CN103730395A

CN103730395A - 晶片载具

Info

Publication number: CN103730395A
Application number: CN201310472565.5A
Authority: CN
Inventors: 张中英; 罗云明; 沈圻; 曾楹珍
Original assignee: Epistar Corp
Current assignee: Epistar Corp
Priority date: 2012-10-11
Filing date: 2013-10-11
Publication date: 2014-04-16
Anticipated expiration: 2033-10-11
Also published as: TWI557842B; CN103730395B; TW201415577A; US20140102372A1

Abstract

本发明公开一种晶片载具，其包含一具有一高度以及一凹口的承载主体，其中凹口的底面为一曲面；以及多个支撑柱位于承载主体的一周边。本发明另一方面提供晶片载具的一制造方法。方法包含于一成长基板上形成一外延层以形成一晶片结构；量测晶片结构的一翘曲率；以及依据晶片结构的翘曲率，提供上述的晶片载具。

Description

晶片载具

技术领域

本发明涉及一种晶片载具，尤其是涉及一种具有一承载主体及多个支撑柱位于承载主体的一周边的晶片载具。

背景技术

在发光二极管的制作工艺中，外延层需要成长在一基板上，基板的功能类似于晶片拉晶时的晶种层。当基板的晶格常数与外延层的晶格常数相近，在外延层成长时可以减少外延层与基板之间晶格的差排、错位等缺陷。基板的选择以与外延层的材料相近为佳，因为基板与外延层的晶格常数等物理特性相近，在外延层成长于基板的过程中较不会因为不同的反应炉温度范围，而在外延层与基板之间产生应力，形成翘曲，影响外延层的品质。但是对某些外延层材料而言，并无相同于外延层材料的基板可供使用，也无相同于外延层晶格常数的材料可以使用。此外，即便有理想的基板材料选择，其生产成本也可能过高。

综合上述原因，一旦基板材料与外延层材料不同，亦或是外延层的组成材料有数种，只要其中一种或一种以上的外延层材料与基板的材料不同，或是晶格常数不同、膨胀系数不同、硬度不同，都将导致外延层成长于基板的过程中，因不同的反应炉温度而在外延层与基板之间产生不同的应力，形成不同的翘曲或形变。轻度的应力可能造成外延层因受热不均匀而导致外延品质不佳，且外延层形变所造成的弯曲也会影响后续的制作工艺。如果所产生的应力过大，则可能导致外延层破裂。

一般用于发光二极管外延层成长的方式包含气相外延法(VPE)或有机金属化学气相沉积法(MOCVD)。其中，有机金属化学气相沉积法(MOCVD)是最常用的外延技术，通常用来成长GaN、AlGaInP等薄膜。首先，将一基板放置于一载具(carrier)上，然后将位在载具上的基板移至反应炉中成长外延层，形成晶片结构。在外延层成长的过程中，反应炉温度会持续变化。由于外延层和基板的晶格常数、热膨胀系数不同，在不同的温度区间，晶片结构会产生不同程度的翘曲和形变。

晶片结构的翘曲会使晶片无法与载具完全贴合，造成晶片结构表面温度分布不均匀，如果此时正在成长一发光层，晶片结构表面温度分布不均匀将会影响到晶片结构上不同区域的发光层发光波长分布不同。

图1描述了现有技术中一晶片载具10，包含一承载主体100具有一凹口102，凹口102的底面103为一平面。一晶片104包含一成长基板及一成长于成长基板上的外延层，其中外延层包含一发光层。在外延层成长于成长基板的过程中，反应炉温度会持续变化。因外延层和成长基板的晶格常数、热膨胀系数不同，在不同的温度区间，晶片会产生不同程度的翘曲和形变。如图1所示，晶片104的侧视图为一凸面，当成长发光层于成长基板上时，因晶片104与载具凹口102的底面103顶触的区域只有晶片104周围部分区域，此时用于成长发光层的反应炉温度设定如果以晶片104的中心区域为考虑，将导致晶片104周边的成长温度与晶片104中心区域的成长温度不同。由于成长于成长基板上的发光层因晶片104上不同的区域有不同的成长温度，其发光波长也不同。

