CN112885768B - 刻蚀烘烤设备的外延片载具 - Google Patents

刻蚀烘烤设备的外延片载具 Download PDF

Info

Publication number
CN112885768B
CN112885768B CN202011609284.6A CN202011609284A CN112885768B CN 112885768 B CN112885768 B CN 112885768B CN 202011609284 A CN202011609284 A CN 202011609284A CN 112885768 B CN112885768 B CN 112885768B
Authority
CN
China
Prior art keywords
vertical plate
substrate
epitaxial wafer
wafer carrier
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011609284.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112885768A (zh
Inventor
王飞
刘华明
黄李园
薛涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HC Semitek Zhejiang Co Ltd
Original Assignee
HC Semitek Zhejiang Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HC Semitek Zhejiang Co Ltd filed Critical HC Semitek Zhejiang Co Ltd
Priority to CN202011609284.6A priority Critical patent/CN112885768B/zh
Publication of CN112885768A publication Critical patent/CN112885768A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112885768B publication Critical patent/CN112885768B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/08—Etching
    • C30B33/12—Etching in gas atmosphere or plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本公开提供了一种刻蚀烘烤设备的外延片载具，属于刻蚀烘烤设备技术领域。所述外延片载具包括：基座和放片支架，所述放片支架包括第一立板、第二立板和放片组件，所述第一立板和所述第二立板通过第一连接件平行且相对设置，所述放片组件设置在所述第一立板和所述第二立板之间以在所述第一立板和所述第二立板之间层叠放置若干外延片；所述放片支架通过所述第一立板和所述第二立板可拆卸地安装在所述基座上。本公开能够提升外延片载具放置的外延片数量。

Description

刻蚀烘烤设备的外延片载具
技术领域
本公开涉及刻蚀烘烤设备技术领域，特别涉及一种刻蚀烘烤设备的外延片载具。
背景技术
半导体LED(Light Emitting Diode，发光二极管)具有高效节能和绿色环保的优点，在交通指示和户外全色显示等领域有着广泛的应用。因为设备、工艺、生产等异常因素，导致在MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备生长的部分LED外延片达不到标准要求，而做报废处理，外延报废片(报废处理的LED外延片)不能再次利用，造成较大损失。为实现损失挽回，可通过刻蚀炉对报废片进行刻蚀动作，将报废衬底上的生长GaN薄膜剥离，实现变废为新的目的。
刻蚀炉的工作原理主要是，通过炉内加热升温至600摄氏度，并通过腔体上端气流孔，将一定比例的氮氯混合气体均匀通入炉内，在外延报废片上进行化学反应。氯气的腐蚀特性将外延报废片上的GaN薄膜进行剥离，外延报废片重新转化为外延生长所需的衬底。
