CN203820926U - 一种提高mocvd外延片均匀性的实用石墨盘 - Google Patents
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Abstract
一种提高MOCVD外延片均匀性的实用石墨盘，涉及MOCVD外延片生产技术领域，本实用新型包括大石墨盘、小石墨盘，在大磨盘上设有通气小孔和栓，在小石墨盘中心的背部设置与栓匹配的支撑凹槽，小石墨盘通过支撑凹槽和栓的配合布置在大石墨盘的上方；在小石墨盘上设置有中心片槽和边缘片槽，边缘片槽沿中心片槽的外周均布；在小石墨盘的中心片槽的内底边沿设有石墨三角形支撑物。本实用新型通过对现有小石磨盘进行改良，在小石磨盘中心片槽底部周围放置石墨的三角形支撑物，改善了由于栓导热造成的小盘中心局部温度较高，从而降低小石墨盘中心和边缘温度差异，最终获得均匀性很好的外延片。
Description
技术领域
本实用新型涉及MOCVD外延片生产技术领域，特别是MOCVD外延生产设备——石墨盘的设计。
背景技术
MOCVD是指金属有机物化学气相沉积设备，目前广泛应用于III-V化合物半导体薄膜材料的生长。载气把Mo有机源带入反应室，在衬底上反应，形成薄膜材料。衬底放置于石墨盘上，通过灯丝或者射频进行加热，加热温度为500~1200 ℃。石墨盘由高纯石墨组成，并包裹SiC。加热单元在石墨盘下面。目前Aixtron公司的G5 MOCVD外延石墨盘的缺点在于：外延生长过程中，载气(H2或者N2)通过大石墨盘上的通气小孔吹起小石墨盘，让其进行自转，小石墨盘上有7个片槽，1个中心片槽和6个对称的边缘片槽。大石墨盘底部的加热单元通过载气，把热量传递到置于小石墨盘盘片槽的衬底上。由于栓是由导热性很好的钛金属构成，小石墨盘盘上中心片的中心温度会明显高于边缘温度，同时又会高于边缘片的温度。这样会导致中心片中心波长比边缘短，同时中心片波长比边缘片短。小石墨盘内部温度不均匀造成小石墨盘生长的外延片均一性不好。
实用新型内容
本实用新型目的在于针对以上问题，提供一种提高MOCVD外延片均匀性的实用石墨盘。
本实用新型包括包括大石墨盘、小石墨盘，在大磨盘上设有通气小孔和栓，在小石墨盘中心的背部设置与栓匹配的支撑凹槽，所述小石墨盘通过支撑凹槽和栓的配合布置在大石墨盘的上方；在小石墨盘上设置有中心片槽和边缘片槽，所述边缘片槽沿中心片槽的外周均布；在所述小石墨盘的中心片槽的内底边沿设有石墨三角形支撑物。
本实用新型通过对现有小石磨盘进行改良，在小石磨盘中心片槽底部周围放置石墨的三角形支撑物，改善了由于栓导热造成的小盘中心局部温度较高，从而降低小石墨盘中心和边缘温度差异，最终获得均匀性很好的外延片。
附图说明
图1为本实用新型的一种结构示意图；
图2为图1的俯视图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型包括大石墨盘1、小石墨盘2，在生产时大石墨盘下方布置有加热单元9；在大磨盘1上设有通气小孔3和栓4，在小石墨盘2中心的背部设置与栓4匹配的支撑凹槽5，小石墨盘2通过支撑凹槽5和栓4的配合布置在大石墨盘1的上方；在小石墨盘2上设置有一个中心片槽6和六个边缘片槽7，所述六个边缘片槽7沿中心片槽6的外周均布；在小石墨盘2的中心片槽6的内底边沿设有石墨三角形支撑物8。
Claims (1)
1.一种提高MOCVD外延片均匀性的实用石墨盘，包括大石墨盘、小石墨盘，在大磨盘上设有通气小孔和栓，在小石墨盘中心的背部设置与栓匹配的支撑凹槽，所述小石墨盘通过支撑凹槽和栓的配合布置在大石墨盘的上方；在小石墨盘上设置有中心片槽和边缘片槽，所述边缘片槽沿中心片槽的外周均布；其特征在于：在所述小石墨盘的中心片槽的内底边沿设有石墨三角形支撑物。
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