图2描述了现有技术中一晶片载具20，包含一承载主体200具有一凹口202，凹口202的底面203为一平面。一晶片204包含成长基板及成长于成长基板上的外延层，其中外延层包含一发光层。如图2所示，晶片204的侧视图为一凹面，当成长发光层于成长基板上时，因晶片204与载具凹口202的底面203顶触的区域只有晶片204中心区域，晶片204容易晃动。当晶片载具20高速旋转时，晶片204可能飞出。

图3A所示为另一现有晶片载具30，包含一承载主体300具有一凹口302，凹口302的底面303为一平面；以及一支撑环305位于承载主体300的周边。一晶片304包含一成长基板及一成长于成长基板上的外延层，其中外延层包含一发光层。

图3B所示为现有晶片载具30的上视图，支撑环305的上视形状大约为一圆形。支撑环305沿着晶片304周围将晶片304架高，使晶片304不会因只有晶片304的中心区域与载具凹口302的底面303相顶触而容易晃动。但是，支撑环305与晶片304外围直接接触使晶片外围的成长温度与晶片中心区域的成长温度不同。由于成长于成长基板上的发光层因晶片304外围与中心区域有不同的成长温度，其发光波长也不同。

发明内容

一晶片载具，包含一具有一高度以及一凹口的承载主体，其中凹口的底面为一曲面；以及多个支撑柱位于承载主体的一周边。本发明另一方面提供晶片载具的一制造方法。方法包含于一成长基板上形成一外延层以形成一晶片结构；量测晶片结构的一翘曲率；以及依据晶片结构的翘曲率，提供上述的晶片载具。

附图说明

图1是现有的晶片载具剖视图；

图2是现有的晶片载具剖视图；

图3A是现有的晶片载具剖视图；

图3B是现有的晶片载具上视图；

图4A是本发明第一实施例的晶片载具剖视图；

图4B是本发明第一实施例的晶片上视图；

图5A是本发明第二实施例的晶片载具剖视图；

图5B是本发明第二实施例的晶片上视图；

图6是本发明第一、二实施例的晶片载具上视图；

图7是本发明第一、二实施例晶片载具的各多个支撑柱上视图；

图7A是本发明一实施例的晶片载具上视图；

图8A是本发明第一、二实施例晶片载具的平边上视图；

图8B是本发明第一、二实施例晶片及晶片载具的上视图；

图9是本发明一实施例的承载盘上视图；

图10是本发明一实施例的加热器上视图。

符号说明

晶片载具10、20、30、40、40b、50、60、60a、701、80

承载主体100、200、300、400、500、600

承载主体高度401、501

承载主体凹口102、202、302、402、502

底面103、203、303、403、503

凸面高度403a

凹面深度503a

晶片104、204、304、404、504、804

支撑环305

支撑柱405、505、605、704、601

第一支撑柱606

第二支撑柱605a

支撑柱高度405a、505a

第一侧边702

第二侧边703

第三侧边6062

第四侧边6061

平边803、4041、5041、8041

承载盘9

第一上表面400s

第一圆心92

内圈93

外圈91

第一支撑部906

第二支撑部905

第三支撑部907

加热器10

第二上表面102

第二圆心100

内加热器101

外加热器105

中间加热器103

具体实施方式

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。在附图或说明中，相似或相同的部分是使用相同的标号，并且在附图中，元件的形状或厚度可扩大或缩小。需特别注意的是，图中未绘示或描述的元件，可以是熟习此技术的人士所知的形式。

如图4A所示，依据本发明第一实施例的一晶片载具40的剖视图如下：如图4A所示，本发明第一实施例的晶片载具40，包含一具有一高度401的承载主体400，承载主体400具有一凹口402，凹口402的底面403为一曲面；以及多个支撑柱405位于承载主体400的周边。

本发明第一实施例的晶片载具40的凹口402的上视形状大约为一圆形，其尺寸为可容置一直径2～8吋的商用晶片。如图8A所示，图8A为一晶片载具80的上视图，如果是为承载4吋或是4吋以上的晶片，晶片载具80凹口的上视形状还包含一平边803。一晶片404包含一成长基板及一成长于成长基板上的外延层，其中外延层包含一发光层。外延层的材料包含一种以上的元素选自镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、磷(P)、氮(N)、锌(Zn)、砷(As)、镉(Cd)、及硒(Se)所构成的群组。

承载主体400的材料包含复合性材料，例如陶瓷；半导体材料，例如氮化硼、碳化硅；导电性材料，例如石墨或金属，其中金属包含钼、钨、钛、锆或上述的任意合金；非导电性材料，例如石英。