相关技术中，刻蚀炉机台是依靠石墨盘作为刻蚀片载具，炉内反应腔内放置两块石墨盘，每块石墨盘的盘面在同一水平面上均匀地分布有若干片槽，如14个片槽，石墨盘能够放置14片4寸PSS(Patterned Sapphire Substrate，图形化蓝宝石衬底)，每炉的产能为28片，产出较低，刻蚀成本较大。
发明内容
本公开实施例提供了一种刻蚀烘烤设备的外延片载具，能够提升外延片载具放置的外延片数量。所述技术方案如下：
一种刻蚀烘烤设备的外延片载具，所述外延片载具包括：基座和放片支架，
所述放片支架包括第一立板、第二立板和放片组件，所述第一立板和所述第二立板通过第一连接件平行且相对设置，所述放片组件设置在所述第一立板和所述第二立板之间以在所述第一立板和所述第二立板之间层叠放置若干外延片；
所述放片支架通过所述第一立板和所述第二立板可拆卸地安装在所述基座上。
可选地，所述基座包括：第一基板和第二基板，
所述第一基板和所述第二基板通过第二连接件平行且相对设置，所述第一基板和所述第二基板的相对面上均设有放置槽；
所述第一立板与所述第一基板上的放置槽相配合，所述第二立板与所述第二基板上的放置槽相配合。
可选地，所述第一基板和所述第二基板均包括相对且平行的第一侧边和第二侧边，
所述第一基板和所述第二基板的上均设有若干气流孔，
所述放置槽靠近所述第一侧边，所述气流孔靠近所述第二侧边。
可选地，所述放片组件包括：四根第一支撑杆，
所述四根第一支撑杆相平行地夹设在所述第一立板和所述第二立板之间，每根第一支撑杆的两端分别连在所述第一立板和所述第二立板上，
每根第一支撑杆的外壁在径向设有第一卡槽，每根第一支撑杆上的第一卡槽的数量为多个且沿每根第一支撑杆的轴向间隔分布，每根第一支撑杆在同一平面下的第一卡槽截面的槽底连线与外延片的部分外轮廓相配合。
可选地，所述第一卡槽包括槽口和与所述槽口连通的沟槽，
所述槽口包括相对的第一斜面和第二斜面，所述第一斜面和所述第二斜面分别与所述沟槽的两侧侧壁连接，
所述第一斜面和所述第二斜面之间的距离随所述第一卡槽的深度变小而变大。
可选地，所述第一斜面与所述第二斜面之间的夹角为60°。
可选地，所述沟槽的宽度等于外延片的厚度。
可选地，一所述第一支撑杆为共用支撑杆，所述共用支撑杆位于所述第一立板与所述第二立板的中间位置，
所述放片组件还包括：三根第二支撑杆，
所述三根第二支撑杆夹设在所述第一立板和所述第二立板之间，每根第二支撑杆的两端分别连在所述第一立板和所述第二立板上，
所述三根第二支撑杆均与所述共用支撑杆相平行，且与除所述共用支撑杆之外的其他第一支撑杆相对称地分布在所述共用支撑杆的两侧，
每根第二支撑杆和所述共用支撑杆的外壁在径向设有第二卡槽，每根第二支撑杆和所述共用支撑杆上的第二卡槽的数量为多个且沿每根第二支撑杆和所述共用支撑杆的轴向间隔分布，每根第二支撑杆和所述共用支撑杆在同一平面下的第二卡槽截面的槽底连线与外延片的部分外轮廓相配合。
可选地，所述第一基板和所述第二基板均还包括相对且平行的第三侧边和第四侧边，所述第一侧边与所述第三侧边垂直，
所述外延片载具还包括：第一挡板和第二挡板，
所述第一挡板可拆卸地安装在所述第三侧边，所述第二挡板可拆卸地安装在所述第四侧边，所述第一挡板和所述第二挡板均位于所述第一基板和所述第二基板之间，
所述放片组件上层叠放置的外延片的层叠方向与所述第三侧边垂直。
可选地，所述放片支架和所述放置槽的数量为多个且相匹配，
所述第一基板和所述第二基板沿所述第一侧边的方向间隔布置多个所述放置槽，
所述第一基板和所述第二基板沿所述第三侧边的方向间隔布置多个所述放置槽。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过外延片载具包括基座和放片支架；放片支架包括第一立板、第二立板和放片组件；第一立板和第二立板通过第一连接件平行且相对设置；放片组件设置在第一立板和第二立板之间以在第一立板和第二立板之间层叠放置若干外延片；在第一立板和第二立板之间层叠放置外延片，一方面，充分利用了第一立板和第二立板之间的空间，使得外延片载具本身占用的空间不被浪费，从而挤出了更多的空间放置外延片；另一方面，相比于并排放置外延片，层叠放置的方式能够更节省空间，节省出的空间能放置更多的外延片，从而提升了外延片载具放置的外延片数量，提高了刻蚀烘烤设备的产出，节省了刻蚀烘烤成本。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的相关技术中刻蚀片载具的结构示意图；
