CN112458531B - 石墨基座和mocvd设备 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种石墨基座和MOCVD设备，属于半导体技术领域。石墨基座的一个圆形端面上设有多个圆形槽和至少一个条形槽；多个圆形槽的中心分布在至少两个圆形上，至少一个条形槽分布在至少一个圆环内，每个圆环位于至少两个圆形槽之间，至少两个圆形槽包括至少一个第一圆形槽和至少一个第二圆形槽，至少一个第一圆形槽的中心分布在相邻的两个圆形中靠近石墨基座的中心的圆形上，至少一个第二圆形槽的中心分布在相邻的两个圆形中远离石墨基座的中心的圆形上；第一圆形槽的远心点和第一圆形槽相邻的第二圆形槽之间的最短连线与至少一个条形槽间隔设置，远心点为第一圆形槽上距离石墨基座的中心最远的点。本公开可改善波长均匀性。

Description

石墨基座和MOCVD设备

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种石墨基座和MOCVD设备。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管。LED具有高效节能、绿色环保的优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。尤其是利用大功率LED实现半导体固态照明，有望成为新一代光源进入千家万户，引起人类照明史的革命。

LED制作时，先在衬底上外延生长半导体晶体材料，形成LED外延片；再在LED外延片上设置电极，并对LED外延片进行切割，得到至少两个相互独立的LED芯片；最后对LED芯片进行封装，得到LED。

目前外延生长都是在MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备的反应室内进行。相关技术中，MOCVD设备的反应室内设有石墨基座，石墨基座上间隔设有多个口袋(pocket)，一个口袋内可以放置一个衬底。外延生长时，反应物气体在衬底上生成半导体晶体材料，形成LED外延片。

在实现本公开的过程中，发明人发现相关技术至少存在以下问题：

同一个衬底上不同区域的反应物气体的流量不同，导致衬底上不同区域生成的半导体晶体材料不同，形成的LED外延片不同区域的发光波长不同，波长均匀性无法满足应用需要。

发明内容

本公开实施例提供了一种石墨基座和MOCVD设备，可以改善LED外延片的波长均匀性。所述技术方案如下：

一方面，本公开实施例提供了一种石墨基座，所述石墨基座为圆盘形结构，所述石墨基座的一个圆形端面上设有多个圆形槽和至少一个条形槽；所述多个圆形槽的中心分布在至少两个圆形上，所述至少两个圆形是以所述石墨基座的中心为圆心的同心圆；所述至少一个条形槽分布在至少一个圆环内，每个所述圆环位于至少两个所述圆形槽之间，至少两个所述圆形槽的中心分布在相邻的两个所述圆形上；至少两个所述圆形槽包括至少一个第一圆形槽和至少一个第二圆形槽，所述至少一个第一圆形槽的中心分布在相邻的两个所述圆形中靠近所述石墨基座的中心的圆形上，所述至少一个第二圆形槽的中心分布在相邻的两个所述圆形中远离所述石墨基座的中心的圆形上；所述第一圆形槽的远心点和所述第一圆形槽相邻的所述第二圆形槽之间的最短连线与所述至少一个条形槽间隔设置，所述远心点为所述第一圆形槽上距离所述石墨基座的中心最远的点。

可选地，每个所述条形槽分布在相邻的两个所述第一圆形槽和所述至少一个第二圆形槽之间；每个所述条形槽平行于长度方向的一个表面朝向所述条形槽所分布的两个所述第一圆形槽之间。