本发明第一实施例中，凹口402的上视形状大约为圆形，其中凹口的上视形状包含一侧边及一圆心。凹口402的底面403为曲面，其中曲面包含一凸面自凹口402的侧边向凹口402的圆心凸出一高度403a。在本实施例中，凸面高度403a介于15至1000微米之间。凸面高度403a与晶片载具40所承载的晶片404尺寸成一正比关系，其中，晶片尺寸与凸面高度之间正比比值的范围介于7至125之间。当晶片404尺寸越大，在高温下成长外延层时，晶片404所产生的翘曲也越大，所以晶片载具40的承载主体400的凸面高度403a也需要再增高。当晶片载具40所承载的晶片404尺寸为2吋时，承载主体400的凸面高度403a范围介于15至65微米之间。当晶片载具40所承载的晶片404尺寸为4吋时，承载主体400的凸面高度403a范围介于15至160微米之间。当晶片载具40所承载的晶片404尺寸为6吋时，承载主体400的凸面高度403a范围介于15至400微米之间。当晶片载具40所承载的晶片404尺寸为8吋时，承载主体400的凸面高度403a范围介于15至1000微米之间。

由于外延层和成长基板的晶格常数、热膨胀系数不同，在不同的温度区间，晶片会产生不同程度的翘曲和形变。在本实施例中，如果此时晶片的翘曲形状为一凸面，选择包含凸面的晶片载具40会使晶片表面温度分布较均匀，晶片上不同区域的发光层发光波长分布也较均匀。

本发明第一实施例的晶片载具40还包含多个支撑柱405位于承载主体400的周边。在本实施例中，多个支撑柱405的数量为至少三个，且多个支撑柱405位于承载主体400的周边。多个支撑柱405位于承载主体400的周边的上视图如图6或图7A所示，图6为一晶片载具60的上视图，多个支撑柱605的数量为至少三个，且多个支撑柱605位于承载主体的周边。多个支撑柱605不规则地排列于晶片载具60的周边。具体而言，通过晶片载具60的一圆心画一假想线，超过半数的支撑柱605形成于晶片载具60周边的一部分，少于半数的支撑柱605形成于晶片载具60周边的另一部分。

本发明第一实施例的各多个支撑柱405的上视图如图7所示。图7为一晶片载具701的各多个支撑柱704的上视图，各多个支撑柱704的上视图包含一第一侧边702，其中第一侧边还包含一具有一第一曲率半径的第一弧面；及多个第二侧边703，其中各多个第二侧边还包含一具有一第二曲率半径的第二弧面，且第二曲率半径不同于第一曲率半径。

图7A是本发明另一实施例的一晶片载具60a的上视图。晶片载具60a包含一承载主体600及多个支撑柱601位于承载主体600的周边。多个支撑柱601包含一第一支撑柱606及一第二支撑柱605a。于本实施例中，图6所示之一或多个支撑柱605可被第一支撑柱606所取代。第一支撑柱606具有一特征尺寸大于第二支撑柱605a的特征尺寸。特征尺寸包含一上表面面积。具体而言，第一支撑柱606的上表面面积大于第二支撑柱605a的上表面面积。第二支撑柱605a包含一形状或尺寸与图6中所示的支撑柱605或图7中所示的支撑柱704相同。第一支撑柱606包含一第三侧边6062及一第四侧边6061，其中从晶片载具60a的上视图来看，第三侧边6062比第四侧边6061还靠近晶片载具60a的圆心C。第三侧边6062包含一具有一第三曲率半径的第三弧面，且第四侧边6061包含一具有一第四曲率半径的第四弧面。与图7所示的支撑柱704相比，第三侧边6062具有一特征尺寸，例如第三曲率半径，不同于第一侧边702的第一曲率半径或是第二侧边703的第二曲率半径。第三侧边6062及第四侧边6061是相连接于两相对的端点。于一实施例中，此两相对端点之间的距离L1是晶片载具60a的直径的15%～50%。第三弧面与第四弧面之间最大的距离L2是晶片载具60a的直径的1%～30%。

通过晶片载具60a的一圆心画一假想线Y-Y'，超过半数的支撑柱601形成于晶片载具60a周边的一部分，例如位于线Y-Y'下方的一部分，少于半数的支撑柱601形成于晶片载具60周边的另一部分，例如位于线Y-Y'上方的一部分。