图2是本公开实施例提供的一种刻蚀烘烤设备的外延片载具的结构示意图；
图3是本公开实施例提供的放片支架的结构示意图；
图4是图3的A-A剖视图；
图5是图4的B-B剖视图；
图6是图5的C-C剖视图；
图7和图8是本公开实施例提供的基座的结构示意图；
图9是图8中I处的放大示意图；
图10是图8的A-A剖视图；
图11是图8的B向视图。
附图中，各零部件的标号如下：
801底座、802石墨盘、8011凹槽、8021片槽、
1基座、11第一基板、12第二基板、13第二连接件、14放置槽、111第一侧边、112第二侧边、15气流孔、113第三侧边、114第四侧边、17第一挂耳、18安装槽、
2放片支架、21第一立板、22第二立板、23放片组件、24第一连接件、231第一支撑杆、232第一卡槽、233槽口、234第一斜面、235第二斜面、236沟槽、G共用支撑杆、237第二支撑杆、238第二卡槽、
3第一挡板、4第二挡板、31开口、32第二挂耳。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
图1是本公开实施例提供的相关技术中刻蚀片载具的结构示意图。参见图1，该刻蚀片载具包括底座801和石墨盘802。底座801上设有凹槽8011，凹槽8011中可以放置两块石墨盘802。石墨盘802的盘面在同一水平面上均匀地分布有14个片槽8021，每个片槽8021能够放置1片4寸PSS。如图1所示，两块石墨盘802相背地且立式地放置在凹槽8011上。石墨盘802上放置的PSS均朝外，以充分接触刻蚀气氛。但是，两块石墨盘802之间存在较大的空隙，该空隙被完全浪费，导致该刻蚀片载具的容量不高。
图2是本公开实施例提供的一种刻蚀烘烤设备的外延片载具的结构示意图，参见图2，该外延片载具包括：基座1和放片支架2。
图3是本公开实施例提供的放片支架2的结构示意图，图4是图3的A-A剖视图。参见图3和图4，放片支架2包括第一立板21、第二立板22和放片组件23。第一立板21和第二立板22通过第一连接件24平行且相对设置，放片组件23设置在第一立板21和第二立板22之间以在第一立板21和第二立板22之间层叠放置若干外延片。
放片支架2通过第一立板21和第二立板22可拆卸地安装在基座1上。
本实施例中，外延片载具可以放置和固定外延片，外延片可以是良品，也可以是报废的外延片；本实施例不限制放置的外延片的尺寸，如可以是四寸外延片。该外延片载具适用于刻蚀烘烤设备，包括刻蚀设备，如刻蚀炉(也称刻蚀反应炉)和烘烤功能设备。
本实施例中，通过外延片载具包括基座1和放片支架2；放片支架2包括第一立板21、第二立板22和放片组件23；第一立板21和第二立板22通过第一连接件24平行且相对设置；放片组件23设置在第一立板21和第二立板22之间以在第一立板21和第二立板22之间层叠放置若干外延片；在第一立板21和第二立板22之间层叠放置外延片，一方面，充分利用了第一立板21和第二立板22之间的空间，使得外延片载具本身占用的空间不被浪费，从而挤出了更多的空间放置外延片；另一方面，相比于并排放置外延片，层叠放置的方式能够更节省空间，节省出的空间能放置更多的外延片，从而提升了外延片载具放置的外延片数量，提高了刻蚀烘烤设备的产出，节省了刻蚀烘烤成本。
下面结合附图，详细介绍一下该刻蚀烘烤设备的外延片载具的结构。
第一、放片组件23的结构。
图5是图4的B-B剖视图，图6是图5的C-C剖视图。
参见图3-图6，示例性地，放片组件23包括：四根第一支撑杆231。
四根第一支撑杆231相平行地夹设在第一立板21和第二立板22之间，每根第一支撑杆231的两端分别连在所述第一立板21和所述第二立板22上。
每根第一支撑杆231的外壁在径向设有第一卡槽232，每根第一支撑杆231上的第一卡槽232的数量为多个且沿每根第一支撑杆231的轴向间隔分布，每根第一支撑杆231在同一平面下的第一卡槽232截面的槽底连线与外延片的部分外轮廓相配合。
示例性地，第一支撑杆231的一端连在第一立板21上，第一支撑杆231的另一端连在第二立板22上。
对于第一支撑杆231分别与第一立板21和第二立板22的连接方式，可以是焊接，保证放片的稳定性。
示例性地，每根第一支撑杆231均与第一立板21垂直。
对于第一支撑杆231外壁上的第一卡槽232，第一卡槽232用于夹持外延片。
