JPS5990631A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS5990631A JPS5990631A JP20076982A JP20076982A JPS5990631A JP S5990631 A JPS5990631 A JP S5990631A JP 20076982 A JP20076982 A JP 20076982A JP 20076982 A JP20076982 A JP 20076982A JP S5990631 A JPS5990631 A JP S5990631A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- gas
- cylinder
- holes
- amorphous silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、真空系内にガス放出口を備えた放電電極、排
気口、ならびに薄膜を形成するだめの基材を有するプラ
ズマＣＶＤ装置において、放電電極と層相との間に穴を
有する絶縁物を配置し、フレークの除去を容易にしたブ
ヲズマＣＶＤ装置に関する。
気口、ならびに薄膜を形成するだめの基材を有するプラ
ズマＣＶＤ装置において、放電電極と層相との間に穴を
有する絶縁物を配置し、フレークの除去を容易にしたブ
ヲズマＣＶＤ装置に関する。
近年アモルファスシリコンを中心とし、プラズマＣＶＤ
法による薄膜デバイスの研究が盛んになってきた。
法による薄膜デバイスの研究が盛んになってきた。
第１図は従来のアモルファスシリコン感光体の製造装置
の１例を示したブロック図である。同図において、１０
ａ〜１０８はそれぞれ、水素、アルゴン、メタン、ジボ
ラン、モノシランのボンベである。また１１α・〜１１
ｄはバルブ、１２ＣＬ〜１、２６１１ガス流景調整用の
マスフローコントローラ、１３は混合ガスの導入管、１
４はガス吹き出し口を備えた電極、１５はドラム、１６
は真空チャンバー１７はシャフト、１８はモータ、１９
はポンプである。
の１例を示したブロック図である。同図において、１０
ａ〜１０８はそれぞれ、水素、アルゴン、メタン、ジボ
ラン、モノシランのボンベである。また１１α・〜１１
ｄはバルブ、１２ＣＬ〜１、２６１１ガス流景調整用の
マスフローコントローラ、１３は混合ガスの導入管、１
４はガス吹き出し口を備えた電極、１５はドラム、１６
は真空チャンバー１７はシャフト、１８はモータ、１９
はポンプである。
電極１４は、曲率半径の異なる２枚の円筒面が重なｐ合
った形状をなし側面は密べいされている、さらにドラム
に向い合う面には多数のガス吹き出しの穴があけである
。反対側の円筒面に複数のガス導入管が取９つけられて
、ガスのこの管から二つの円筒面と側面によって囲まり
、た空間ＶＣ導入され、穴を通してドラム側へと放出さ
れる。
った形状をなし側面は密べいされている、さらにドラム
に向い合う面には多数のガス吹き出しの穴があけである
。反対側の円筒面に複数のガス導入管が取９つけられて
、ガスのこの管から二つの円筒面と側面によって囲まり
、た空間ＶＣ導入され、穴を通してドラム側へと放出さ
れる。
第１図の装置によって、感光ドラム用のアモルファスノ
リコン膜の製造方法について説明する。
リコン膜の製造方法について説明する。
ポンプ１９によって、真空チャンバ１Ｇの内部を約Ｉ
Ｘ １０ ”Ｔｏｒｒ ｉで抽気し々がら、ドラムの温
度を２３０〜２５０℃に保つ。加熱はヒータを内蔵した
円柱状のドラムホルダーに円筒状のドラムをセットし内
部から加熱する方法、あるいは赤外線加熱を用いる。
Ｘ １０ ”Ｔｏｒｒ ｉで抽気し々がら、ドラムの温
度を２３０〜２５０℃に保つ。加熱はヒータを内蔵した
円柱状のドラムホルダーに円筒状のドラムをセットし内
部から加熱する方法、あるいは赤外線加熱を用いる。
ドラムの温度が所定の温度に達したととるで、水素、ア
ルゴン、メタン、ジボラン、およびモノシランガスをそ
れぞれマスフローコントローラによって流量制御を行な
い混合ガスとして真空チャンバ内に流す。各ガスの流量
比ｌま、感光ドラムの感光特性と大きな関係をもち、さ
らに最適値は高周波電力や、薄膜堆積時のドラムの温度
に依存する。１例をあげるならば、高周波電力が５００
Ｗ１ドヲムの温度が２３０℃の場合、各ガスの流量比は
水素を１．０としたとき、アルゴンがＯ６４，メタンが
０゜５．ジボランがＩ Ｘ ｌ１ｌ−’ 、モノシラン
が１．０である。
ルゴン、メタン、ジボラン、およびモノシランガスをそ
れぞれマスフローコントローラによって流量制御を行な
い混合ガスとして真空チャンバ内に流す。各ガスの流量
比ｌま、感光ドラムの感光特性と大きな関係をもち、さ
らに最適値は高周波電力や、薄膜堆積時のドラムの温度
に依存する。１例をあげるならば、高周波電力が５００
Ｗ１ドヲムの温度が２３０℃の場合、各ガスの流量比は
水素を１．０としたとき、アルゴンがＯ６４，メタンが
０゜５．ジボランがＩ Ｘ ｌ１ｌ−’ 、モノシラン
が１．０である。
さらに、ガスを流しているときの真空チャンバ内の圧力
