JPS6126777A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS6126777A JPS6126777A JP14604484A JP14604484A JPS6126777A JP S6126777 A JPS6126777 A JP S6126777A JP 14604484 A JP14604484 A JP 14604484A JP 14604484 A JP14604484 A JP 14604484A JP S6126777 A JPS6126777 A JP S6126777A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- drums
- drum
- pair
- amorphous silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【技術分野１
本発明は、プラズマＣＶＤ装置を用いてドラム等の円筒
状基体の表面にアモルファス・シリコン等の膜を蒸着し
て、例えば、電子写真用感光体ドラムを連続的に生産す
ることができるプラズマＣＶＤ装置に関し、特にその原
料ガスを適切に処理してドラム表面にアモルファス拳シ
リコン膜を均等に蒸着することができるプラズマＣＶＤ
装置に関するものである。 【従来技術】 この種の装置は、プラズマＣＶＤ装置の電極配置方式か
ら分類すれば、従来の容量結合型プラズマＣＶＤ装置と
同様の構造を有するが、この構造を主に電子写真用感光
体ドラム作製用のプラズマＣＶＤ装置に適用すると、カ
ソード電極と７ノード電極（ドラム）とが同心円状に配
置されているため、ドラム収納個数が制約され、装置構
造が複雑になる。 そこで以上のよう”な問題を考慮して、主として。 アモルファス・シリコン感光体材料を用いる電子写真用
感光体ドラムの量産装置を得べく、上述の従来例のごと
き複雑な装置構造を大幅に簡素化し、ドラムの収納個数
を１やし、かつ電極配置方法、及び形状を改善すること
により、従来の装置では困難であった電子写真用ドラム
等の量産）及び高速成膜を有利に可能ならしめた装置が
提案された。 第１図はこのようなプラズマＣＶ［ｌ装置を示し、図中
１５は表面にアモルファス・シリコン膜を形成するよう
にアルミニウム製の基板をドラム状に形成した円筒状基
体としてのドラムである。 ｌはドラム１５を加熱するための加熱室、２は加熱室１
に続けて設けられ、ドラム１５の表面にプラズマＣＶＩ
Ｉ法によりアモルファス・シリコン膜を形成するための
反応室、および３は反応室２に続けて設けられ、膜形成
後のドラム１５を冷却するための冷却室である。これら
の室１．２および３は気密構造を有している。６は保持
枠であって、複数のドラム１５を軸中心に回転させると
共に、これらの中心軸が互いに同一平面上になるように
、かっ各軸が平行になるように直立して保持し、さらに
ドラム回転搬送機構を有する。 ４は加熱室ｌ内に各室１．２および３の連続方向に沿う
ように配置された一対のヒーターである。 この−・対のヒｔター４は、互いに平行になるように直
立して配置され、かつその間に配列方向がヒーター４に
平行になるように配置されたドラム１５を加熱する。５
は各室の一側壁に設けられ、各室を真空に保つためのフ
ィルター及びバッフルを備えた排気系である。 ７はカソード電極としての一対の平板状電極であって、
互いに平行になるように直立して反応室２内に配置され
ている。この一対の電極７は、原料ガス供給のため二重
構造となし、その間に配列方向が電極７と平行になるよ
うに配置されたドラム１５に向ってガスを噴出する多数
の孔７Ａを内側全面にわたって有し、さらに外側にはヒ
ータを有する。８は平板状電極７の外側に接続された、
同電極７の二重構造内に原料ガスを供給するための原料
ガス供給パイプ、８は電極７にパイプ８を介して接続し
て同電極７をカソード電極とし、かっこの電極７に高岡
波パを−を供給するための電源。 ｌＯは保持枠６に保持されたドラム１５をアノード電極
とするためのアースである。 １１は一対の冷却板であって、互いに平行になるように
直立して冷却室３内に配置されている。一対の冷却板り
はその間にある膜形成の終ったドラム１５を冷却するた
めに内部に水等の冷媒流路を有する。 １２は冷却板１