示例性地，每根第一支撑杆231上的第一卡槽232数量是相同的，并且，每根第一支撑杆231上的第一卡槽232相对应设置。这样，一片外延片由四根第一支撑杆231上的第一卡槽232共四个第一卡槽232夹持，这四个第一卡槽232相当于四个支点，足以支撑一片外延片。由于大部分外延片的外轮廓为圆形，这就需要四根第一支撑杆231上相应第一卡槽232的截面的槽底连线与外延片的部分外轮廓相配合，即四根第一支撑杆231环绕外延片设置。可选地，四根第一支撑杆231上相应第一卡槽232的截面的槽底连线覆盖外延片的至少三分之一周长，以确保外延片较为稳定地放置在第一支撑杆231上。
多个第一卡槽232在第一支撑杆231上形成格槽，一个格槽对应一片外延片，这样实现了层叠放置多片外延片。
示例性地，多个第一卡槽232可以等间距地间隔分布在第一支撑杆231上。
例如，每根第一支撑杆231上相邻第一卡槽232之间的间隔大于或等于6mm。该间隔距离可以确保层叠放置的外延片的正反两面都能充分被烘烤到或者充分与刻蚀气体接触。
示例性地，参见图6，第一卡槽232包括槽口233和与槽口233连通的沟槽236。
槽口233包括相对的第一斜面234和第二斜面235，第一斜面234和第二斜面235分别与沟槽236的两侧侧壁连接。第一斜面234和第二斜面235之间的距离随第一卡槽232的深度变小而变大。
可选地，槽口233的横截面中，第一斜面234和第二斜面235构成等腰梯形。
示例性地，第一斜面234与第二斜面235之间的夹角为50°-65°，如可以是60°。
可选地，沟槽236可以是矩形槽。示例性地，沟槽236的宽度等于外延片的厚度。
当第一斜面234和第二斜面235之间的距离随第一卡槽232的深度变小而变大时，槽口233的横截面呈喇叭状，槽口233的宽度远大于沟槽236的宽度，这样，外延片可以轻易放入槽口233，避免槽口233的棱边对外延片造成损伤。沟槽236的宽度等于外延片的厚度，能够确保外延片稳定地夹设在沟槽236内。
四根第一支撑杆231的设计，能够层叠放置一列(或一行)外延片。为增大外延片的容量，本实施例提供了放置两列(或两行)外延片的放片组件23的结构。
示例性地，参见图5，一第一支撑杆231为共用支撑杆G，共用支撑杆G位于第一立板21与第二立板22的中间位置。相应地，放片组件23还包括：三根第二支撑杆237。
三根第二支撑杆237夹设在第一立板21和第二立板22之间，每根第二支撑杆237的两端分别连在所述第一立板21和所述第二立板22上。
三根第二支撑杆237均与共用支撑杆G相平行，且与除共用支撑杆G之外的其他第一支撑杆231相对称地分布在共用支撑杆G的两侧。
每根第二支撑杆237和共用支撑杆G的外壁在径向设有第二卡槽238，每根第二支撑杆237和共用支撑杆G上的第二卡槽238的数量为多个且沿每根第二支撑杆237和共用支撑杆G的轴向间隔分布，每根第二支撑杆237和共用支撑杆G在同一平面下的第二卡槽238截面的槽底连线与外延片的部分外轮廓相配合。
共用支撑杆G位于其他三根第一支撑杆231和三根第二支撑杆237之间，作为共用的支撑杆。这样，共用支撑杆G和其他三根第一支撑杆231支撑一列外延片，共用支撑杆G和三根第二支撑杆237支撑另一列外延片。
第二卡槽238与第一卡槽232的结构类似，在此不再赘述。
第二支撑杆237与第一立板21和第二立板22的连接方式和第一支撑杆231与第一立板21和第二立板22的连接方式相同，在此省略描述。
参见图3-图6，第一连接件24可以是杆件。可选地，所述第一连接件24夹设在所述第一立板21和第二立板22之间，放片支架2可以包括四根第一连接件24，两两分布在第一立板21和第二立板22的两侧，第一连接件24与第一立板21垂直。
为了节省空间，避免影响外延片的放置，靠近第一支撑杆231的第一连接件24安装在第一支撑杆231的第一卡槽232的背面位置，靠近第二支撑杆237的第一连接件24安装在第二支撑杆237的第二卡槽238的背面位置。
可选地，第一连接件24的一端连在第一立板21上，第一连接件24的另一端连在第二立板22上。第一连接件24与第一立板21和第二立板22的连接方式和第一支撑杆231与第一立板21和第二立板22的连接方式相同，在此不再赘述。
可选地，第一立板21、第二立板22、第一支撑杆231、第二支撑杆237和第一连接件24的材质均可以是石英。
第二、基座1的结构。
图7和图8是本公开实施例提供的基座1的结构示意图，图9是图8中I处的放大示意图，图10是图8的A-A剖视图，图11是图8的B向视图。
