CN104911701A - 提高mocvd外延片波长均匀性的一种石墨盘组件 - Google Patents

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李鸿渐
李盼盼
赵新印
王明洋
金豫浙
李志聪
王辉
王国宏
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Abstract

提高MOCVD外延片波长均匀性的一种石墨盘组件，涉及GaN基LED外延生产领域，特别是提高MOCVD外延片波长均匀性的石墨盘组件的结构技术。本发明包括石墨盘、卫星盘和固定栓，所述固定栓为柱形石墨件，在柱形石墨件表面设置碳化硅涂层。本发明消除了现有固定栓与石墨之间热导率的差异，使得中心片温度与边缘片温度一致，从而提高LED波长均匀性。该方法结构简单，实用性强。

Description

提高MOCVD外延片波长均匀性的一种石墨盘组件
技术领域
本发明涉及GaN基LED外延生产领域，特别是提高MOCVD外延片波长均匀性的石墨盘组件的结构技术。
背景技术
目前，GaN基LED外延片的大规模生产主要采用三种技术，近耦合SHOWERHEAD反应室技术、行星式反应室技术和高速旋转反应室技术，这三种技术占全球市场份额90%左右。
在行星式反应室技术的卫星盘组件中，卫星盘的底部中心位置有一个支撑凹槽，用于将固定栓的上部插入，而固定栓的下部则伸入于石墨盘上表面的凹槽内，以使卫星盘通过支撑凹槽和固定栓布置在石墨大盘上方。由于固定栓采用与石墨不同的材料，固定栓与石墨之间热导率的差异，使得卫星盘表面温度分布不均匀，中心片温度与边缘片温度不一致，导致外延生产的波长均匀性差。
解决此问题，已有的方案有以下几种：第一种方案是在卫星盘的背面设置凹槽，通过调整凹槽的深度和直径调整卫星盘中心片与边缘片的温度差；第二种方案是将卫星盘的中心片槽和边缘片槽设计不一致的深度，使得中心片与边缘片温度一致；第三种方案是在卫星盘中心片槽的边缘处设置支撑物，降低中心片槽的温度；第四种方案是在卫星盘中心片槽的中心位置设计圆形凹槽，使得中心片与边缘片温度一致。但是，事实上，造成卫星盘中心片与边缘片波长均匀性差的根本原因是卫星盘背面固定栓与卫星盘由不同材料制备而成，不同材料热导率的差异导致中心片与边缘片温度不一致，从而降低波长均匀性。因此所有以上方案都没有从根本上解决卫星盘背面固定栓与卫星盘构成材料不匹配问题。
发明内容
为了从根本上解决卫星盘中心片与边缘片波长不一致的问题，本发明提供一种提高MOCVD外延片波长均匀性的石墨盘组件。
本发明包括石墨盘、卫星盘和固定栓，石墨盘上具有与卫星盘配合的大圆柱形凹槽，凹槽底部具有能够使卫星盘旋转的环形线槽，在大圆柱形凹槽的底部中心位置有一个圆柱形上凹槽，在卫星盘的背面中心开设支撑凹槽，在所述上凹槽和支撑凹槽之间设置固定栓，在卫星盘的正面中心设置一个中心片槽，以所述中心片槽为对称中心，在卫星盘的正面布置若干边缘片槽，其特征在于：所述固定栓为柱形石墨件，在柱形石墨件表面设置碳化硅涂层。
本发明消除了现有固定栓与石墨之间热导率的差异，使得中心片温度与边缘片温度一致，从而提高LED波长均匀性。该方法结构简单，实用性强。
另外，为了保障固定栓具有一定的强度，以支撑其上的卫星盘及外延片，本发明所述固定栓的长度为1～20mm，典形固定栓的长度为4～16mm。
所述固定栓可以采用直径为1～50mm的圆柱体。
优选的圆柱体的直径可以为5～40。
附图说明
图1为本发明的一种结构示意图。
图2为本发明固定柱的另一种结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，本发明石墨盘100上具有与卫星盘102外圆周配合的大圆柱形凹槽101，凹槽101底部具有能够使卫星盘102旋转的环形线槽108，在大圆柱形凹槽101的底部中心位置有一个圆柱形上凹槽107，以安装固定柱106。
卫星盘102通过背面中心开设支撑凹槽105，卫星盘102的正面包括中心片槽104，以中心片槽104为对称中心，在卫星盘102的正面布置若干边缘片槽103。
固定柱106为一圆柱形石墨件，在圆柱形石墨件表面设置碳化硅涂层。整个固定柱106的直径为1～50毫米，典型值为5～40毫米，高度为1～20毫米，典型值为4～16毫米。
固定柱106的下部伸入于上凹槽107内，上部伸入于支撑凹槽105内，以使卫星盘102支撑在上凹槽107上。
固定柱106不限于圆柱体，如图2所示，也可以是由两个或多个圆柱体组合而成的组合体，相应地，上凹槽107和支撑凹槽105则采用不同的内径，以利于它们之间配合。

