CN205803635U - 一种改善mocvd中心片波长的石墨盘 - Google Patents
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Abstract
一种改善MOCVD中心片波长的石墨盘，涉及MOCVD外延片生产技术领域，在圆形石墨盘上表面设有自中心向外周均匀分布的片槽，其特征在于：在所述石墨盘背面中心位置设置圆柱形凹槽，所述圆柱形凹槽的深度为10～6000微米，直径为10000～60000微米。本实用新型采用以上技术方案可增加石墨盘在此相应区域的背面到加热丝的距离，达到降低中心片位置的生长温度，从而改善因内外圈生长速率不一致造成的中心片位置波长偏短现象，提高波长命中率。
Description
技术领域
本实用新型涉及MOCVD外延片生产技术领域，特别是MOCVD外延生产用设备——石墨盘的结构设计。
背景技术
MOCVD是指金属有机物化学气相沉积设备，目前广泛应用于Ⅲ-Ⅴ化合物半导体薄膜材料的生长。载气把有机源带入反应室，在衬底上反应，形成薄膜材料。衬底放置于石墨盘上，通过灯丝或者射频进行加热，加热温度为500～1300℃ 。石墨盘由高纯石墨制成，并在表面包裹SiC镀层。加热单元在石墨盘下方。
目前Aixtron公司的Crius MOCVD外延石墨盘的设计为：37个片槽由中心向外均匀的分部在石墨盘表面，共计分为4圈，第一圈中心区域1个片槽，第二圈6个片槽，第三圈12个片槽，第四圈18个片槽，每个片槽设计一致。外延生长过程中，MO源通过载气经过SHOWERHEAD进入反应室，生长较长时间后，SHOWERHEAD会发生堵塞，造成中心片的生长速率与中外圈不一致，导致中心片波长偏短，同时第二圈靠内侧的波长也会同时偏短。
外延片加工成芯片后，芯片会根据不同的发光波长进行分选动作。同一片外延片会被分成若干个不同波长的Bin，由于目前市场需求的波长范围较窄，集中在453～457nm 。所以若中心片波长偏短，造成产出的芯片不能出货，造成公司的产品积压，对公司的运营状况不利。
从目前产出外延片的波长看，中心片波长相对其余位置的波长大约偏短3nm附近。一片影响波长良率2.7% ，如将中心片波长提高，即可整体提高外延波长良率2.7% ，从而有望提高芯片的可出货率。
实用新型内容
本实用新型目的在于针对以上问题，提供一种改善MOCVD中心片波长偏短的石墨盘。
本实用新型石墨盘为圆形石墨盘，在圆形石墨盘上表面设有自中心向外周均匀分布的片槽，其特征在于：在所述石墨盘背面中心位置设置圆柱形凹槽，所述圆柱形凹槽的深度为10～6000微米，直径为10000～60000微米。
本实用新型采用以上技术方案可增加石墨盘在此相应区域的背面到加热丝的距离，达到降低中心片位置的生长温度，从而改善因内外圈生长速率不一致造成的中心片位置波长偏短现象，提高波长命中率。
通过选择圆柱形凹槽的大小和深度，可以调整石墨盘中心片温度，进一步提高外延片质量。
附图说明
图1为本实用新型的一种俯向示意图。
图2为图1的局部剖视图。
具体实施方式
如图1、2所示，在圆形石墨盘1下方有加热单元2。
圆形石墨盘1正面设有37个片槽，共分为自中心向外周均匀分布的4圈片槽4：第一圈中心区域一个，第二圈六个，第三圈十二个，第四圈十八个。
在石墨盘1的背面中心点设置圆柱形凹槽3，圆柱形凹槽3的深度为10～6000微米，直径为10000～60000微米。
Claims (1)
1.一种改善MOCVD中心片波长的石墨盘，所述石墨盘为圆形石墨盘，在石墨盘上表面设有自中心向外周均匀分布的片槽，其特征在于：在所述石墨盘背面中心位置设置圆柱形凹槽，所述圆柱形凹槽的深度为10～6000微米，直径为10000～60000微米。
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| CN201620529417.1U CN205803635U (zh) | 2016-06-03 | 2016-06-03 | 一种改善mocvd中心片波长的石墨盘 |
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| CN201620529417.1U CN205803635U (zh) | 2016-06-03 | 2016-06-03 | 一种改善mocvd中心片波长的石墨盘 |
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| CN201620529417.1U Active CN205803635U (zh) | 2016-06-03 | 2016-06-03 | 一种改善mocvd中心片波长的石墨盘 |
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| CN (1) | CN205803635U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112002786A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-11-27 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 发光二极管外延片的制备方法 |
| CN112144113A (zh) * | 2019-06-28 | 2020-12-29 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 石墨载盘及具有其的mocvd反应装置 |
| CN115404544A (zh) * | 2022-08-26 | 2022-11-29 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 空心盘 |
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2016
- 2016-06-03 CN CN201620529417.1U patent/CN205803635U/zh active Active
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| CN112002786B (zh) * | 2020-06-29 | 2021-10-08 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 发光二极管外延片的制备方法 |
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