示例性地，参见图7-图11，基座1包括：第一基板11和第二基板12。
第一基板11和第二基板12通过第二连接件13平行且相对设置，第一基板11和第二基板12的相对面上均设有放置槽14。
第一立板21与第一基板11上的放置槽14相配合，第二立板22与第二基板12上的放置槽14相配合。
示例性地，参见图7，第一基板11和第二基板12均包括相对且平行的第一侧边111和第二侧边112。
第一基板11和第二基板12的上均设有若干气流孔13。放置槽14靠近第一侧边111，气流孔13靠近第二侧边112。
以刻蚀炉为例，该外延片载盘在应用时，第一侧边111朝向进气气流，第一基板11与第二基板12形成狭长型的进气通道，进气气流从第一侧边111处进入该进气通道，先充分填满靠近第一侧边111的放片支架2上的外延片之间的空隙，再流入第二侧边112，从气流孔13流出。因此，气流孔13的用途为，平衡刻蚀气体气流，满足气流均匀扩散性。
示例性地，第二连接件13可以是杆件。可选地，所述第二连接件13夹设在所述第一基板11和第二基板12之间，基座1可以包括六根第二连接件13，其中四根第二连接件13分布在第一侧边111，另外两根第二连接件13分布在第二侧边112。
为了避免碰触刻蚀炉的TC(Thermocouple，热电偶)，第二连接件13的安装位置应避开安装TC的位置。
可选地，第二连接件13的一端连在第一基板11上，第二连接件13的另一端连在第二基板12上。
第二连接件13与第一基板11和第二基板12的连接方式可以是螺纹连接，第一基板11和第二基板12上相应位置开设有螺纹孔，第二连接件13的两端分别设有螺纹，以与螺纹孔相配合。螺纹连接较为稳固，也容易拆装，在使用时较为方便。
可选地，第一基板11、第二基板12和第二连接件13的材质均可以为石墨材质。
在一个示例的实施例中，在第一基板11和第二基板12之间，可以架设与放片支架2的第一连接件24相配合的支撑件(如十字交叉的杆件)，放片支架2通过第一连接件24可以直接放置到支撑件上，由支撑件来支撑放片支架2。
支撑件会遮挡一部分第一基板11与第二基板12之间的空间，影响气流的扩散；而放置槽14不会存在遮挡问题，相比较而言，放置槽14的设计优于支撑件的设计。
示例性地，放片支架2和放置槽14的数量为多个且相匹配。
第一基板11和第二基板12沿第一侧边111的方向间隔布置多个放置槽14，第一基板11和第二基板12沿第三侧边113的方向间隔布置多个放置槽14。
示例性地，放片支架2和放置槽14的数量为6。相应地，第一基板11和第二基板12沿第一侧边111的方向间隔布置2个放置槽14，第一基板11和第二基板12沿第三侧边113的方向间隔布置3个放置槽14，共6个放置槽14。
示例性地，参见图7，第一基板11和第二基板12均还包括相对且平行的第三侧边113和第四侧边114，第一侧边111与第三侧边113垂直。
相应地，参见图2，外延片载具还包括：第一挡板3和第二挡板4。
第一挡板3可拆卸地安装在第三侧边113，第二挡板4可拆卸地安装在第四侧边114，第一挡板3和第二挡板4均位于第一基板11和第二基板12之间。
放片组件23上层叠放置的外延片的层叠方向与第三侧边113垂直。
第一挡板3、第二挡板4、第一基板11和第二基板12构成矩形通道，限制刻蚀气流从第一侧边111流入，从第二侧边112和气流孔13流出，即刻蚀气流的流动方向与第三侧边113平行。这时，若放片组件23上层叠放置的外延片的层叠方向与第三侧边113平行，则外延片横向放置在气流流动方向上，层叠的外延片互相遮挡气流，不利于气流扩散，外延片不能充分与刻蚀气流接触；若放片组件23上层叠放置的外延片的层叠方向与第三侧边113垂直，则外延片竖向放置在气流流动方向上，气流较快地填充外延片之间的空隙，并沿流动方向继续流动，外延片能够充分与刻蚀气流接触。
示例性地，第一基板11的第三侧边113和第四侧边114分别设置有开口31，第二基板12的第三侧边113和第四侧边114对应开口31的位置设置安装槽18。第一挡板3和第二挡板4分别与开口31和安装槽18相配合。
示例性地，第三侧边113设置的开口31由第三侧边113的两端分别伸出的第一挂耳17形成；第四侧边114设置的开口31由第四侧边114的两端分别伸出的第一挂耳17形成。开口31设计成第一挂耳17，开口31为敞口式开口31，容易将第一挡板3和第二挡板4从敞口处插入开口31，并卡设在安装槽18中，方便安装。
可选地，第一挂耳17的棱角可以为倒角，好处为减少棱边毛刺，避免剐蹭挡板以及放片支架。
