CN204874730U - Mocvd石墨盘用石墨烤架 - Google Patents
Mocvd石墨盘用石墨烤架 Download PDFInfo
- Publication number
- CN204874730U CN204874730U CN201520553730.4U CN201520553730U CN204874730U CN 204874730 U CN204874730 U CN 204874730U CN 201520553730 U CN201520553730 U CN 201520553730U CN 204874730 U CN204874730 U CN 204874730U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- support bar
- graphite
- mocvd
- draw
- graphite plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种MOCVD石墨盘用石墨烤架,包括两个呈相对设置的竖向基板和支撑单元,该支撑单元由第一、二支撑件组成,第一支撑件具有多个横向条状的第一支撑条,第二支撑件具有多个横向条状的第二支撑条,该多个第一支撑条与多个第二支撑条相互对称的连接在该两竖向基板之间;呈相对称布置的第一支撑条与第二支撑条还相对形成有一对倾斜面,每对倾斜面上对称开设有多个卡槽,分别位于每对倾斜面上并相对称布置的两卡槽的槽底内表面上还分别形成与该MOCVD石墨盘的圆周外侧面形状相吻合的非平面台阶状结构;该石墨烤架不仅能使置于高温净化炉中的MOCVD石墨盘全面的接触到高温气体,从而高效的去除MOCVD石墨盘上的杂质;还能够牢靠的将MOCVD石墨盘固定住。
Description
技术领域
本实用新型涉及MOCVD石墨盘工装技术领域,具体提供一种MOCVD石墨盘用石墨烤架。
背景技术
MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
在MOCVD系统中,石墨盘作为衬底的承载平台,在上述反应过程中会有多余的化学反应残留物沉积在石墨盘表面上,假如不加以清除,必然会在新的一炉外延片生长过程中影响对应的温度控制、表面颗粒等,并最终影响到外延片生长的成品率。
目前业内使用的石墨盘清洁方法多采用为:配置一用以承载石墨盘的托架,将石墨盘连同托架一起放置于高温净化炉内,利用高温净化炉内的高温气体(带腐蚀性气体和载气)与石墨盘表面沉积物进行充分反应,实现对石墨盘表面的清洁。但现有的托架的常规结构为由两对相对设置的基板相连接而构成的中空框体结构,且其中一对相对设置的基板上还相对设置有用以固定石墨盘的弧形槽;这种托架结构不仅不便于高温净化炉内的高温气体于托架内外进行流动,从而不能很好的完成对石墨盘表面的清洁工作;而且这种托架结构与石墨盘的吻合度也不够好,容易使置于其上的石墨盘发生倾斜,甚至于倒塌,使石墨盘在该清洁过程中具有较大的报废率,不利于成本控制。
发明内容
为了克服上述缺陷,本实用新型提供了一种MOCVD石墨盘用石墨烤架,该石墨烤架不仅便于通气,能够实现高效去除MOCVD石墨盘上的杂质,确保了外延片生长的成品率;还能够牢靠的将MOCVD石墨盘固定住,有效地避免了因MOCVD石墨盘固定不牢而产生的报废现象。
本实用新型为了解决其技术问题所采用的技术方案是:一种MOCVD石墨盘用石墨烤架,以该石墨烤架的使用状态为基准,该石墨烤架包括两个呈相对设置的竖向基板、以及一用以承接MOCVD石墨盘的支撑单元,该支撑单元由第一支撑件和第二支撑件组成,且所述第一支撑件和第二支撑件相对称的连接在该两竖向基板之间;该两竖向基板上分别贯穿开设有通气孔;所述第一支撑件具有多个从上往下依次间隔排列的横向条状的第一支撑条,所述第二支撑件具有多个从上往下依次间隔排列的横向条状的第二支撑条,该多个第一支撑条与该多个第二支撑条相互对称的连接在该两竖向基板之间;
呈相对称布置的所述第一支撑条与所述第二支撑条还相对形成有一对倾斜面,每对倾斜面上对称开设有多个间隔排列的卡槽,且分别位于每对倾斜面上并相对称布置的两卡槽的槽口还呈相对设置,分别位于每对倾斜面上并相对称布置的两卡槽的槽底内表面上还分别形成与该MOCVD石墨盘的圆周外侧面形状相吻合的非平面台阶状结构。
作为本实用新型的进一步改进,该两竖向基板呈相互平行设置;
该多个第一支撑条、以及该多个第二支撑条皆分别相对于所述基板倾斜的连接在该两竖向基板之间;另外该多个第一支撑条、以及该多个第二支撑条还皆在同一弧形面上,且该弧形面的半径与该MOCVD石墨盘的半径相一致。
作为本实用新型的进一步改进,每一所述第一支撑条长度方向的两端分别通过螺丝可拆卸地锁固连接在该两竖向基板上;
每一所述第二支撑条长度方向的两端亦分别通过螺丝可拆卸地锁固连接在该两竖向基板上。
