JPS62218572A - プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、基体上に堆積膜、とりわけ機能性膜、殊に半
導体ディバイス、電子写真用の感光ディバイス、画像入
力用のラインセンサー、撮像ディバイス、光起電力素子
などに用いられるアモルファス状あるいは多結晶状等の
非単結晶状の堆積膜を形成するのに至適なプラズマＣＶ
Ｄ装置Ｋ関する。

〔従来技術の説明〕

従来、半導体ディバイス、電子写真用感光ディバイス、
画像入力用ラインセンサー、撮像ディバイス、光起電力
素子等に使用する素子部材として、例えは、シリコンを
含有する非晶質（以後単に「ａ−８ｉ　Ｊと表記する。

）膜あるいは水素化シリコンを含有する非晶質（以後単
に「ａ−８ｉＨＪと表記する。）膜等が提案され、その
中のいくつかは実用に付されている。そして、そうした
ａ−８ｉ膜やａ−８ｉＨ膜とともにそれ等ａ−８ｉ膜や
ａ−８ｉＨ膜等の形成法およびそれを実施する装置ニつ
いてもいくつか提案されていて、真空蒸着法、イオンブ
レーティング法、いわゆる熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法等があり、中でもプラズマＣＶＤ法は至
適なものとして実用に付され、一般に広く用いられてい
る。

ところで、前記プラズマＣＶＤ法は、直流、高周波また
はマイクロ波エネルギーを利用して堆積膜形成用ガスを
基体表面の近傍で励起種化（ラジカル化）して化学的相
互作用を生起させ、該基体表面に膜堆積せしめるという
ものであり、そのための装置も各種提案されている。

第３図は、従来のプラズマＣＶＤ法による堆積膜り装置
の典型的−例を模式的に示す断面略図であって、図中、
１は円筒状反応容器全体を示し、２は反応容器の側壁を
兼ねたカソード電極であり、３は反応容器の上壁、４は
反応容器の底壁である。前記カソード電極２と、上壁３
及び底壁４とは、夫々、碍子５で絶縁されている。

６は反応容器内圧設置された円筒状基体であり、該円筒
状基体６は接地されてアノード電極となるものである。

円筒状基体６の中には、基体加熱用ヒーター７が設置さ
れており、成膜前に基体を設定温度忙加熱したり、成膜
中に基体を設定温度に維持したり、あるいは成膜後幕体
を７ニール処理したりするのに用いる。また、円筒状基
体６は軸を介して回転駆動手段８ＶＣ接続されており、
成膜中、円筒状基体６を回転せしめる。

９は堆積膜形成用原料ガス導入管であって、反応空間内
に該原料ガスを放出するためのガス放出孔９ａが多数設
けられており、該原料ガス導入管９の他端は、パルプ１
０を介して堆積膜形成用原料ガス供給系２０に連通して
いる。

堆積膜形成用原料ガス供給系２０は、ガスボンベ２０１
〜２０５、ガスボンベに設けられたパルプ２１１〜２１
５、マスフロコントローラ２２１〜２２５、マス７０コ
ントローラへの流入パルプ２３１〜２３５及ヒマスフ０
コントローラからの流出パルプ２４１〜２４５、及び圧
力調整器２５１〜２５５からなっている。

１１は、反応容器内を真空排気するための排気管であり
、排気パルプ１２を介して真空排気装置（図示せず）Ｋ
連通している。

１３はカソード電極２への電圧印加手段である。

こ５した従来のプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置
の操作は次のよ５Ｋして行なわれる。

即ち、反応容器内のガスを、排気管１０を介して真空排
気すると共に、加熱用ヒーター７により円筒状基体６を
所定温度に加熱、保持し、さらに回転駆動手段８により
回転せしめる。次に、原料ガス導入管９を介して、例え
ばａ−８ｉＨ堆積！ 膜・を形成する場合であれば、シラン等の原料ガスを反
応容器内に導入し、該原料ガスは、ガス導入管のガス放
出孔９ａから基体表面に向けて放出される。これと同時
併行的に、電圧印加手段１３から、例えば高周波をカソ
ード電極２と基体（アノード電極）Ｇ間に印加しプラズ
マ放電を発生せしめる。かくして、反応容器内の原料ガ
スは励起され励起種化し、Ｓげ、　８ｉＨ”等（＊は励
起状態を表わす。）のラジカル粒子、電子、イオン粒子
等が生成される。

即ち、こうした堆積膜の形成において、反応空間に導入
する原料ガスのガス圧、ガス流量、放電電力等が形成さ
れる膜の膜質や膜厚に影響することが知られており、膜
厚および膜質が均−な堆積膜を形成するには、ガス導入
管９の原料ガス放出孔９ａから反応空間内に噴出される
原料ガス及び形成されるプラズマ放電の反応空間内圧お
ける分布が重要な因子となるが、第３図のごとき従来装
置においては、原料ガス導入管９の一端より原料ガスを
導入するため、反応空間の上部と下部とではガスの流速
が異なり、排気側である下部におい又はガスの流速が速
くなる。そのために下部に近づくほど、プラズマ放電に
より生成したラジカルが系外ＫＫげやすくなり、プラズ
マ放電の効率が低下する。また、堆積膜形成用原料ガス
は、放電エネルギーにより励起種化し、化学的相互作用
により所望の堆積膜を形成し５るガス（以下、「堆積性
ガス」と称す。）、例えば、　ａ−８ｉＨ膜を形成する
場合であれば、　ＳｉＨ４，８ｉ、Ｈｌ、等のシランガ
スが用いられるが、これらの堆積膜形成用原料ガスは、
Ｈ，、Ｈｅ、　Ａｒ等の希釈用ガスにより希釈して用い
られるところ、その場合、第３図に示す従来装置におい
ては、反応空間の上部と下部では、プラズマ放電の強度
分布が不均一になってしまうことの他、堆積性ガスと希
釈用ガスの混合比率に変動が生じ、特に排気側である下
部においては、希釈用ガスの割合が異常に高くなってし
まうという問題がある。そしてこの問題は、希釈用ガ戸
として鴇ガスを用いた場合、特に顕著である。

以上のごとく、従来装置においては、反応空間内のプラ
ズマ強度分布が不均一になってしまうこと、そして堆積
膜形成用原料ガスの系内分布が不均一になってしまうこ
とが原因で、形成される堆積膜の膜厚及び膜質な不均一
なものＫしてしまうという問題があり、こうした問題は
円筒状基体が長（なる程顕著となる。

こうしたことから、プラズマＣＶＤ法は至適な方法とさ
れてはいるものの、円筒状基体の上部及び下部において
も均一な膜厚及び膜質を有する堆積膜を形成しようとす
る場合には、前記各種成膜条件がおのずと制限されてし
まうこととなり、その結果、幅広い特性を有する各種堆
積換を同一装置内で連続して形成したり、同−基体上に
特性の異なる複数の堆積膜を有する多層構成の堆積膜を
同一装置内で連続して形成することは、非常に困難であ
る。

他方、前述の各種ディバイスが多様化してきており、そ
のための素子部丼として、各種幅広い特性を有する堆積
膜を形成するとともに、場合によっては大面積化された
堆積層を形成することが社会的要求としてあり、こうし
た要求を満たす堆積膜を、定常的に量産化しうる装置の
開発が切望されている。

〔発明の目的〕

本発明は、光起電力素子、半導体ディバイス、画像入力
用ラインセンサー、撮像ディバイス、電子写真用感光デ
ィバイス等に使用する堆積膜を形成する従来装置につい
て、上述の諸問題を解決し、上述の要求を満たすようＫ
することを目的とするものである。

すなわち本発明の主たる目的は、反応空間内における堆
積膜形成用ガスの分布およびその希戦車を均一に保つこ
とにより、膜厚および膜質が均一な堆積膜を定常的に形
成し５るプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置を提供
することにある。

本発明の他の目的は、形成される膜の緒特性、成膜速度
、再現性の向上及び膜品質の均一化、均質化をはかりな
がら、膜の生産性向上と共Ｋ。

特忙量産化を可能にし、同時に膜の大面積化を可能にす
るプラズマＣＶＤ法による堆積膜量産装置を提供するこ
とＫある。

〔発明の構成、効果〕

本発明者らは、従来のプラズマＣＶＤ法による堆積膜形
成装置につい工の前述の諸問題を克服して、上述の目的
を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、複数のガス導入系
を設け、夫々のガス導入系へ導入するガスの種類及び／
又は夫々のガス導入系におけるガスの放出条件を異なら
奢ることにより、前述の諸問題が解決され、１つ上述の
目的が達成しうるという知見を得、本発明を完成するに
至った。

