리 부분(502)은 제1 내저면(314) 위에 얹혀지고, 웨이퍼(500)의 선단(504)과 제1 내측면(312)은 제1 이격 거리(d1)만큼 서로 이격될 수 있다. 여기서, 제1 이격 거리(d1)는 '0' 이상일 수 있다. 여기서, 제1 방향과 제2 방향이 이루는 각은 직각일 수 있다.
제2 내측면(316)은 제1 내저면(314)으로부터 제3 방향으로 연장된다. 이때, 제3 방향은 제1 방향과 동일할 수 있으나 이에 국한되지 않는다.
제2 내저면(318A)은 제2 내측면(316)으로부터 제4 방향으로 연장되며, 포켓(300A)의 바닥에 해당한다. 여기서, 제4 방향은 제2 방향과 동일할 수 있으나 이에 국한되지 않는다.
제1 및 제2 내저면(314, 318A) 중 적어도 하나는 다양한 모양을 가질 수 있다. 즉, 실시예에 의하면, 제1 및 제2 내저면(314, 318A) 중 적어도 하나는 웨이퍼(500)를 향하여 볼록하거나 오목한 모양을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 내저면(318A)은 도 3a 및 도 3b에 예시된 바와 같이 웨이퍼(500)를 향하여 오목한 모양을 가질 수도 있다. 또는, 제2 내저면(318B)은 도 3c에 예시된 바와 같이 웨이퍼(500)를 향하여 볼록한 모양을 가질 수도 있다. 이를 제외하면, 도 3c에 예시된 포켓(300B) 및 캐리어 몸체(400A)는 도 3a 및 도 3b에 예시된 포켓(300A) 및 캐리어 몸체(400A)와 각각 동일하므로, 도 3c에 도시된 포켓(300B) 및 캐리어 몸체(400A)에 대한 중복되는 설명을 생략한다.
또한, 제1 및 제2 내저면(314, 318A) 중 적어도 하나는 적어도 하나의 단차면을 가질 수도 있다. 예를 들어, 도 3d에 예시된 바와 같이 제2 내저면(318C)의 가장 자리에 홈(342)이 형성될 경우, 제2 내저면(318C)의 가장 자리의 바닥면(342)은 제2 내저면(318C)의 중앙 부분과 단차를 갖는다. 이를 제외하면, 도 3d에 예시된 포켓(300C) 및 캐리어 몸체(400A)는 도 3a 및 도 3b에 예시된 포켓(300A) 및 캐리어 몸체(400A)와 각각 동일하므로, 도 3d에 도시된 포켓(300B) 및 캐리어 몸체(400A)에 대한 중복되는 설명을 생략한다.
또한, 비록 도시되지는 않았지만,제1 내저면(314) 및 제2 내저면(318A, 318B, 318C) 중 적어도 하나의 변곡점을 갖고 경사진 형태를 가질 수도 있다.
이와 같이, 제1 및 제2 내저면(314, 318A ~ 318C) 중 적어도 하나의 형태를 다양하게 설계하는 이유는, 웨이퍼(500)가 성장하는 동안 예를 들면 도 1에 예시된 가열 수단(160)에 의해 가열될 때, 웨이퍼(500)의 가장 자리와 중앙 부분의 온도가 다르기 때문에, 이러한 온도를 균일하게 하기 위함이다.
한편, 도 3a 및 도 3b를 참조하면 포켓(300A)의 배면부(320A)는 포켓(300A)이 캐리어 몸체(400A)의 삽입 공간(402, 404)에 삽입될 때, 전면부(310A)의 반대측에서 캐리어 몸체(400A)와 대향한다.
실시 예에 의하면, 배면부(320A)는 제1 외측면(outer side surface)(322), 외저면(outer bottom surface)(324) 및 결합 돌기(326A)를 포함한다.
제1 외측면(322)은 제1 내측면(312) 및 제2 내측면(316)의 반대측에서 제5 방향으로 연장된다. 여기서, 제5 방향은 제1 방향과 동일할 수 있으나 이에 국한되지 않는다.
외저면(324)은 제2 내저면(318A)의 반대측에서 제1 외측면(322)으로부터 제5 방향과 다른 제6 방향으로 연장된다. 제6 방향은 제2 방향과 동일할 수 있으나 이에 국한되지 않는다.
