JPS60221578A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS60221578A JPS60221578A JP7655984A JP7655984A JPS60221578A JP S60221578 A JPS60221578 A JP S60221578A JP 7655984 A JP7655984 A JP 7655984A JP 7655984 A JP7655984 A JP 7655984A JP S60221578 A JPS60221578 A JP S60221578A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electrode
- electrodes
- substrate
- discharge
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、減圧下において、光導電膜、半導体１１り、
無機絶縁膜、有機樹脂膜等の堆積−を、放電エネルギー
を利用して製造する際のプラズマＣＶＤ装置に関する。
無機絶縁膜、有機樹脂膜等の堆積−を、放電エネルギー
を利用して製造する際のプラズマＣＶＤ装置に関する。
放電エネルギーにより、減圧した堆積室内に導入された
原料ガスを、活性化、分解または反応させて該気体また
は生成気体から、単一元素または化合物の膜を基体上に
堆積させる方法についてはすでに知られている。しかも
、この方法によれば通常の化学反応で得られ難い化合物
や単一元素の堆積膜を得ることができる。
原料ガスを、活性化、分解または反応させて該気体また
は生成気体から、単一元素または化合物の膜を基体上に
堆積させる方法についてはすでに知られている。しかも
、この方法によれば通常の化学反応で得られ難い化合物
や単一元素の堆積膜を得ることができる。
上記基体は、通常、上記エネルギーを発生させるために
対向して配設された放電電極の一方の上に、設置される
。
対向して配設された放電電極の一方の上に、設置される
。
堆積膜は均一であることが望ましいが、電極周辺部と電
極中央部では電界強度が異なるため、電極中央部に設置
された基体上に堆積する膜と電極周辺部に設置された基
体上に堆積する膜は膜質、膜厚とも異なり均一性が悪い
。
極中央部では電界強度が異なるため、電極中央部に設置
された基体上に堆積する膜と電極周辺部に設置された基
体上に堆積する膜は膜質、膜厚とも異なり均一性が悪い
。
従って均一な堆積膜を得るためには、電解強度が均一で
ある電極中央部に基体を設置しなければならず、堆積膜
形成のための基体の有効面積が小さく、生産性が低くな
らざるを得なかった。
ある電極中央部に基体を設置しなければならず、堆積膜
形成のための基体の有効面積が小さく、生産性が低くな
らざるを得なかった。
従来のプラズマＣＶＤ装置の例を第１図に示す。
真空槽ｌに反応ガス導入孔３より所定のガスを導入し排
気孔２よりガスを排気して真空槽内を所定の内圧とし放
電用電極４，５間に、グロー放電を発生させ基体８上に
膜を堆積させる。第２図は第１図の装置において放電用
電極に６インチ径の円板、基体に６インチ径のガラス、
反応ガスにＳｉＨ４を用いて基体上にアモルファスシリ
コンを堆積したときの膜厚分布である。横軸は基体中心
からの距離を、縦軸は堆積膜の膜厚を示す。電極中央部
の膜厚は電極周辺部の膜厚の約２倍であり、＋１１２厚
分布は非常に悪く、膜厚の比較的均一な領域は基板の４
インチ径円内である。膜に均一性が確保できる有効面積
は電極面積の約４４％にすぎない。
気孔２よりガスを排気して真空槽内を所定の内圧とし放
電用電極４，５間に、グロー放電を発生させ基体８上に
膜を堆積させる。第２図は第１図の装置において放電用
電極に６インチ径の円板、基体に６インチ径のガラス、
反応ガスにＳｉＨ４を用いて基体上にアモルファスシリ
コンを堆積したときの膜厚分布である。横軸は基体中心
からの距離を、縦軸は堆積膜の膜厚を示す。電極中央部
の膜厚は電極周辺部の膜厚の約２倍であり、＋１１２厚
分布は非常に悪く、膜厚の比較的均一な領域は基板の４
インチ径円内である。膜に均一性が確保できる有効面積
は電極面積の約４４％にすぎない。
本発明の目的は、品質的に均一で良好な特性を有する堆
積膜を生産性よく製造し得るプラズマＣＶＤ装置を提供
することである。
積膜を生産性よく製造し得るプラズマＣＶＤ装置を提供
することである。
本発明の目的は、次のプラズマＣＶＤ装置によって達成
される。
される。
すなわち、真空槽内に対向する一対の電極を具備し、電
極間で放電を生じさせ、この放電により前記真空槽内に
導入された原料気体から、前記真空槽内に設置された基
体上に堆積膜を製造させる装置において、少なくとも基
体側電極に１以上の穴を設けたことを特徴とするプラズ
マＣＶＤ装置である。
極間で放電を生じさせ、この放電により前記真空槽内に
導入された原料気体から、前記真空槽内に設置された基
体上に堆積膜を製造させる装置において、少なくとも基
体側電極に１以上の穴を設けたことを特徴とするプラズ
マＣＶＤ装置である。
本発明は少なくとも基体側電極に１以上の穴をあけるこ
とにより、穴のあいた部分の電解強度が低下することを
利用するものである。穴の数、大きさは、基体の面積、
電極にかける電圧等を勘案の」二、設定されるが、少な
くとも１の穴をあけることにより、均一な膜厚の堆積膜
が形成される有効面積を増加ｙせることかできる。穴の
大きさは、全て等しくなくともよい。穴を設ける位置は
電解強度か電極のどの部分においても一定になるように
、設定されるか、電極中心部に設けられることが望まし
い。
とにより、穴のあいた部分の電解強度が低下することを
利用するものである。穴の数、大きさは、基体の面積、
電極にかける電圧等を勘案の」二、設定されるが、少な
くとも１の穴をあけることにより、均一な膜厚の堆積膜
が形成される有効面積を増加ｙせることかできる。穴の
大きさは、全て等しくなくともよい。穴を設ける位置は
電解強度か電極のどの部分においても一定になるように
、設定されるか、電極中心部に設けられることが望まし
い。
第３図に本発明のプラズマＣＶＤ装置を示す。
２１は真空槽、２２はガス排気孔、２３は反応ガス導入
孔、２４は放電用電極、２５は膜の均一性補正のために
穴をあけた放電用電極、２６は放電用電源、２７はノ、
（体加熱用ヒータ、２８は基体である。真空槽２１に反
応カス導入孔２３より所定のガスを導入し、υＦ気孔２
２よりカスを胡気して、真空槽内を所定の内圧とし、放
電用電極２４ 、２５間にグロー放電を発生させ、基体
加熱用ヒータ２７で加熱された基体２８上に膜を堆積さ
せる。
孔、２４は放電用電極、２５は膜の均一性補正のために
穴をあけた放電用電極、２６は放電用電源、２７はノ、
（体加熱用ヒータ、２８は基体である。真空槽２１に反
応カス導入孔２３より所定のガスを導入し、υＦ気孔２
２よりカスを胡気して、真空槽内を所定の内圧とし、放
電用電極２４ 、２５間にグロー放電を発生させ、基体
加熱用ヒータ２７で加熱された基体２８上に膜を堆積さ
せる。
更に本発明を具体的に説明するために、実施例を示す。
実施例
第３図に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて、基体上にア
モルファスシリコン（ａ−９ｉ） 全堆積した。
モルファスシリコン（ａ−９ｉ） 全堆積した。
第４図に用いた基体側電極の平面図を示す。放７住用電
極２５、基体側電極２６は６インチ径で、基体は６イン
チ径のガラス平板を用いた。
極２５、基体側電極２６は６インチ径で、基体は６イン
チ径のガラス平板を用いた。
真空Ｍ！２１内を、５Ｘ １０” Ｔａｒｒに減圧し、
基体加熱用ヒータ２７にて基体を予め２５０ ’Ｃに加
熱しておいた・原料ガスとしてＳｉＨ４を、ガス圧０．
４Ｔｏｒｒにて、反応ガス導入孔２３より真空槽内に導
入し、真空槽にガスが安定して供給されている状態で高
周波電源２６により放電用電極２４に、周岐劫１３弗Ｍ
Ｈｚ、 １５０Ｗの高周波電力を印加し、アース接地さ
れた電極２５との間でグロー放電を発生させａ−３ｉを
基体上に堆積した。
基体加熱用ヒータ２７にて基体を予め２５０ ’Ｃに加
熱しておいた・原料ガスとしてＳｉＨ４を、ガス圧０．
４Ｔｏｒｒにて、反応ガス導入孔２３より真空槽内に導
入し、真空槽にガスが安定して供給されている状態で高
周波電源２６により放電用電極２４に、周岐劫１３弗Ｍ
Ｈｚ、 １５０Ｗの高周波電力を印加し、アース接地さ
れた電極２５との間でグロー放電を発生させａ−３ｉを
基体上に堆積した。
堆積させたａ−５ｉｌｌりの膜厚分布を第５図に示した
。横軸は基体中心からの距離を、縦軸は堆積ｊｊりの膜
厚を示す。膜厚分布は、基体全面にわたって良好であっ
た。
。横軸は基体中心からの距離を、縦軸は堆積ｊｊりの膜
厚を示す。膜厚分布は、基体全面にわたって良好であっ
た。
以上説明したように、穴のあいた放電用電極を用いるこ
とにより、電極上のプラズマ電解強度を制御し、膜が均
一に堆積する領域を電極全面に広げることが可能になり
、電極を有効に利用し、小型で生産性の高いプラズマＣ
ＶＤ装置の提供が可能である。
とにより、電極上のプラズマ電解強度を制御し、膜が均
一に堆積する領域を電極全面に広げることが可能になり
、電極を有効に利用し、小型で生産性の高いプラズマＣ
ＶＤ装置の提供が可能である。
第１図は従来のプラズマＣＶＤ装置の概要図、第２図は
、従来の装置で作製した堆積膜の膜厚分布を示す図であ
る。第３図は本発明のプラズマＣＶＤ装置の概要図、第
４図は、穴を設けた基体側電極の平面図、第５図は、本
発明の装置で作製した堆積膜の膜厚分布を示す図で訊ス トｍ−真空槽 ２−−一カス排気孔 ３−−−反応カス導入孔 ４．５−−一放重用電極 ６一−−放電用電源７−−−
基体加熱用ヒータ ８−ｍ−基体２１−−−真空槽 ２
２−一−ガス排気孔２３−−−反応カス導入孔 ２４．
２５−−一放重用電極２Ｂ−−−放重用電源 ２７一−−基体加熱用ヒータ ２８−ｍ−基体 ２８−−一穴 第 １ 図 第 ２ 図 第３図 ９ 第４図 峡厚（ｐ＾） 第 ５ 図
、従来の装置で作製した堆積膜の膜厚分布を示す図であ
る。第３図は本発明のプラズマＣＶＤ装置の概要図、第
４図は、穴を設けた基体側電極の平面図、第５図は、本
発明の装置で作製した堆積膜の膜厚分布を示す図で訊ス トｍ−真空槽 ２−−一カス排気孔 ３−−−反応カス導入孔 ４．５−−一放重用電極 ６一−−放電用電源７−−−
基体加熱用ヒータ ８−ｍ−基体２１−−−真空槽 ２
２−一−ガス排気孔２３−−−反応カス導入孔 ２４．
２５−−一放重用電極２Ｂ−−−放重用電源 ２７一−−基体加熱用ヒータ ２８−ｍ−基体 ２８−−一穴 第 １ 図 第 ２ 図 第３図 ９ 第４図 峡厚（ｐ＾） 第 ５ 図
Claims (1)
- 真空槽内に対向する一対の電極を具備し、電極間で放電
を生じさせ、この放電により前記真空槽内に導入された
原料気体から、前記真空槽内に設置された基体上に堆積
膜を製造させる装置において、少なくとも基体側電極に
１以上の穴を設けたことを特徴とするプラズマＣＶＤ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7655984A JPS60221578A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7655984A JPS60221578A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60221578A true JPS60221578A (ja) | 1985-11-06 |
Family
ID=13608601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7655984A Pending JPS60221578A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60221578A (ja) |
-
1984
- 1984-04-18 JP JP7655984A patent/JPS60221578A/ja active Pending
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