可选地，每个所述条形槽平行于长度方向的中心线与所述条形槽所分布的两个所述第一圆形槽的对称轴垂直相交。

可选地，分布在同一个所述圆环内的所述条形槽和所述圆环所位于的所述第一圆形槽在所述圆形端面的周向上交替排列。

可选地，每个所述条形槽的深度沿远离所述石墨基座的中心的方向逐渐增大。

可选地，每个所述条形槽的深度为5mm～15mm。

可选地，所述至少一个条形槽分布在至少两个所述圆环上，分布在不同所述圆环内的所述条形槽的宽度沿远离所述石墨基座的中心的方向逐渐增大。

可选地，每个所述条形槽的宽度为1mm～10mm。

可选地，每个所述条形槽的长度为5cm～20cm。

另一方面，本公开实施例提供了一种MOCVD设备，所述MOCVD设备包括石墨基座、反应室、转轴和出气口；所述石墨基座的一个圆形端面上设有多个圆形槽和至少一个条形槽；所述多个圆形槽的中心分布在至少两个圆形上，所述至少两个圆形是以所述石墨基座的中心为圆心的同心圆；所述至少一个条形槽分布在至少一个圆环内，每个所述圆环位于至少两个所述圆形槽之间，至少两个所述圆形槽的中心分布在相邻的两个所述圆形上；至少两个所述圆形槽包括至少一个第一圆形槽和至少一个第二圆形槽，所述至少一个第一圆形槽的中心分布在相邻的两个所述圆形中靠近所述石墨基座的中心的圆形上，所述至少一个第二圆形槽的中心分布在相邻的两个所述圆形中远离所述石墨基座的中心的圆形上；所述第一圆形槽的远心点和所述第一圆形槽相邻的所述第二圆形槽之间的最短连线与所述至少一个条形槽间隔设置，所述远心点为所述第一圆形槽上距离所述石墨基座的中心最远的点；所述石墨基座设置在所述反应室内；所述出气口设置在所述反应室上，所述出气口朝向所述石墨基座设有所述多个圆形槽和所述至少一个条形槽的圆形端面；所述转轴和所述出气口位于所述石墨基座的相反两侧，所述转轴与所述石墨基座同轴连接。

本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

通过在石墨基座设有多个圆形槽的圆形端面上增设至少一个条形槽，反应气体可以注入到条形槽内，使得条形槽内总会有反应气体，从而增加条形槽所在区域的反应气体。由于多个圆形槽的中心分布在以石墨基座的中心为圆心的至少两个圆形上，条形槽分布在至少两个圆形槽之间的圆环内，至少两个圆形槽的中心分布在相邻的两个圆形上，因此条形槽开设在相邻的圆形槽之间，不会对圆形槽造成影响。将条形槽所在圆环两侧的圆形槽划分为第一圆形槽和第二圆形槽，第一圆形槽的中心分布在靠近石墨基座中心的圆形上，第二圆形槽的中心分布在远离石墨基座中心的圆形上，则第一圆形槽上距离石墨基座中心最远的点和第二圆形槽之间的最短连线与条形槽间隔设置，也就是说，第一圆形槽上距离石墨基座中心最远的点和第二圆形槽之间没有设置条形槽，条形槽增加的是圆形槽靠近石墨基座中心的区域的反应气体，从而可以改善反应气体沿远离石墨基座中心的方向逐渐增多的状况，有利于同一个衬底上沉积的外延材料均匀分布，避免同一个外延片的发光波长出现差异，提高外延片的发光均匀性。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本公开实施例提供的MOCVD设备的结构示意图；

图2是相关技术提供的石墨基座的俯视图；

图3是相关技术提供的石墨基座上外延片发光波长的示意图；

图4是本公开实施例提供的一种石墨基座的结构示意图；

图5是本公开实施例提供的本公开实施例提供的石墨基座的侧视图；

图6是本公开实施例提供的另一种石墨基座的结构示意图；

图7是本公开实施例提供的石墨基座上外延片发光波长的示意图。

具体实施方式

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。

MOCVD设备是目前外延生长的常用设备。图1为本公开实施例提供的MOCVD设备的结构示意图。参见图1，MOCVD设备包括石墨基座100、反应室200、转轴300和出气口400。石墨基座100设置在反应室200内，转轴300同轴连接在石墨基座100上，出气口400安装反应室200的壁面上，转轴300和出气口400位于石墨基座100的相反两侧。出气口400的数量有多个，多个出气口400间隔分布并分别与石墨基座100相对。

图2为相关技术提供的石墨基座的俯视图。参见图2，石墨基座100为圆盘形结构，石墨基座100朝向出气口400的圆形端面110上设有多个圆形槽10，多个圆形槽10的中心分布在至少两个圆形30上，至少两个圆形30是以石墨基座100的中心为圆形的同心圆。

以图2为例，靠近石墨基座100的中心的四个圆形槽10的中心分布在一个圆形30上，远离石墨基座100的中心的十个圆形槽10分布在另一个圆形30上，两个圆形30是以石墨基座100的中心为圆心的同心圆。

外延生长的时候，将衬底放置在圆形槽10内，利用转轴300带动石墨基座100转动，利用出气口400向反应室内通入反应气体。由于石墨基座100是转动的，因此石墨基座100的圆形端面上与出气口400相对的区域是不断变化的，反应气体可以传输到不同圆形槽10内的衬底上。反应气体在每个衬底上反应生成外延材料，外延材料沉积在各个衬底上形成外延片。也由于石墨基座100是转动的，因此衬底上的反应气体也会随之转动。在离心力的作用下，反应气体向远离石墨基座100的中心的方向移动，造成反应气体沿远离石墨基座100的中心的方向逐渐增多，同一个衬底上沉积的外延材料不均匀，同一个外延片的发光波长出现差异，发光均匀性无法满足应用需要。

图3为相关技术提供的石墨基座上外延片发光波长的示意图。参见图3，同一个外延片靠近石墨基座100的中心的区域和远离石墨基座100的中心的区域在发光波长上是不同的，特别是远离石墨基座100的中心的十个外延片在发光波长上的差异比较明显。

基于上述情况，本公开实施例提供了一种石墨基座。图4为本公开实施例提供的一种石墨基座的结构示意图。参见图4，石墨基座100为圆盘形结构，石墨基座100的一个圆形端面110上设有多个圆形槽10和至少一个条形槽20。多个圆形槽10的中心分布在至少两个圆形30上，至少两个圆形30是以石墨基座100的中心为圆心的同心圆。至少一个条形槽20分布在至少一个圆环40内，每个圆环40位于至少两个圆形槽10之间，至少两个圆形槽10的中心分布在相邻的两个圆形30上。至少两个圆形槽10包括至少一个第一圆形槽11和至少一个第二圆形槽12，至少一个第一圆形槽11的中心分布在相邻的两个圆形30中靠近石墨基座100的中心的圆形30上，至少一个第二圆形槽12的中心分布在相邻的两个圆形30中远离石墨基座100的中心的圆形30上。第一圆形槽11的远心点和第一圆形槽11相邻的第二圆形槽12之间的最短连线与至少一个条形槽20间隔设置，远心点为第一圆形槽11上距离石墨基座100的中心最远的点。

在本公开实施例中，石墨基座100为圆盘形结构，石墨基座100包括两个圆形端面和一个曲面，两个圆形端面相互平行，曲面位于两个圆形端面之间并与两个圆形端面连接。

如图4所示，多个圆形槽10和至少一个条形槽20设置在石墨基座100的同一个圆形端面110上。多个圆形槽10间隔分布在圆形端面110上。以图4为例，靠近石墨基座100的中心的四个圆形槽10的中心分布在一个圆形30上，远离石墨基座100的中心的十个圆形槽10分布在另一个圆形30上，两个圆形30是以石墨基座100的中心为圆心的同心圆。

圆环40位于相邻的两个圆形30之间，圆环40的数量比圆形30的数量少一个。以图4为例，圆形30的数量为两个，圆环40的数量为一个。

同一个圆环40内分布的至少两个条形槽20间隔分布在圆形端面110上。以图4为例，四个条形槽20间隔分布在两个圆形30之间的圆环40内。

将圆环40内外的圆形槽10划分为第一圆形槽11和第二圆形槽12，第一圆形槽11的中心分布在靠近石墨基座100的中心的圆形30上，第二圆形槽12的中心分布在远离石墨基座100的中心的圆形30上。第一圆形槽11上距离石墨基座100的中心最远的点和第二圆形槽12之间的最短连线与至少一个条形槽20间隔设置，也就是说，第一圆形槽11上距离石墨基座100的中心最远的点和第二圆形槽12之间没有设置条形槽20。

本公开实施例在石墨基座设有多个圆形槽的圆形端面上增设至少一个条形槽，反应气体可以注入到条形槽内，使得条形槽内总会有反应气体，从而增加条形槽所在区域的反应气体。由于多个圆形槽的中心分布在以石墨基座的中心为圆心的至少两个圆形上，条形槽分布在至少两个圆形槽之间的圆环内，至少两个圆形槽的中心分布在相邻的两个圆形上，因此条形槽开设在相邻的圆形槽之间，不会对圆形槽造成影响。将条形槽所在圆环两侧的圆形槽划分为第一圆形槽和第二圆形槽，第一圆形槽的中心分布在靠近石墨基座中心的圆形上，第二圆形槽的中心分布在远离石墨基座中心的圆形上，则第一圆形槽上距离石墨基座中心最远的点和第二圆形槽之间的最短连线与条形槽间隔设置，也就是说，第一圆形槽上距离石墨基座中心最远的点和第二圆形槽之间没有设置条形槽，条形槽增加的是圆形槽靠近石墨基座中心的区域的反应气体，从而可以改善反应气体沿远离石墨基座中心的方向逐渐增多的状况，有利于同一个衬底上沉积的外延材料均匀分布，避免同一个外延片的发光波长出现差异，提高外延片的发光均匀性。

可选地，如图4所示，每个条形槽20分布在相邻的两个第一圆形槽11和至少一个第二圆形槽12之间，每个条形槽20平行于长度方向的一个表面朝向条形槽20所分布的两个第一圆形槽11之间。

条形槽20平行于长度方向的一个表面朝向条形槽20所分布的两个第一圆形槽11之间，由于两个第一圆形槽11的中心分布在以石墨基座100的中心为圆心的圆形30上，因此条形槽20的延伸方向与以石墨基座100的中心为圆心的圆形的切线方向基本一致，反应气体可以沿条形槽20的延伸方向穿过条形槽20，有利于反应气体注入条形槽20，使得条形槽20内总有反应气体，可以增加圆形槽10靠近石墨基座100的中心的区域的反应气体。

可选地，如图4所示，每个条形槽20平行于长度方向的中心线与条形槽20所分布的两个第一圆形槽11的对称轴垂直相交。

条形槽20平行于长度方向的中心线与条形槽20所分布的两个第一圆形槽11的对称轴垂直，由于两个第一圆形槽11的中心分布在以石墨基座100的中心为圆心的圆形30上，因此条形槽20的延伸方向与以石墨基座100的中心为圆心的圆形的切线方向一致，反应气体可以沿条形槽20的延伸方向穿过条形槽20，有利于反应气体注入条形槽20，使得条形槽20内总有反应气体，可以增加圆形槽10靠近石墨基座100的中心的区域的反应气体。

条形槽20平行于长度方向的中心线与条形槽20所分布的两个第一圆形槽11的对称轴相交，条形槽20设置在尽可能远离第一圆形槽11上距离石墨基座100的中心最远的点的区域，有利于利用条形槽20改善反应气体沿远离石墨基座100的中心的方向逐渐增多的状况，提高外延片的发光均匀性。

可选地，如图4所示，分布在同一个圆环40内的条形槽20和圆环40所位于的第一圆形槽11在圆形端面110的周向上交替排列。

条形槽20和第一圆形槽11在圆形端面110的周向上交替排列，一方面条形槽20设置在尽可能远离第一圆形槽11上距离石墨基座100的中心最远的点的区域，有利于利用条形槽20改善反应气体沿远离石墨基座100的中心的方向逐渐增多的状况，提高外延片的发光均匀性；另一方面，条形槽20尽可能设置在所有区域，以改善反应气体沿远离石墨基座100的中心的方向逐渐增多的状况。

另外，条形槽20和第一圆形槽11在圆形端面110的周向上交替排列，条形槽20沿圆形端面110的周向均匀分布在圆形端面110上，有利于圆形端面110上反应气体整体的稳定性。

图5为本公开实施例提供的石墨基座的侧视图。参见图5，可选地，每个条形槽20的深度沿远离石墨基座100的中心的方向逐渐增大。

条形槽20的深度沿远离石墨基座100的中心的方向逐渐增大，条形槽20远离石墨基座100的中心的部分深度较大，条形槽20靠近石墨基座100的中心的部分深度较小。

由于条形槽20远离石墨基座100的中心的部分与第二圆形槽12靠近石墨基座100的中心的区域相邻，因此条形槽20远离石墨基座100的中心的部分深度较大，容纳的反应气体较多，可以有效补充第二圆形槽12靠近石墨基座100的中心的区域的反应气体，改善第二圆形槽12上反应气体分布均匀的状况，提高第二圆形槽12内外延片的发光均匀性。

由于条形槽20靠近石墨基座100的中心的部分与第一圆形槽11远离石墨基座100的中心的区域相邻，因此条形槽20靠近石墨基座100的中心的部分深度较小，容纳的反应气体较少，可以尽可能避免增加第一圆形槽11远离石墨基座100的中心的区域的反应气体，防止降低第一圆形槽11内外延片的发光均匀性。

可选地，每个条形槽20的深度为5mm～15mm。

当条形槽20的深度小于5mm时，条形槽20内容纳的反应气体较少，很难改变圆形槽上的反应气体的分布，无法有效提高外延片的发光均匀性；当条形槽20的深度大于15mm时，条形槽20内容纳的反应气体较多，有可能使圆形槽10上靠近石墨基座100的中心的区域的反应气体反超圆形槽10上远离石墨基座100的中心的区域的反应气体，还是会造成圆形槽10上反应气体的分布不均匀，降低外延片的发光均匀度，而且还有可能影响到石墨基座100上反应气体整体的稳定性。

每个条形槽20的深度为5mm～15mm，可以适当增加圆形槽10靠近石墨基座100的中心的区域的反应气体，有效改善反应气体沿远离石墨基座100的中心的方向逐渐增多的状况，有利于同一个衬底上沉积的外延材料均匀分布，避免同一个外延片的发光波长出现差异，提高外延片的发光均匀性。

示例性地，每个条形槽20的深度沿远离石墨基座100的中心的方向从5mm逐渐增大至15mm。

图6为本公开实施例提供的另一种石墨基座的结构示意图。图6所示的石墨基座与图4所示的石墨基座基本相同，不同之处在于，圆形槽10和条形槽20的分布和数量。具体来说，在图4所示的石墨基座中，四个圆形槽10的中心分布在靠近石墨基座100的中心的圆形30上，十个圆形槽10的中心分布在远离石墨基座100的中心的圆形30上；四个条形槽20分布在两个圆形30之间的圆环40内。在图6所示的石墨基座中，四个圆形槽10的中心分布在靠近石墨基座100的中心的圆形30上，十个圆形槽10的中心分布在中间的圆形30上，另外还有十七个圆形槽10的中心分布在远离石墨基座100的中心的圆形30上；四个条形槽20分布在靠近石墨基座100的中心的两个圆形30之间的圆环40内，另外还有十个条形槽20分布在远离石墨基座100的中心的两个圆形30之间的圆环40内。

可选地，如图6所示，至少一个条形槽20分布在至少两个圆环40上，分布在不同圆环40内的条形槽20的宽度沿远离石墨基座100的中心的方向逐渐增大。

分布在不同圆环40上的条形槽20的宽度沿远离石墨基座100的中心的方向逐渐增大，远离石墨基座100的中心的圆环40上的条形槽20的宽度较大，靠近石墨基座100的中心的圆环40上的条形槽20的宽度减小。

石墨基座100的转动，使得石墨基座100的圆形端面110上的反应气体随之转动，反应气体在离心力的作用下向远离石墨基座100的中心的方向聚集，因此外延片的发光均匀性沿远离石墨基座100的中心的方向逐渐变差。远离石墨基座100的外延片的发光均匀性较差，利用远离石墨基座100的中心的圆环40上的条形槽20的宽度较大，可以有效弥补远离石墨基座100的中心的圆形槽10靠近石墨基座100的中心的区域的反应气体，改善远离石墨基座100的中心的圆形槽10上反应气体分布均匀的状况，提高远离石墨基座100的中心的圆形槽10内外延片的发光均匀性。靠近石墨基座100的外延片的发光均匀性较好，利用靠近石墨基座100的中心的圆环40上的条形槽20的宽度较小，可以适当弥补靠近石墨基座100的中心的圆形槽10靠近石墨基座100的中心的区域的反应气体，改善靠近石墨基座100的中心的圆形槽10上反应气体分布均匀的状况，提高靠近石墨基座100的中心的圆形槽10内外延片的发光均匀性。