即ち、本発明のプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置
は、上壁、周囲壁及び底壁で密封形成されてなる反応空
間を内部に有する円筒状反応容器と、該反応空間内に円
筒状基体を設置する手段と、該反応空間内圧堆積膜形成
用原料ガスを導入する手段と、該原料ガスを励起させて
励起株化するための放電エネルギー印加手段と、前記反
応空間内を排気する手段とからなるプラズマＣＶＤ法に
よる堆積膜形成装置であって、前記堆積膜形成用原料ガ
スを導入手段が、複数の原料ガス導入系からなることを
骨子とするものである。

以下１本発明のプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置
について図面を用いて詳しく説明するが、本発明はこれ
により限定されるものではない。

第１（Ａ）図は、本発明の装置の典型的な一例を模式的
に示す縦断面略図であり、第１（Ｂ）図はその横断面略
図である。

図中、前述の第３図と共通符号は、第３図において説明
したものと同一のものを示す。即ち、１は反応容器、２
はカソード電極、３は上壁、４は底壁、５は碍子、６は
円筒状基体、７は加熱用ヒーター、８は回転駆動手段、
１１は排気管、１２は排気バルブ、１３は電圧印加手段
を夫々示している。

９及び９′は堆積膜形成用原料ガスを反応容器内に導入
するためのガス導入管であり、多数のガス放出孔９ａ、
りａ′を有している。該ガス導入管９ＪＩ、９’ｉ’は
、夫々バルブ１０．１０’を介して異なるガス供給系２
０．２０’に連通しており、夫々のガス供給系２０．２
０’は、ガスボンベ２０１〜２０５．２０１′〜２０５
′、ガスボンベに設けられたバルブ２１１〜２１５　、
２１１’〜２１５′、マスフロコントローラ２２１〜２
２５　、２２１’〜２２５′、流入バルブ２３１〜２３
５．２３１’〜２３５′、流出バルブ２４１〜２４５　
、２４１’〜２４５′及び圧力調整器２５１〜２５５゜
２５１′〜２５５′で構成されている。

本発明の装置により堆積膜を形成するについて使用され
る原料ガスは、マイクロ波のエネルギーにより励起種化
し、化学的相互作用して基体表面上に所期の堆積膜を形
成する類のものであれば何れのものであっても採用する
ことができるが、例えはａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）膜を形成す
る場合であれば、具体的には、ケイ素に水素、ハロゲン
、あるいは炭化水素等が結合したシラン類及びノさロダ
ン化シラン類等のガス状態のもの、または容易にガス化
しうるものをガス化したものを用いることができる。こ
れらの原料ガスは１種を使用し℃もよく、あるいは２種
以上を併用してもよい。また、これ等の原料ガスは、Ｈ
ｅ。

Ａｒ等の不活性ガスにより希釈して用いることもある。

さらに、　ａ−８ｉ膜はｐ型不純物元素又はｎ型不純物
元素をドーピングすることが可能であり、これ等の不純
物元素を構成成分として含有する原料ガスを、単独で、
あるいは前述の原料ガスまたは／および希釈用ガスと混
合して反応空間内圧導入することができる。

なお、前記原料ガスは、それが二種またはそれ以上使用
される場合、その中の一種または場合によりそれ以上を
、事前に励起種化し、次いで反応室に導入するようＫす
ることも可能である。

基体については、導電性のものであっても、半導電性の
ものであっても、あるいは電気絶縁性のものであっても
よく、具体的には、例えば金属、セラミックス、ガラス
等が挙げられる。

そして成膜操作時の基体の温度は、特に制限されるもの
ではないが、３０〜４５０℃の範囲とするのが一般的で
あり、好ましくは５０〜３５０℃である。

また、堆積膜を形成するにあたっては、原料ガスを導入
する前に反応室内の圧力を５　Ｘ　１０−６Ｔｏｒｒ以
下、好ましくはＩ　Ｘ　１０−６Ｔｏｒｒ以下とし、原
料ガスを導入した時には反応室内の圧力をＩＸ　１０−
”　Ｔｏｒｒ台にするのが望ましい。

第１図に示す本発明の装置を用いて堆積膜を形成するＫ
ついては、ガス供給系２０　、２０’から供給されるガ
スの種類又は組成比を異ならせるとともに、ガス導入管
９，９′に設けるガス放出孔９　ａ　、　９　ａ’の形
状又は分布を異ならせることにより、反応空間内におけ
る原料ガスの希釈率を均一に保つとともに１反応空間内
圧おける原料ガスの流速を均一に保つことが可能となる
。