如图4A所示，各多个支撑柱405具有一高度405a小于承载主体400的高度401，且各多个支撑柱高度405a大于承载主体400的凸面高度403a。在本实施例中，各多个支撑柱405的高度405a介于15至1000微米之间。多个支撑柱405的材料包含复合性材料，例如陶瓷；半导体材料，例如氮化硼、碳化硅；导电性材料，例如石墨或金属，其中金属包含钼、钨、钛、锆或上述的任意合金；非导电性材料，例如、石英。

图4B为晶片404的上视图，晶片404包含一平边4041，如图4A所示，在本实施例中，晶片404被多个支撑柱405架高后，由于晶片404无法通过直接与晶片载具40的底面403接触而受热，且平边4041处因加热不易，影响到晶片404上发光层的发光波长。此现象随着晶片404尺寸加大而更加明显。当晶片载具80凹口包含平边803，如图8A所示，可减少晶片平边8041和晶片载具平边803间的空隙803a，而降低晶片平边4041和晶片载具平边803间的空隙803a所产生受热不佳的情形，如图8B所示。故在本实施例中，晶片载具40是承载4吋或是4吋以上的晶片，且晶片载具40凹口的上视形状还包含一平边。

依据本发明第二实施例的一晶片载具50的剖视图如下：如图5A所示，本发明第二实施例的晶片载具50，包含一具有一高度501的承载主体500，承载主体500具有一凹口502，凹口502的底面503为一曲面；以及多个支撑柱505位于承载主体500的周边。

本发明第二实施例的晶片载具50的凹口502的上视形状大约为一圆形，其尺寸为可容置一直径2～8吋的商用晶片。如图8A所示，图8A为晶片载具80的上视图，如果是为承载4吋或是4吋以上的晶片，晶片载具80凹口的上视形状还包含平边803。一晶片504包含一成长基板及一成长于成长基板上的外延层，其中外延层包含一发光层。外延层的材料包含一种以上的元素选自镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、磷(P)、氮(N)、锌(Zn)、砷(As)、镉(Cd)、及硒(Se)所构成的群组。

承载主体500的材料包含复合性材料，例如陶瓷；半导体材料，例如氮化硼、碳化硅；导电性材料，例如石墨或金属，其中金属包含钼、钨、钛、锆或上述的任意合金；非导电性材料，例如石英。

本发明第二实施例中，凹口502的上视形状大约为圆形，其中凹口的上视形状包含一侧边及一圆心。凹口502的底面503为曲面，其中曲面包含一凹面自凹口502的侧边向凹口502的圆心凹陷一深度503a。在本实施例中，凹面深度503a介于15至1000微米之间。凹面深度503a与晶片载具50所承载的晶片504尺寸成一正比关系，其中，晶片尺寸与凹面深度之间正比比值的范围介于7至125之间。当晶片504尺寸越大，在高温下成长外延层时，晶片504所产生的翘曲也越大，所以晶片载具50的承载主体500的凹面深度503a也需要再加深。当晶片载具50所承载的晶片504尺寸为2吋时，承载主体500的凹面深度503a范围介于15至65微米之间。当晶片载具50所承载的晶片504尺寸为4吋时，承载主体500的凹面深度503a范围介于15至160微米之间。当晶片载具50所承载的晶片504尺寸为6吋时，承载主体500的凹面深度503a范围介于15至400微米之间。当晶片载具50所承载的晶片504尺寸为8吋时，承载主体500的凹面深度503a范围介于15至1000微米之间。

由于外延层和成长基板的晶格常数、热膨胀系数不同，在不同的温度区间，晶片会产生不同程度的翘曲和形变。在本实施例中，如果此时晶片的翘曲形状为一凹面，选择包含凹面的晶片载具50会使晶片表面温度分布较均匀，晶片上不同区域的发光层发光波长分布也较均匀。

本发明第二实施例的晶片载具50还包含多个支撑柱505位于承载主体500的周边。在本实施例中，多个支撑柱505的数量为至少三个，且多个支撑柱505位于承载主体500的周边。多个支撑柱505位于承载主体500的周边的上视图如图6或图7A所示，图6为晶片载具60的上视图，多个支撑柱605的数量为至少三个，且多个支撑柱605位于承载主体的周边。多个支撑柱605不规则地排列于晶片载具60的周边。具体而言，通过晶片载具60的一圆心画一假想线，超过半数的支撑柱605形成于晶片载具60周边的一部分，少于半数的支撑柱605形成于晶片载具60周边的另一部分。