示例性地，第一挡板3和第二挡板4的一个侧边设有第二挂耳32。第一挡板3和第二挡板4上的第二挂耳32设计，可以作为手柄，方便拿取并装配到基座1上，还可以作为挂钩，在闲置时悬挂收纳起来。
以上所述仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种刻蚀烘烤设备的外延片载具，其特征在于，所述外延片载具包括：基座(1)和放片支架(2)，
所述放片支架(2)包括第一立板(21)、第二立板(22)和放片组件(23)，所述第一立板(21)和所述第二立板(22)通过第一连接件(24)平行且相对设置，所述放片组件(23)设置在所述第一立板(21)和所述第二立板(22)之间以在所述第一立板(21)和所述第二立板(22)之间层叠放置若干外延片；
所述放片支架(2)通过所述第一立板(21)和所述第二立板(22)可拆卸地安装在所述基座(1)上；
所述放片组件(23)包括：四根第一支撑杆(231)和三根第二支撑杆(237)，
所述四根第一支撑杆(231)相平行地夹设在所述第一立板(21)和所述第二立板(22)之间，每根第一支撑杆(231)的两端分别连在所述第一立板(21)和所述第二立板(22)上，每根第一支撑杆(231)的外壁在径向设有第一卡槽(232)，每根第一支撑杆(231)上的第一卡槽(232)的数量为多个且沿每根第一支撑杆(231)的轴向间隔分布，每根第一支撑杆(231)在同一平面下的第一卡槽(232)截面的槽底连线与外延片的部分外轮廓相配合，一所述第一支撑杆(231)为共用支撑杆(G)，所述共用支撑杆(G)位于所述第一立板(21)与所述第二立板(22)的中间位置，所述三根第二支撑杆(237)夹设在所述第一立板(21)和所述第二立板(22)之间，每根第二支撑杆(237)的两端分别连在所述第一立板(21)和所述第二立板(22)上，所述三根第二支撑杆(237)均与所述共用支撑杆(G)相平行，且与除所述共用支撑杆(G)之外的其他第一支撑杆(231)相对称地分布在所述共用支撑杆(G)的两侧，每根第二支撑杆(237)和所述共用支撑杆(G)的外壁在径向设有第二卡槽(238)，每根第二支撑杆(237)和所述共用支撑杆(G)上的第二卡槽(238)的数量为多个且沿每根第二支撑杆(237)和所述共用支撑杆(G)的轴向间隔分布，每根第二支撑杆(237)和所述共用支撑杆(G)在同一平面下的第二卡槽(238)截面的槽底连线与外延片的部分外轮廓相配合。
2.根据权利要求1所述的外延片载具，其特征在于，所述基座(1)包括：第一基板(11)和第二基板(12)，
所述第一基板(11)和所述第二基板(12)通过第二连接件(13)平行且相对设置，所述第一基板(11)和所述第二基板(12)的相对面上均设有放置槽(14)；
所述第一立板(21)与所述第一基板(11)上的放置槽(14)相配合，所述第二立板(22)与所述第二基板(12)上的放置槽(14)相配合。
3.根据权利要求2所述的外延片载具，其特征在于，所述第一基板(11)和所述第二基板(12)均包括相对且平行的第一侧边(111)和第二侧边(112)，
所述第一基板(11)和所述第二基板(12)的上均设有若干气流孔(15)，
所述放置槽(14)靠近所述第一侧边(111)，所述气流孔(15)靠近所述第二侧边(112)。
4.根据权利要求1所述的外延片载具，其特征在于，所述第一卡槽(232)包括槽口(233)和与所述槽口(233)连通的沟槽(236)，
所述槽口(233)包括相对的第一斜面(234)和第二斜面(235)，所述第一斜面(234)和所述第二斜面(235)分别与所述沟槽(236)的两侧侧壁连接，
所述第一斜面(234)和所述第二斜面(235)之间的距离随所述第一卡槽(232)的深度变小而变大。
5.根据权利要求4所述的外延片载具，其特征在于，所述第一斜面(234)与所述第二斜面(235)之间的夹角为60°。
6.根据权利要求4所述的外延片载具，其特征在于，所述沟槽(236)的宽度等于外延片的厚度。
7.根据权利要求3所述的外延片载具，其特征在于，所述第一基板(11)和所述第二基板(12)均还包括相对且平行的第三侧边(113)和第四侧边(114)，所述第一侧边(111)与所述第三侧边(113)垂直，
所述外延片载具还包括：第一挡板(3)和第二挡板(4)，
