CN203820884U - 一种改善mocvd外延片均匀性的石墨盘 - Google Patents
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 49
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 49
- 239000010439 graphite Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 title abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title abstract 4
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- 230000013011 mating Effects 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
一种改善MOCVD外延片均匀性的石墨盘，涉及MOCVD外延片生产技术领域，本实用新型包括大石墨盘和小石墨盘，在大石墨盘上设有通气小孔和栓，在小石墨盘中心的背部设置与栓匹配的支撑凹槽，小石墨盘通过支撑凹槽和栓的配合，布置在大石墨盘上方；在小石墨盘上设置有中心片槽和边缘片槽；边缘片槽沿中心片槽的外周均布；在小石磨盘的背部设置一圆柱形凹槽，支撑凹槽设置在圆柱形凹槽的中部。本实用新型通过对现有小石磨盘进行改良，在小石磨盘背部进行挖空，挖空形状为一规则圆柱形，改善了由于栓导热造成的小盘中心局部温度较高，从而降低小石墨盘中心和边缘温度差异，最终获得均匀性很好的外延片。
Description
技术领域
本实用新型涉及MOCVD外延片生产技术领域，特别是MOCVD外延生产设备——石墨盘的设计。
背景技术
MOCVD是指金属有机物化学气相沉积设备，目前广泛应用于III-V化合物半导体薄膜材料的生长。载气把有机源带入反应室，在衬底上反应，形成薄膜材料。衬底放置于石墨盘上，通过灯丝或者射频进行加热，加热温度为500~1200 ℃。石墨盘由高纯石墨组成，并包裹SiC。加热单元在石墨盘下面。
目前Aixtron公司的G5 MOCVD外延石墨盘的设计为：小石墨盘放置于大石墨盘上， 栓通过小石墨盘上的孔支撑小石墨盘。外延生长过程中，载气(H2或者N2)通过大石墨盘上的通气小孔吹起小石墨盘，让其进行自转。小石墨盘上有1个中心片槽和6个对称的边缘片槽。大石墨盘底部的加热单元通过载气，把热量传递到置于小石墨盘盘片槽的衬底上。由于栓是由导热性很好的钛金属构成，小石墨盘盘上中心片的中心温度会明显高于边缘温度，同时又会高于边缘片的温度。这样会导致中心片中心波长比边缘短，同时中心片波长比边缘片短。小石墨盘内部温度不均匀造成小石墨盘生长的外延片均一性不好。
实用新型内容
本实用新型目的在于针对以上问题，提供一种改善MOCVD外延片均匀性的石墨盘。
本实用新型包括大石墨盘和小石墨盘，在大石墨盘上设有通气小孔和栓，在小石墨盘中心的背部设置与栓匹配的支撑凹槽，所述小石墨盘通过支撑凹槽和栓的配合，布置在大石墨盘上方；在小石墨盘上设置有中心片槽和边缘片槽，所述边缘片槽沿中心片槽的外周均布；在所述小石磨盘的背部设置圆柱形凹槽，所述支撑凹槽设置在圆柱形凹槽的中部。
本实用新型通过对现有小石磨盘进行改良，在小石磨盘背部进行挖空，挖空形状为一规则圆柱形，改善了由于栓导热造成的小盘中心局部温度较高，从而降低小石墨盘中心和边缘温度差异，最终获得均匀性很好的外延片。
本实用新型所述圆柱形凹槽的深度为10～10000微米，直径为10～10000微米。通过进一步优化小石墨盘背面圆柱形凹槽的大小，可以调整小石墨盘中心片的温度，进一步提高外延片质量。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为图1的俯向视图。
具体实施方式
如图1、2所示，本实用新型包括大石墨盘1和小石墨盘2，在生产时，大石墨盘1下方布置有加热单元3；在大石墨盘1上设有通气小孔4和栓5，在小石墨盘2中心的背部设置与栓5匹配的支撑凹槽6，小石墨盘2通过支撑凹槽6和栓4的配合，布置在大石墨盘1上方；在小石墨盘2上设置有一个中心片槽7和六个边缘片槽8，所述六个边缘片槽8沿中心片槽7的外周均布；在小石磨盘2的背部设置圆柱形凹槽9，支撑凹槽6设置在圆柱形凹槽9的中部。圆柱形凹槽9的深度为10～10000微米，直径为10～10000微米。
Claims (2)
1.一种改善MOCVD外延片均匀性的石墨盘，包括大石墨盘和小石墨盘，在大石墨盘上设有通气小孔和栓，在小石墨盘中心的背部设置与栓匹配的支撑凹槽，所述小石墨盘通过支撑凹槽和栓的配合，布置在大石墨盘上方；在小石墨盘上设置有中心片槽和边缘片槽，所述边缘片槽沿中心片槽的外周均布；其特征在于：在所述小石磨盘的背部设置圆柱形凹槽，所述支撑凹槽设置在圆柱形凹槽的中部。
2.根据权利要求1所述的一种改善MOCVD外延片均匀性的石墨盘，其特征在于：所述圆柱形凹槽的深度为10～10000微米，直径为10～10000微米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420203207.4U CN203820884U (zh) | 2014-04-24 | 2014-04-24 | 一种改善mocvd外延片均匀性的石墨盘 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420203207.4U CN203820884U (zh) | 2014-04-24 | 2014-04-24 | 一种改善mocvd外延片均匀性的石墨盘 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203820884U true CN203820884U (zh) | 2014-09-10 |
Family
ID=51476404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201420203207.4U Expired - Lifetime CN203820884U (zh) | 2014-04-24 | 2014-04-24 | 一种改善mocvd外延片均匀性的石墨盘 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203820884U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104911700A (zh) * | 2015-06-02 | 2015-09-16 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 一种提高mocvd外延片波长良率的卫星盘 |
| CN104911701A (zh) * | 2015-06-02 | 2015-09-16 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 提高mocvd外延片波长均匀性的一种石墨盘组件 |
| CN105442039A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-03-30 | 晶能光电（常州）有限公司 | 一种mocvd中用于放置硅衬底的石墨盘 |
-
2014
- 2014-04-24 CN CN201420203207.4U patent/CN203820884U/zh not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20140910 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |