JPS60215766A - グロ−放電分解装置 - Google Patents
グロ−放電分解装置Info
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- JPS60215766A JPS60215766A JP6947184A JP6947184A JPS60215766A JP S60215766 A JPS60215766 A JP S60215766A JP 6947184 A JP6947184 A JP 6947184A JP 6947184 A JP6947184 A JP 6947184A JP S60215766 A JPS60215766 A JP S60215766A
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- cylindrical
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１、産業上の利用分野
本発明はグロー放電分解装置に関し、更に詳述すれば、
単一の装置内で複数の基体上に例えばアモルファス半導
体膜を形成するに好適なグロー放電分解装置に関する。
単一の装置内で複数の基体上に例えばアモルファス半導
体膜を形成するに好適なグロー放電分解装置に関する。
２、従来技術
例えばアモルファスシリコン（以下、 ａ−８ｉ ト称
す。）膜は感光体の感光層に広く使用されており、その
形成はＳｉＨ，のグロー放電分解による所謂プラズマＣ
ＶＤ法によっている。
す。）膜は感光体の感光層に広く使用されており、その
形成はＳｉＨ，のグロー放電分解による所謂プラズマＣ
ＶＤ法によっている。
プラズマＣＶＤ法によって例えば円筒状の基体表面にａ
−８ｉ膜を形成する方法としては、反応室内に円筒状放
電電圧印加電極（以下、単に電極と称す。）に高周波電
圧を印加し、ＳｉＨ，のグロー放電分解によって生成す
る励起された８ｉを上記基板上に堆積する方法が採られ
ている。
−８ｉ膜を形成する方法としては、反応室内に円筒状放
電電圧印加電極（以下、単に電極と称す。）に高周波電
圧を印加し、ＳｉＨ，のグロー放電分解によって生成す
る励起された８ｉを上記基板上に堆積する方法が採られ
ている。
ところで、単一の装置内で複数の基板上に同時に上記ａ
−８ｉ膜を堆積するようにすれば、生産性及び製膜コス
トの観点から甚だ好都合である。
−８ｉ膜を堆積するようにすれば、生産性及び製膜コス
トの観点から甚だ好都合である。
上記の要鯖に応えんとする方法としては、単一の炉の中
に複数のドラムを設けると共に各ドラムの側面に対向す
る電極を設け、炉内に原料ガスを導入すると共に電極と
ドラムの間に電界を印加し、各ドラムを回転させながら
ドラム表面に原料ガスの分解により膜を形成する方法（
特開昭５７−１８８６７１号公報）が提案されている。
に複数のドラムを設けると共に各ドラムの側面に対向す
る電極を設け、炉内に原料ガスを導入すると共に電極と
ドラムの間に電界を印加し、各ドラムを回転させながら
ドラム表面に原料ガスの分解により膜を形成する方法（
特開昭５７−１８８６７１号公報）が提案されている。
その発明の態様の１例を挙げると、第１図に示すように
、図示しないベタジャー（炉）内に同一円周上に円筒状
基板（ドラム）ｌａを配し、その周囲に局面を基板１ａ
のラジアル方向外側の表面に平行に成形された電極２ａ
を配し、同時に複数の基板ｌａ上にａ−８ｉ膜を形成す
る。
、図示しないベタジャー（炉）内に同一円周上に円筒状
基板（ドラム）ｌａを配し、その周囲に局面を基板１ａ
のラジアル方向外側の表面に平行に成形された電極２ａ
を配し、同時に複数の基板ｌａ上にａ−８ｉ膜を形成す
る。
この例では、電極２ａと等距離に位置する基板１ａの表
面はその局面全体の１／２以下でしかない。このため、
製膜中に基板１ａを必ず回転させることを要し、しかも
回転させたとしても、電極との距離が上記の如くに不均
一なために、形成されるａ−８ｉ膜の組成が変化し、均
一なａ−８ｉ１１４が形成されない。また、製膜に有効
な放電空間以外の空間、所謂デッドスペースが形成され
て製膜に寄与しない放電、即ちリーク放電による８ｉ重
合体粉が生成し、これがａ−８ｉ膜中にピンホール等の
欠陥が生ずる原因となる。
面はその局面全体の１／２以下でしかない。このため、
製膜中に基板１ａを必ず回転させることを要し、しかも
回転させたとしても、電極との距離が上記の如くに不均
一なために、形成されるａ−８ｉ膜の組成が変化し、均
一なａ−８ｉ１１４が形成されない。また、製膜に有効
な放電空間以外の空間、所謂デッドスペースが形成され
て製膜に寄与しない放電、即ちリーク放電による８ｉ重
合体粉が生成し、これがａ−８ｉ膜中にピンホール等の
欠陥が生ずる原因となる。
上記発明のほかに、単一の炉の中に複数の一ドラムを炉
の底面に対し同じレベルに設けると共に各１゛ラムを挟
んで対向する対電極を設け、炉内に原料ガスを導入する
と共に電極に電圧を印加し、各ドラムを回転させながら
ドラム表面に原料ガスの分解により膜を形成する方法（
特開昭５７−１８５９７１号公勧が提案されている。
の底面に対し同じレベルに設けると共に各１゛ラムを挟
んで対向する対電極を設け、炉内に原料ガスを導入する
と共に電極に電圧を印加し、各ドラムを回転させながら
ドラム表面に原料ガスの分解により膜を形成する方法（
特開昭５７−１８５９７１号公勧が提案されている。
その発明の態様の一例を挙げると、第２図に示すように
、図示しないペルジャー（炉）内に複数の円筒状基板（
ドラム）１ｂを一列に並べ、−表面が基板１ｂの表面に
平行になるように成形された２枚の電極２ｂを基板１ｂ
ｔｌ−両側から挟むように配し、同時に複数の基板ｌｂ
上にａ−８ｉ膜を形成する。
、図示しないペルジャー（炉）内に複数の円筒状基板（
ドラム）１ｂを一列に並べ、−表面が基板１ｂの表面に
平行になるように成形された２枚の電極２ｂを基板１ｂ
ｔｌ−両側から挟むように配し、同時に複数の基板ｌｂ
上にａ−８ｉ膜を形成する。
この方法では第１図に示した前記発明に較べれば、基板
１ｂと電極２ｂとの距離が一定である基板１ｂの表面の
範囲が広くなってはいるが、前述のような問題点を解消
するには至っていない。
１ｂと電極２ｂとの距離が一定である基板１ｂの表面の
範囲が広くなってはいるが、前述のような問題点を解消
するには至っていない。
３、発明の目的
本発明は上記のような従来装置が有する問題点を解消し
、複数の基体上に同時にグロー放電分解による反応ガス
の分解成分を均一に堆積させる装置を提供することを目
的としている。
、複数の基体上に同時にグロー放電分解による反応ガス
の分解成分を均一に堆積させる装置を提供することを目
的としている。
４、発明の構成
即ち、本発明は、単一の装置内で複数個の基体の表面上
に、反応ガスのグロー放電分解によって前記反応ガスの
分解成分を堆積させる装置におい堆積面全域に亘って実
質的に一定に保たれている仁とを特徴とするグロー放電
分解装置に係る。
に、反応ガスのグロー放電分解によって前記反応ガスの
分解成分を堆積させる装置におい堆積面全域に亘って実
質的に一定に保たれている仁とを特徴とするグロー放電
分解装置に係る。
５、実施例
予備実験
先ず、本発明が完成されるに至る経過について説明する
。
。
発明者はプラズマＣＶＤ法における基体電極間の距離の
形成されるアモルファス半導体膜の性状に及ぼす影響を
調べるため、以下の実験を行なった。
形成されるアモルファス半導体膜の性状に及ぼす影響を
調べるため、以下の実験を行なった。
第３図に示すように、反応室５内で平板状基板３と平板
状電極４とを角度を持たせて対向して配し、両者を高周
波電源間に接続し、基板３ｔ−接地して下記の条件で基
板３上にアモルファス炭化珪素膜を形成し、この膜の光
学的バンドギャップを測定した。
状電極４とを角度を持たせて対向して配し、両者を高周
波電源間に接続し、基板３ｔ−接地して下記の条件で基
板３上にアモルファス炭化珪素膜を形成し、この膜の光
学的バンドギャップを測定した。
反応ガス供給量： ８ ｉ Ｈ４２０ＣＣ／朋ＣＨ、２
０ｃＣ／ｍ１ｎ Ａｒ ４０ｃｃ ／ｙｎｉｎ 高周波供給電カニ４０Ｗ 反応圧： １．５ ’ｉ’ｏｒｒ 結果は第４図に示す通りである。
０ｃＣ／ｍ１ｎ Ａｒ ４０ｃｃ ／ｙｎｉｎ 高周波供給電カニ４０Ｗ 反応圧： １．５ ’ｉ’ｏｒｒ 結果は第４図に示す通りである。
同図から、基板電極間距離が大きくなるほど光学的バン