可选地，每个条形槽20的宽度为1mm～10mm。

当条形槽20的宽度小于1mm时，条形槽20内容纳的反应气体较少，很难改变圆形槽上的反应气体的分布，无法有效提高外延片的发光均匀性；当条形槽20的宽度大于10mm时，有可能使圆形槽10上靠近石墨基座100的中心的区域的反应气体反超圆形槽10上远离石墨基座100的中心的区域的反应气体，还是会造成圆形槽10上反应气体的分布不均匀，降低外延片的发光均匀度，而且还有可能影响到石墨基座100上反应气体整体的稳定性。

每个条形槽20的宽度为1mm～10mm，可以适当增加圆形槽10靠近石墨基座100的中心的区域的反应气体，有效改善反应气体沿远离石墨基座100的中心的方向逐渐增多的状况，有利于同一个衬底上沉积的外延材料均匀分布，避免同一个外延片的发光波长出现差异，提高外延片的发光均匀性。

示例性地，分布在不同圆环40上的条形槽20的宽度沿远离石墨基座100的中心的方向从1mm逐渐增大至10mm。

可选地，每个条形槽20的长度为5cm～20cm。

当条形槽20的长度小于5cm时，条形槽20的长度较短，不利于反应气体留在条形槽20内改变圆形槽上的反应气体的分布，无法有效提高外延片的发光均匀性；当条形槽20的长度大于20cm时，条形槽20的长度较长，有可能延伸到圆形槽10距离石墨基座100的中心的点处，无法利用条形槽20改变圆形槽上的反应气体的分布，而且条形槽20内容纳的反应气体较多，还有可能影响到石墨基座100上反应气体整体的稳定性。

每个条形槽20的长度为5cm～20cm，可以适当增加圆形槽10靠近石墨基座100的中心的区域的反应气体，有效改善反应气体沿远离石墨基座100的中心的方向逐渐增多的状况，有利于同一个衬底上沉积的外延材料均匀分布，避免同一个外延片的发光波长出现差异，提高外延片的发光均匀性。

示例性地，各个条形槽20的长度相同。

各个条形槽20的长度相同，有利于条形槽20均匀分布在石墨基座100上。而且石墨基座100未设置圆形槽10的空间有限，各个条形槽20的长度相同，方便布置。

本公开实施例提供了一种MOCVD设备。如图1所示，MOCVD设备包括石墨基座100、反应室200、转轴300和出气口400。石墨基座100的一个圆形端面110上设有多个圆形槽10和至少一个条形槽20。多个圆形槽10的中心分布在至少两个圆形30上，至少两个圆形30是以石墨基座100的中心为圆心的同心圆。至少一个条形槽20分布在至少一个圆环40上，每个圆环40位于至少两个圆形槽10之间，至少两个圆形槽10的中心分布在相邻的两个圆形30上。至少两个圆形槽10包括至少一个第一圆形槽11和至少一个第二圆形槽12，至少一个第一圆形槽11的中心分布在相邻的两个圆形30中靠近石墨基座100的中心的圆形30上，至少一个第二圆形槽12的中心分布在相邻的两个圆形30中远离石墨基座100的中心的圆形30上。第一圆形槽11的远心点和第一圆形槽11相邻的第二圆形槽12之间的最短连线与至少一个条形槽20间隔设置，远心点为第一圆形槽11上距离石墨基座100的中心最远的点。石墨基座100设置在反应室200内。出气口400设置在反应室200上，出气口400朝向石墨基座100设有多个圆形槽10和至少一个条形槽20的圆形端面110。转轴300和出气口400位于石墨基座100的相反两侧，转轴300与石墨基座100同轴连接。

图7为本公开实施例提供的石墨基座上外延片发光波长的示意图。参见图7，相比于图3，同一个外延片靠近石墨基座100的中心的区域和远离石墨基座100的中心的区域在发光波长上的差异很小，特别是远离石墨基座100的中心的十个外延片在发光波长上的差异明显减小。

