CN110534465A - 一种扩散硼淀积新型石英舟 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种扩散硼淀积新型石英舟,包括石英舟本体，在石英舟本体上设有一级舟槽支架，底部支架，一级石英舟槽，二级石英舟槽，一级石英舟槽与二级石英舟槽上均设有舟槽槽口，舟槽槽口的倾角为88度，当舟槽槽口的入口倾角为88度的时候，有效均衡气流，改善淀积的均匀性，并减少粘舟达到降低碎片的目的，该硼淀积的石英舟舟槽角度进行调整后，工艺气体可以将部分副产物带走，有效提高了均匀性，降低粘片的问题，大大降低了硼扩工艺的成本。
Description
技术领域
本发明涉及石英舟技术领域，具体为一种扩散硼淀积新型石英舟。
背景技术
石英又名石英玻璃，石英玻璃是由二氧化硅组成的矿物质。
石英玻璃主要用于电光源，半导体，光学新技术等方面。
新型光源方面：做高压水银灯、长弧氙灯、碘钨灯、碘化铊灯、红外线灯和杀菌灯等。
半导体方面：是半导体材料和器件生产过程中不可缺少的材料，如生长锗，硅单晶的坩埚、舟皿炉芯管和钟罩等。
在新技术领域中：用其声、光、电学的极佳性能、做雷达上的超声延迟线，红外跟踪测向，红外照相、通迅、摄谱仪、分光光度计的棱镜，透镜、大型天文望远镜的反射窗，高温作业窗、反应堆、放射性装置；火箭，导弹的鼻锥体，喷嘴和天线罩：人造卫星的无线电绝缘零件，辐射；热天秤，真空吸附装置，精密铸造等。
石英还用于：化工、冶金、电工、科研等方面。
在化工方面：可做高温耐酸性气体的燃烧、冷却的和通风装置，酸性溶液的蒸发，冷却吸物收，贮存装置,蒸馏水,盐酸、硝酸、硫酸等的制备和其它物理化学实验用品。在高温业作方面：可做光学玻璃的，坩埚成萤光体客气，电炉炉芯管，气体燃烧辐射体，在光学方面：石英玻璃和石英玻璃棉可作火箭的喷咀，宇宙飞船防热罩和观察窗等，总之，随着现代科学技术的发展，石英玻璃在各个领域方面得到更加广泛的应用。
扩散工艺
石英舟装载硅片进行扩散时，工艺气体从扩散炉尾部通入，硅片在石英舟上垂直放片时气流方向和硅片放片方向垂直，硼扩散时反应产生的副产物掉落在石英舟上并持续进行反应，硅片靠近石英舟区域浓度明显偏大，且硅片易粘在石英舟上
传统硼扩散工艺使用舟装载硅片进行扩散，通常使用的是50槽的石英舟，本工艺产品由于硼扩散后表面浓度高，使用传统石英舟进行本公司产品加工时出现以下2个问题：
1.硅片表面硼浓度不均匀、电阻值均匀性差，表面5点测试均匀性最高12.56％,不满足工艺<5％的要求；
2.硅片粘在石英舟上导致碎片的问题，由于浓度高，硅片和石英舟粘合在一起不容易分片，当站点的破片率最高达到2.35％。
发明内容
本发明的目的在于提供一有效提高均匀性，降低粘片的问题，大大降低了处理工艺成本的一种扩散硼淀积新型石英舟，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种扩散硼淀积新型石英舟,包括石英舟本体，所述石英舟本体上设有一级舟槽支架，一级舟槽支架的上方两端对称设有一级石英舟槽，所述一级舟槽支架的底部设有底部支架，底部支架与一级舟槽支架焊接连接，所述底部支架的底部对称设有二级石英舟槽，
所述一级石英舟槽，二级石英舟槽上均设有舟槽槽口，舟槽槽口的入口倾角为88度。
优选的，所述石英舟本体的内部中央设有硅片放置槽。
优选的，所述一级舟槽支架上方两个一级石英舟槽之间的水平距离为133.2mm。
优选的，所述底部支架下方的两个二级石英舟槽之间的水平距离为46.2mm。
优选的，所述一级石英舟槽，二级石英舟槽的长期使用温度为1150℃。
优选的，所述一级石英舟槽，二级石英舟槽上相邻两个舟槽槽口的中心距离为2.38mm，舟槽槽口的槽深为11.5mm。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
该硼淀积的石英舟舟槽角度进行调整后，工艺气体可以将部分副产物带走，有效提高了均匀性，降低粘片的问题，大大降低了处理工艺的成本。
附图说明
图1为本发明石英舟主视图；
图2为本发明石英舟侧视图；
图3为本发明石英舟俯视图；
图4为本发明舟槽剖面图。
图中：1、石英舟本体；2、一级舟槽支架；3、底部支架；4、一级石英舟槽；5、二级石英舟槽。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-4,本发明提供一种技术方案：一种扩散硼淀积新型石英舟,包括石英舟本体1，石英舟本体1上设有一级舟槽支架2，一级舟槽支架2的上方两端对称设有一级石英舟槽4，一级舟槽支架4的底部设有底部支架3，底部支架3与一级舟槽支架2焊接连接，底部支架3的底部对称设有二级石英舟槽5，
一级石英舟槽4，二级石英舟槽5上均设有舟槽槽口，舟槽槽口的入口倾角为88度。
实施例1，一种扩散硼淀积新型石英舟,包括石英舟本体1，石英舟本体1上设有一级舟槽支架2，一级舟槽支架2的上方两端对称设有一级石英舟槽4，一级舟槽支架2的底部设有底部支架3，底部支架3与一级舟槽支架2焊接连接，底部支架3的底部对称设有二级石英舟槽5，
一级石英舟槽4，二级石英舟槽5上均设有舟槽槽口，舟槽槽口的入口倾角为85度。
石英舟本体1的内部中央设有硅片放置槽，一级舟槽支架2上方两个一级石英舟槽4之间的水平距离为133.2mm，底部支架3下方的两个二级石英舟槽5之间的水平距离为46.2mm，一级石英舟槽4，二级石英舟槽5的长期使用温度为1150℃，一级石英舟槽4，二级石英舟槽5上相邻两个舟槽槽口的中心距离为2.38mm，舟槽槽口的槽深为11.5mm。
进行扩散时，工艺气体从扩散炉尾部通入，硼扩散时反应产生的副产物掉落在石英舟上并持续进行反应，硅片靠近石英舟区域浓度明显偏大，且硅片易粘在石英舟上，电阻值均匀性7.11％，碎片率2.35％。
实施例2，一种扩散硼淀积新型石英舟,包括石英舟本体1，石英舟本体1上设有一级舟槽支架2，一级舟槽支架2的上方两端对称设有一级石英舟槽4，一级舟槽支架2的底部设有底部支架3，底部支架3与一级舟槽支架2焊接连接，底部支架3的底部对称设有二级石英舟槽5，
一级石英舟槽4，二级石英舟槽5上均设有舟槽槽口，舟槽槽口的入口倾角为86度。
石英舟本体1的内部中央设有硅片放置槽，一级舟槽支架2上方两个一级石英舟槽4之间的水平距离为133.2mm，底部支架3下方的两个二级石英舟槽5之间的水平距离为46.2mm，一级石英舟槽4，二级石英舟槽5的长期使用温度为1150℃，一级石英舟槽4，二级石英舟槽5上相邻两个舟槽槽口的中心距离为2.38mm，舟槽槽口的槽深为11.5mm。
进行扩散时，工艺气体从扩散炉尾部通入，硼扩散时反应产生的副产物掉落在石英舟上并持续进行反应，硅片靠近石英舟区域浓度明显偏大，且硅片易粘在石英舟上，电阻值均匀性6.62％，碎片率1.55％。
实施例3，一种扩散硼淀积新型石英舟,包括石英舟本体1，石英舟本体1上设有一级舟槽支架2，一级舟槽支架2的上方两端对称设有一级石英舟槽4，一级舟槽支架2的底部设有底部支架3，底部支架3与一级舟槽支架2焊接连接，底部支架3的底部对称设有二级石英舟槽5，
一级石英舟槽4，二级石英舟槽5上均设有舟槽槽口，舟槽槽口的入口倾角为87度。
石英舟本体1的内部中央设有硅片放置槽，一级舟槽支架2上方两个一级石英舟槽4之间的水平距离为133.2mm，底部支架3下方的两个二级石英舟槽5之间的水平距离为46.2mm，一级石英舟槽4，二级石英舟槽5的长期使用温度为1150℃，一级石英舟槽4，二级石英舟槽5上相邻两个舟槽槽口的中心距离为2.38mm，舟槽槽口的槽深为11.5mm。
进行扩散时，工艺气体从扩散炉尾部通入，硼扩散时反应产生的副产物掉落在石英舟上并持续进行反应，硅片靠近石英舟区域浓度明显偏大，且硅片易粘在石英舟上，电阻值均匀性5.53％，碎片率0.98％。
实施例4，一种扩散硼淀积新型石英舟,包括石英舟本体1，石英舟本体1上设有一级舟槽支架2，一级舟槽支架2的上方两端对称设有一级石英舟槽4，一级舟槽支架2的底部设有底部支架3，底部支架3与一级舟槽支架2焊接连接，底部支架3的底部对称设有二级石英舟槽5，
一级石英舟槽4，二级石英舟槽5上均设有舟槽槽口，舟槽槽口的入口倾角为88度。
石英舟本体1的内部中央设有硅片放置槽，一级舟槽支架2上方两个一级石英舟槽4之间的水平距离为133.2mm，底部支架3下方的两个二级石英舟槽5之间的水平距离为46.2mm，一级石英舟槽4，二级石英舟槽5的长期使用温度为1150℃，一级石英舟槽4，二级石英舟槽5上相邻两个舟槽槽口的中心距离为2.38mm，舟槽槽口的槽深为11.5mm。
进行扩散时，工艺气体从扩散炉尾部通入，硼扩散时反应产生的副产物掉落在石英舟上并持续进行反应，硅片靠近石英舟区域浓度明显偏大，且硅片易粘在石英舟上，电阻值均匀性3.5％，碎片率0.65％。
实施例5，一种扩散硼淀积新型石英舟,包括石英舟本体1，石英舟本体1上设有一级舟槽支架2，一级舟槽支架2的上方两端对称设有一级石英舟槽4，一级舟槽支架2的底部设有底部支架3，底部支架3与一级舟槽支架2焊接连接，底部支架3的底部对称设有二级石英舟槽5，
一级石英舟槽4，二级石英舟槽5上均设有舟槽槽口，舟槽槽口的入口倾角为89度。
石英舟本体1的内部中央设有硅片放置槽，一级舟槽支架2上方两个一级石英舟槽4之间的水平距离为133.2mm，底部支架3下方的两个二级石英舟槽5之间的水平距离为46.2mm，一级石英舟槽4，二级石英舟槽5的长期使用温度为1150℃，一级石英舟槽4，二级石英舟槽5上相邻两个舟槽槽口的中心距离为2.38mm，舟槽槽口的槽深为11.5mm。
进行扩散时，工艺气体从扩散炉尾部通入，硼扩散时反应产生的副产物掉落在石英舟上并持续进行反应，硅片靠近石英舟区域浓度明显偏大，且硅片易粘在石英舟上，电阻值均匀性3.1％，碎片率0.75％。
实施例6，一种扩散硼淀积新型石英舟,包括石英舟本体1，石英舟本体1上设有一级舟槽支架2，一级舟槽支架2的上方两端对称设有一级石英舟槽4，一级舟槽支架2的底部设有底部支架3，底部支架3与一级舟槽支架2焊接连接，底部支架3的底部对称设有二级石英舟槽5，
一级石英舟槽4，二级石英舟槽5上均设有舟槽槽口，舟槽槽口的入口倾角为90度。
石英舟本体1的内部中央设有硅片放置槽，一级舟槽支架2上方两个一级石英舟槽4之间的水平距离为133.2mm，底部支架3下方的两个二级石英舟槽5之间的水平距离为46.2mm，一级石英舟槽4，二级石英舟槽5的长期使用温度为1150℃，一级石英舟槽4，二级石英舟槽5上相邻两个舟槽槽口的中心距离为2.38mm，舟槽槽口的槽深为11.5mm。
进行扩散时，工艺气体从扩散炉尾部通入，硼扩散时反应产生的副产物掉落在石英舟上并持续进行反应，硅片靠近石英舟区域浓度明显偏大，且硅片易粘在石英舟上，电阻值均匀性4.1％，碎片率1.06％。
实施例7，一种扩散硼淀积新型石英舟,包括石英舟本体1，石英舟本体1上设有一级舟槽支架2，一级舟槽支架2的上方两端对称设有一级石英舟槽4，一级舟槽支架2的底部设有底部支架3，底部支架3与一级舟槽支架2焊接连接，底部支架3的底部对称设有二级石英舟槽5，
一级石英舟槽4，二级石英舟槽5上均设有舟槽槽口，舟槽槽口的入口倾角为91度。
石英舟本体1的内部中央设有硅片放置槽，一级舟槽支架2上方两个一级石英舟槽4之间的水平距离为133.2mm，底部支架3下方的两个二级石英舟槽5之间的水平距离为46.2mm，一级石英舟槽4，二级石英舟槽5的长期使用温度为1150℃，一级石英舟槽4，二级石英舟槽5上相邻两个舟槽槽口的中心距离为2.38mm，舟槽槽口的槽深为11.5mm。
进行扩散时，工艺气体从扩散炉尾部通入，硼扩散时反应产生的副产物掉落在石英舟上并持续进行反应，硅片靠近石英舟区域浓度明显偏大，且硅片易粘在石英舟上，电阻值均匀性5.55％，碎片率1.34％。
实施例8，一种扩散硼淀积新型石英舟,包括石英舟本体1，石英舟本体1上设有一级舟槽支架2，一级舟槽支架2的上方两端对称设有一级石英舟槽4，一级舟槽支架2的底部设有底部支架3，底部支架3与一级舟槽支架2焊接连接，底部支架3的底部对称设有二级石英舟槽5，
一级石英舟槽4，二级石英舟槽5上均设有舟槽槽口，舟槽槽口的入口倾角为92度。
石英舟本体1的内部中央设有硅片放置槽，一级舟槽支架2上方两个一级石英舟槽4之间的水平距离为133.2mm，底部支架3下方的两个二级石英舟槽5之间的水平距离为46.2mm，一级石英舟槽4，二级石英舟槽5的长期使用温度为1150℃，一级石英舟槽4，二级石英舟槽5上相邻两个舟槽槽口的中心距离为2.38mm，舟槽槽口的槽深为11.5mm。
进行扩散时，工艺气体从扩散炉尾部通入，硼扩散时反应产生的副产物掉落在石英舟上并持续进行反应，硅片靠近石英舟区域浓度明显偏大，且硅片易粘在石英舟上，电阻值均匀性7.53％，碎片率1.71％。
实施例9，一种扩散硼淀积新型石英舟,包括石英舟本体1，石英舟本体1上设有一级舟槽支架2，一级舟槽支架2的上方两端对称设有一级石英舟槽4，一级舟槽支架2的底部设有底部支架3，底部支架3与一级舟槽支架2焊接连接，底部支架3的底部对称设有二级石英舟槽5，
一级石英舟槽4，二级石英舟槽5上均设有舟槽槽口，舟槽槽口的入口倾角为93度。
石英舟本体1的内部中央设有硅片放置槽，一级舟槽支架2上方两个一级石英舟槽4之间的水平距离为133.2mm，底部支架3下方的两个二级石英舟槽5之间的水平距离为46.2mm，一级石英舟槽4，二级石英舟槽5的长期使用温度为1150℃，一级石英舟槽4，二级石英舟槽5上相邻两个舟槽槽口的中心距离为2.38mm，舟槽槽口的槽深为11.5mm。
进行扩散时，工艺气体从扩散炉尾部通入，硼扩散时反应产生的副产物掉落在石英舟上并持续进行反应，硅片靠近石英舟区域浓度明显偏大，且硅片易粘在石英舟上，电阻值均匀性9.12％，碎片率1.91％。
实施例10，一种扩散硼淀积新型石英舟,包括石英舟本体1，石英舟本体1上设有一级舟槽支架2，一级舟槽支架2的上方两端对称设有一级石英舟槽4，一级舟槽支架2的底部设有底部支架3，底部支架3与一级舟槽支架2焊接连接，底部支架3的底部对称设有二级石英舟槽5，
一级石英舟槽4，二级石英舟槽5上均设有舟槽槽口，舟槽槽口的入口倾角为94度。
石英舟本体1的内部中央设有硅片放置槽，一级舟槽支架2上方两个一级石英舟槽4之间的水平距离为133.2mm，底部支架3下方的两个二级石英舟槽5之间的水平距离为46.2mm，一级石英舟槽4，二级石英舟槽5的长期使用温度为1150℃，一级石英舟槽4，二级石英舟槽5上相邻两个舟槽槽口的中心距离为2.38mm，舟槽槽口的槽深为11.5mm。
进行扩散时，工艺气体从扩散炉尾部通入，硼扩散时反应产生的副产物掉落在石英舟上并持续进行反应，硅片靠近石英舟区域浓度明显偏大，且硅片易粘在石英舟上，电阻值均匀性12.56％，碎片率2.03％。
综上，进行扩散时，工艺气体从扩散炉尾部通入，进行角度调整后，当舟槽槽口的入口倾角为88度的时候，工艺气体可以将硼扩散时反应产生的副产物带走，有效提高了均匀性和降低粘片的问题。
石英舟本体1的内部中央设有硅片放置槽，一级舟槽支架2上方两个一级石英舟槽4之间的水平距离为133.2mm，底部支架3下方的两个二级石英舟槽5之间的水平距离为46.2mm，一级石英舟槽4，二级石英舟槽5的长期使用温度为1150℃，一级石英舟槽4，二级石英舟槽5上相邻两个舟槽槽口的中心距离为2.38mm，舟槽槽口的槽深为11.5mm。
进行扩散时，工艺气体从扩散炉尾部通入，硅片在石英舟上垂直放片时气流方向和硅片放片方向垂直，硼扩散时反应产生的副产物掉落在石英舟上并持续进行反应，硅片靠近石英舟区域浓度明显偏大，且硅片易粘在石英舟上，进行角度调整后，工艺气体可以将部分副产物带走，有效提高了均匀性和降低粘片的问题。
该硼淀积的石英舟舟槽角度进行调整后，工艺气体可以将部分副产物带走，有效提高了均匀性和降低粘片的问题，舟槽角度调整后硼淀积的均匀性从之前的7.35％-12.56％改善为2.23％-4.75％，当站点的碎片率从2.35％降低为1.12％，大大降低了处理工艺的成本。
本发明的有益效果是：
该硼淀积的石英舟舟槽角度进行调整后，工艺气体可以将部分副产物带走，有效提高了均匀性，降低粘片的问题，大大降低了处理工艺的成本。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种扩散硼淀积新型石英舟,包括石英舟本体(1)，其特征在于：所述石英舟本体(1)上设有一级舟槽支架(2)，一级舟槽支架(2)的上方两端对称设有一级石英舟槽(4)，所述一级舟槽支架(2)的底部设有底部支架(3)，底部支架(3)与一级舟槽支架(2)焊接连接，所述底部支架(3)的底部对称设有二级石英舟槽(5)，
所述一级石英舟槽(4)，二级石英舟槽(5)上均设有舟槽槽口，舟槽槽口的入口倾角为88度。
2.根据权利要求1所述的一种扩散硼淀积新型石英舟，其特征在于：所述石英舟本体(1)的内部中央设有硅片放置槽。
3.根据权利要求1所述的一种扩散硼淀积新型石英舟，其特征在于：所述一级舟槽支架(2)上方两个一级石英舟槽(4)之间的水平距离为133.2mm。
4.根据权利要求1所述的一种扩散硼淀积新型石英舟，其特征在于：所述底部支架(3)下方的两个二级石英舟槽(5)之间的水平距离为46.2mm。
5.根据权利要求1所述的一种扩散硼淀积新型石英舟，其特征在于：所述一级石英舟槽(4)，二级石英舟槽(5)的长期使用温度为1150℃。
6.根据权利要求1所述的一种扩散硼淀积新型石英舟，其特征在于：所述一级石英舟槽(4)，二级石英舟槽(5)上相邻两个舟槽槽口的中心距离为2.38mm，舟槽槽口的槽深为11.5mm。
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|---|---|---|---|---|
| CN112885768A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-06-01 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 刻蚀烘烤设备的外延片载具 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102064233A (zh) * | 2010-10-29 | 2011-05-18 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 面接触式石英舟 |
| CN202721112U (zh) * | 2012-06-28 | 2013-02-06 | 杭州大和热磁电子有限公司 | 一种纵向放片的石英舟 |
| CN202940221U (zh) * | 2012-10-31 | 2013-05-15 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种扩散用石英舟 |
| CN203071053U (zh) * | 2012-12-29 | 2013-07-17 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种适于导片的石英舟 |
| CN203179932U (zh) * | 2013-01-10 | 2013-09-04 | 湖北弘元光伏科技有限公司 | 一种可以增大产能的新型石英舟 |
| CN104733360A (zh) * | 2013-12-24 | 2015-06-24 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 步进石英舟 |
| CN210575874U (zh) * | 2019-10-08 | 2020-05-19 | 江苏晟驰微电子有限公司 | 一种扩散硼淀积新型石英舟 |
-
2019
- 2019-10-08 CN CN201910949036.7A patent/CN110534465A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102064233A (zh) * | 2010-10-29 | 2011-05-18 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 面接触式石英舟 |
| CN202721112U (zh) * | 2012-06-28 | 2013-02-06 | 杭州大和热磁电子有限公司 | 一种纵向放片的石英舟 |
| CN202940221U (zh) * | 2012-10-31 | 2013-05-15 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种扩散用石英舟 |
| CN203071053U (zh) * | 2012-12-29 | 2013-07-17 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种适于导片的石英舟 |
| CN203179932U (zh) * | 2013-01-10 | 2013-09-04 | 湖北弘元光伏科技有限公司 | 一种可以增大产能的新型石英舟 |
| CN104733360A (zh) * | 2013-12-24 | 2015-06-24 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 步进石英舟 |
| CN210575874U (zh) * | 2019-10-08 | 2020-05-19 | 江苏晟驰微电子有限公司 | 一种扩散硼淀积新型石英舟 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112885768A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-06-01 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 刻蚀烘烤设备的外延片载具 |
| CN112885768B (zh) * | 2020-12-30 | 2023-10-13 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 刻蚀烘烤设备的外延片载具 |
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