本发明第二实施例的各多个支撑柱505的上视图如图7所示。图7为晶片载具701的各多个支撑柱704的上视图，各多个支撑柱704的上视图包含第一侧边702，其中第一侧边还包含具有第一曲率半径的第一弧面；及多个第二侧边703，其中各多个第二侧边还包含具有第二曲率半径的第二弧面，且第二曲率半径不同于第一曲率半径。

如图5A所示，各多个支撑柱505具有一高度505a小于承载主体500的高度501，且各多个支撑柱高度505a大于承载主体500的凹面深度503a。在本实施例中，各多个支撑柱505的高度505a介于15至1000微米之间。多个支撑柱505的材料包含复合性材料，例如陶瓷；半导体材料，例如氮化硼、碳化硅；导电性材料，例如石墨或金属，其中金属包含钼、钨、钛、锆或上述的任意合金；非导电性材料，例如石英。

图5B为晶片504的上视图，晶片504包含一平边5041，如图5A所示，在本实施例中，晶片504被多个支撑柱505架高后，由于晶片504无法通过直接与晶片载具50的底面503接触而受热，且平边5041处因加热不易，影响到晶片504上发光层的发光波长。此现象随着晶片504尺寸加大而更加明显。当晶片载具80凹口包含平边803，如图8A所示，可减少晶片平边5041和晶片载具平边803间的空隙803a，而降低晶片平边5041和晶片载具平边803间的空隙803a所产生受热不佳的情形，如图8B所示。故在本实施例中，晶片载具50是承载4吋或是4吋以上的晶片，且晶片载具50凹口的上视形状还包含一平边。

本发明另一实施例提供一种晶片载具的制造方法，其包含成长一外延层于一成长基板以形成一晶片结构；量测晶片结构的翘曲率；以及依据晶片结构的翘曲率，提供一如第一、二实施例所述的晶片载具，即当晶片结构的翘曲形状为一凸面时，提供一包含凸面及多个支撑柱的晶片载具；当晶片结构的翘曲形状为一凹面时，则提供一包含凹面及多个支撑柱的晶片载具，其中凸面包含一凸面高度，凹面包含一凹面深度，凸面高度和凹面深度的范围如第一、二实施例所述，与晶片载具所承载的一晶片尺寸成一正比关系，其中多个支撑柱的数量为至少三个。其中，外延层的材料包含一种以上的元素选自镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、磷(P)、氮(N)、锌(Zn)、镉(Cd)、及硒(Se)所构成的群组。

一装置可用于沉积一薄膜，装置包含一承载盘及一加热器。图9是本发明一实施例的一承载盘9的上视图。承载盘9包含一第一上表面400s具有一第一圆心92；以及一实质上平坦的底表面。围绕第一圆心92的一第一群组晶片载具40a以及围绕第一群组晶片载具40a的一第二群组晶片载具40b是位于第一上表面400s上。第一群组晶片载具40a及第二群组晶片载具40b实质上是排列成同心圆。具体而言，第一群组晶片载具40a形成一内圈93，第二群组晶片载具40b形成一外圈91，内圈93及外圈91是同心圆，且外圈91具有一直径大于内圈93的直径。一或多个商用晶片可放置于晶片载具40a或是晶片载具40b上以沉积薄膜。沿着晶片载具40b的线X-X'或晶片载具40a的线Z-Z'，晶片载具40b或晶片载具40a包含与图4A或图5A相同的剖视图。

第一群组晶片载具40a的其中之一晶片载具40a包含一第一支撑部906及一第二支撑部905。于本实施例的一变化例中，第一群组晶片载具40a的其中之一晶片载具40a包含多个第二支撑部905。第一支撑部906包含一上视图与图7A所示的支撑柱606相同，第二支撑部905包含一上视图与图6所示的支撑柱605或图7A所示的第二支撑柱605a相同。第一支撑部906具有一特征尺寸，例如表面积大小，大于第二支撑部905的特征尺寸。第一支撑部906相较于第二支撑部905，第一支撑部906较接近第一上表面400s的第一圆心92。第一支撑部906是邻接于第一圆心92。具体而言，第一支撑部906是位于一位置，此位置在第一群组晶片载具40a的其中之一晶片载具40a与第一圆心92之间的最小距离上。