한편, 결합 돌기(326A)는 포켓(300A)의 하부로부터 캐리어 몸체(400A)를 향하여 돌출되어 있다. 즉, 결합 돌기(326A)는 배면부(320A)의 외저면(324)으로부터 제7 방향으로 캐리어 몸체(400A)를 향하여 돌출되어 있다. 제7 방향은 제1 방향과 동일할 수 있으나 이에 국한되지 않는다. 도 3a 및 도 3b의 경우, 결합 돌기(326A)는 포켓(300A)과 일체형으로 이루어져 있지만, 실시예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 결합 돌기(326A)는 포켓(300A)과 별개로 이루어져 체결 수단(미도시)에 의해 포켓(300A)과 체결될 수도 있다.
한편, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 캐리어 몸체(400A)는 제3 내측면(412), 제3 내저면(414) 및 결합 홈(416A)을 포함할 수 있다.
제3 내측면(412)은 제1 외측면(322)과 마주하며 제8 방향으로 연장된다. 제8 방향은 제1 방향과 동일할 수 있으나 이에 국한되지 않는다.
제3 내저면(414)은 외저면(324)과 마주하며 제3 내측면(412)으로부터 제9 방향으로 연장된다. 제9 방향은 제2 방향과 동일할 수 있으나 이에 국한되지 않는다.
도 3a에 예시된 포켓(300A)을 캐리어 몸체(400A) 쪽으로 화살표 방향(604)으로 가압하여, 도 3b에 도시된 바와 같이 캐리어 몸체(400A)의 삽입 공간(402)에 포켓(300A)을 끼울 때, 제3 내측면(412)과 제1 외측면(322) 사이의 제2 이격 거리(d2) 및 외저면(324)와 제3 내저면(414) 사이의 제3 이격 거리(d3)에 따라 캐리어 몸체(400A)로부터 포켓(300A)으로의 열 전달량 및 열 전달의 균일성이 달라질 수 있다. 제2 및 제3 이격 거리(d2, d3)에 대해 상세히 살펴보면 다음과 같다.
만일, 제2 및 제3 이격 거리(d2, d3) 각각이 1.5 ㎜보다 클 경우 캐리어 몸체(400A)로부터 포켓(300A)으로의 열 전달률이 저하될 뿐만 아니라 포켓(300A)과 캐리어 몸체(400A) 간의 유격이 커서 캐리어 몸체(400A)의 회전시에 포켓(300A)이 캐리어 몸체(400A)로부터 이탈될 수 있다. 또한, 제2 및 제3 이격 거리(d2, d3) 각각이 0.5 ㎜보다 작으면 포켓(300A)의 회전시 포켓(300A)과 캐리어 몸체(400A)의 접촉이 빈번하게 일어나 캐리어 몸체(400A)로부터 포켓(300A)으로의 열 전달이 불균일해질 수 있다. 따라서, 제1 외측면(322)과 제3 내측면(412) 간의 제2 이격 거리(d2) 및 외저면(324)과 제3 내저면(414) 간의 제3 이격 거리(d3) 각각은 0.5 ㎜ 내지 1.5 ㎜일 수 있다.
일반적으로 열 접촉 방식으로 열이 전달될 경우, 접촉이 빈번하게 일어나거나 접촉이 넓은 부분으로 많은 열이 전달되는 반면, 그렇지 않은 부분으로는 열이 적게 전달될 수 있다. 즉, 캐리어 몸체(400A)로부터 포켓(300A)으로의 열 전달이 열 접촉 방식으로 이루어질 경우, 포켓(300A)의 전체에 걸쳐 열 전달이 골고루 이루어지지 않고 불균일하게 이루어질 수 있다. 왜냐하면, 일반적으로 포켓(300A)의 가장 자리는 캐리어 몸체(400A)로부터 많은 열을 전달받지만 포켓(300A)의 중심은 캐리어 몸체(400A)로부터 열을 적게 전달받기 때문이다.
그러나, 실시예에 의하면 캐리어 몸체(400A)로부터 포켓(300A)으로의 열 전달은 제2 및 제3 이격 거리(d2, d3)에 의해 형성되는 열 복사 공간(403)을 통해 열 복사 방식으로 이루어지므로 포켓(300A)의 전체에 걸쳐 열 전달이 골고루 균일하게 이루어질 수 있다. 이에 대해서는 도 5 (a) 및 (b)를 참조하여 자세하게 후술된다.