ドギャップが上昇し、１５〜３４１Ｉの上記距離の範囲
で光学的バンドギャップは２．２０〜２．３２ｅＶと大
きく変化することが解る。
ドギャップが上昇し、１５〜３４１Ｉの上記距離の範囲
で光学的バンドギャップは２．２０〜２．３２ｅＶと大
きく変化することが解る。
周知のように光学的バンドギャップが大きいほどアモル
ファス炭化珪素膜の炭素含有量が増大することから、上
記距離は形成される膜の組成に強い影響を持つことが理
解される。
ファス炭化珪素膜の炭素含有量が増大することから、上
記距離は形成される膜の組成に強い影響を持つことが理
解される。
本発明は上記の知見からなされたものである。
実施例１
第６図の■−ｖ線に沿う矢視断面図である第５図及び第
５図のＶＩ−ＶＩ線に沿う矢視断面図である第６図に示
すように、グロー放電分解装置２１は、周壁の一方の側
に反応ガス導入口２２ａｉ、その反対何に排気口２２ｂ
を備えた円筒状真空槽η内に、中央に１個の、その周囲
に同一円周上に等間隔に６個の、合計７個の円筒状電極
２７ｆｔ配して設けである。各電極Ｉ内には予め表面を
清浄化した円筒状のＭ基板１１が同軸に、かつ、回転可
能に挿入され、基板１１を接地伺にして各電極ガ及咋板
１１が図示省略した高周波電源に接続されていて、各基
板１１はその内側に挿入された図示省略したヒータで内
側から所定温度に加熱されるようにしである。
５図のＶＩ−ＶＩ線に沿う矢視断面図である第６図に示
すように、グロー放電分解装置２１は、周壁の一方の側
に反応ガス導入口２２ａｉ、その反対何に排気口２２ｂ
を備えた円筒状真空槽η内に、中央に１個の、その周囲
に同一円周上に等間隔に６個の、合計７個の円筒状電極
２７ｆｔ配して設けである。各電極Ｉ内には予め表面を
清浄化した円筒状のＭ基板１１が同軸に、かつ、回転可
能に挿入され、基板１１を接地伺にして各電極ガ及咋板
１１が図示省略した高周波電源に接続されていて、各基
板１１はその内側に挿入された図示省略したヒータで内
側から所定温度に加熱されるようにしである。
このような装置において、真空槽ｎ内のガス圧が１０−
’Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ、基板４
１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５
０〜３００℃）に加熱保持する。次いで高純度の不活性
ガス、例えばＡｒガスをキャリアガスとして水素化シリ
コンガスである８ｉＨ，ガス及び必要とあればＢ、Ｈ，
等を図示省略したガス供給源から適宜真空槽ｎ内に導入
し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波
電圧（例えば１３．５６ Ｍｌｌｚ ） を印加する。
’Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ、基板４
１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５
０〜３００℃）に加熱保持する。次いで高純度の不活性
ガス、例えばＡｒガスをキャリアガスとして水素化シリ
コンガスである８ｉＨ，ガス及び必要とあればＢ、Ｈ，
等を図示省略したガス供給源から適宜真空槽ｎ内に導入
し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波
電圧（例えば１３．５６ Ｍｌｌｚ ） を印加する。
これによって上記反応ガスを電極ｎと基板１１との間で
グロー放電分解し、ａ−８ｉ：Ｈまたは不純物ドープド
ａ−８ｉ：Ｈとして基板１１上に堆積させる。
グロー放電分解し、ａ−８ｉ：Ｈまたは不純物ドープド
ａ−８ｉ：Ｈとして基板１１上に堆積させる。
このようにして単一の真空槽の中で同時に複数個の、こ
の例では７個の基板上にａ−８ｉ膜が形成され、１かも
電極、基板間の距離が一定に保たれ、グロー放電のデッ
ドスペースがないので、純度の高いａ−８ｉ膜が均一に
形成される。
の例では７個の基板上にａ−８ｉ膜が形成され、１かも
電極、基板間の距離が一定に保たれ、グロー放電のデッ
ドスペースがないので、純度の高いａ−８ｉ膜が均一に
形成される。
しかも、基体を特に回転させなくても、形成される膜は
