JPH01123071A - 薄膜製造方法及び薄膜製造装置 - Google Patents
薄膜製造方法及び薄膜製造装置Info
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- JPH01123071A JPH01123071A JP28165287A JP28165287A JPH01123071A JP H01123071 A JPH01123071 A JP H01123071A JP 28165287 A JP28165287 A JP 28165287A JP 28165287 A JP28165287 A JP 28165287A JP H01123071 A JPH01123071 A JP H01123071A
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
基板の表面にアモルファスＳｉ膜を形成する、薄膜製造
方法及び薄膜製造装置に関し、原料ガスの歩留まりが高
く、製造性が良好で、且つ成膜速度が速い薄膜の製造方
法、及び薄膜製造装置を提供することを目的とし、 真空チャンバー内に珪素を含む原料ガスを投入し、高周
波プラズマＣＶＤ法により基板の表面に、アモルファス
Ｓｉ膜を形成するにあたり該真空チャンバーを低圧にし
て、該真空チャンバー内の原料ガスに、水素ラジカルを
供給し、該基板の表面にアモルファスＳｉ膜を形成する
ようにする。また、低圧真空チャンバー内に、高周波電
源に繋がる電極板と基板とを対向させ、該真空チャンバ
ー内に珪素を含む原料ガスを投入し、高周波プラズマＣ
ＶＤ法により、該基板の表面にアモルファスＳｉ膜を形
成する製造装置において、該真空チャンバー外に設けた
水素ラジカル発生装置と、該水素ラジカル発生装置を該
真空チャンバーに連結する水素ラジカル供給管とを設け
た構成とする。
方法及び薄膜製造装置に関し、原料ガスの歩留まりが高
く、製造性が良好で、且つ成膜速度が速い薄膜の製造方
法、及び薄膜製造装置を提供することを目的とし、 真空チャンバー内に珪素を含む原料ガスを投入し、高周
波プラズマＣＶＤ法により基板の表面に、アモルファス
Ｓｉ膜を形成するにあたり該真空チャンバーを低圧にし
て、該真空チャンバー内の原料ガスに、水素ラジカルを
供給し、該基板の表面にアモルファスＳｉ膜を形成する
ようにする。また、低圧真空チャンバー内に、高周波電
源に繋がる電極板と基板とを対向させ、該真空チャンバ
ー内に珪素を含む原料ガスを投入し、高周波プラズマＣ
ＶＤ法により、該基板の表面にアモルファスＳｉ膜を形
成する製造装置において、該真空チャンバー外に設けた
水素ラジカル発生装置と、該水素ラジカル発生装置を該
真空チャンバーに連結する水素ラジカル供給管とを設け
た構成とする。
本発明は、基板の表面にアモルファスＳｉ膜を形成する
、薄膜製造方法及び薄膜製造装置に関する。
、薄膜製造方法及び薄膜製造装置に関する。
電子写真式プリンタ等に用いる感光体として、セレン系
感光体よりも機械的強度が大きく、且つ無公害な水素化
アモルファスＳｉを主成分とする感光体が、近年は提供
されつつある。
感光体よりも機械的強度が大きく、且つ無公害な水素化
アモルファスＳｉを主成分とする感光体が、近年は提供
されつつある。
このようなアモルファスＳｉ膜は、高周波プラズマＣＶ
Ｄ法（高周波プラズマ化学気相堆積法）により、基板の
表面に形成している。
Ｄ法（高周波プラズマ化学気相堆積法）により、基板の
表面に形成している。
第４図は従来の薄膜製造装置の構成図であって、真空チ
ャンバー１内に、平板状の電極板２と接地板３とを対向
して配置し、接地板３の電極板２側の表面には、薄膜１
００を形成する基板５を、密着して取付けるよう構成し
である。
ャンバー１内に、平板状の電極板２と接地板３とを対向
して配置し、接地板３の電極板２側の表面には、薄膜１
００を形成する基板５を、密着して取付けるよう構成し
である。
基板５は、石英ガラス、Ｓｉウェハ、アルミニウム等よ
りなる平板である。
りなる平板である。