또한, 제2 이격 거리(d2)는 제3 이격 거리(d3)와 동일할 수도 있고 다를 수도 있으며 실시예는 이에 국한되지 않는다.
또한, 포켓(300A)의 제1 외측면(322)의 제1 높이(h1)가 10 ㎜보다 높을 경우 삽입 공간(402, 404)이 깊게 형성되어야 하기 때문에 캐리어 몸체(400A)의 하부 두께가 얇아져서 열에 의해 캐리어 몸체(400A)의 휨이 발생할 수 있다. 또한, 제1 외측면(322)의 제1 높이(h1)가 4 ㎜보다 적으면 포켓(300A)이 캐리어 몸체(400A)의 삽입 공간에 충분히 깊게 끼워지지 않아, 캐리어 몸체(400A)가 회전할 때 포켓(300A)이 캐리어 몸체(400A)로부터 이탈할 수도 있을 뿐만 아니라 소스 물질이 포켓(300A)으로 유입되기 어려울 수도 있다. 따라서, 제1 높이(h1)는 4 ㎜ 내지 10 ㎜일 수 있다.
포켓(300A)이 삽입되는 삽입 공간(402, 404)은 캐리어 몸체(400A)의 상부면에 파여진 홈 형태일 수 있다. 예를 들어, 삽입 공간(402, 404)의 최대 깊이 즉, 제3 내측면(412)의 제2 높이(h2)는 4 ㎜ 내지 10 ㎜일 수 있다.
또한, 제1 외측면(322)의 높이(h1)가 제3 내측면(412)의 제2 높이(h2)보다 더 높다면, 도 3b에 도시된 바와 같이 포켓(300A)이 캐리어 몸체(400A)의 삽입 공간으로 삽입된 후 소스(110)로부터 포켓(300A)의 내부로 들어가는 소스 물질의 흐름이 불안정할 수 있다. 따라서, 제3 내측면(412)의 제2 높이(h2)와 제1 외측면(322)의 제1 높이(h1)간의 높이 차(Δh=h2-h1)는 0 이상일 수 있다.
또한, 높이 차(Δh)가 1 ㎜보다 크면 소스 물질이 포켓(300A)으로 원할히 공급되지 않을 수도 있다. 따라서, 도 3b에 예시된 바와 같이 포켓(300A)이 캐리어 몸체(400A)에 삽입된 후, 제3 내측면(412)의 높이(h2)와 포켓(300A)의 최상단면(3O2)간의 높이 차(Δh)는 0 ㎜ 내지 1 ㎜일 수 있다. 이러한 높이 차(Δh)에 의해, 소스 물질은 포켓(300A)으로 안정적으로 공급될 수 있다.
한편, 결합 홈(416A)은 결합 돌기(326A)를 수용 가능한 형태를 갖는다. 즉, 결합 홈(416A)은 결합 돌기(326A)가 삽입되도록 캐리어 몸체(400A)의 상부에 파여진 홈의 형태로 형성될 수 있다.
결합 돌기(326A)가 외저면(324)으로부터 제3 내저면(414)을 향하여 돌출될 때, 결합 홈(416A)은 결합 돌기(326A)가 삽입되도록 제3 내저면(414)에 형성될 수 있다.
이러한 결합 홈(416A)과 결합 돌기(326A)가 서로 체결됨으로써, 포켓(300A)은 캐리어 몸체(400A)에 결합될 수 있다.
결합 돌기(326A)의 길이(L) 및 제1 폭(W1) 각각이 5 ㎜보다 작을 경우 포켓(300A)이 회전할 때 파손될 수도 있고, 10 ㎜보다 크다면 캐리어 몸체(400A)와 포켓(300A)간의 접촉 면적이 넓어져서 열 전달이 불균일해질 수 있다. 따라서, 결합 돌기(326A)의 길이(L), 결합 돌기(326A)의 제1 폭(W1), 결합 홈(416A)의 제2 폭(W2) 및 결합 홈(416A)의 깊이(d4) 각각은 5 ㎜ 내지 10 ㎜일 수 있다.