が１Ｔｏｒｒになるようにガス流部を調節する。
が１Ｔｏｒｒになるようにガス流部を調節する。
この状態で電極１４とドラム１５との間で高周波放電を
起こすと導入ガスが分解して、ドラム１５の表面にアモ
ルファスシリコンの膜が形成される。
起こすと導入ガスが分解して、ドラム１５の表面にアモ
ルファスシリコンの膜が形成される。
膜厚の均一性を得るために、シャフト１７を通してモー
タ１８でドラムを回転さぜる。回転速度は１分間に約１
０回転である。
タ１８でドラムを回転さぜる。回転速度は１分間に約１
０回転である。
第２図は、第１図の電極１４を拡大して描−たものであ
る。
る。
同図において、２１は、ガス吹き出し口を有する電極の
外側の円筒面、２２は内側の円筒面、２３はガスの吹き
出し口である。また、２５はガスのシＶ気口を有する電
極の外側の円筒面、２６は内側の円筒面、２７はガスの
排気口である。さらに２８ａ〜２８ｄは混合ガスの導入
管、２９α〜２９ｄは排気用配管である。
外側の円筒面、２２は内側の円筒面、２３はガスの吹き
出し口である。また、２５はガスのシＶ気口を有する電
極の外側の円筒面、２６は内側の円筒面、２７はガスの
排気口である。さらに２８ａ〜２８ｄは混合ガスの導入
管、２９α〜２９ｄは排気用配管である。
第１図および第２図に示した装置を用いて、アモルファ
スシリコン感光体を作製する場合に大きな問題点が存在
する。
スシリコン感光体を作製する場合に大きな問題点が存在
する。
それは、反応ガスが分解し、電極の内側にもアモルファ
スシリコンが堆積することである。１回のデポジション
で基材」二に２０μｍのアモルファスシリコンをつける
ため、数回のデポジションを行なえば、電極上には容易
に、１００μｍ程度のアモルファスシリコンが堆積する
。
スシリコンが堆積することである。１回のデポジション
で基材」二に２０μｍのアモルファスシリコンをつける
ため、数回のデポジションを行なえば、電極上には容易
に、１００μｍ程度のアモルファスシリコンが堆積する
。
電極は熱変形を防ぐため、厚いステンレス板等で作られ
ておシ、１ｏＦｆ近いｆｌｉｔを有する。したがって取
りはすしも容易でなく堆積したアモルファスシリコンの
除去が難しい。１Ｅ極上に堆積したアモルファスシリコ
ン膜を放置しておくと、やがてはがれ落ち、粉が感光ド
ラム基１１上に付着しピンホールの原因となる。
ておシ、１ｏＦｆ近いｆｌｉｔを有する。したがって取
りはすしも容易でなく堆積したアモルファスシリコンの
除去が難しい。１Ｅ極上に堆積したアモルファスシリコ
ン膜を放置しておくと、やがてはがれ落ち、粉が感光ド
ラム基１１上に付着しピンホールの原因となる。
また、電極を取シはずさないで、電極面上に堆積したア
モルファスシリコンを除去する方法として、ガーゼ等で
こすシ取る方法もあるが、電極に対トるアモルファスシ
リコンの■′ｉ着性が強すため非常に時間と労力を要す
る。
モルファスシリコンを除去する方法として、ガーゼ等で
こすシ取る方法もあるが、電極に対トるアモルファスシ
リコンの■′ｉ着性が強すため非常に時間と労力を要す
る。
本発明はかかる欠点を除去したものであって、その目的
とするところは、電極面上にアモルファスシリコンが堆
積するのを阻止し、掃除する時間を短縮することにある
。
とするところは、電極面上にアモルファスシリコンが堆
積するのを阻止し、掃除する時間を短縮することにある
。
第３図は本発明の円筒である。同図において３１は絶縁
物の円筒、３２は穴である。円筒の直径は外周が電極の
内側にほぼ接する程度である。穴３２はその位置を電極
のガス吹き出し口の位置とほぼ同じとし、穴の大きさは
ガス吹き出し口よシ若干大きめである。
物の円筒、３２は穴である。円筒の直径は外周が電極の
内側にほぼ接する程度である。穴３２はその位置を電極
のガス吹き出し口の位置とほぼ同じとし、穴の大きさは
ガス吹き出し口よシ若干大きめである。
円筒の拐質は、アルミナ、アルマイト処理した金属等、
表面の絶縁性が完全であれば例でもよいが、汚染の少な
さ、加工のしやすさ、化学的な洗浄のしやすさからみて
、石英が優れてｂる。
表面の絶縁性が完全であれば例でもよいが、汚染の少な
さ、加工のしやすさ、化学的な洗浄のしやすさからみて
、石英が優れてｂる。
第３図に示した円筒を電極の内側にはめ込むことνζよ
り、分解したガスは電極上ではなく、円筒の内側にアモ
ルファスシリコンとなって堆積する。
り、分解したガスは電極上ではなく、円筒の内側にアモ
ルファスシリコンとなって堆積する。
したがって１ザイクルのデポジションが終るたびにとの
円筒を取、り出して弗硝酸と純水で洗浄すｈ ｔｒｙ：
’ｔＭ 時間でしかも容易にアモルファスシリコンを
除去できる。また、この円筒を入れたことによってプラ
ズマ条件はほとんど影響を受けない。
円筒を取、り出して弗硝酸と純水で洗浄すｈ ｔｒｙ：
’ｔＭ 時間でしかも容易にアモルファスシリコンを
除去できる。また、この円筒を入れたことによってプラ
ズマ条件はほとんど影響を受けない。
従来の方法では１ザイクルのデポジションが終る毎に電
除の掃除をしても約３０分を要した。本発明の場合には