接地板３の裏面には、ヒーター６を配設して、ヒーター
電源６Ａより給電して、基板５を所望の温度（例えば２
５０℃）に加熱している。
電源６Ａより給電して、基板５を所望の温度（例えば２
５０℃）に加熱している。
さらに、接地板３の裏面側の真空チャンバー１の側壁に
排気管を設け、真空ポンプ８により真空チャンバー１内
を所望の真空度、例えば高圧（３Ｔｏｒｒ〜６ Ｔｏｒ
ｒ）から低圧（０，０５Ｔｏｒｒ 〜０．２Ｔｏｒｒ）
の間の所望の圧力に、調整できるように構成しである。
排気管を設け、真空ポンプ８により真空チャンバー１内
を所望の真空度、例えば高圧（３Ｔｏｒｒ〜６ Ｔｏｒ
ｒ）から低圧（０，０５Ｔｏｒｒ 〜０．２Ｔｏｒｒ）
の間の所望の圧力に、調整できるように構成しである。
真空チャンバー１外に設置した高周波電源４を電極板２
に接続して、高周波電源４から、所望の高周波（例えば
１３．５６ ＭＨｚ）を電極板２に印加するようになっ
ている。
に接続して、高周波電源４から、所望の高周波（例えば
１３．５６ ＭＨｚ）を電極板２に印加するようになっ
ている。
真空チャンバー１に通ずるように原料ガス供給管７を設
け、電極板２と基板５との間に原料ガス１０を供給する
ようにしである。
け、電極板２と基板５との間に原料ガス１０を供給する
ようにしである。
したがって、原料ガス供給管７から珪素を含む原料ガス
１０．即ち、ジシラン（Ｓｉ２＋１．）、モノシラン（
ＳｉＨ４）等を供給し、電極板２に高周波を印加すると
、電極板２と基板５との間で原料ガス１０がプラズマ化
し、基板５の表面にアモルファスＳｉが堆積して、所望
の薄膜１００．即ちアモルファスＳｉ膜が形成される。
１０．即ち、ジシラン（Ｓｉ２＋１．）、モノシラン（
ＳｉＨ４）等を供給し、電極板２に高周波を印加すると
、電極板２と基板５との間で原料ガス１０がプラズマ化
し、基板５の表面にアモルファスＳｉが堆積して、所望
の薄膜１００．即ちアモルファスＳｉ膜が形成される。
上述のような薄膜製造装置を用いて、基板の表面に薄膜
を形成するには、亮圧下で実施する場合と、低圧下で実
施する場合の２通りがある。
を形成するには、亮圧下で実施する場合と、低圧下で実
施する場合の２通りがある。
高圧で行う場合は、真空チャンバー内の圧力を比較的高
圧（３Ｔｏｒｒ〜６ Ｔｏｒｒ）にして、数百Ｗの大き
い高周波電源パワーを電極板２に印加し、基板５の表面
に薄膜１００を形成させる。この形成手段は、膜の生成
速度が（１０〜２０）人／秒と速くて、所望の膜厚の薄
膜を短時間に形成することできるという利点がある。
圧（３Ｔｏｒｒ〜６ Ｔｏｒｒ）にして、数百Ｗの大き
い高周波電源パワーを電極板２に印加し、基板５の表面
に薄膜１００を形成させる。この形成手段は、膜の生成
速度が（１０〜２０）人／秒と速くて、所望の膜厚の薄
膜を短時間に形成することできるという利点がある。
低圧で行う場合は、真空チャンバー内の圧力を低圧（０
，０５Ｔｏｒｒ 〜０．２Ｔｏｒｒ）にして、基板５の
表面に薄膜１００を形成する。この形成手段は、低圧に
したことにより原料ガスが不要な粉末化することがなく
て、製造性が向上し、また膜の欠陥も少ないという利点
がある。
，０５Ｔｏｒｒ 〜０．２Ｔｏｒｒ）にして、基板５の
表面に薄膜１００を形成する。この形成手段は、低圧に
したことにより原料ガスが不要な粉末化することがなく
て、製造性が向上し、また膜の欠陥も少ないという利点
がある。
しかしながら上記従来の薄膜製造装置を用い、高圧で膜
形成した場合には、原料ガスの一部は、（Ｓｔ、、）（
ＩＩ ）の粉末となり、アモルファスＳｉ膜とならない
。この粉末が電極板に付着し、電極性能が低下し成膜が
困難になるという問題点と、毎回電極を清浄にしなけれ
ばならないという製造性が悪い問題点とがある。
形成した場合には、原料ガスの一部は、（Ｓｔ、、）（
ＩＩ ）の粉末となり、アモルファスＳｉ膜とならない
。この粉末が電極板に付着し、電極性能が低下し成膜が
困難になるという問題点と、毎回電極を清浄にしなけれ
ばならないという製造性が悪い問題点とがある。
一方、低圧で膜形成した場合は、膜の生成速度が（（３
〜６）人／秒と遅くて、所望の膜厚の薄膜を形成するの
に長時間を要するという問題点があった。
〜６）人／秒と遅くて、所望の膜厚の薄膜を形成するの
に長時間を要するという問題点があった。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、原料
ガスの歩留まりが高く、製造性が良好で、且つ成膜速度
が速い薄膜の製造方法、及び薄膜製造装置を提供するこ
とを目的としている。
ガスの歩留まりが高く、製造性が良好で、且つ成膜速度
が速い薄膜の製造方法、及び薄膜製造装置を提供するこ
とを目的としている。
上記の問題点を解決するために本発明は、真空チャンバ
ー内に珪素を含む原料ガスを投入し、高周波プラズマＣ
ＶＤ法により基板の表面に、アモルファスＳｉ膜を形成
するにあたり、該真空チャンバーを（０，０５〜０．２
）Ｔｏｒｒ の低圧状態に保持し、該真空チャンバー
内の原料ガスに、水素ラジカルを供給して、基板の表面
にアモルファスＳｉ膜を形成する。
ー内に珪素を含む原料ガスを投入し、高周波プラズマＣ
ＶＤ法により基板の表面に、アモルファスＳｉ膜を形成
するにあたり、該真空チャンバーを（０，０５〜０．２
）Ｔｏｒｒ の低圧状態に保持し、該真空チャンバー
内の原料ガスに、水素ラジカルを供給して、基板の表面
にアモルファスＳｉ膜を形成する。
その薄膜製造装置は、第１図に例示したように、低圧真
空チャンバー１内に、高周波電源４に繋がる電極板１２
と基板５とを対向させ、真空チャンバー１゛内に珪素を
含む原料ガス１０を、原料ガス供給管７．電極板１２の
中空部を介して投入するよう構成する。
空チャンバー１内に、高周波電源４に繋がる電極板１２
と基板５とを対向させ、真空チャンバー１゛内に珪素を
含む原料ガス１０を、原料ガス供給管７．電極板１２の
中空部を介して投入するよう構成する。
一方、水素ラジカル発生装置２０を真空チャンバー１の
外に設け、水素ラジカル供給管２５を介して、水素ラジ
カル４１を真空チャンバー１内に供給するよう構成する
。
外に設け、水素ラジカル供給管２５を介して、水素ラジ
カル４１を真空チャンバー１内に供給するよう構成する
。
また、第２図に例示したように、電極板を一対の半円筒
形電極１２０として、対向して配設した半円筒形電極１
２０の中心に、円筒形基板５０を装着するよう構成する
。さらにまた、第３図に例示した −ように、電極板を
円筒形電極１２０Ａとして、円筒形電極１２０Ａの中心
に、円筒形基板５０を装着するよう構成する。
形電極１２０として、対向して配設した半円筒形電極１
２０の中心に、円筒形基板５０を装着するよう構成する
。さらにまた、第３図に例示した −ように、電極板を
円筒形電極１２０Ａとして、円筒形電極１２０Ａの中心
に、円筒形基板５０を装着するよう構成する。
上記本発明の薄膜製造方法によれば、真空チャンバー内
を低圧にしたことにより、原料ガスの不要粉末化が阻止
されるので、製造性が向上し、さらに不要粉末が膜に付
着しないので、膜質が向上する。
を低圧にしたことにより、原料ガスの不要粉末化が阻止
されるので、製造性が向上し、さらに不要粉末が膜に付
着しないので、膜質が向上する。
また一方では、水素ラジカル４１を原料ガスの高周波プ
ラズマ中へ供給しているので、水素ラジカルが、原料ガ
スの分解効率を高め、活性種の量を増加させるので、成
膜速度が速くなる。
ラズマ中へ供給しているので、水素ラジカルが、原料ガ
スの分解効率を高め、活性種の量を増加させるので、成
膜速度が速くなる。
さらにまた、電極を半円筒形にして、対向して設置した
一対の半円筒形電極１２０内に、基板を装着するように
したことにより、円筒形基板の外周面に、アモルファス
Ｓｉ膜を均一に形成することができる。
一対の半円筒形電極１２０内に、基板を装着するように
したことにより、円筒形基板の外周面に、アモルファス
Ｓｉ膜を均一に形成することができる。
以下図を参照しながら、本発明を具体的に説明する。な
お、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