실시 예에 의하면, 결합 돌기(326A)는 외저면(324)의 가운데로부터 돌출되고, 결합 홈(416A) 역시 제3 내저면(414)의 가운데에 파여질 수 있으나, 실시예는 결합 돌기(326A)와 결합 홈(416A)의 위치에 국한되지 않는다.
전술한 결합 돌기(326A) 및 결합 홈(416A)은 포켓(300A)을 캐리어 몸체(400A)에 결합시키는 결합 부재의 역할뿐만 아니라 이격 부재의 역할도 수행할 수 있다. 이격 부재는 캐리어 몸체(400A)의 삽입 공간(402, 404)에 포켓(300A)이 삽입될 때, 포켓(300A)과 캐리어 몸체(400A)를 서로 소정 거리인 제2 및 제3 이격 거리(d2, d3)만큼 이격시킴으로서 도 3b에 예시된 바와 같이 포켓(300A)과 캐리어 몸체(400A) 사이에 열 복사 공간(403)을 형성하는 역할을 한다.
만일, 열 복사 공간(403)이 형성되지 않을 경우 즉, 제2 및 제3 이격 거리(d2, d3) 각각이 '0'인 경우, 포켓(300A)과 캐리어 몸체(400A)가 서로 직접 접촉하기 때문에 열 접촉 방식에 의해 캐리어 몸체(400A)로부터 포켓(300A)으로 열이 전달되어, 열 전달은 불균일해질 수 있다. 포켓(300A)의 가운데보다는 가장 자리가 캐리어 몸체(400A)와 접촉이 더 많기 때문에, 포켓(300A)의 가운데보다 가장 자리로 열이 더 많이 전달되어, 열 전달이 불균일해진다.
그러나, 실시 예에 의하면, 이격 부재에 의해 포켓(300A)과 캐리어 몸체(400A)를 제2 및 제3 이격 거리(d2, d3)만큼 이격시켜, 서로 이격된 포켓(300A)과 캐리어 몸체(400A)가 형성하는 열 복사 공간(403)을 통해 캐리어 몸체(400A)로부터 포켓(300A)으로 열이 복사되어 전달된다. 캐리어 몸체(400A)로부터 포켓(300A)으로의 열 전달량(Q)은 다음 수학식 1과 같다.
Figure pat00001
여기서, λ는 열 복사 공간(403)을 채우는 매질 예를 들어 공기의 열 전도율로서 상수이며, A는 전열 면적으로서 캐리어 몸체(400A)와 대향하는 포켓(300A)의 면적을 나타내고, δ는 전열벽의 두께로서 전술한 제2 및 제3 이격 거리(d2, d3)를 나타내고, V는 전열 부피로서 열 복사 공간(403)의 부피를 나타낸다.
결국, 실시 예에 의하면, 열 접촉 방식에 의존하지 않고 열 복사 방식을 통해, 캐리어 몸체(400A)로부터 포켓(300A)으로 균일하게 열이 전달될 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이 포켓(300A)의 개수는 복수일 수 있다. 이 경우, 캐리어 몸체(400A)는 복수의 포켓을 공간적으로 서로 분리하는 분리벽(410)을 더 포함할 수 있다. 분리벽(410)은 각 포켓(300A)이 삽입되는 삽입 공간(402, 404)을 서로 분리하는 역할을 한다. 만일, 분리벽(410)의 제3 폭(W3)이 7 ㎜보다 크다면 포켓(300A)을 수용하는 캐리어 몸체(400A)의 면적이 줄어들어 포켓(300A)의 개수가 제한을 받을 수 있다. 또한, 분리벽(410)의 제3 폭(W3)이 2 ㎜보다 작다면 포켓(300A)별 온도를 정확하게 측정하기 어려울 수 있고, 포켓(300A)이 회전할 때 저항력이 작아 포켓(300A)이 파손될 수도 있다. 그러므로, 분리벽(410)의 제3 폭(W3)은 2 ㎜ 내지 7 ㎜일 수 있다.
