CN203820925U - 一种mocvd石墨盘 - Google Patents
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Abstract
一种MOCVD石墨盘，涉及MOCVD外延片生产技术领域，本实用新型包括大石墨盘和小石墨盘，在大石墨盘上设有通气小孔和栓，在小石墨盘中心的背部设置与栓匹配的支撑凹槽，小石墨盘通过支撑凹槽和栓的配合，布置在大石墨盘上方；在小石墨盘上设置有中心片槽和边缘片槽，边缘片槽沿中心片槽的外周均布；每个边缘片槽的深度分别一致，每个边缘片槽的深度均大于中心片槽的深度。本实用新型通过对现有小石磨盘进行改良，设计中心和边缘深度不一致的片槽，中心片槽的深度小于边缘片槽的深度，改善了由于栓导热造成的小盘中心局部温度较高，从而降低小石墨盘中心和边缘温度差异，最终获得均匀性很好的外延片。
Description
技术领域
本实用新型涉及MOCVD外延片生产技术领域，特别是MOCVD外延生产设备——石墨盘的设计。
背景技术
MOCVD是指金属有机物化学气相沉积设备，目前广泛应用于III-V化合物半导体薄膜材料的生长。载气把Mo有机源带入反应室，在衬底上反应，形成薄膜材料。衬底放置于石墨盘上，通过灯丝或者射频进行加热，加热温度为500~1200 ℃。石墨盘由高纯石墨组成，并包裹SiC。加热单元在石墨盘下面。
目前Aixtron公司的G5 MOCVD外延石墨盘的设计为，小石墨盘放置于大石墨盘上， 栓通过小石墨盘上的孔支撑小石墨盘。外延生长过程中，载气(H2或者N2)通过大石墨盘上的通气小孔吹起小石墨盘，让其进行自转。小石墨盘上有1个中心片槽和6个对称的边缘片槽。大石墨盘底部的加热单元通过载气，把热量传递到置于小石墨盘盘片槽的衬底上。
由于栓是由导热性很好的钛金属构成，小石墨盘盘上中心片的中心温度会明显高于边缘温度，同时又会高于边缘片的温度。这样会导致中心片中心波长比边缘短，同时中心片波长比边缘片短。小石墨盘内部温度不均匀造成小石墨盘生长的外延片均一性不好。
实用新型内容
本实用新型目的在于针对以上问题，提高一种提高小石墨盘内部温度分布均匀性MOCVD石墨盘。
本实用新型包括大石墨盘和小石墨盘，在大石墨盘上设有通气小孔和栓，在小石墨盘中心的背部设置与栓匹配的支撑凹槽，所述小石墨盘通过支撑凹槽和栓的配合，布置在大石墨盘上方；在小石墨盘上设置有中心片槽和边缘片槽，所述边缘片槽沿中心片槽的外周均布；每个所述的边缘片槽的深度分别一致，每个所述的边缘片槽的深度均大于中心片槽的深度。
本实用新型通过对现有小石磨盘进行改良，设计中心和边缘深度不一致的片槽，中心片槽的深度小于边缘片槽的深度，改善了由于栓导热造成的小盘中心局部温度较高，从而降低小石墨盘中心和边缘温度差异，最终获得均匀性很好的外延片。
本实用新型所述中心片槽的深度为10～10000微米，每个边缘片槽的深度分别为10～10000微米，每个所述的边缘片槽的深度与中心片槽的深度之间的差值分别为10～10000微米。通过进一步优化小石磨盘中心片槽和边缘片槽的厚度差异，可以降低小石墨盘中心片的温度，以获得均一性很好的外延片。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为图1的俯视图。
具体实施方式
如图1、2所示，本实用新型包括大石墨盘1和小石墨盘2，在生产时大石墨盘1下方布置有加热单元3；在大石墨盘1上设有通气小孔4和栓5，在小石墨盘2中心的背部设置与栓4匹配的支撑凹槽6，小石墨盘2通过支撑凹槽6和栓4的配合，布置在大石墨盘1上方；在小石墨盘2上设置有一个中心片槽7和六个边缘片槽8；所述六个边缘片槽8沿中心片槽7的外周均布；每个所述的边缘片槽的深度分别一致且均大于中心片槽的深度。
中心片槽7的深度为10～10000微米，每个边缘片槽8的深度分别为10～10000微米，边缘片槽8与中心片槽7之间的深度差值为10～10000微米。
Claims (2)
1.一种MOCVD石墨盘，包括大石墨盘和小石墨盘，在大石墨盘上设有通气小孔和栓，在小石墨盘中心的背部设置与栓匹配的支撑凹槽，所述小石墨盘通过支撑凹槽和栓的配合，布置在大石墨盘上方；在小石墨盘上设置有中心片槽和边缘片槽，所述边缘片槽沿中心片槽的外周均布；其特征在于：每个所述的边缘片槽的深度分别一致，每个所述的边缘片槽的深度均大于中心片槽的深度。
2.根据权利要求1所述的一种MOCVD石墨盘，其特征在于：所述中心片槽的深度为10～10000微米，每个边缘片槽的深度分别为10～10000微米，每个所述的边缘片槽的深度与中心片槽的深度之间的差值分别为10～10000微米。
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Cited By (3)
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| CN104911700A (zh) * | 2015-06-02 | 2015-09-16 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 一种提高mocvd外延片波长良率的卫星盘 |
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