CN204644500U - 一种晶片载盘 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提出一种晶片载盘,包括底盘和位于底盘上表面的托盘,所述托盘由若干个带有晶片凹槽的石墨盘组装而成,底盘与托盘之间、若干个石墨盘之间均通过固定件固定,由此组装而成的晶片载盘可以自由拆卸,该种载盘随着工艺条件的变化或受承载盘自身寿命的影响,可以对需要更换的部分进行替换而保留其余部分,因此可以有效提高载盘的整体使用效率,节省设备成本。为方便设备的维护与使用,晶片凹槽的尺寸、形状与所承载晶片的尺寸、形状相匹配,因此单个托盘可以兼顾不同形状、尺寸的晶片,满足外延生长的需要。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体加工领域,尤其涉及一种组合式晶片载盘。
背景技术
现阶段制备外延生长晶圆(或晶片)的方法主要是通过金属有机化合物化学气相沉淀法(英文为Metal-organic Chemical Vapor Deposition,简称MOCVD)实现,它以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
载盘作为外延生长过程中必不可少的衬底载体,其使用寿命也是外延生产成本的重要组成部分。目前,外延用载盘多是采用碳素石墨作为基体材料并制成一个圆盘的整体,然后再在其上涂上碳化硅保护层,形成最终的石墨载盘。这种方法所制成的载盘是一个均匀一致的整体,衬底的形状和/或尺寸改变时需要重新更换整个石磨盘,或是当载盘某个部位出现破损,此片载盘即做报废处理,造成资源的浪费,同时也增加了MOCVD设备的整体成本。
发明内容
针对上述问题,本实用新型旨在提供一种晶片载盘,其包括底盘和位于底盘上表面的托盘,所述底盘上表面与所述托盘下表面相互贴合,其特征在于:所述托盘由若干个带有晶片凹槽的石墨盘组装而成。
优选的,所述底盘与托盘之间、若干个石墨盘之间均通过固定件固定。
优选的,所述固定件为卡槽或螺栓。
优选的,所述固定件包括凸部以及与所述凸部相匹配的凹部。
优选的,所述石墨盘的个数大于或等于2个。
优选的,所述石磨盘为圆形、环形或扇形,所述托盘为其中一种或几种的组合。
优选的,所述晶片凹槽形状为三角形、圆形、多边形或不规则图形中的一种或几种的组合。
优选的,所述晶片凹槽的尺寸与所承载的晶片尺寸相匹配。
优选的,所述石墨盘的表面具有碳化硅保护层。
优选的,所述底盘为石墨盘或石英盘。
本实用新型至少包括以下有益效果:(1)晶片载盘为可拆卸式载盘,当托盘某个区域需要更换时无需报废整个载盘,只需要更换相应区域,降低外延设备成本;(2)由于底盘上表面不沉积外延生产工艺中残留的金属有机化合物,因此减少了底盘在使用过程中的更换次数,提高了其使用寿命;(3)晶片凹槽的尺寸可以与所承载晶片的尺寸相匹配,因此单个载盘可以兼顾不同形状、尺寸的晶片,满足外延生长的需要。
附图说明
附图是用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。
图1为本实用新型实施例1之托盘俯视图。
图2为本实用新型实施例1之晶片载盘剖视图。
图3为本实用新型实施例2之托盘俯视图。
图4为本实用新型实施例3之托盘俯视图。
图5为本实用新型实施例3之变形实施方式之托盘俯视图。
附图标注:1:底盘;2:托盘;21:圆形石墨盘;22:环形石墨盘;23:扇形石墨盘;3:卡槽;31:凸部;32:凹部;4:晶片凹槽。
具体实施方式
下面结合具体实施例和附图对本实用新型作进一步说明。
实施例1
参看附图1和附图2,本实施例提供的一种晶片载盘,包括底盘1和位于底盘上表面的托盘2,底盘1与托盘2通过固定件固定,固定件可为卡槽或螺栓,固定件包括凸部和与所述凸部相匹配的凹部。为使托盘2组装或拆卸方便,本实施例中优选固定件为卡槽3,底盘1上表面与托盘2下表面相互贴合。托盘2由若干个带有晶片凹槽4的石墨盘组装而成,若干个石墨盘通过卡槽3固定形成一个完整的、表面无间隙的托盘2整体,托盘2完全覆盖于底盘1上表面,防止在MOCVD机台中,金属有机化合物沉积在底盘1上表面,减少底盘1更换次数,增加其使用寿命,同时,托盘2与底盘1之间、托盘1整体均可自由拆卸组装,方便设备的维护与使用。石墨盘可以为圆形、环形或扇形,托盘2由其中一种或几种形状的石墨盘组合而成,石墨盘上晶片凹槽4形状为三角形、圆形、多边形或不规则图形中的一种或几种的组合,晶片凹槽4的尺寸与所承载的晶片尺寸相匹配,以适应不同形状、尺寸晶圆生产的需要。
继续参看附图1和附图2,石墨盘的个数大于或等于2个,本实施例优选一个圆形石墨盘21与一个环形石墨盘22组成托盘2整体,圆形石墨盘21与环形石墨盘22上表面上的晶片凹槽4的形状、大小均相同,均可承载圆形、4寸晶片,圆形石墨盘21与环形石墨盘22为同心圆连接,连接部由卡槽3固定,卡槽3的数目不小于2,本实施例优选2个卡槽3分别位于石墨盘边缘的相对位置处,形成表面无空隙的托盘2整体。卡槽3包括凸部31和凹部32,圆形石墨盘21上表面边缘相对位置处分别设有凹部32,与之相对应的环形石墨盘22内边缘相对位置分别设有凸部31,环形石墨盘22与圆形石墨盘21通过凸部31与凹部32的相互嵌合形成完整的托盘2;托盘2下表面边缘处相对位置处分别设有凹部32,底盘1上表面边缘相对位置处设有与托盘2下表面凹部32相匹配的凸部31,托盘2与底盘1经过凸部31与凹部32的相互嵌合形成晶片载盘,托盘2的下表面完全覆盖底盘1的上表面,因此,底盘1上表面不会沉积外延生产工艺中残留的金属有机化合物,进而减少了底盘1在使用过程中的更换次数,提高了其使用寿命;底盘1的材质为石墨或石英或可用于气相外延的放置晶片衬底的耐高温、抗腐蚀性材料,优选为与托盘2材质相同的石墨底盘1,且石墨盘表面涂有一导热性能良好的碳化硅保护层,不仅提高底盘1与托盘2之间的热传导速率,同时增加热传导的均匀性。
实施例2
参看附图3,本实施例与实施例1的区别在于,组成托盘2的石墨盘上晶片凹槽4的尺寸不同,使得同一托盘2可承载不同尺寸的晶片,满足外延生长中不同尺寸的晶片需要共锅(同一个MOCVD设备)生长的需求,本实施例优选环形石墨盘22上表面的晶片凹槽4承载6寸晶片,圆形石墨盘21上表面的晶片凹槽4承载4寸晶片,圆形石墨盘21与环形石墨盘22之间通过卡槽3固定,以适应晶片尺寸逐渐增大的需要。
实施例3
参见附图4,本实施例与实施例1的区别在于,所述托盘2由4个相同尺寸的扇形石墨盘23通过卡槽而成,每相邻两个扇形石墨盘之间分别用2个卡槽3固定,以此形成的托盘2可以自由组装与拆卸,如果其中一块扇形石墨盘23出现破损时,只需更换破损的石墨盘,而无需更换整个托盘2,从而增加单个石墨盘的使用寿命,降低外延设备总体成本。
作为本实施例的变形实施方式,所述托盘2可以由5个石墨盘组成,参见附图5,由位于托盘中心的圆形石墨盘21和位于圆形石墨盘21外周的四个扇形石墨盘23组成,相邻扇形石墨盘23之间、扇形石墨盘23与圆形石墨盘21之间均分别通过卡槽3固定。在保证托盘2大小相同的前提下,组成托盘2的石墨盘个数越多,单个石墨盘的成本越低,当托盘2局部需要更换时,所需更换成本有效降低。
应当理解的是,上述具体方案为本实用新型的优选实施例,本实用新型范围不限于该实施例,凡依本实用新型所做的任何变更,皆属于本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种晶片载盘,包括底盘和位于底盘上表面的托盘,其特征在于:所述托盘由若干个带有晶片凹槽的石墨盘组装而成。
2.根据权利要求1所述的一种晶片载盘,其特征在于:所述底盘与托盘之间、若干个石墨盘之间均通过固定件固定。
3.根据权利要求2所述的一种晶片载盘,其特征在于:所述固定件为卡槽或螺栓。
4.根据权利要求2所述的一种晶片载盘,其特征在于:所述固定件包括凸部以及与所述凸部相匹配的凹部。
5.根据权利要求1所述的一种晶片载盘,其特征在于:所述石墨盘个数大于或等于2个。
6.根据权利要求1所述的一种晶片载盘,其特征在于:所述石墨盘为圆形、环形或扇形,所述托盘为其中一种或几种的组合。
7.根据权利要求1所述的一种晶片载盘,其特征在于:所述晶片凹槽形状为三角形、圆形、多边形或不规则图形中的一种或几种的组合。
8.根据权利要求1所述的一种晶片载盘,其特征在于:所述晶片凹槽的尺寸与所承载的晶片尺寸相匹配。
9.根据权利要求1所述的一种晶片载盘,其特征在于:所述石墨盘的表面具有碳化硅保护层。
10.根据权利要求1所述的一种晶片载盘,其特征在于:所述底盘为石墨盘或石英盘。
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Cited By (6)
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CN106835266A (zh) * | 2015-12-03 | 2017-06-13 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 提升材料生长产能和改善均匀性的样品托盘 |
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CN113690172A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-11-23 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 用于提高外延片波长均匀性的石墨基板 |
CN114457417A (zh) * | 2022-03-18 | 2022-05-10 | 广州志橙半导体有限公司 | 一种陶瓷涂层石墨托盘旋转组件 |
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106835266A (zh) * | 2015-12-03 | 2017-06-13 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 提升材料生长产能和改善均匀性的样品托盘 |
CN107195580A (zh) * | 2017-05-23 | 2017-09-22 | 商洛学院 | 一种可在不同衬底块同步生长的两用mocvd衬底架托盘结构 |
CN107195580B (zh) * | 2017-05-23 | 2023-05-05 | 商洛学院 | 一种可在不同衬底块同步生长的两用mocvd衬底架托盘结构 |
CN110793332A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-14 | 苏师大半导体材料与设备研究院(邳州)有限公司 | 一种晶片载片旋转式清洁装置 |
CN111441086A (zh) * | 2020-05-11 | 2020-07-24 | 东莞市志橙半导体材料有限公司 | 一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座 |
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CN114457417A (zh) * | 2022-03-18 | 2022-05-10 | 广州志橙半导体有限公司 | 一种陶瓷涂层石墨托盘旋转组件 |
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