또한, 포켓(300A, 300B, 300C) 각각은 측벽과 몸체로 구분될 수 있다. 여기서, 포켓(300A ~ 300C)의 측벽은 제1 내측면(312)과 제1 외측면(322) 사이를 의미한다. 제1 내측면(312)과 제1 외측면(322) 사이의 이격 거리인 제4 폭(W4)이 1 ㎜보다 작으면 포켓(300A)이 회전할 때 파손될 수도 있고, 4 ㎜보다 크면 포켓(300A)에 얹혀지는 웨이퍼(500)의 크기가 제한될 수 있다. 예를 들어, 제4 폭(W4)이 4 ㎜보다 크면, 6 인치(inch) 크기의 웨이퍼(500)는 포켓(300A)에 얹혀지기 어려울 수 있다. 따라서, 제4 폭(W4)은 1 ㎜ 내지 4 ㎜일 수 있다.
또한, 제1 내지 제4 폭(W1 ~ W4), 제1 내지 제3 이격 거리(d1 ~ d3), 깊이(d4), 높이 차(Δh), 제1 및 제2 높이(h1, h2) 및 길이(L)는 복수의 포켓(300A)별로 동일하거나 다를 수 있다. 이는, 캐리어 몸체(400A)에 탈착되는 포켓(300A)의 위치에 따라 포켓(300A)이 받는 열이 달라지기 때문에, 웨이퍼(500)가 성장하는 동안 예를 들면 도 1에 예시된 가열 수단(160)에 의해 가열될 때, 웨이퍼(500)의 가장 자리와 중앙 부분에 가해지는 온도를 균일하게 하기 위함이다.
한편, 전술한 포켓(300A)이 캐리어 몸체(400A)에 삽입되어 결합한 후, 웨이퍼 캐리어(130A, 130B)가 회전할 때의 원심력에 의해 포켓(300A)이 캐리어 몸체(400A)로부터 이탈할 수도 있다. 이를 방지하기 위해, 포켓(300A)의 결합 돌기(326A) 및 결합 홈(416A)은 도 4a 내지 도 4d에 예시된 바와 같이 나사 형태를 취할 수도 있다.
도 4a 및 도 4b는 또 다른 실시 예에 따라, 도 2a 또는 도 2b에 예시된 포켓(300) 및 캐리어 몸체(400)를 A-A'선을 따라 절개한 단면의 부분 분해도 및 결합 단면도를 나타낸다.
도 4c 및 도 4d는 또 다른 실시 예에 따라, 도 2a 또는 도 2b에 예시된 포켓(300) 및 캐리어 몸체(400)를 A-A'선을 따라 절개한 단면의 결합 단면도를 나타낸다.
도 4a 내지 도 4d에서, 포켓(300D, 300E, 300F)은 도 1 내지 도 2b에 예시된 포켓(300)에 해당하고, 캐리어 몸체(400B)는 도 2a 및 도 2b에 예시된 캐리어 몸체(400)에 해당할 수 있다.
또 다른 실시 예에 의하면, 도 4a 및 도 4d에 예시된 바와 같이, 결합 돌기(326B)는 수나사 형태로 돌출된 외측벽(326B-1)을 갖고, 결합 홈(416B)은 암나사 형태로 파여진 내측벽(416B-1)을 갖는다. 따라서, 결합 돌기(326B)와 결합 홈(416B)은 수나사와 암나사가 맞물리는 형태로 결합될 수 있어, 웨이퍼 캐리어(130A, 130B)의 회전시 원심력에 의해 포켓(300D, 300E, 300F)이 캐리어 몸체(400B)로부터 이탈되거나 유격되는 현상을 방지할 수 있다. 이와 같이, 결합 돌기(326B)와 결합 홈(416B) 각각이 나사 형태인 것을 제외하고, 도 4a 및 도 4b에 예시된 포켓(300D) 및 캐리어 몸체(400B)는 도 3a 및 도 3b에 예시된 포켓(300A) 및 캐리어 몸체(400A)와 각각 동일하므로, 동일한 부분에 대해서는 중복되는 설명을 생략한다.
이때, 결합 돌기(326B)의 수나사의 피치(P)가 0.5 ㎜ 보다 적을 경우, 포켓(300D)이 파손될 수도 있고, 결합 홈(416B)으로 미량의 이물질이 들어갈 경우에도 포켓(300D)을 캐리어 몸체(400B)에 결합시킴이 용이하지 않을 수도 있다. 또한, 결합 돌기(326B)의 수나사의 피치(P)가 3 ㎜보다 크다면 결합 돌기(326B)와 결합 홈(416B)의 접촉 면적이 넓어져서 캐리어 몸체(400B)로부터 포켓(300D)으로의 열 전달이 불균일해질 수도 있다. 왜냐하면, 전술한 바와 같이, 열 접촉 방식 보다는 열 복사 방식을 통해야, 도 4b에 도시된 바와 같이 결합한 캐리어 몸체(300D)로부터 포켓(300D)으로의 열 전달이 균일해질 수 있기 때문이다. 따라서, 결합 돌기(326B)의 수나사의 피치(P)는 0.5 ㎜ 내지 3 ㎜일 수 있다.