作为本实用新型的进一步改进,每一所述第一支撑条朝向所述第二支撑条的一侧面上沿所述第一支撑条的长度方向间隔开设有多个所述卡槽,且位于所述第一支撑条上的多个所述卡槽皆为沿所述第一支撑条宽度方向延伸的U型槽;
每一所述第二支撑条朝向所述第一支撑条的一侧面上沿所述第二支撑条的长度方向间隔开设有多个所述卡槽,且位于所述第二支撑条上的多个所述卡槽皆为沿所述第二支撑条宽度方向延伸的U型槽;
另外位于所述第一支撑条上的多个U型槽的槽口与位于所述第二支撑条上的多个U型槽的槽口呈相对设置。
本实用新型的有益效果是:相较于现有技术,该石墨烤架具有以下优点:①通过在该两竖向基板上分别贯穿开设有通气孔,并将第一支撑件设计为具有多个从上往下依次间隔排列的横向条状的第一支撑条,将第二支撑件设计为具有多个从上往下依次间隔排列的横向条状的第二支撑条,且该多个第一支撑条与该多个第二支撑条相互对称的连接在该两竖向基板之间,这样便能使置于高温净化炉中的MOCVD石墨盘尽可能全面的接触到高温气体(如氢气和氮气),从而能够高效的去除MOCVD石墨盘上的杂质,进而确保了外延片生长的成品率;②通过在每对倾斜面上对称开设有多个呈间隔排列的卡槽,且分别位于每对倾斜面上并相对称布置的两卡槽的槽底内表面上还分别形成与该MOCVD石墨盘的圆周外侧面形状相吻合的非平面台阶状结构,从而能够牢靠的将MOCVD石墨盘固定住,有效地避免了因MOCVD石墨盘固定不牢而产生的报废现象。
附图说明
图1为本实用新型所述石墨烤架的结构示意图;
图2为图1中所示A部的放大结构示意图;
图3为本实用新型所述石墨烤架的侧视结构示意图。
结合附图,作以下说明:
1——石墨烤架10——基板
11——第一支撑条12——第二支撑条
13——卡槽100——通气孔
具体实施方式
下面参照图对本实用新型的优选实施例进行详细说明。
本实用新型所述的一种MOCVD石墨盘用石墨烤架,以该石墨烤架的使用状态为基准,该石墨烤架1包括两个呈相对设置的竖向基板10、以及一用以承接MOCVD石墨盘的支撑单元,该支撑单元由第一支撑件和第二支撑件组成,且所述第一支撑件和第二支撑件相对称的连接在该两竖向基板10之间;该两竖向基板10上分别贯穿开设有圆弧形通气孔100;所述第一支撑件具有多个从上往下依次间隔排列的横向条状的第一支撑条11,所述第二支撑件具有多个从上往下依次间隔排列的横向条状的第二支撑条12,该多个第一支撑条11与该多个第二支撑条12相互对称的连接在该两竖向基板10之间;
呈相对称布置的所述第一支撑条11与所述第二支撑条12还相对形成有一对倾斜面,每对倾斜面上对称开设有多个间隔排列的卡槽13,且分别位于每对倾斜面上并相对称布置的两卡槽的槽口还呈相对设置,分别位于每对倾斜面上并相对称布置的两卡槽的槽底内表面上还分别形成与该MOCVD石墨盘的圆周外侧面形状相吻合的非平面台阶状结构。相较于现有技术,该石墨烤架具有以下优点:①通过在该两竖向基板上分别贯穿开设有通气孔,并将所述第一支撑件设计为具有多个从上往下依次间隔排列的横向条状的第一支撑条,将所述第二支撑件设计为具有多个从上往下依次间隔排列的横向条状的第二支撑条,且该多个第一支撑条与该多个第二支撑条相互对称的连接在该两竖向基板之间,这样便能使置于高温净化炉中的MOCVD石墨盘尽可能全面的接触到高温气体(如:氢气和氮气),从而能够高效的去除MOCVD石墨盘上的杂质,进而确保了外延片生长的成品率;②通过在每对倾斜面上对称开设有多个呈间隔排列的卡槽,且分别位于每对倾斜面上并相对称布置的两卡槽的槽底内表面上还分别形成与该MOCVD石墨盘的圆周外侧面形状相吻合的非平面台阶状结构,从而能够牢靠的将MOCVD石墨盘固定住,有效地避免了因MOCVD石墨盘固定不牢而产生的报废现象。
在本实施例中,该两竖向基板10呈相互平行设置;该多个第一支撑条11、以及该多个第二支撑条12皆分别相对于所述基板倾斜的连接在该两竖向基板10之间;另外该多个第一支撑条11、以及该多个第二支撑条12还皆在同一弧形面上,且该弧形面的半径与该MOCVD石墨盘的半径相一致,大大提高了该多个第一支撑条以及该多个第二支撑条与MOCVD石墨盘相接触的吻合度,从而能将MOCVD石墨盘更牢靠的固定住。
优选的,每一所述第一支撑条11长度方向的两端分别通过螺丝可拆卸地锁固连接在该两竖向基板10上;
每一所述第二支撑条12长度方向的两端亦分别通过螺丝可拆卸地锁固连接在该两竖向基板10上。
优选的,每一所述第一支撑条11朝向所述第二支撑条12的一侧面上沿所述第一支撑条的长度方向间隔开设有多个所述卡槽13,且位于所述第一支撑条11上的多个所述卡槽13皆为沿所述第一支撑条宽度方向延伸的U型槽;
每一所述第二支撑条12朝向所述第一支撑条11的一侧面上沿所述第二支撑条的长度方向间隔开设有多个所述卡槽13,且位于所述第二支撑条12上的多个所述卡槽13皆为沿所述第二支撑条宽度方向延伸的U型槽;