所述第一挡板(3)可拆卸地安装在所述第三侧边(113)，所述第二挡板(4)可拆卸地安装在所述第四侧边(114)，所述第一挡板(3)和所述第二挡板(4)均位于所述第一基板(11)和所述第二基板(12)之间，
所述放片组件(23)上层叠放置的外延片的层叠方向与所述第三侧边(113)垂直。
8.根据权利要求7所述的外延片载具，其特征在于，所述放片支架(2)和所述放置槽(14)的数量为多个且相匹配，
所述第一基板(11)和所述第二基板(12)沿所述第一侧边(111)的方向间隔布置多个所述放置槽(14)，
所述第一基板(11)和所述第二基板(12)沿所述第三侧边(113)的方向间隔布置多个所述放置槽(14)。
CN202011609284.6A 2020-12-30 2020-12-30 刻蚀烘烤设备的外延片载具 Active CN112885768B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011609284.6A CN112885768B (zh) 2020-12-30 2020-12-30 刻蚀烘烤设备的外延片载具

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011609284.6A CN112885768B (zh) 2020-12-30 2020-12-30 刻蚀烘烤设备的外延片载具

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112885768A CN112885768A (zh) 2021-06-01
CN112885768B true CN112885768B (zh) 2023-10-13

Family

ID=76046343

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011609284.6A Active CN112885768B (zh) 2020-12-30 2020-12-30 刻蚀烘烤设备的外延片载具

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112885768B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114199031B (zh) * 2022-02-21 2022-05-06 华芯半导体研究院(北京)有限公司 石墨盘烘烤夹具及烘烤装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5210959A (en) * 1991-08-19 1993-05-18 Praxair Technology, Inc. Ambient-free processing system
TW397256U (en) * 1998-08-25 2000-07-01 United Microelectronics Corp A fastener for the wafer boat
CN202363506U (zh) * 2011-10-31 2012-08-01 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种石英舟
CN103280418A (zh) * 2013-05-07 2013-09-04 上海华力微电子有限公司 高温氧化设备
CN204874730U (zh) * 2015-07-28 2015-12-16 美尔森先进石墨（昆山）有限公司 Mocvd石墨盘用石墨烤架
CN209591986U (zh) * 2018-12-26 2019-11-05 广东欧美亚智能装备有限公司 一种全自动扩晶机
CN110534465A (zh) * 2019-10-08 2019-12-03 江苏晟驰微电子有限公司 一种扩散硼淀积新型石英舟
CN111223790A (zh) * 2018-11-27 2020-06-02 未来宝株式会社 半导体工艺的反应副产物收集装置
CN111785666A (zh) * 2020-07-29 2020-10-16 福建晶安光电有限公司 一种使晶片蚀刻均匀的方法及刻蚀炉机台
CN211929454U (zh) * 2020-06-19 2020-11-13 无锡松煜科技有限公司 光伏电池工艺炉内的载片舟