１内に供給する水等の冷媒である。 １３は各室１．２および３を隔離し、かつドラム１５が
保持枠８とともに移動するときに開状態になるように制
御されるゲート・バルブ、１４は加熱室！及び冷却室３
の排気系５に設けられ各室１および３を大気に戻すため
のリーク・バルブである。 保持枠６に固定されたド？ム１５は、第１図中左端のゲ
ート・バルブ１３内を通って、加熱室ｌに保持枠８とと
もに搬入され、排気系５により真空にされた後、加熱室
１内において図中矢印のように回転しながらヒーター４
により加熱される。 加熱されたドラム１５は両室ｌおよび２間のゲート・バ
ルブ１３内を通って排気系５により真空に保たれた反応
室２に保持枠８とともに搬入されて、所定位置に配置さ
れる０反応室２に入ったドラム１５はアース１０に接続
されて、カソード電極としての一対の電極７に対する７
ノード電極を形成する。電極７と電場を形成し、図中矢
印で示すように回転しながら、ヒーターにより加熱され
たドラム１５の表面には、原料ガス供給パイプ８を介し
て一対の平板状電極７の内側の孔７Ａから反応室２内に
供給されたシラン等の原料ガスがプラズマ中で分解する
ことによってアモルファス・シリコン膜が形成される。 膜形成に寄与したガスは１反応室２の排気系５から外に
排気される。 膜形成の終ったドラム１５は反応室２と冷却室３との間
のゲート・バルブ１３内を通って、排気系５により真空
に保たれた冷却室３に入り、図中矢印のように回転しな
がら冷却板１１を介して冷媒１２と熱交換して冷却され
、リーク会バルブ１４によす大気に戻された冷却室３か
ら第１図中右端のゲート・バルブ１３内を通って冷却室
３外に出される。 ′ しかしながら以上のような構成のプラズマＣＶＤ装
置においては次のような欠点がある。すなわち、ドラム
１５の表面にアモルファス会シリコンの膜が堆積する速
度は、放電強度が強いほど速い。 ドラム１５に関して１反応室２内の放電強度は電極７に
近い部分はど強く、そこから離れるほど弱い。 したがってドラム１５の間の間隙に該当する部分が放電
強度が最も弱い。 その結果、ドラム１５の周方向に、アモルファス優シリ
コンの堆積速度が不均一になりやすく、そのため、ドラ
ム１５の表面に得られたアモルファス・シリコンの膜厚
および膜質は不均一になりやすい。 ｒ目的１ 本発明の目的は以上０ような問題を解消し、膜厚および
膜質の均一なドラム等の円筒状基体が得られるプラズマ
ＣＶＤ装置を提供することにある。
状基体の表面にアモルファス・シリコン等の膜を蒸着し
て、例えば、電子写真用感光体ドラムを連続的に生産す
ることができるプラズマＣＶＤ装置に関し、特にその原
料ガスを適切に処理してドラム表面にアモルファス拳シ
リコン膜を均等に蒸着することができるプラズマＣＶＤ
装置に関するものである。 【従来技術】 この種の装置は、プラズマＣＶＤ装置の電極配置方式か
ら分類すれば、従来の容量結合型プラズマＣＶＤ装置と
同様の構造を有するが、この構造を主に電子写真用感光
体ドラム作製用のプラズマＣＶＤ装置に適用すると、カ
ソード電極と７ノード電極（ドラム）とが同心円状に配
置されているため、ドラム収納個数が制約され、装置構
造が複雑になる。 そこで以上のよう”な問題を考慮して、主として。 アモルファス・シリコン感光体材料を用いる電子写真用
感光体ドラムの量産装置を得べく、上述の従来例のごと
き複雑な装置構造を大幅に簡素化し、ドラムの収納個数
を１やし、かつ電極配置方法、及び形状を改善すること
により、従来の装置では困難であった電子写真用ドラム
等の量産）及び高速成膜を有利に可能ならしめた装置が
提案された。 第１図はこのようなプラズマＣＶ［ｌ装置を示し、図中
１５は表面にアモルファス・シリコン膜を形成するよう
にアルミニウム製の基板をドラム状に形成した円筒状基
体としてのドラムである。 ｌはドラム１５を加熱するための加熱室、２は加熱室１
に続けて設けられ、ドラム１５の表面にプラズマＣＶＩ
Ｉ法によりアモルファス・シリコン膜を形成するための
反応室、および３は反応室２に続けて設けられ、膜形成
後のドラム１５を冷却するための冷却室である。これら
の室１．２および３は気密構造を有している。６は保持
枠であって、複数のドラム１５を軸中心に回転させると
共に、これらの中心軸が互いに同一平面上になるように