另外位于所述第一支撑条11上的多个U型槽的槽口与位于所述第二支撑条12上的多个U型槽的槽口呈相对设置。
Claims (4)
1.一种MOCVD石墨盘用石墨烤架,以该石墨烤架的使用状态为基准,该石墨烤架(1)包括呈相对设置的两个竖向基板(10)、以及一用以承接MOCVD石墨盘的支撑单元,该支撑单元由第一支撑件和第二支撑件组成,且所述第一支撑件和第二支撑件相对称的连接在两个所述竖向基板(10)之间;其特征在于:两个所述竖向基板(10)上分别贯穿开设有通气孔(100);所述第一支撑件具有多个从上往下依次间隔排列的横向条状的第一支撑条(11),所述第二支撑件具有多个从上往下依次间隔排列的横向条状的第二支撑条(12),该多个第一支撑条(11)与该多个第二支撑条(12)相互对称的连接在两个所述竖向基板(10)之间;
呈相对称布置的所述第一支撑条(11)与所述第二支撑条(12)还相对形成有一对倾斜面,每对倾斜面上对称开设有多个间隔排列的卡槽(13),且分别位于每对倾斜面上并相对称布置的两卡槽的槽口还呈相对设置,分别位于每对倾斜面上并相对称布置的两卡槽的槽底内表面上还分别形成与该MOCVD石墨盘的圆周外侧面形状相吻合的非平面台阶状结构。
2.根据权利要求1所述的MOCVD石墨盘用石墨烤架,其特征在于:两个所述竖向基板(10)呈相互平行设置;
该多个第一支撑条(11)、以及该多个第二支撑条(12)皆分别相对于所述基板倾斜的连接在两个所述竖向基板(10)之间;另外该多个第一支撑条(11)、以及该多个第二支撑条(12)还皆在同一弧形面上,且该弧形面的半径与该MOCVD石墨盘的半径相一致。
3.根据权利要求2所述的MOCVD石墨盘用石墨烤架,其特征在于:每一所述第一支撑条(11)长度方向的两端分别通过螺丝可拆卸地锁固连接在两个所述竖向基板(10)上;
每一所述第二支撑条(12)长度方向的两端亦分别通过螺丝可拆卸地锁固连接在两个所述竖向基板(10)上。
4.根据权利要求2所述的MOCVD石墨盘用石墨烤架,其特征在于:每一所述第一支撑条(11)朝向所述第二支撑条(12)的一侧面上沿所述第一支撑条的长度方向间隔开设有多个所述卡槽(13),且位于所述第一支撑条(11)上的多个所述卡槽(13)皆为沿所述第一支撑条宽度方向延伸的U型槽;
每一所述第二支撑条(12)朝向所述第一支撑条(11)的一侧面上沿所述第二支撑条的长度方向间隔开设有多个所述卡槽(13),且位于所述第二支撑条(12)上的多个所述卡槽(13)皆为沿所述第二支撑条宽度方向延伸的U型槽;
另外位于所述第一支撑条(11)上的多个U型槽的槽口与位于所述第二支撑条(12)上的多个U型槽的槽口呈相对设置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201520553730.4U CN204874730U (zh) | 2015-07-28 | 2015-07-28 | Mocvd石墨盘用石墨烤架 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201520553730.4U CN204874730U (zh) | 2015-07-28 | 2015-07-28 | Mocvd石墨盘用石墨烤架 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN204874730U true CN204874730U (zh) | 2015-12-16 |
Family
ID=54819126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201520553730.4U Expired - Fee Related CN204874730U (zh) | 2015-07-28 | 2015-07-28 | Mocvd石墨盘用石墨烤架 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN204874730U (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112885768A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-06-01 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 刻蚀烘烤设备的外延片载具 |
CN114199031A (zh) * | 2022-02-21 | 2022-03-18 | 华芯半导体研究院(北京)有限公司 | 石墨盘烘烤夹具及烘烤装置 |
-
2015