お、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
第１図は本発明の薄膜製造装置の一実施例の構成図、第
２図は本発明の薄膜製造装置の他の実施例の構成図、第
３図は本発明の薄膜製造装置のさらに他の実施例の構成
図である。
２図は本発明の薄膜製造装置の他の実施例の構成図、第
３図は本発明の薄膜製造装置のさらに他の実施例の構成
図である。
第１図において、真空チャンバー１内に、平板状で内部
が中空の電極板１２と、接地板３とを対向して配置し、
接地板３の電極板１２側の表面には、薄膜１００を形成
する石英ガラス、Ｓｔウェハ、アルミニウム等よりなる
平板の基板５を、密着して取付けるよう構成しである。
が中空の電極板１２と、接地板３とを対向して配置し、
接地板３の電極板１２側の表面には、薄膜１００を形成
する石英ガラス、Ｓｔウェハ、アルミニウム等よりなる
平板の基板５を、密着して取付けるよう構成しである。
電極板１２の基板５に対向する面に、多数のガス噴出孔
を配設し、原料ガス供給管７の先端を電極板１２の中空
部に接続して、このガス噴出孔から、基板５方向に原料
ガス１０を放出させている。
を配設し、原料ガス供給管７の先端を電極板１２の中空
部に接続して、このガス噴出孔から、基板５方向に原料
ガス１０を放出させている。
また、真空チャンバー１外に設けた高周波電源４を電極
板１２に接続して、例えば１３．５６ Ｍｌｌｚの高周
波を、電極板１２に印加している。
板１２に接続して、例えば１３．５６ Ｍｌｌｚの高周
波を、電極板１２に印加している。
接地板３の裏面には、ヒーター６を配設して、ヒーター
電源６Ａより給電して、基板５を所望の温度（例えば２
５０℃）に加熱できるようになっている。
電源６Ａより給電して、基板５を所望の温度（例えば２
５０℃）に加熱できるようになっている。
さらに、接地板３の裏面側の真空チャンバー１の側壁に
排気管を設け、メカニカルブースター８Ａ及びロータリ
ーポンプ８Ｂを連結して、真空チャンバー１内を０．０
５Ｔｏｒｒ〜０．２Ｔｏｒｒの低圧にするとともに、未
反応ガスを真空チャンバー１の外に排出している。
排気管を設け、メカニカルブースター８Ａ及びロータリ
ーポンプ８Ｂを連結して、真空チャンバー１内を０．０
５Ｔｏｒｒ〜０．２Ｔｏｒｒの低圧にするとともに、未
反応ガスを真空チャンバー１の外に排出している。
真空チャンバー１の外に水素ラジカル発生装置２０を設
け、石英管よりなる水素ラジカル供給管２５で、水素ラ
ジカル発生装置２０と、真空チャンバー１とを連結して
いる。
け、石英管よりなる水素ラジカル供給管２５で、水素ラ
ジカル発生装置２０と、真空チャンバー１とを連結して
いる。
水素ラジカル発生装置２０は、端末に水素ガス供給口４
３を設けた石英管の外周に、マイクロ波発振器２１より
導波管２２を介して、２．４５ Ｇ）ｌｚのマイクロ波
を付与するよう構成しである。水素ガス供給口４３から
水素ガス４０を水素ラジカル発生装置２０に投入すると
、水素ガス４０がマイクロ波により分解して水素ラジカ
ル４１となる。
３を設けた石英管の外周に、マイクロ波発振器２１より
導波管２２を介して、２．４５ Ｇ）ｌｚのマイクロ波
を付与するよう構成しである。水素ガス供給口４３から
水素ガス４０を水素ラジカル発生装置２０に投入すると
、水素ガス４０がマイクロ波により分解して水素ラジカ
ル４１となる。
したがって、水素ラジカル発生装置２０で発生した水素
ラジカル４１は、真空チャンバー１内に引き込まれ、電
極板１２と基板５の間のプラズマ化されたジシラン（Ｓ
ｉ２１１６）＋モノシラン（ＳｉＨ４）等の原料ガス１
０に反応し、原料ガス１０の分解効率を高める。
ラジカル４１は、真空チャンバー１内に引き込まれ、電
極板１２と基板５の間のプラズマ化されたジシラン（Ｓ
ｉ２１１６）＋モノシラン（ＳｉＨ４）等の原料ガス１
０に反応し、原料ガス１０の分解効率を高める。
上述の薄膜製造装置を用い、
基板５の温度 −２５０℃、