또한, 결합 돌기(326B)의 외측벽(326B-1)과 결합 홈(416B)의 내측벽(416B-1)은 나사의 형태에 국한되지 않는다. 예를 들어, 외측벽(326B-1)와 내측벽(416B-1)은 오른나사 형태 또는 왼나사 형태 등 다양한 형태로 구현될 수 있음은 물론이다.
또한, 도 3a 내지 도 3d에서 설명한 바와 같이, 제1 및 제2 내저면(314, 318D) 중 적어도 하나는 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 내저면(314, 318D) 중 적어도 하나는 웨이퍼(500)를 향하여 볼록하거나 오목한 모양을 가질 수 있다. 즉, 제2 내저면(318D)은 도 4a 및 도 4b에 예시된 바와 같이 웨이퍼(500)를 향하여 오목한 모양을 가질 수도 있고, 도 4c에 예시된 바와 같이 웨이퍼(500)를 향하여 볼록한 모양을 가질 수도 있다. 이를 제외하면, 도 4c에 예시된 포켓(300E) 및 캐리어 몸체(400B)는 도 4a 및 도 4b에 예시된 포켓(300D) 및 캐리어 몸체(400B)와 각각 동일하므로 중복되는 설명을 생략한다.
또한, 제1 및 제2 내저면(314, 318D) 중 적어도 하나는 적어도 하나의 단차면을 가질 수도 있다. 예를 들어, 도 4d에 예시된 바와 같이 제2 내저면(318F)의 가장 자리에 홈(342)이 형성될 경우, 제2 내저면(318F)의 가장 자리의 바닥면(340)은 제2 내저면(318F)의 중앙 부분과 단차를 갖는다. 이를 제외하면, 도 4d에 예시된 포켓(300F) 및 캐리어 몸체(400B)는 도 4a 및 도 4b에 예시된 포켓(300D) 및 캐리어 몸체(400B)와 각각 동일하므로 중복되는 설명을 생략한다.
도 5 (a)는 도 2a에 도시된 B-B' 선을 따라 기존의 반도체 제조 장치에서 포켓(300)의 온도(710)를 측정한 그래프를 나타내고, 도 5 (b)는 도 2a에 도시된 B-B' 선을 따라 실시 예의 반도체 제조 장치에서 포켓(300:300A ~ 300F)의 온도(720)를 측정한 그래프를 나타낸다.
도 5 (a)를 참조하면, 기존의 반도체 제조 장치에 의할 경우, 포켓(300)의 가장 자리(x1, x3)의 온도는 평균 온도(AT)보다 높고, 포켓(300)의 중앙(x2)의 온도는 평균 온도(AT)보다 낮다. 이는, 포켓(300)의 위치와 무관하게 열 접촉 방식으로 캐리어 몸체(400A, 400B)로부터 포켓(300)으로 열이 전달되기 때문이다. 즉, 포켓(300)의 중앙(x2)보다 가장 자리(x1, x3)가 캐리어 몸체(400)와 더 빈번하게 접촉할 뿐만 아니라 접촉 면적이 더 넓기 때문에, 가장 자리(x1, x2)의 온도가 중앙(x2)의 온도보다 더 높다.