第二群组晶片载具40b的其中之一晶片载具40b包含多个第三支撑部907。第三支撑部907包含一上视图与图6所示的支撑柱605或图7A所示的第二支撑柱605a相同。多个第三支撑部907不规则地排列于晶片载具40b的周边上。具体而言，通过晶片载具40b的圆心划一假想线，超过半数的第三支撑部907形成于晶片载具40b周边的一部分，少于半数的第三支撑部907形成于晶片载具40b周边的另一部分。

第二群组晶片载具40b的其中之一晶片载具40b所包含的第三支撑部907的数量大于第一群组晶片载具40a的其中之一晶片载具40a所包含的第二支撑部905的数量。

图10是本发明一实施例的一加热器10的上视图。加热器10包含一具有一第二圆心100的第二上表面102；一内加热器101；以及一较内加热器101远离第二上表面102的第二圆心100的外加热器105。于本实施例中，加热器10还包含一中间加热器103位于内加热器101及外加热器105之间。加热器10的第二圆心100与图9所示的承载盘9的第一圆心92相对。外加热器105，中间加热器103或内加热器101的形状接近一圆形。外加热器105，中间加热器103以及内加热器101实质上为同心圆。外加热器105具有一直径大于内加热器101的直径或中间加热器103的直径。当加热器10为一开启状态时，内加热器101的平均温度低于中间加热器103或外加热器105的平均温度。

第一群组晶片载具40a实质上对应于内加热器101，第二群组晶片载具40b实质上对应于中间加热器103或外加热器105。具体而言，第一群组晶片载具40a的第一支撑部906实质上对应于内加热器101。由于内加热器101的平均温度低于外加热器105平均温度，第一支撑部906具有一较第二支撑部905大的上表面积以助于将热传导至位于晶片载具40a上的晶片。

用于沉积薄膜的此装置还包含一连接部(图未示)，例如一转轴，以连接图9的承载盘9和图10的加热器10。连接部绕着承载盘9的中心轴(图未示)以一速度转动。当此装置为启动状态时，承载盘9可被连接部牵动而顺时针转动或是逆时针转动。

上述所提及的实施例是使用描述技术内容及发明特征，而使现有此技术者可了解本发明的内容并据以实施，其并非用以限制本发明的范围。亦即，任何人对本发明所作的任何显而易见的修饰或变更皆不脱离本发明的精神与范围。例如，电连接方式不限于串联连接。需了解的是，本发明中上述的实施例在适当的情况下，是可互相组合或替换，而非仅限于所描述的特定实施例。

可理解的是，对于熟悉此项技术者，不同修饰或变更皆可应用于本发明中且不脱离本发明的精神与范围。前述的描述，目的在于涵盖本发明的修饰或变更的公开皆落于本发明的专利范围内且与其均等。

Claims

1.一种用于沉积薄膜的装置，包含：

承载盘，包含：

具有一第一圆心的第一上表面；

第一群组的晶片载具，围绕该第一圆心；以及

第二群组的晶片载具，围绕该第一群组的晶片载具，其中该第一群组的晶片载具的其中之一包含一第一支撑部以及至少一第二支撑部，且该第一支撑部具有一特征尺寸大于该第二支撑部的特征尺寸。

2.如权利要求1所述的装置，其中该第一群组的晶片载具及该第二群组的晶片载具实质上排列成一同心圆。

3.如权利要求1所述的装置，其中该承载盘包含一实质上平坦的底表面积。

4.如权利要求1所述的装置，其中该第一支撑部较该第二支撑部接近该第一上表面的该第一圆心。

5.如权利要求1所述的装置，其中该第一支撑部邻接于该第一圆心。

6.如权利要求1所述的装置，还包含一具有一第二圆心的第二上表面的加热器。

7.如权利要求6所述的装置，其中该加热器包含内加热器以及较内加热器远离该第二上表面的该第二圆心的外加热器，且该内加热器以及该外加热器实质上排列成一同心圆。

8.如权利要求7所述的装置，其中该第二圆心与该第一圆心相对，且该外加热器具有一直径大于该内加热器的直径。

9.如权利要求7所述的装置，其中当该装置为启动状态时，该内加热器的一平均温度低于该外加热器的一平均温度。

10.如权利要求7所述的装置，其中该第一群组的晶片载具实质上对应于该内加热器，且该第二群组的晶片载具实质上对应于该外加热器。