以上仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种石墨基座，其特征在于，所述石墨基座(100)为圆盘形结构，所述石墨基座(100)的一个圆形端面(110)上设有多个圆形槽(10)和至少一个条形槽(20)；所述多个圆形槽(10)的中心分布在至少两个圆形(30)上，所述至少两个圆形(30)是以所述石墨基座(100)的中心为圆心的同心圆；所述至少一个条形槽(20)分布在至少一个圆环(40)内，每个所述圆环(40)位于至少两个所述圆形槽(10)之间，至少两个所述圆形槽(10)的中心分布在相邻的两个所述圆形(30)上；至少两个所述圆形槽(10)包括至少一个第一圆形槽(11)和至少一个第二圆形槽(12)，所述至少一个第一圆形槽(11)的中心分布在相邻的两个所述圆形(30)中靠近所述石墨基座(100)的中心的圆形(30)上，所述至少一个第二圆形槽(12)的中心分布在相邻的两个所述圆形(30)中远离所述石墨基座(100)的中心的圆形(30)上；所述第一圆形槽(11)的远心点和所述第一圆形槽(11)相邻的所述第二圆形槽(12)之间的最短连线与所述至少一个条形槽(20)间隔设置，所述远心点为所述第一圆形槽(11)上距离所述石墨基座(100)的中心最远的点，每个所述条形槽(20)的深度沿远离所述石墨基座(100)的中心的方向逐渐增大。

2.根据权利要求1所述的石墨基座，其特征在于，每个所述条形槽(20)分布在相邻的两个所述第一圆形槽(11)和所述至少一个第二圆形槽(12)之间；每个所述条形槽(20)平行于长度方向的一个表面朝向所述条形槽(20)所分布的两个所述第一圆形槽(11)之间。

3.根据权利要求2所述的石墨基座，其特征在于，每个所述条形槽(20)平行于长度方向的中心线与所述条形槽(20)所分布的两个所述第一圆形槽(11)的对称轴垂直相交。

4.根据权利要求2或3所述的石墨基座，其特征在于，分布在同一个所述圆环(40)内的所述条形槽(20)和所述圆环(40)所位于的所述第一圆形槽(11)在所述圆形端面(110)的周向上交替排列。

5.根据权利要求1所述的石墨基座，其特征在于，每个所述条形槽(20)的深度为5mm～15mm。

6.根据权利要求1～3任一项所述的石墨基座，其特征在于，所述至少一个条形槽(20)分布在至少两个所述圆环(40)上，分布在不同所述圆环(40)内的所述条形槽(20)的宽度沿远离所述石墨基座(100)的中心的方向逐渐增大。

7.根据权利要求6所述的石墨基座，其特征在于，每个所述条形槽(20)的宽度为1mm～10mm。

8.根据权利要求1～3任一项所述的石墨基座，其特征在于，每个所述条形槽(20)的长度为5cm～20cm。

9.一种MOCVD设备，其特征在于，所述MOCVD设备包括石墨基座(100)、反应室(200)、转轴(300)和出气口(400)；所述石墨基座(100)的一个圆形端面(110)上设有多个圆形槽(10)和至少一个条形槽(20)；所述多个圆形槽(10)的中心分布在至少两个圆形(30)上，所述至少两个圆形(30)是以所述石墨基座(100)的中心为圆心的同心圆；所述至少一个条形槽(20)分布在至少一个圆环(40)内，每个所述圆环(40)位于至少两个所述圆形槽(10)之间，至少两个所述圆形槽(10)的中心分布在相邻的两个所述圆形(30)上；至少两个所述圆形槽(10)包括至少一个第一圆形槽(11)和至少一个第二圆形槽(12)，所述至少一个第一圆形槽(11)的中心分布在相邻的两个所述圆形(30)中靠近所述石墨基座(100)的中心的圆形(30)上，所述至少一个第二圆形槽(12)的中心分布在相邻的两个所述圆形(30)中远离所述石墨基座(100)的中心的圆形(30)上；所述第一圆形槽(11)的远心点和所述第一圆形槽(11)相邻的所述第二圆形槽(12)之间的最短连线与所述至少一个条形槽(20)间隔设置，所述远心点为所述第一圆形槽(11)上距离所述石墨基座(100)的中心最远的点，每个所述条形槽(20)的深度沿远离所述石墨基座(100)的中心的方向逐渐增大；所述石墨基座(100)设置在所述反应室(200)内；所述出气口(400)设置在所述反应室(200)上，所述出气口(400)朝向所述石墨基座(100)设有所述多个圆形槽(10)和所述至少一个条形槽(20)的圆形端面(110)；所述转轴(300)和所述出气口(400)位于所述石墨基座(100)的相反两侧，所述转轴(300)与所述石墨基座(100)同轴连接。

Images