真空チャンバーの圧力−−−０，０７Ｔｏｒｒ。
高周波電源出力 −−−−１００Ｗ、マイクロ波発振
器出力−１５０Ｗ、 ＳｉＪ、の供給量 −−−−３０ｃｒＩ／分、水素ガ
スの供給量 −−−−２０ｃｌ１分、で、石英ガラス、
Ｓｉウェハの基板 に、成膜速度が２０人／秒で、アモ
ルファスＳｉ膜を形成することができた。
器出力−１５０Ｗ、 ＳｉＪ、の供給量 −−−−３０ｃｒＩ／分、水素ガ
スの供給量 −−−−２０ｃｌ１分、で、石英ガラス、
Ｓｉウェハの基板 に、成膜速度が２０人／秒で、アモ
ルファスＳｉ膜を形成することができた。
この成膜速度は、従来の低圧法による高周波プラズマＣ
ＶＤ法の２〜４倍の速度である。
ＶＤ法の２〜４倍の速度である。
第２図の薄膜製造装置は、真空チャンバー１をドラム缶
形にして真空チャンバー１内に、半円筒形に形成した一
対の半円筒形電極１２０を対向して配設しである。また
、一方の半円筒形電極１２０の内部を中空にして、内面
側壁に多数のガス噴出孔を配設しである。
形にして真空チャンバー１内に、半円筒形に形成した一
対の半円筒形電極１２０を対向して配設しである。また
、一方の半円筒形電極１２０の内部を中空にして、内面
側壁に多数のガス噴出孔を配設しである。
そして、原料ガス供給管７の先端を半円筒形電極１２０
の中空部に接続して、このガス噴出孔から、中心方向に
向かって、原料ガス１０を放出させている。
の中空部に接続して、このガス噴出孔から、中心方向に
向かって、原料ガス１０を放出させている。
一対の半円筒形電極１２０の中心部に、円筒形基板５０
を装着するようになっている。そして、円筒形基板５０
の中空孔内に棒状のヒーター６０を挿入して、円筒形基
板５０を所望の温度に加熱するように構成しである。
を装着するようになっている。そして、円筒形基板５０
の中空孔内に棒状のヒーター６０を挿入して、円筒形基
板５０を所望の温度に加熱するように構成しである。
一方水素ラジカル発生装置２０に繋がる水素ラジカル供
給管２５Ａは、一対の半円筒形電極１２０が構成する中
空部に開口させである。
給管２５Ａは、一対の半円筒形電極１２０が構成する中
空部に開口させである。
したがって、水素ラジカル発生装置２０で発生した水素
ラジカル４１は、水素ラジカル供給管２５＾を介して、
一対の半円筒形電極１２０の間に引き込まれ、プラズマ
化された原料ガス１０に反応する。よって、円筒形基板
５０の外周面に均一に、かつ速い成膜速度で、アモルフ
ァスＳｉ膜を形成することができる。
ラジカル４１は、水素ラジカル供給管２５＾を介して、
一対の半円筒形電極１２０の間に引き込まれ、プラズマ
化された原料ガス１０に反応する。よって、円筒形基板
５０の外周面に均一に、かつ速い成膜速度で、アモルフ
ァスＳｉ膜を形成することができる。
第３図の薄膜製造装置は、第２図に示す製造装置の電極
部分を変えたものである。即ち、真空チャンバー１内に
、対向して配設した一対の半円筒形電極１２０に替えて
、円筒形電極１２〇八を配設したものである。
部分を変えたものである。即ち、真空チャンバー１内に
、対向して配設した一対の半円筒形電極１２０に替えて
、円筒形電極１２〇八を配設したものである。
この円筒形電極１２０Ａは、内部を中空にして、内面側
壁に多数のガス噴出孔を配設しである。
壁に多数のガス噴出孔を配設しである。
そして、原料ガス供給管７の先端を円筒形電極１２０Ａ
の中空部に接続して、このガス噴出孔から、中心方向に
向かって、原料ガス１０を放出させている。
の中空部に接続して、このガス噴出孔から、中心方向に
向かって、原料ガス１０を放出させている。
また、円筒形電極１２０Ａの中心部に、円筒形基板５０
を装着するようになっている。そして、円筒形基板５０
の中空孔内に棒状のヒーター６０を挿入して、円筒形基
板５０を所望の温度に加熱す茗ように構成しである。
を装着するようになっている。そして、円筒形基板５０
の中空孔内に棒状のヒーター６０を挿入して、円筒形基
板５０を所望の温度に加熱す茗ように構成しである。
一方水素ラジカル発生装置２０に繋がる水素ラジカル供
給管２５Ａは、円筒形電極１２０への内側に開口させで
ある。
給管２５Ａは、円筒形電極１２０への内側に開口させで
ある。
上述のように構成しであるので、水素ラジカル発生装置
２０で発生した水素ラジカル４１は、水素ラジカル供給
管２５Ａを介して、円筒形電極１２０Ａの内側に引き込
まれ、プラズマ化された原料ガス１０に反応する。よっ
て、第２図に示したものよりも、より二層均一に、アモ
ルファスＳｉ膜を円筒形基板５０の外周面に形成するこ
とができる。
２０で発生した水素ラジカル４１は、水素ラジカル供給
管２５Ａを介して、円筒形電極１２０Ａの内側に引き込
まれ、プラズマ化された原料ガス１０に反応する。よっ
て、第２図に示したものよりも、より二層均一に、アモ
ルファスＳｉ膜を円筒形基板５０の外周面に形成するこ
とができる。
以上説明したように本発明は、原料ガスに水素ラジカル
を供給しさせるようにしたもので、原料ガスの歩留まり
が高（て、製造性が向上し、且つ成膜速度が速いのみな
らず、平面状の基板の他に円筒形基板にも、アモルファ
スＳｉ膜を形成することができる等、実用上で優れた効
果がある。
を供給しさせるようにしたもので、原料ガスの歩留まり
が高（て、製造性が向上し、且つ成膜速度が速いのみな
らず、平面状の基板の他に円筒形基板にも、アモルファ
スＳｉ膜を形成することができる等、実用上で優れた効
果がある。
第１図は本発明の実施例の構成図、
第２図は本発明の他の実施例の構成図、第３図は本発明
のさらに他の実施例の構成図、第４図は従来例の構成図
である。 図において、 ■は真空チャンバー、 ２．１２は電極板、 １２０は半円筒形電極、 １２０Ａは円筒形電極、 ４は高周波電源、 ５は基板、 ５０は円筒形基板、 ６．６０はヒーター、 ７は原料ガス供給管、 １０は原料ガス、 ２０は水素ラジカル発生装置、 ２１はマイクロ波発振器、 ２５、２５Ａは水素ラジカル供給管、 ４０は水素ガス、 ４１は水素ラジカル、 １００は薄膜を示す。 木をｇ肋釘と例の構成図 第 １ 図 ４（俵側ｆ）＠成層 第４ 図
のさらに他の実施例の構成図、第４図は従来例の構成図
である。 図において、 ■は真空チャンバー、 ２．１２は電極板、 １２０は半円筒形電極、 １２０Ａは円筒形電極、 ４は高周波電源、 ５は基板、 ５０は円筒形基板、 ６．６０はヒーター、 ７は原料ガス供給管、 １０は原料ガス、 ２０は水素ラジカル発生装置、 ２１はマイクロ波発振器、 ２５、２５Ａは水素ラジカル供給管、 ４０は水素ガス、 ４１は水素ラジカル、 １００は薄膜を示す。 木をｇ肋釘と例の構成図 第 １ 図 ４（俵側ｆ）＠成層 第４ 図
Claims (3)
- （１）真空チャンバー（１）内に珪素を含む原料ガス（
１０）を投入し、高周波プラズマＣＶＤ法により基板の
表面に、アモルファスＳｉ膜を形成するにあたり、 該真空チャンバー（１）を低圧にして、該真空チャンバ
ー（１）内の原料ガス（１０）に、水素ラジカル（４１
）を供給し、該基板の表面にアモルファスＳｉ膜を形成
することを特徴とする薄膜製造方法。 - （２）低圧真空チャンバー（１）内に、高周波電源（４
）に繋がる電極板（１２）と基板（５）とを対向させ、
該真空チャンバー（１）内に珪素を含む原料ガス（１０
）を投入し、高周波プラズマＣＶＤ法により、該基板（
５）の表面にアモルファスＳｉ膜を形成する製造装置に
おいて、 該真空チャンバー（１）外に設けた水素ラジカル発生装
置（２０）と、該水素ラジカル発生装置（２０）を該真
空チャンバー（１）に連結する水素ラジカル供給管（２
５）とを、設けたことを特徴とする薄膜製造装置。 - （３）前記電極板が一対の半円筒形電極（１２０）、ま
たは円筒形電極（１２０Ａ）からなり、配設した該電極
（１２０、１２０Ａ）の中心に、円筒形基板（５０）を
装着するよう構成されてなることを特徴とする、特許請