- 2015-07-28 CN CN201520553730.4U patent/CN204874730U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112885768A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-06-01 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 刻蚀烘烤设备的外延片载具 |
CN112885768B (zh) * | 2020-12-30 | 2023-10-13 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 刻蚀烘烤设备的外延片载具 |
CN114199031A (zh) * | 2022-02-21 | 2022-03-18 | 华芯半导体研究院(北京)有限公司 | 石墨盘烘烤夹具及烘烤装置 |
CN114199031B (zh) * | 2022-02-21 | 2022-05-06 | 华芯半导体研究院(北京)有限公司 | 石墨盘烘烤夹具及烘烤装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20120192789A1 (en) | Deposition systems and processes | |
US20140256120A1 (en) | Process for Preparing Graphene Based on Metal Film-Assisted Annealing and the Reaction with Cl2 | |
KR101704147B1 (ko) | 다결정 실리콘 제조 장치 및 다결정 실리콘 제조 방법 | |
CN102732953A (zh) | 双籽晶辅助气相传输方法生长碳化硅单晶的技术和装置 | |
CN102747418B (zh) | 一种高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法 | |
CN204874730U (zh) | Mocvd石墨盘用石墨烤架 | |
CN203474963U (zh) | 一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积设备 | |
CN202543389U (zh) | 一种提高mocvd机台中4寸外延片波长均匀性的石墨盘 | |
CN103014667B (zh) | 化学气相沉积装置 | |
CN205556772U (zh) | 一种化学气相沉积炉用石墨沉积装置 | |
CN103603048B (zh) | 一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积设备 | |
CN102304698B (zh) | Htcvd法碳化硅晶体生长装置 | |
CN107601473B (zh) | 一种制备均匀一致的石墨烯材料的改进的化学气相沉积法 | |
US8802546B2 (en) | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
CN105420686A (zh) | 一种化学气相沉积炉用石墨沉积装置 | |
CN203159707U (zh) | 具有多个子反应器结构的金属有机化学气相沉积设备 | |
CN103614707B (zh) | 一种提高mocvd外延片均匀性的石墨盘 | |
Liu et al. | Design of large horizontal gallium nitride hydride vapor-phase epitaxy equipment and optimization of process parameters | |
CN206244914U (zh) | 一种制备低硼杂质浓度SiC单晶的生产装置 | |
CN205907398U (zh) | 一种金属有机化学气相沉积装置 | |
CN204455285U (zh) | 反应腔室以及化学气相淀积机台 | |
Moon et al. | Growth behavior of GaN nanoneedles with changing HCl/NH3 flow ratio | |
CN202705048U (zh) | 一种石墨烯的连续生产装置 | |
CN106298443A (zh) | 一种GaN衬底的制备方法 | |
CN204675837U (zh) | 一种生长石墨烯的支架 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20151216 Termination date: 20210728 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |