CN203325957U - 用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备 - Google Patents
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- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 title claims abstract description 50
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 31
- 238000002161 passivation Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 31
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 abstract 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1868—Passivation
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，包括氧化腔，该氧化腔设有进气装置和光照装置，该光照装置可以发出100-5000nm波长范围内的光。本实用新型提供的用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，能在低温条件下在晶体硅表面生成氧化硅层，增强晶体硅太阳能电池表面钝化。本设备成本低廉，结构简单，稳定性好，且与现行的半导体工艺和太阳能电池工艺兼容。
Description
技术领域
本实用新型涉及用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备。
背景技术
在半导体、太阳能等行业中，由于工艺的要求，经常需要在硅片表面生长一层薄氧化硅层。例如，在太阳能电池的制作工艺中，良好的表面钝化是太阳能电池获得高转换效率的关键所在，目前传统晶体硅太阳能电池主要是用等离子增强化学气相在硅片表面沉积氮化硅薄膜来进行钝化的，但是氮化硅的晶格常数与硅的晶格常数有较大的差异，导致在氮化硅/硅界面处产生较大的晶格畸变，从而影响钝化效果。而氧化硅/硅界面的晶格畸变很小，同时氧化硅可以很好的对硅表面进行钝化，因而在硅与氮化硅薄膜之间生长一层氧化硅薄膜可以有效的解决晶格畸变问题，从而提升钝化效果。
目前，在晶体硅片表面生长氧化硅薄膜的设备主要有高温氧化设备和湿化学氧化设备，但是前者需要额外的高温过程，耗费大量的能源，使硅片体寿命降低，而后者会增加工艺的复杂性，同时氧化硅薄膜不够致密，都不能满足工艺的要求。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，其能在低温条件下在晶体硅表面生成氧化硅层，增强晶体硅太阳能电池表面钝化。
为实现上述目的，本实用新型的技术方案是设计一种用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，包括氧化腔，该氧化腔设有进气装置和光照装置，该光照装置可以发出100-5000nm波长范围内的光。
进气装置用于向氧化腔输入氧化气体，如氧气、臭氧、空气、水蒸气和笑气中的一种或几种；光照装置对置于氧化气体中的晶体硅进行光照，使晶体硅表面生成氧化硅层；特别是当光照采用100-5000nm波长范围内的光时，能在低温条件下在晶体硅表面生成氧化硅层，如氧化处理温度可以为0-450℃。
优选的，上述光照装置进一步包括光源、光照强度控制模块、光照时间控制模块和光照波长控制模块。
优选的，上述光源为红外光光源和/或可见光光源。
优选的，上述光源为连续波长光源，能发出波长连续分布的光。
优选的，上述氧化腔内还设有加热装置，能对氧化腔进行加热，控制氧化腔内的温度。
优选的，上述氧化腔还设有出气装置。
优选的，本设备还包括上料台、加热仓、冷却仓和下料台，用于配合氧化腔完成流水线生产。
优选的，上述加热装置为电阻加热器和/或光照加热器。
优选的，上述电阻加热器连接有功率控制模块，上述光照加热器连接有辐照强度控制模块。
优选的，上述氧化腔和/或加热仓设有可实时监控硅片温度的测温装置。
本实用新型的优点和有益效果在于：提供一种用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，其能在低温条件下在晶体硅表面生成氧化硅层，增强晶体硅太阳能电池表面钝化。本设备成本低廉，结构简单，稳定性好，且与现行的半导体工艺和太阳能电池工艺兼容。
附图说明
图1是本实用新型的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
本实用新型的设备可以用于太阳能电池的制作工艺中，在对晶体硅片进行氮化硅镀膜前，利用本设备在硅片表面形成一层薄氧化硅，然后再进行常规的氮化硅镀膜，从而可以增强硅片表面的钝化效果，提高太阳能电池的光电转换效率。
本实用新型的核心在于设有进气装置和光照装置的氧化腔，以及该光照装置可以发出100-5000nm波长范围内的光。
进气装置用于向氧化腔输入氧化气体，如氧气、臭氧、空气、水蒸气和笑气中的一种或几种；光照装置对置于氧化气体中的晶体硅进行光照，使晶体硅表面生成氧化硅层；特别是当光照采用100-5000nm波长范围内的光时，能在低温条件下在晶体硅表面生成氧化硅层，如氧化处理温度可以为0-450℃。
本实用新型的具体实施例如下：
如图1所示，一种用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，包括依次设置的上料台1、加热仓2、氧化腔3、冷却仓4和下料台5，硅片通过滚轮10传送。
上述加热仓2内设有与硅片之间的距离可调节的加热装置6，加热装置6可采用红外灯管加热；加热仓2还设有出气装置和可实时监控硅片温度的测温装置。
上述氧化腔3设有带气体流量计和匀流器的进气装置7，以及与硅片之间的距离可调节的光照装置8，该光照装置8可以发出100-5000nm波长范围内的光。上述光照装置8进一步包括光源、光照强度控制模块、光照时间控制模块和光照波长控制模块。上述光源可采用紫外灯光源、红外光光源和可见光光源中的一种或几种。上述光源可采用连续波长光源，用来发出波长连续分布的光。
上述氧化腔3内还设有可调节位置的加热装置，加热装置能对氧化腔进行加热，控制氧化腔内的温度，如把氧化腔3内温度控制在0-450℃。上述加热装置为电阻加热器和/或光照加热器，所述电阻加热器连接有功率控制模块，所述光照加热器连接有辐照强度控制模块。
上述氧化腔3还设有出气装置和可实时监控硅片温度的测温装置。
上述冷却仓4设有带气体流量计和匀流器的进气装置9，用于将所需气体导入冷却仓4并充满冷却仓4的整个腔体，由此来冷却硅片。
以上上述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (10)
1.用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，其特征在于，包括氧化腔，该氧化腔设有进气装置和光照装置，该光照装置可以发出100-5000nm波长范围内的光。
2.根据权利要求1所述的用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，其特征在于，上述光照装置进一步包括光源、光照强度控制模块、光照时间控制模块和光照波长控制模块。
3.根据权利要求2所述的用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，其特征在于，上述光源为红外光光源和/或可见光光源。
4.根据权利要求3所述的用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，其特征在于，上述光源为连续波长光源。
5.根据权利要求4所述的用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，其特征在于，上述氧化腔内还设有加热装置。
6.根据权利要求5所述的用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，其特征在于，上述氧化腔还设有出气装置。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，其特征在于，还包括上料台、加热仓、冷却仓和下料台。
8.根据权利要求7所述的用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，其特征在于，上述加热装置为电阻加热器和/或光照加热器。
9.根据权利要求8所述的用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，其特征在于，上述电阻加热器连接有功率控制模块，上述光照加热器连接有辐照强度控制模块。
10.根据权利要求9所述的用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备，其特征在于，上述氧化腔和/或加热仓设有可实时监控硅片温度的测温装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2013203466536U CN203325957U (zh) | 2013-06-18 | 2013-06-18 | 用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备 |
| PCT/CN2014/079837 WO2014201975A1 (zh) | 2013-06-18 | 2014-06-13 | 用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备 |
| TW103210467U TWM496236U (zh) | 2013-06-18 | 2014-06-13 | 用於太陽能電池片鈍化的晶體矽氧化處理設備 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2013203466536U CN203325957U (zh) | 2013-06-18 | 2013-06-18 | 用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203325957U true CN203325957U (zh) | 2013-12-04 |
Family
ID=49665263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2013203466536U Expired - Lifetime CN203325957U (zh) | 2013-06-18 | 2013-06-18 | 用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203325957U (zh) |
| TW (1) | TWM496236U (zh) |
| WO (1) | WO2014201975A1 (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103311372A (zh) * | 2013-06-18 | 2013-09-18 | 常州时创能源科技有限公司 | 用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备 |
| WO2014201975A1 (zh) * | 2013-06-18 | 2014-12-24 | 常州时创能源科技有限公司 | 用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107527972A (zh) * | 2017-09-29 | 2017-12-29 | 理想晶延半导体设备（上海）有限公司 | 一种晶硅太阳能电池处理设备 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4121603B2 (ja) * | 1998-03-18 | 2008-07-23 | シャープ株式会社 | 太陽電池及びその製造方法及びその接続方法 |
| DE102011084644A1 (de) * | 2011-10-17 | 2013-04-18 | Osram Gmbh | Verfahren zur herstellung eines photovoltaischen elements mit einer siliziumdioxidschicht |
| CN102817013B (zh) * | 2012-08-28 | 2014-10-08 | 夏洋 | 一种太阳能电池用光致化学沉积装置 |
| CN203325957U (zh) * | 2013-06-18 | 2013-12-04 | 常州时创能源科技有限公司 | 用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备 |
| CN103311372A (zh) * | 2013-06-18 | 2013-09-18 | 常州时创能源科技有限公司 | 用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备 |
-
2013
- 2013-06-18 CN CN2013203466536U patent/CN203325957U/zh not_active Expired - Lifetime
-
2014
- 2014-06-13 WO PCT/CN2014/079837 patent/WO2014201975A1/zh active Application Filing
- 2014-06-13 TW TW103210467U patent/TWM496236U/zh unknown
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103311372A (zh) * | 2013-06-18 | 2013-09-18 | 常州时创能源科技有限公司 | 用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备 |
| WO2014201975A1 (zh) * | 2013-06-18 | 2014-12-24 | 常州时创能源科技有限公司 | 用于太阳能电池片钝化的晶体硅氧化处理设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWM496236U (zh) | 2015-02-21 |
| WO2014201975A1 (zh) | 2014-12-24 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
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|
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
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