、かっ各軸が平行になるように直立して保持し、さらに
ドラム回転搬送機構を有する。 ４は加熱室ｌ内に各室１．２および３の連続方向に沿う
ように配置された一対のヒーターである。 この−・対のヒｔター４は、互いに平行になるように直
立して配置され、かつその間に配列方向がヒーター４に
平行になるように配置されたドラム１５を加熱する。５
は各室の一側壁に設けられ、各室を真空に保つためのフ
ィルター及びバッフルを備えた排気系である。 ７はカソード電極としての一対の平板状電極であって、
互いに平行になるように直立して反応室２内に配置され
ている。この一対の電極７は、原料ガス供給のため二重
構造となし、その間に配列方向が電極７と平行になるよ
うに配置されたドラム１５に向ってガスを噴出する多数
の孔７Ａを内側全面にわたって有し、さらに外側にはヒ
ータを有する。８は平板状電極７の外側に接続された、
同電極７の二重構造内に原料ガスを供給するための原料
ガス供給パイプ、８は電極７にパイプ８を介して接続し
て同電極７をカソード電極とし、かっこの電極７に高岡
波パを−を供給するための電源。 ｌＯは保持枠６に保持されたドラム１５をアノード電極
とするためのアースである。 １１は一対の冷却板であって、互いに平行になるように
直立して冷却室３内に配置されている。一対の冷却板り
はその間にある膜形成の終ったドラム１５を冷却するた
めに内部に水等の冷媒流路を有する。 １２は冷却板１
１内に供給する水等の冷媒である。 １３は各室１．２および３を隔離し、かつドラム１５が
保持枠８とともに移動するときに開状態になるように制
御されるゲート・バルブ、１４は加熱室！及び冷却室３
の排気系５に設けられ各室１および３を大気に戻すため
のリーク・バルブである。 保持枠６に固定されたド？ム１５は、第１図中左端のゲ
ート・バルブ１３内を通って、加熱室ｌに保持枠８とと
もに搬入され、排気系５により真空にされた後、加熱室
１内において図中矢印のように回転しながらヒーター４
により加熱される。 加熱されたドラム１５は両室ｌおよび２間のゲート・バ
ルブ１３内を通って排気系５により真空に保たれた反応
室２に保持枠８とともに搬入されて、所定位置に配置さ
れる０反応室２に入ったドラム１５はアース１０に接続
されて、カソード電極としての一対の電極７に対する７
ノード電極を形成する。電極７と電場を形成し、図中矢
印で示すように回転しながら、ヒーターにより加熱され
たドラム１５の表面には、原料ガス供給パイプ８を介し
て一対の平板状電極７の内側の孔７Ａから反応室２内に
供給されたシラン等の原料ガスがプラズマ中で分解する
ことによってアモルファス・シリコン膜が形成される。 膜形成に寄与したガスは１反応室２の排気系５から外に
排気される。 膜形成の終ったドラム１５は反応室２と冷却室３との間
のゲート・バルブ１３内を通って、排気系５により真空
に保たれた冷却室３に入り、図中矢印のように回転しな
がら冷却板１１を介して冷媒１２と熱交換して冷却され
、リーク会バルブ１４によす大気に戻された冷却室３か
ら第１図中右端のゲート・バルブ１３内を通って冷却室
３外に出される。 ′ しかしながら以上のような構成のプラズマＣＶＤ装
置においては次のような欠点がある。すなわち、ドラム
１５の表面にアモルファス会シリコンの膜が堆積する速
度は、放電強度が強いほど速い。 ドラム１５に関して１反応室２内の放電強度は電極７に
近い部分はど強く、そこから離れるほど弱い。 したがってドラム１５の間の間隙に該当する部分が放電
強度が最も弱い。 その結果、ドラム１５の周方向に、アモルファス優シリ
コンの堆積速度が不均一になりやすく、そのため、ドラ
ム１５の表面に得られたアモルファス・シリコンの膜厚
および膜質は不均一になりやすい。 ｒ目的１ 本発明の目的は以上０ような問題を解消し、膜厚および
膜質の均一なドラム等の円筒状基体が得られるプラズマ
ＣＶＤ装置を提供することにある。
第２図は本発明の一実施例にかかるプラズマＣＶＤ装置
の平面図である０本発明にかかるプラズマＣＶＤ装置に
おいては、反応室内の電極および原料ガス供給排気のた
めの構造を除いて第１図に示したプラズマＣＶＤ装置と
同様な構成であるので、以下、反応室について主に説明
する。 すなわち第２図に示すように、本発明にかかるプラズマ