以下に、その具体例を第４（Ａ）乃至（Ｄ）図を用いて
説明する。

図中、６は円筒状基体、９．９’はガス導入管、矢印は
ガスの放出を夫々示している。

第４　（Ａ）　、　（Ｂ）図に示す例は、ガス導入管９
からは堆積膜形成用原料ガスを導入し、ガス導入管９′
からは希釈用ガスのみを導入する例である。そしてこの
場合、ガス導入管９′から導入される希釈用ガスは、反
応空間の下部のみに放出せしめ、一方、堆積膜形成用ガ
スは、反応空間の全体にわたって放出せしめる（第４（
Ａ）図）か、あるいは反応空間の上部のみに放出せしめ
る（第４（Ｂ）図）にとＫより、反応空間下部における
ガス圧を調整し、反応空間全体におけるガス分布を均一
化する働きをするものである。

第４　（Ｃ）　、　ＣＤ）に示す例は、ガス導入管９お
よびガス導入管９′から導入される夫々の堆積膜形成用
原料ガスの希釈用ガスによる希釈率を異ならせた例であ
る。そしてこの場合には、ガス導入管９′から導入され
る低希釈率ガス（即ち、堆積性ガスの比率が高いもの）
を反応空間の下部にのみ放出させ、一方、ガス導入管９
から導入される高希釈率ガスを反応空間の全体にわたっ
て放出せしめる（第４（Ｃ）図）か、または高希釈率ガ
スを反応空間の上部のみに放出せしめる（第４（Ｄ）図
）ととＫより、反応空間全体にわたってガス分布を均一
圧することができる。

第２（Ａ）図は、本発明の装置の他の例を模式的に示す
縦断面略図であり、第２（Ｂ）図はその横断面略図であ
る。

図中、前述の第１及び３図と共通符号は、第１及び３図
におけると同一のものを示しており、１は反応容器、２
はカソード電極、３は上壁、４は底壁、５は碍子、６は
円筒状基体、７は加熱用ヒーター、８は回転駆動手段、
１１は排気管、１２は排気バルブ、１３は電圧印加手段
を夫々示している。

本例では、反応空間内圧ガス導入管９−１及び９−２を
設置するとともに、両ガス導入管９−１及び９−２を切
替バルブ１４を介して、堆積膜形成用原料ガス供給系２
０に連通せしめる。そして、切替バルブ１４の直前には
内圧センサー１５を設ける。本例においても、ガス導入
管９−１及びガス導入管９−２に設けるガス放出口９−
１ａ及び９−２ａの形状や分布を異ならせるととＫより
、ガス導入管９−１から放出される原料ガスの放出状態
と、ガス導入管９−２から放出される原料ガスの放出状
態とを異ならせておく。

第２図に示す装置を用いて堆積膜を形成せしめるについ
ては、内圧センサー１５により、ガス圧力をモニターし
つつ、形成せしめる堆積膜のガス圧力やガス流量等の堆
積膜形成条件に適したガス導入管を適宜選択使用するこ
とＫより、膜厚、膜質あるいは緒特性の異なる複数種の
堆積膜を同一装置内で連続して形成することができる。

特に同一基体上に複数の堆積膜を有する多層構成の光受
容部材を得る場合には、内圧、流量等圧よる堆積膜形成
条件の変動及びドーピング効率の変動に対してガス導入
管の選択使用で対応できるため、同−装置内で効率的に
形成することができる。

〔実施例〕

以下、第１図に図示の本発明の装置を用いて堆積膜を形
成するＫついて、実施例により更に詳しく説明するが、
本発明はこれらＫより限定されるものではない。

実施例１ 本例においては、ガス導入管９，９′として夫々４本の
外径ｓ　ｍｍφ、長さＩＴｒＬの石英ガラス管を用い、
ガス導入管９は、ガス管の長さ方向に対して垂直にガス
が放出されるように、直径ｔｍｍのガス放出孔９ａを上
端から４０ｍｍピッチ２０個設けたもの（ガス導入系■
）とし、ガス導入管９′は、ガス管の長さ方向に対して
垂直にガスが放出されるように、直径Ｉｍｍのガス放出
孔９ａ’を上端から８０　Ｃ＠　ｃｔ）１ａ所がら下方
に向けて１０ｍｍピッチで５個設けたもの（ガス導入系
■）とした。

基体としては、長さ３５８ｍｍ、外径ｓｏｍｍφのＡｌ
製シリンダー２本を用意し、該２本の基体を反応容器内
に直列に並べて設置した。

更に、ガスボンベ２０１　、２０１’には８ｉＨ４ガス
、ガスボンベ２０２　、２０２’にはＢ、Ｈ，ガス、ガ
スボンベ２０３　、２０３’にはＮｏガス、ガスボンベ
２０４゜２０４’　ＫはＣＨ，ガス、ガスボンベ２０５
　、２０５’にはＨ，ガスを密封した。

これらのガスを反応容器内に流入させるに先だち、ガス
ボンベ２０１〜２０５　、２０１’〜２０５′のバルブ
２１１〜２１５　、２１１’〜２１５′の閉じられてい
ることを確認し、その他のガス供給系２０．２０’のバ
ルブ及び排気バルブ１２を開いて系内圧力がｌＸ１０’
Ｔｏｒｒ以下になるまで脱気し、その後ガス供給系２０
．２０’のバルブを全て閉じ、次いで加熱用ヒーター”
ＩＫ通電してＭシリンダーの表面温度が３００℃になる
まで加熱し、３００℃に保持した。

こうしたところへ、ガス導入系■のみを用いて下記第１
表の条件に従って、ガスボンベよりガスを流入し、高周
波電源（１３，５６ＭＨｚ　）をＯＮにして、プラズマ
を生起せしめ、Ｍシリンダー上に堆積膜を形成し、三層
構成の光受容部材を得た。

こうして得られた２本の光受容部材について膜厚分布を
調べたところ、第５（Ａ）図に示す結果を得た。なお図
中、縦軸は光受容部材上の測１９一 定位置を表わし、横軸は膜厚を表わしている。

次に、ガス導入系■から１１００５ＣＣのＨ，ガスを同
時に放出する以外はすべて前述と同じ条件で成膜し、２
本の光受容部材を得た。

得られた２本の光受容部材について膜厚分布を調べたと
ころ、第５（Ｂ）図に示す結果を得た。

更に、得られた前記光受容部材の計４本を、夫々複写機
（キャノン（株）製：商品名ＮＰ−９０３０）Ｋ設置し
、全面黒色の画像を形成したところ、ガス導入系■のみ
を用いて成膜したものは画像濃度に部分的な大きな濃度
ムラがある画像が得られ、一方、ガス導入系■および■
の両方を用いて成膜したものは濃度ムラが見られず、２
本の光受容部材の間に差もなかった。

また更に、該４本の光受容部材の夫々に、正の直流コロ
ナ帯ｔｊ／ｃて６００ＡＡの電流を帯電させ、その時の
表面電位を測定し、また、帯電直後に半導体レーザーを
用い、波長７８０％ｍスポット径８０μｍの光を２μＪ
　／　ｃｍ”の強度で照射して、照射直後の電位を測定
したところ、下記第２（Ａ）。

−美一 （Ｂ）表の結果を得た。なお測定位置（１）〜（１２）
は、第５　（Ａ）　、　（Ｂ）図に示すものと同じであ
る。

これらのことから、ガス導入系■のみを使用した場合よ
りも、ガス導入系■および■を用いた場合のほうが、膜
厚及び膜質が均一なものが得られることがわかった。

実施例２ ガス導入管９，９′として夫々４本の外径８０ｍｍ。

長さ１ｒｒＬの石英ガラス管を用い、ガス導入管９は、
ガス管の長さ方向に対して垂直にガスが放出されるよう
に、直径１−ＩｒｍＬのガス放出孔９ａを上端から４０
ｍｍピッチで１５個設けたもの（ガス導入系■）とし、
ガス導入管グは、ガス管の長さ方向に対して垂直にガス
が放出されるように、直径１ｒＩＬｒｒＬのガス放出孔
ｇ　ａ／を上端から５９ｃｍの位置から下方に向って２
４０ｍｍピッチで４個設けたもの（ガス導入系■）とし
た。

該ガス導入系■および■を用い、実施例１と同様にして
、下記第３表に示す成膜条件に従い、２本の直列に設置
したＭシリンダー上に三層構成の光受容層を形成した。

第　　３　　表 得られた光受容部材について、実施例１と同様にして膜
厚及び表面電位を測定したところ、下記の第４表の結果
を得た。なお、測定位置（１３）〜（１８）は、実施例
ＩＫおける測定位置（７）械１２）に相当する位置であ
る。