求の範囲第２項に記載の薄膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62281652A JPH0639708B2 (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 薄膜製造方法及び薄膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62281652A JPH0639708B2 (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 薄膜製造方法及び薄膜製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01123071A true JPH01123071A (ja) | 1989-05-16 |
| JPH0639708B2 JPH0639708B2 (ja) | 1994-05-25 |
Family
ID=17642085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62281652A Expired - Lifetime JPH0639708B2 (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 薄膜製造方法及び薄膜製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0639708B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003101844A1 (fr) * | 2002-05-31 | 2003-12-11 | Kirin Brewery Company, Limited | Boite d'aluminium modifiee en surface et procede de fabrication correspondant |
| KR100487593B1 (ko) * | 1999-09-16 | 2005-05-03 | 닛신덴키 가부시키 가이샤 | 박막형성방법 및 장치 |
| JP2007019529A (ja) * | 2006-08-25 | 2007-01-25 | Nec Corp | 半導体薄膜形成装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6126780A (ja) * | 1984-07-17 | 1986-02-06 | Stanley Electric Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
-
1987
- 1987-11-06 JP JP62281652A patent/JPH0639708B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6126780A (ja) * | 1984-07-17 | 1986-02-06 | Stanley Electric Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100487593B1 (ko) * | 1999-09-16 | 2005-05-03 | 닛신덴키 가부시키 가이샤 | 박막형성방법 및 장치 |
| WO2003101844A1 (fr) * | 2002-05-31 | 2003-12-11 | Kirin Brewery Company, Limited | Boite d'aluminium modifiee en surface et procede de fabrication correspondant |
| JP2007019529A (ja) * | 2006-08-25 | 2007-01-25 | Nec Corp | 半導体薄膜形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0639708B2 (ja) | 1994-05-25 |
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