그러나, 실시 예의 반도체 제조 장치에 의할 경우, 포켓(300A ~ 300F)의 가장 자리(x1, x3)에는 열 접촉 방식의 열 전도율보다 더 낮은 열 전도율을 갖는 열 복사 방식에 의해 캐리어 몸체(400A, 400B)로부터 포켓(300A ~ 300F)으로 열이 전도되므로, 도 5 (b)에 도시된 바와 같이 포켓(300A ~ 300F)의 가장 자리(x1, x3)의 온도는 화살표 방향(802, 804)으로 감소하여 평균 온도(AT)로 수렴할 수 있다. 그리고, 포켓(300A ~ 300F)의 중앙(x2)에서 결합 돌기(326A, 326B)와 결합 홈(416A, 416B)이 서로 접하는 부분의 경우 열 접촉 방식으로 캐리어 몸체(400A, 400B)로부터 포켓(300A ~ 300F)으로 열이 전도되고, 중앙(x2)에서 결합 돌기(326A, 326B)와 결합 홈(416A, 416B)이 서로 접하지 않는 부분의 경우 열 복사 방식에 의해 캐리어 몸체(400A, 400B)로부터 포켓(300A ~ 300F)으로 열이 전도되므로, 도 5 (b)에 도시된 바와 같이 포켓(300A ~ 300F)의 중앙(x2)의 온도는 화살표 방향(806)으로 증가하여 평균 온도(AT)로 수렴할 수 있다.
도 2a에 도시된 C-C' 선을 따라 기존과 실시예 각각의 반도체 제조 장치에서 포켓의 온도를 측정할 경우에도 도 2a에 도시된 B-B' 선을 따라 온도를 측정한 결과와 동일한 결과가 나타낸다.
따라서, 실시 예의 반도체 제조 장치에서 포켓(300A ~ 300F)의 가장 자리(x1, x3)와 중앙(x2)으로 균일하게 열 전달이 이루어져서 가장 자리(x1, x3)와 중앙(x2)에서의 열 편차가 줄어들기 때문에, 웨이퍼(500)의 표면에 물질을 균일하게 성장시키는 데 기여할 수 있다.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 반도체 제조장치 110: 소스
120: 반응 챔버 130, 130A, 130B: 웨이퍼 캐리어
150: 회전축 160: 가열 수단
170: 슈라우드 300, 300A ~ 300F: 포켓
310A ~ 310F: 전면부 320A, 320B: 배면부
312: 제1 내측면 314: 제1 내저면
316: 제2 내측면 318A ~ 318F: 제2 내저면
322: 제1 외측면 324: 외저면
326A, 326B: 결합 돌기 326B-1: 외측벽
340: 홈의 바닥면 342: 홈
400, 400A, 400B: 캐리어 몸체 402, 404: 삽입 공간
410A, 410B: 분리벽 412: 제3 내측면
414: 제3 내저면 416A, 416B: 결합 홈
416B-1: 내측벽 500: 웨이퍼
502: 웨이퍼의 테두리 부분 504: 웨이퍼의 선단

Claims (9)

  1. 피증착체가 탑재되는 적어도 하나의 포켓; 및
    상기 적어도 하나의 포켓이 탈착되는 삽입 공간을 내부에 갖는 캐리어 몸체를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 포켓은 상기 캐리어 몸체의 내부 바닥면을 향하여 돌출된 결합 돌기를 포함하고,
    상기 캐리어 몸체는 상기 결합 돌기가 삽입되도록 상기 바닥면에 형성된 결합 돌기를 포함하는 반도체 제조 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 포켓은
    상기 피증착체를 지지 가능한 형상을 갖는 전면부; 및
    상기 캐리어 몸체의 상기 삽입 공간에 삽입될 때, 상기 전면부의 반대측에서 상기 캐리어 몸체와 대향하는 배면부를 포함하고,
    상기 결합 돌기는 상기 배면부로부터 돌출되는 반도체 제조 장치.
  3. 제2 항에 있어서, 상기 전면부는
    상기 적어도 하나의 포켓이 상기 캐리어 몸체에 삽입되는 제1 방향으로 연장되는 제1 내측면;
    상기 제1 내측면으로부터 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 연장되며, 상기 피증착체의 테두리 부분이 얹혀지는 제1 내저면;
    상기 제1 내저면으로부터 상기 제1 방향으로 연장되는 제2 내측면; 및
    상기 제2 내측면으로부터 상기 제2 방향으로 연장되며, 상기 적어도 하나의 포켓의 바닥에 해당하는 제2 내저면을 포함하는 반도체 제조 장치.
  4. 제3 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 내저면 중 적어도 하나는 상기 피증착체를 향하여 볼록하거나 오목한 모양을 갖는 반도체 제조 장치.
  5. 제3 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 내저면 중 적어도 하나는 적어도 하나의 단차면을 갖는 반도체 제조 장치.