第４表の結果から、実施例１におけるガス導入系■のみ
を用いた場合と比較し、膜厚及び膜質のムラが改善され
℃いることがわかった。

〔発明の効果〕

本発明のプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置は、複
数のガス導入系を設け、夫々のガス導入系より導入する
ガスの種類又は希釈率を異なるものとしたり、あるいは
ガスの放出状態を異なるものとし、こうした複数のガス
導入系を？同時に使用することにより、希釈ガスを反応
空間の下部に放出させてガスの流速を均一化したり、あ
るいは希釈率を変化させたガスを各別に供給して反応空
間内のガス分布を均一化したり一必− することができる。そしてこうしたガスの流速の均一化
やガスの分布の均一化は長いシリンダーの場合、即ち大
面積の光受容部材キ得る場合には特に有効である。更に
、複数の異なるガス導入系を形成せしめる層ごとに選択
使用することＫより、内圧、流量等の成膜条件の変動及
び／又はドーピング効率の変動に対しても同一装置で対
応することが可能となり、特に多層構成の光受容部材を
得るのに適している。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の装置の典型的−例を模式的に示す断
面略図であり、（Ａ）図は縦断面図、（Ｂ）図は横断面
図である。第２図は、本発明の装置の他の例を模式的に
示す断面略図であり、（Ａ）図は縦断面図、（Ｂ）図は
横断面図である。 第３図は、従来のプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装
置の典型的−例を模式的に示す断面略図である。第４図
は、本発明の装置を用いて、２つのガス導入系よりガス
を導入する例を模式的に示す図である。第５図は、実施
例ＩＫおげる膜厚の測定結果を示す図である。 第１乃至４図について、 １・・・・・・反応容器、２・・・・・・カソード電極
を兼ねた周囲壁、３・・・・・・上壁、４・・−・・・
底壁、５・・・・・・碍子、６・・・・・・円筒状基体
、７・・・・・・加熱用ヒーター、８・・・・・・回転
駆動手段、９．９’　、９−１．９−２・・・・・・ガ
ス導入管、９ａ　、　９’ａ　、　９−１ａ　、　９−
２ａ・・・・・・ガス放出孔、１０　、１０’・・・・
・・パルプ、１１・・・・・・排気管、１２・・・・・
・排気パルプ、１３・・・・・・電圧印加手段、１４・
・・・・・切替パルプ、１５・・・・・・内圧センサー
、（イ）、２０′・・・・・・ガス供給系、２０１〜２
０５　、２０１’〜２０５′・・・・・・ガスボンベ、
２１１〜２１５　、２１１’〜２１５′・・・・・・パ
ルプ、２２１〜２２５　、２２１’〜２２５’・・・・
・・マスフロコントローラー、２３１〜２３５　、２３
１’〜２３５′・・・・・・流入パルプ、２４１〜２４
５　、２４１’〜２４５′・・・・・・流出パルプ、２
５１〜２５５　、２５１’〜２５５′・・・・・・圧力
調整器。 第４図 第 （Ａ　） １０　　１５　　（μｍ） 膜厚 ５図 （Ｂ） １０　　１５　　（μｍ） 膜厚

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）上壁、周囲壁及び底壁で密封形成されてなる反応
   空間を内部に有する円筒状反応容器と、該反応空間内に
   円筒状基体を設置する手段と、該反応空間内に堆積膜形
   成用原料ガスを導入する手段と、該原料ガスを励起させ
   て励起種化するための放電エネルギー印加手段と、前記
   反応空間内を排気する手段とからなるプラズマＣＶＤ法
   による堆積膜形成装置であつて、前記堆積膜形成用原料
   ガスを導入する手段が複数のガス導入系からなることを
   特徴とするプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置。
2. （２）前記複数のガス導入系が、堆積膜形成用原料ガス
   を導入する系と、希釈用ガスのみを導入する系とからな
   る特許請求の範囲第（１）項に記載されたプラズマＣＶ
   Ｄ法による堆積膜形成装置。
3. （３）前記複数のガス導入系の夫々が、希釈用ガスによ
   る希釈率の異なるガスを導入するものである特許請求の
   範囲第（１）項に記載されたプラズマＣＶＤ法による堆
   積膜形成装置。
4. （４）前記複数のガス導入系の夫々から導入される異な
   る組成のガスの、夫々のガス導入系内のガス圧力をモニ
   ターし、適切な系を選択する手段を設けた特許請求の範
   囲第（１）項に記載されたプラズマＣＶＤ法による堆積
   膜形成装置。
5. （５）形成される層ごとに異なるガス導入系を、前記複
   数のガス導入系の中から選択使用する手段を設けた特許
   請求の範囲第（１）項に記載されたプラズマＣＶＤ法に
   よる堆積膜形成装置。