Claims (5)

1.提高MOCVD外延片波长均匀性的一种石墨盘组件，包括石墨盘、卫星盘和固定栓，石墨盘上具有与卫星盘配合的大圆柱形凹槽，凹槽底部具有能够使卫星盘旋转的环形线槽，在大圆柱形凹槽的底部中心位置有一个圆柱形上凹槽，在卫星盘的背面中心开设支撑凹槽，在所述上凹槽和支撑凹槽之间设置固定栓，在卫星盘的正面中心设置一个中心片槽，以所述中心片槽为对称中心，在卫星盘的正面布置若干边缘片槽，其特征在于：所述固定栓为柱形石墨件，在柱形石墨件表面设置碳化硅涂层。
2.根据权利要求1所述石墨盘组件，其特征在于：所述固定栓的长度为1～20mm。
3.根据权利要求2所述石墨盘组件，其特征在于：所述固定栓的长度为4～16mm。
4.根据权利要求1或2或3所述石墨盘组件，其特征在于：所述固定栓为直径1～50 mm的圆柱体。
5.根据权利要求4所述石墨盘组件，其特征在于：所述圆柱体的直径为5～40。
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Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1647244A (zh) * 2002-04-08 2005-07-27 克里公司 气体驱动的行星旋转设备及用于形成碳化硅层的方法
CN102286732A (zh) * 2010-06-15 2011-12-21 三星Led株式会社 基座以及包括该基座的化学气相沉积装置
CN103074611A (zh) * 2012-12-20 2013-05-01 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 衬底承载装置及金属有机化学气相沉积设备
CN103243313A (zh) * 2013-05-22 2013-08-14 光垒光电科技（上海）有限公司 衬底支撑结构、含有上述衬底支撑结构的反应腔室
JP2014019596A (ja) * 2012-07-17 2014-02-03 Mitsubishi Electric Corp エピタキシャル成長装置、炭化珪素エピタキシャルウエハ、および炭化珪素エピタキシャルウエハ製造方法
CN103614707A (zh) * 2013-11-25 2014-03-05 扬州中科半导体照明有限公司 一种提高mocvd外延片均匀性的石墨盘
CN203582971U (zh) * 2013-11-25 2014-05-07 扬州中科半导体照明有限公司 一种提高mocvd外延片均匀性的石墨盘
CN203820926U (zh) * 2014-04-24 2014-09-10 扬州中科半导体照明有限公司 一种提高mocvd外延片均匀性的实用石墨盘
CN203820925U (zh) * 2014-04-24 2014-09-10 扬州中科半导体照明有限公司 一种mocvd石墨盘
CN203820884U (zh) * 2014-04-24 2014-09-10 扬州中科半导体照明有限公司 一种改善mocvd外延片均匀性的石墨盘
CN104451605A (zh) * 2014-12-24 2015-03-25 中国科学院半导体研究所 Mocvd设备的石墨托盘
CN204714942U (zh) * 2015-06-02 2015-10-21 扬州中科半导体照明有限公司 提高mocvd外延片波长均匀性的一种石墨盘组件

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1647244A (zh) * 2002-04-08 2005-07-27 克里公司 气体驱动的行星旋转设备及用于形成碳化硅层的方法
CN102286732A (zh) * 2010-06-15 2011-12-21 三星Led株式会社 基座以及包括该基座的化学气相沉积装置
JP2014019596A (ja) * 2012-07-17 2014-02-03 Mitsubishi Electric Corp エピタキシャル成長装置、炭化珪素エピタキシャルウエハ、および炭化珪素エピタキシャルウエハ製造方法
CN103074611A (zh) * 2012-12-20 2013-05-01 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 衬底承载装置及金属有机化学气相沉积设备
CN103243313A (zh) * 2013-05-22 2013-08-14 光垒光电科技（上海）有限公司 衬底支撑结构、含有上述衬底支撑结构的反应腔室
CN103614707A (zh) * 2013-11-25 2014-03-05 扬州中科半导体照明有限公司 一种提高mocvd外延片均匀性的石墨盘
CN203582971U (zh) * 2013-11-25 2014-05-07 扬州中科半导体照明有限公司 一种提高mocvd外延片均匀性的石墨盘
CN203820926U (zh) * 2014-04-24 2014-09-10 扬州中科半导体照明有限公司 一种提高mocvd外延片均匀性的实用石墨盘
CN203820925U (zh) * 2014-04-24 2014-09-10 扬州中科半导体照明有限公司 一种mocvd石墨盘
CN203820884U (zh) * 2014-04-24 2014-09-10 扬州中科半导体照明有限公司 一种改善mocvd外延片均匀性的石墨盘
CN104451605A (zh) * 2014-12-24 2015-03-25 中国科学院半导体研究所 Mocvd设备的石墨托盘
CN204714942U (zh) * 2015-06-02 2015-10-21 扬州中科半导体照明有限公司 提高mocvd外延片波长均匀性的一种石墨盘组件

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