ＣＶＤ装置における反応室２１内には、一対の電極２２
が、従来の平板状電極７と同様の位置に、互いに平行に
なるように直立して配置されている。なお、排気系５は
、反応室２１の両側壁に設けられている。 一対の電極２２の間の所定位置には、保持枠８によって
、複数のドラム１５が配置される。 各電極２２は、所定位置に配置した複数のドラム１５の
配列方向に並ぶように分割した複数の分割部分２２Ａか
らなり、各分割部分２２Ａは、複数のドラム１５の間の
間隙およびその配列方向両端のドラム１５の外側部分に
各々対向するように配置する。 各分割部分２２轟は、従来の電極７と同様に一１原料ガ
ス供給のための二重構造とし、内側を平担にし、そして
、内側にガス噴出用の孔を有する。 一対の電極２２の各分割部分２２Ａの外側には、その二
重構造内に原料ガスを供給するための原料ガス供給パイ
プ２３を接続する。一対の電極２２は、高周波電極８に
接続し、これらをカソード電極とする。また一対の電極
２２の外側にはヒーターが取付けられている。原料ガス
供給パイプ２３は、図示しない原料ガス供給源に接続さ
れてい為、ドラム１５はアースされて、７ノード電極と
なっている。 以上のような構成による本発明プラズマＣＶＤ装置の反
応室における作用を次に説明する。第２図に矢印で示す
ように、原料ガスは、一対の電極２２の各分割部分２２
Ａの内側の孔から複数のドラム１５の間の間隙およびそ
の配列方向の両端の外側部分に向って噴出する。一方、
一対の電極２２の各分割部分２２＾は、複数のドラム１
５の間の間隙およびその配列方向の両端の外側部分に対
向して配置されている。 したがって、複数のドラム１５に関して、その周方向に
おける放電強度の不均一が良好に改善される。 その結果、アモルファス・シリコンの堆積速度をドラム
１５の周方向に均一化することができ、ドラム１５の表
面には膜厚および膜質が均一なアモルファス・シリコン
膜が形成される。 加熱室ｌおよび冷却室３におけるドラム１５の処理は従
来と同様である。 また、上記実施例では、一対の電極２２は共〈高周波電
源８に接続してカソード電極としたが、これらのいずれ
か一方をカソード電極とし、他方を高周波電源８に接続
せずにアースして、アノード電極としてもよい（ドラム
１５はいずれの場合もアースする）。 【効果１ 以上説明したように本発明によれば、膜厚および膜質が
均一であり、電気的特性に優れた７モルファス・シリコ
ン等の膜を表面に有する円筒状基体を効率的に得ること
ができる。
の平面図である０本発明にかかるプラズマＣＶＤ装置に
おいては、反応室内の電極および原料ガス供給排気のた
めの構造を除いて第１図に示したプラズマＣＶＤ装置と
同様な構成であるので、以下、反応室について主に説明
する。 すなわち第２図に示すように、本発明にかかるプラズマ
ＣＶＤ装置における反応室２１内には、一対の電極２２
が、従来の平板状電極７と同様の位置に、互いに平行に
なるように直立して配置されている。なお、排気系５は
、反応室２１の両側壁に設けられている。 一対の電極２２の間の所定位置には、保持枠８によって
、複数のドラム１５が配置される。 各電極２２は、所定位置に配置した複数のドラム１５の
配列方向に並ぶように分割した複数の分割部分２２Ａか
らなり、各分割部分２２Ａは、複数のドラム１５の間の
間隙およびその配列方向両端のドラム１５の外側部分に
各々対向するように配置する。 各分割部分２２轟は、従来の電極７と同様に一１原料ガ
ス供給のための二重構造とし、内側を平担にし、そして
、内側にガス噴出用の孔を有する。 一対の電極２２の各分割部分２２Ａの外側には、その二
重構造内に原料ガスを供給するための原料ガス供給パイ
プ２３を接続する。一対の電極２２は、高周波電極８に
接続し、これらをカソード電極とする。また一対の電極
２２の外側にはヒーターが取付けられている。原料ガス
供給パイプ２３は、図示しない原料ガス供給源に接続さ
れてい為、ドラム１５はアースされて、７ノード電極と
なっている。 以上のような構成による本発明プラズマＣＶＤ装置の反
応室における作用を次に説明する。第２図に矢印で示す
ように、原料ガスは、一対の電極２２の各分割部分２２
Ａの内側の孔から複数のドラム１５の間の間隙およびそ
の配列方向の両端の外側部分に向って噴出する。一方、
一対の電極２２の各分割部分２２＾は、複数のドラム１
５の間の間隙およびその配列方向の両端の外側部分に対
向して配置されている。 したがって、複数のドラム１５に関して、その周方向に
おける放電強度の不均一が良好に改善される。 その結果、アモルファス・シリコンの堆積速度をドラム
１５の周方向に均一化することができ、ドラム１５の表
面には膜厚および膜質が均一なアモルファス・シリコン
膜が形成される。 加熱室ｌおよび冷却室３におけるドラム１５の処理は従
来と同様である。 また、上記実施例では、一対の電極２２は共〈高周波電
源８に接続してカソード電極としたが、これらのいずれ
か一方をカソード電極とし、他方を高周波電源８に接続
せずにアースして、アノード電極としてもよい（ドラム
１５はいずれの場合もアースする）。 【効果１ 以上説明したように本発明によれば、膜厚および膜質が
均一であり、電気的特性に優れた７モルファス・シリコ
ン等の膜を表面に有する円筒状基体を効率的に得ること
ができる。
第１図は電子写真感光体ドラム製造用の従来のプラズマ
ＣＶＤ装置の平面図、 第２図は電子写真感光体ドラム製造用の本発明にかかる
プラズマＣＶＤ装置の一実施例を示す平面図である。 １５・・・ドラム、 ２１・・・反応室、 ２２・・・電極、 ２２Ａ・・・分割部分。
ＣＶＤ装置の平面図、 第２図は電子写真感光体ドラム製造用の本発明にかかる
プラズマＣＶＤ装置の一実施例を示す平面図である。 １５・・・ドラム、 ２１・・・反応室、 ２２・・・電極、 ２２Ａ・・・分割部分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 互いに平行になるように配置した一対の電極と、 各中心軸が前記電極と平行な同一平面上に位置し、かつ
互いに平行になるように複数の円筒状基体を前記一対の
電極の間の所定位置に配置するための基体保持手段とを
具え、 前記各電極は、前記所定位置に配置した複数の円筒状基
体の配列方向に並ぶように分割した複数の分割部分から
なり、該各分割部分は、前記所定位置に配置した複数の
円筒状基体の間の間隙に対向するように配置し、かつ前
記間隙に向って原料ガスを噴出する原料ガスの噴出部を
内側に有することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14604484A JPS6126777A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14604484A JPS6126777A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6126777A true JPS6126777A (ja) | 1986-02-06 |
Family
ID=15398830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14604484A Pending JPS6126777A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6126777A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5024182A (en) * | 1988-07-15 | 1991-06-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin film forming apparatus having a gas flow settling device |
-
1984
- 1984-07-16 JP JP14604484A patent/JPS6126777A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5024182A (en) * | 1988-07-15 | 1991-06-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin film forming apparatus having a gas flow settling device |
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