  6. 제3 항에 있어서, 상기 배면부는
    상기 제1 및 제2 내측면의 반대측에서 상기 제1 방향으로 연장되는 제1 외측면; 및
    상기 제2 내저면의 반대측에서 상기 제1 외측면으로부터 상기 제2 방향으로 연장되는 외저면을 더 포함하고,
    상기 결합 돌기는 상기 외저면으로부터 상기 제1 방향으로 돌출된 반도체 제조 장치.
  7. 제6 항에 있어서, 상기 캐리어 몸체는
    상기 제1 외측면과 마주하며 상기 제1 방향으로 연장되는 제3 내측면; 및
    상기 외저면과 마주하며 상기 제3 내측면으로부터 상기 제2 방향으로 연장되는 제3 내저면을 더 포함하고,
    상기 결합 돌기는 상기 외저면으로부터 상기 제3 내저면을 향하여 돌출되고,
    상기 결합 홈은 상기 결합 돌기가 삽입되도록 상기 제3 내저면에 형성된 반도체 제조 장치.
  8. 제7 항에 있어서, 상기 결합 돌기는 상기 외저면의 가운데로부터 돌출되고, 상기 결합 홈은 상기 제3 내저면의 가운데에 파여진 반도체 제조 장치.
  9. 제1 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 포켓은 복수의 포켓을 포함하고,
    상기 캐리어 몸체는 복수의 포켓을 분리하는 분리벽을 더 포함하는 반도체 제조 장치.
KR20130064547A 2013-06-05 2013-06-05 반도체 제조 장치 KR20140142873A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130064547A KR20140142873A (ko) 2013-06-05 2013-06-05 반도체 제조 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130064547A KR20140142873A (ko) 2013-06-05 2013-06-05 반도체 제조 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140142873A true KR20140142873A (ko) 2014-12-15

Family

ID=52460181

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20130064547A KR20140142873A (ko) 2013-06-05 2013-06-05 반도체 제조 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20140142873A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210004382A (ko) * 2019-07-04 2021-01-13 세메스 주식회사 기판 건조 장치
US11866823B2 (en) 2018-11-02 2024-01-09 Asm Ip Holding B.V. Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11866823B2 (en) 2018-11-02 2024-01-09 Asm Ip Holding B.V. Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same
KR20210004382A (ko) * 2019-07-04 2021-01-13 세메스 주식회사 기판 건조 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101928356B1 (ko) 반도체 제조 장치
KR20230023702A (ko) 착탈형 기판 트레이 및 어셈블리 그리고 이를 포함하는 반응기
US20210363637A1 (en) Susceptor with ring to limit backside deposition
CN101317256B (zh) 基座和包括所述基座的半导体制造装置
KR20070012520A (ko) 기상 성장 장치용 서셉터
CN101681871A (zh) 用于涂覆以最密堆积设置在基座上的多个基板的装置
JP2010080614A (ja) 基板トレイ及びその基板トレイを備えた気相成長装置
US20100126419A1 (en) Susceptor for cvd apparatus and cvd apparatus including the same
KR20180085822A (ko) 기판에 걸친 온도 프로파일을 최소화하기 위한 홈들을 갖는 평판형 서셉터
KR20140142873A (ko) 반도체 제조 장치
CN214300348U (zh) 石墨盘
US20150259827A1 (en) Susceptor
KR20240056485A (ko) 열적 갭을 제어하는 받침대와 커버 구속 장치를 갖는 웨이퍼 캐리어 조립체
KR20140142442A (ko) 반도체 제조 장치
KR20090068586A (ko) 화학기상증착용 웨이퍼 및 이를 제조하는 방법
KR20090011345A (ko) 서셉터 및 이를 구비한 반도체 제조장치
KR20120038287A (ko) 서셉터
KR102181390B1 (ko) 반도체 제조 장치
KR100925060B1 (ko) 화학 기상 증착 장치용 서셉터
KR20190094903A (ko) 반도체 제조 장치
KR20160015554A (ko) 에피택셜 성장용 서셉터
TWM615368U (zh) 上蓋板以及包含上蓋板之化學氣相沉積裝置
KR101988056B1 (ko) 에피택셜 반응기 및 에피택셜 반응기의 서셉터 지지수단
KR20120051968A (ko) 서셉터 및 이를 구비한 화학 기상 증착 장치
CN116368604A (zh) 一种石墨盘

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application