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5210959A (en) * 1991-08-19 1993-05-18 Praxair Technology, Inc. Ambient-free processing system
TW397256U (en) * 1998-08-25 2000-07-01 United Microelectronics Corp A fastener for the wafer boat
CN202363506U (zh) * 2011-10-31 2012-08-01 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种石英舟
CN103280418A (zh) * 2013-05-07 2013-09-04 上海华力微电子有限公司 高温氧化设备
CN204874730U (zh) * 2015-07-28 2015-12-16 美尔森先进石墨（昆山）有限公司 Mocvd石墨盘用石墨烤架
CN111223790A (zh) * 2018-11-27 2020-06-02 未来宝株式会社 半导体工艺的反应副产物收集装置
CN209591986U (zh) * 2018-12-26 2019-11-05 广东欧美亚智能装备有限公司 一种全自动扩晶机
CN110534465A (zh) * 2019-10-08 2019-12-03 江苏晟驰微电子有限公司 一种扩散硼淀积新型石英舟
CN211929454U (zh) * 2020-06-19 2020-11-13 无锡松煜科技有限公司 光伏电池工艺炉内的载片舟
CN111785666A (zh) * 2020-07-29 2020-10-16 福建晶安光电有限公司 一种使晶片蚀刻均匀的方法及刻蚀炉机台

Also Published As

Publication number Publication date
CN112885768A (zh) 2021-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102427971B (zh) 高效外延化学气相沉积(cvd)反应器
CN112885768B (zh) 刻蚀烘烤设备的外延片载具
CN111183248A (zh) 一种用于基板上生长薄膜的承载盘、生长装置和生长方法
EP3061845A2 (en) Metal organic chemical vapor deposition apparatus for solar cell
US10961621B2 (en) CVD reactor chamber with resistive heating and substrate holder
CN202275812U (zh) 晶圆承载组合
CN103074611A (zh) 衬底承载装置及金属有机化学气相沉积设备
CN218677078U (zh) 晶圆承载片、晶舟、晶圆传输装置和半导体工艺设备
CN218975409U (zh) 石英舟及扩散炉
JP6076070B2 (ja) 基板ホルダ及び太陽電池用基板の製造方法
CN204825126U (zh) 用于led外延晶圆制程的石墨承载盘
CN216919482U (zh) 一种石墨盘及反应装置
CN110079790A (zh) 石墨基座
CN210040159U (zh) 用于承载硅片的石墨框
CN203096168U (zh) 金属有机化学气相沉积设备
WO2017092628A1 (zh) 用于igbt模组的散热模组以及具有其的igbt模组
CN217973382U (zh) 一种硅片镀膜装置
CN217298089U (zh) 用于mocvd半导体外延生长用石墨盘清洗的承载装置
KR102001911B1 (ko) 태양 전지용 수직형 유기 금속 화학 기상 증착 장치
CN216902851U (zh) 一种晶片承载盘
CN219658677U (zh) 一种分体式晶舟
CN216902847U (zh) 一种改善热传导的石墨舟
CN220509984U (zh) 一种降低碎片率的快插高低型顶齿及硅板插卸设备
CN218602407U (zh) 晶片清洗工装
CN214361676U (zh) 水冷顶板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant