CN203159745U - 一种扩散炉 - Google Patents
一种扩散炉 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203159745U CN203159745U CN201320058086.4U CN201320058086U CN203159745U CN 203159745 U CN203159745 U CN 203159745U CN 201320058086 U CN201320058086 U CN 201320058086U CN 203159745 U CN203159745 U CN 203159745U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- furnace
- diffusion furnace
- diffusion
- silicon wafer
- waste gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 5
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 10
- 238000000746 purification Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 26
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-N Metaphosphoric acid Chemical compound OP(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
本实用新型涉及一种扩散炉,包括加热炉、净化台和置于加热炉与净化台之间的废气排气室,所述废气排气室内设有用于清洁进入废气排气室内硅片的吹扫机构。该扩散炉能够全方位吹扫掉硅片上的粉尘,有效地提高扩散炉的扩散工艺,从而提高太阳能电池的光电转换效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种扩散炉。
背景技术
扩散炉是一种用于半导体材料处理的工艺设备,扩散炉主要用于参杂工艺,特别在晶体硅太阳能电池PN结生成过程中起关键性的作用,对转换效率的提高起到决定性的作用。通常包括加热炉、净化台及气源组成,加热炉带有炉腔,炉口方向朝向净化台方向,在加热炉内另设计有放置硅片的石英舟。
现有的扩散炉中,存在以下不足之处:
1、扩散炉在装载硅片时,会有一些粉尘、颗粒附在硅片表面,这些粉尘、颗粒将随硅片送入到炉口内部高温区域后,会扩散到硅片中从而影响其质量。
2、扩散炉在卸载硅片时,硅片和石英舟的温度较高,不利于人员的拿取,并且硅片出炉后,又接触到粉尘、颗粒和不利的杂质,在较高的温度下继续扩散到硅片中,从而影响硅片的质量。
3、扩散炉在卸载硅片时,硅片和石英舟上会附着大量扩散工艺的残留气体(P2O5)和废气(Cl2)。若遇到温度较低的冷空气,其中的水与P2O5生成偏磷酸、与Cl2生成盐酸。偏磷酸和盐酸对人体都能造成严重伤害,玻璃状的偏磷酸对后续工艺产生不利影响,偏磷酸还易潮解生成磷酸,磷酸和盐酸对设备仪器产生腐蚀,影响其使用寿命和工作性能。
发明内容
本实用新型的目的在于,针对现有技术的不足,提供一种扩散炉,能够全方位吹扫掉硅片上的粉尘,有效地提高扩散炉的扩散工艺,从而提高太阳能电池的光电转换效率。
本实用新型的技术方案为,一种扩散炉,包括加热炉、净化台和置于加热炉与净化台之间的废气排气室,所述废气排气室内设有用于清洁进入废气排气室内硅片的吹扫机构。
所述吹扫机构包括一端连接送气单元的螺旋状圆形管体,并在靠近硅片的圆形管体外壁上开有多个孔。
所述排气室内设有抽气机构。
圆形管体通过卡套固定在废气排气室靠近净化台端开口的内侧壁上。
所述圆形管体螺旋状直径比圆形炉门直径大,小孔的朝向垂直于石英舟。因为硅片是以垂直方向放在石英舟上,并从废气排气室端部将硅片送入炉体内的。
本实用新型通过在加热炉炉口设置一个螺旋状的圆形管体作为吹扫机构,从而使扩散炉在装载硅片时,螺旋风面可以全方位的吹扫硅片上的粉尘、颗粒,这样可以避免硅片上的粉尘、颗粒在高温时扩散到硅片中,影响PN结、减反膜的质量;卸载硅片时,螺旋风面可以全方位的吹扫硅片上的残留气体,在扩散炉中可以避免硅片扩散后,硅片和石英舟上附带的残留气体遇到水蒸气发生化学反应,生成偏磷酸和盐酸形成的污染;同时卸载硅片时可是硅片快速冷却,可以避免硅片出炉后接触到粉尘、颗粒和不利的杂质,在较高的温度下继续扩散到硅片中,从而影响硅片的质量。该吹扫机构还可用在与扩散炉同领域的PECVD设备中。
附图说明
图1为本实用新型一种实施例的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示,一种扩散炉,包括加热炉1、净化台8和置于加热炉1与净化台8之间的废气排气室7,废气排气室7内设有用于清洁进入废气排气室7内硅片4的吹扫机构。
吹扫机构包括一端连接送气单元的螺旋状圆形管体5,并在靠近硅片4的圆形管体5外壁上开有多个孔6。
排气室7内设有抽气机构,抽气机构采用气泵等常规抽气设备。
Claims (3)
1. 一种扩散炉,包括加热炉(1)、净化台(8)和置于加热炉(1)与净化台(8)之间的废气排气室(7),其特征是,所述废气排气室(7)内设有用于清洁进入废气排气室(7)内的硅片(4)的吹扫机构。
2.根据权利要求1所述扩散炉,其特征是,所述吹扫机构包括一端连接送气单元的螺旋状圆形管体(5),并在靠近硅片(4)的圆形管体(5)外壁上开有多个孔(6)。
3.根据权利要求2所述扩散炉,其特征是,所述排气室(7)内设有抽气机构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320058086.4U CN203159745U (zh) | 2013-02-01 | 2013-02-01 | 一种扩散炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320058086.4U CN203159745U (zh) | 2013-02-01 | 2013-02-01 | 一种扩散炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203159745U true CN203159745U (zh) | 2013-08-28 |
Family
ID=49020944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201320058086.4U Expired - Lifetime CN203159745U (zh) | 2013-02-01 | 2013-02-01 | 一种扩散炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203159745U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106435740A (zh) * | 2016-11-11 | 2017-02-22 | 桂林电子科技大学 | 一种立式太阳能硅片扩散炉 |
| CN107190326A (zh) * | 2017-05-13 | 2017-09-22 | 徐州中辉光伏科技有限公司 | 可实现残余热应力消除处理的太阳能电池用硅片扩散炉 |
| CN112077084A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-12-15 | 中国科学院微电子研究所 | 除尘管道及扩散设备 |
-
2013
- 2013-02-01 CN CN201320058086.4U patent/CN203159745U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106435740A (zh) * | 2016-11-11 | 2017-02-22 | 桂林电子科技大学 | 一种立式太阳能硅片扩散炉 |
| CN107190326A (zh) * | 2017-05-13 | 2017-09-22 | 徐州中辉光伏科技有限公司 | 可实现残余热应力消除处理的太阳能电池用硅片扩散炉 |
| CN107190326B (zh) * | 2017-05-13 | 2018-03-13 | 徐州中辉光伏科技有限公司 | 可实现残余热应力消除处理的太阳能电池用硅片扩散炉 |
| CN112077084A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-12-15 | 中国科学院微电子研究所 | 除尘管道及扩散设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102397859A (zh) | 石墨舟(框)干式清洗机 | |
| CN201529636U (zh) | 硅片鼓泡清洗装置 | |
| CN101736317A (zh) | 原子层沉积设备 | |
| CN203159745U (zh) | 一种扩散炉 | |
| CN204039548U (zh) | 一种减压扩散炉炉口密封装置 | |
| CN203855684U (zh) | 一种减压扩散炉 | |
| TWI545298B (zh) | Heat treatment furnace | |
| CN201804848U (zh) | 一种用于制造半导体器件的氧化装置 | |
| CN213519887U (zh) | 一种提高低压扩散方阻均匀性的装置 | |
| CN203310228U (zh) | 一种太阳能硅片干燥炉 | |
| CN204668282U (zh) | 一种高温低压扩散装置 | |
| CN201476552U (zh) | 带吹扫处理装置的扩散炉 | |
| CN203034145U (zh) | 扩散悬臂炉及其硅片承载装置 | |
| CN202601592U (zh) | 太阳电池用扩散炉 | |
| CN202461054U (zh) | 石墨舟干式清洗机 | |
| CN203976978U (zh) | 一种新型扩散炉 | |
| CN201488540U (zh) | 带隔离处理装置的扩散炉 | |
| CN221223485U (zh) | 一种塔顶余热回收装置 | |
| CN203683725U (zh) | 一种多晶硅铸锭炉用带排气装置的碳纤维保温顶板 | |
| US20100083900A1 (en) | Atomic layer deposition apparatus | |
| CN118600545A (zh) | 一种碳化硅外延设备及延长设备保养周期的方法 | |
| WO2014201975A1 (zh) | 用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备 | |
| CN206959618U (zh) | 一种电池片烧结炉排风装置及其烧结炉 | |
| CN201408773Y (zh) | 晶体硅太阳能电池扩散炉 | |
| CN108878289A (zh) | 高效电池退火工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20130828 |