品質が良好で、かつ、均一となり、基体を回転させると
、更に良好な結果が得られる。
品質が良好で、かつ、均一となり、基体を回転させると
、更に良好な結果が得られる。
実施例２
この例は反応ガスを円筒状電極の内周面から導入して、
導入された新しい反応ガスを直ちにグロー放電分解し、
よ妙均−なａ−８ｉ膜が形成されるよう、前記実施例１
の装置に改善を加えた例である。
導入された新しい反応ガスを直ちにグロー放電分解し、
よ妙均−なａ−８ｉ膜が形成されるよう、前記実施例１
の装置に改善を加えた例である。
第８図の■−■１線に沿う矢視断面図である第７図及び
第７図の■−■線に沿う矢視断面図である第８図に示す
ように、グロー放電分解装置５１は、円筒状真空槽５２
内に中央に１個の、その周囲に同一円周上に等間隔に６
個の、合計７個の円筒状電極５７を配して設けである。
第７図の■−■線に沿う矢視断面図である第８図に示す
ように、グロー放電分解装置５１は、円筒状真空槽５２
内に中央に１個の、その周囲に同一円周上に等間隔に６
個の、合計７個の円筒状電極５７を配して設けである。
電極５７は同軸に位置する内壁５７ ａと外壁５７ｂと
を有し、外壁５７ ｂには真空槽５２を貫通するガス導
入口５７ｃが設けられ、電極５７中に導入された反応ガ
スは内壁５７ ａ、外壁５７− から電極５７とその内
側に同 軸に挿入された円筒状基板４１との間の空間に入り、排
気口５２ｂを経て真空槽５２外へ排気される。
を有し、外壁５７ ｂには真空槽５２を貫通するガス導
入口５７ｃが設けられ、電極５７中に導入された反応ガ
スは内壁５７ ａ、外壁５７− から電極５７とその内
側に同 軸に挿入された円筒状基板４１との間の空間に入り、排
気口５２ｂを経て真空槽５２外へ排気される。
その余の構造は前記実施例１におけると同様である。
第９図は電極と基板との関係を説明するための第８図の
部分拡大図である。第９図に示すように、グロー放電分
解装置５１の真空槽５２内では、円筒状の基板４１が垂
直に回転可能にセットされ、ヒータＩで基板４１ヲ内側
から所定温度に加熱し得るようになっている。基板４１
に対向してその周囲にガス導出口Ｓ付きの内壁５７ａと
ガス導入口５７Ｇを設けた外壁５７ｂを有する円筒状高
周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波電源間
によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図中の６２
は水素化シリコンガスであるＳｉＨ４の供給源、田はＭ
等のキャリアガス供給源、印は不純物ガス（例えばＢｚ
Ｈｓ ｔたはＰＨ３）供給源、６７は各流量計である。
部分拡大図である。第９図に示すように、グロー放電分
解装置５１の真空槽５２内では、円筒状の基板４１が垂
直に回転可能にセットされ、ヒータＩで基板４１ヲ内側
から所定温度に加熱し得るようになっている。基板４１
に対向してその周囲にガス導出口Ｓ付きの内壁５７ａと
ガス導入口５７Ｇを設けた外壁５７ｂを有する円筒状高
周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波電源間
によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図中の６２
は水素化シリコンガスであるＳｉＨ４の供給源、田はＭ
等のキャリアガス供給源、印は不純物ガス（例えばＢｚ
Ｈｓ ｔたはＰＨ３）供給源、６７は各流量計である。
このグロー放電装置において、先ず支持体である例えば
Ｍ基板４１の表面を清浄化した後に真空槽５２内に配置
し、真空槽５２内のガス圧が１０＝Ｔｏｒｒとなるよう
に調節して排気し、かつ基板４１金所定温度、特に１０
０〜３５０℃（望ましくは１５０〜３００℃） に加熱
保持する。次いで高純度の不活性ガスをキャリアガスと
して水素化シリコンでおるＳｉＨ，ガス及び必要とあれ
ばＢ、 Ｈ，等を適宜真空槽５２内に導入し、例えば０
．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源団により
高周波電圧（例えば１３．５６ ＭＨｚ ）を印加する
。これによって上記各反応ガスを電極５７と基板４１と
の間でグロー放電分解し、ａ−８ｉ：Ｈまたは不純物ド
ープドａ−８ｉ：Ｈとして基板４１七に堆積させる。
Ｍ基板４１の表面を清浄化した後に真空槽５２内に配置
し、真空槽５２内のガス圧が１０＝Ｔｏｒｒとなるよう
に調節して排気し、かつ基板４１金所定温度、特に１０
０〜３５０℃（望ましくは１５０〜３００℃） に加熱
保持する。次いで高純度の不活性ガスをキャリアガスと
して水素化シリコンでおるＳｉＨ，ガス及び必要とあれ
ばＢ、 Ｈ，等を適宜真空槽５２内に導入し、例えば０
．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源団により
高周波電圧（例えば１３．５６ ＭＨｚ ）を印加する
。これによって上記各反応ガスを電極５７と基板４１と
の間でグロー放電分解し、ａ−８ｉ：Ｈまたは不純物ド
ープドａ−８ｉ：Ｈとして基板４１七に堆積させる。
上記のように構成された電極の内周面から反応ガスを導
入することにより、前述したように形成されるａ−８ｉ
膜の純度、均一性が一層向上する。
入することにより、前述したように形成されるａ−８ｉ
膜の純度、均一性が一層向上する。
前記実施例はいずれも円筒状電極を用いて円筒状基体上
にａ−８ｉ膜を形成する例であるが、基体は円筒状のも
のに限られるものではなく、例えば外周面が柱面をなす
筒状の基体、円柱状或いは角柱状の基体、平板状の基体
、その他種々の形状の基体にも本発明が適用できる。
にａ−８ｉ膜を形成する例であるが、基体は円筒状のも
のに限られるものではなく、例えば外周面が柱面をなす
筒状の基体、円柱状或いは角柱状の基体、平板状の基体
、その他種々の形状の基体にも本発明が適用できる。
また、前記実施例ではいずれもａ−８ｉ膜形成について
説明したが、本発明の装置はガス供給源を変更又は追加
して設けることにより 、ａ−８ｉ膜以外のアモルファ
ス半導体膜、例えばアモルファス炭化珪素膜、アモルフ
ァス窒化珪素膜、アモルファス酸化珪素膜、アモルファ
スゲルマニウム膜等々、他のアモルファス半導体膜の形
成にも適用できることはいうまでもない。更に本発明は
鉄カルボニル化合物又はフッ素含有モノマーガスをグロ
ー放電分解して行う前者によるアモルファス鉄膜又は後
者によるフッ素樹脂膜の形成にも適用可能である。
説明したが、本発明の装置はガス供給源を変更又は追加
して設けることにより 、ａ−８ｉ膜以外のアモルファ
ス半導体膜、例えばアモルファス炭化珪素膜、アモルフ
ァス窒化珪素膜、アモルファス酸化珪素膜、アモルファ
スゲルマニウム膜等々、他のアモルファス半導体膜の形
成にも適用できることはいうまでもない。更に本発明は
鉄カルボニル化合物又はフッ素含有モノマーガスをグロ
ー放電分解して行う前者によるアモルファス鉄膜又は後
者によるフッ素樹脂膜の形成にも適用可能である。
６、発明の詳細
な説明したように、本発明の装置を使用するときは、単
一の装置内に複数個の基体を配し、放電電圧印加電極と
基体の堆積面との距離が堆積面全域に亘って実質的に一
定に保たれる構造としであるので、同時に複数個の基体
上にアモルファス半導体膜、その他の膜を形成すること
ができ、生産性が向上し、製膜コストが低減できる。し
かも、基体を特に回転させなくても、形成される膜は品
質が良好で、かつ、均一となり（基体を回転させると更
に結果が良好となる。）、本発明の工業上の利用価値は
大きい。
一の装置内に複数個の基体を配し、放電電圧印加電極と
基体の堆積面との距離が堆積面全域に亘って実質的に一
定に保たれる構造としであるので、同時に複数個の基体
上にアモルファス半導体膜、その他の膜を形成すること
ができ、生産性が向上し、製膜コストが低減できる。し
かも、基体を特に回転させなくても、形成される膜は品
質が良好で、かつ、均一となり（基体を回転させると更
に結果が良好となる。）、本発明の工業上の利用価値は
大きい。
第１図及び第２図は従来のグロー放電分解装置の電極と
基体との関係を示す図である。 第３図は電極、基体間の距離と膜の性質との関係をめる
に使用した実験装置の概略断面図、第４図は上記実験の
結果を示すグラフである。 第５図及び第６図は本発明の１例を示す断面図で、 第５図は第６図のｖ−ｖ線断面図、 第６図は第５図のＶｌ−Ｖｌ線断面図である。 第７図、第８図及び第９図は本発明の他の例を示す断面
図で、 第７図は第８図の■−■線断面図、 第８図は第７図の■−Ｖｌ線断面図、 第９図は第８図の部分拡大図 である。 なお、図面に示された符号において、 １ａ、１ｂ、３．１１．４１−−一基板（基体）２ａ、
２ｂ、４．２７，５７−−−電極２１、あ・・・グロー
放電分解装置 ５、Ｚｌ！、５２＠・・真空槽 ２２ａ、５７ｃ・・・ガス導入口 ２２ｂ、５２ｂ・・・排気口 ＆・・嗜・ガス導出口 Ｉ・・・・ヒータ Ｉ・・・・高周波電源 ５７ａ・・・電極の内壁 ５７ｂ・・・電極の外壁 ６２、田、鋪・・・ガス供給源 ６７・・・・流量計 である。 代理人 弁理土掻 坂 宏 （他１名）第１０ 第２０ 第３０ 第４０ 距 酊（４ＰＬ覚） 鏑５０ 第７國 第８０ １
基体との関係を示す図である。 第３図は電極、基体間の距離と膜の性質との関係をめる
に使用した実験装置の概略断面図、第４図は上記実験の
結果を示すグラフである。 第５図及び第６図は本発明の１例を示す断面図で、 第５図は第６図のｖ−ｖ線断面図、 第６図は第５図のＶｌ−Ｖｌ線断面図である。 第７図、第８図及び第９図は本発明の他の例を示す断面
図で、 第７図は第８図の■−■線断面図、 第８図は第７図の■−Ｖｌ線断面図、 第９図は第８図の部分拡大図 である。 なお、図面に示された符号において、 １ａ、１ｂ、３．１１．４１−−一基板（基体）２ａ、
２ｂ、４．２７，５７−−−電極２１、あ・・・グロー
放電分解装置 ５、Ｚｌ！、５２＠・・真空槽 ２２ａ、５７ｃ・・・ガス導入口 ２２ｂ、５２ｂ・・・排気口 ＆・・嗜・ガス導出口 Ｉ・・・・ヒータ Ｉ・・・・高周波電源 ５７ａ・・・電極の内壁 ５７ｂ・・・電極の外壁 ６２、田、鋪・・・ガス供給源 ６７・・・・流量計 である。 代理人 弁理土掻 坂 宏 （他１名）第１０ 第２０ 第３０ 第４０ 距 酊（４ＰＬ覚） 鏑５０ 第７國 第８０ １
Claims (1)
- １、単一の装置内で複数個の基体の表面上に、反応ガス
のグロー放電分解によって前記反応ガスの分解成分を堆
積さｌる装置において、放！電全域に亘って実質的に一
定に保たれていることを特徴とするグロー放電分解装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6947184A JPS60215766A (ja) | 1984-04-07 | 1984-04-07 | グロ−放電分解装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6947184A JPS60215766A (ja) | 1984-04-07 | 1984-04-07 | グロ−放電分解装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60215766A true JPS60215766A (ja) | 1985-10-29 |
Family
ID=13403617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6947184A Pending JPS60215766A (ja) | 1984-04-07 | 1984-04-07 | グロ−放電分解装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60215766A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62158879A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-14 | Kyocera Corp | グロ−放電分解装置 |
-
1984
- 1984-04-07 JP JP6947184A patent/JPS60215766A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62158879A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-14 | Kyocera Corp | グロ−放電分解装置 |
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