第３図の円筒を２本用意しておいて交換して使用寸れば
、わずか２〜３分ですむ。
除の掃除をしても約３０分を要した。本発明の場合には
第３図の円筒を２本用意しておいて交換して使用寸れば
、わずか２〜３分ですむ。
このような２〜３分と３０分との時間差は、聞産機のよ
うに２０〜３０本同時にデポジションする場合には大き
な差となる。
うに２０〜３０本同時にデポジションする場合には大き
な差となる。
上記の説明ではアモルファスシリコンについて説明した
が、必ずしもアモルファスシリコンに限るものではなく
、ＳｉＯ２やＳ？：３Ｎ４等の絶縁物の場合も本発明の
効果は寸りたく同じである。
が、必ずしもアモルファスシリコンに限るものではなく
、ＳｉＯ２やＳ？：３Ｎ４等の絶縁物の場合も本発明の
効果は寸りたく同じである。
また、電極が円筒状でなく、たとえば平行平板タイプの
場合でも絶縁物板を電極面上におくことによｐ本発明と
同様の効果をあげることができる。
場合でも絶縁物板を電極面上におくことによｐ本発明と
同様の効果をあげることができる。
以上の説明かられかるように、本発明は効果、利用範囲
共に大きいものである。
共に大きいものである。
ｉｆｆ １図は従来のアモルファスシリコン感光体製造
装買のブロック図、第２図は第１図の電極を拡大して示
し７６図、そして第３図は本発明に用いた円筒の図であ
る。 ２１・・・・・外側の円筒面 ２２・・・・・内側の円筒面 ２３・・・・帝ガスの吹き出し口 ２５・・・・・外側の円筒面 ２６・・・・・内側の円筒頂１ ２７・・・・・ガスーｉノド気口 ２８ ａ −ｄ ・・混合ガスの導入管２９ａ〜ｄ・・
排気用配管 ３１・・・・・絶縁物の円筒 ３２・・・−・穴 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 第１Ｌ
装買のブロック図、第２図は第１図の電極を拡大して示
し７６図、そして第３図は本発明に用いた円筒の図であ
る。 ２１・・・・・外側の円筒面 ２２・・・・・内側の円筒面 ２３・・・・帝ガスの吹き出し口 ２５・・・・・外側の円筒面 ２６・・・・・内側の円筒頂１ ２７・・・・・ガスーｉノド気口 ２８ ａ −ｄ ・・混合ガスの導入管２９ａ〜ｄ・・
排気用配管 ３１・・・・・絶縁物の円筒 ３２・・・−・穴 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 第１Ｌ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １１）真空系内にガス放電口を備えた放電電極、排気口
、ならびに薄膜を形成するための基材を有するプラズマ
ＣＶＤ装置において、放電電極と人相との間に穴を有す
る絶縁物を配置したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装
置。 （２１放電電極ならびに絶縁物が円筒状をなしたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプヲズマＣｖＤ
装置。 １３）絶縁物として石英を用いたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のプヲズマＣｖＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20076982A JPS5990631A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20076982A JPS5990631A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5990631A true JPS5990631A (ja) | 1984-05-25 |
Family
ID=16429863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20076982A Pending JPS5990631A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5990631A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009068622A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Akebono Brake Ind Co Ltd | ディスクブレーキのテコ式ブレーキ摺動型リンク機構 |
| JP2009068678A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Akebono Brake Ind Co Ltd | ディスクブレーキのブレーキトルク受け機構 |
| JP2009162340A (ja) * | 2008-01-09 | 2009-07-23 | Akebono Brake Ind Co Ltd | ディスクブレーキの防振ゴムによるブレーキトルク受け機構 |
-
1982
- 1982-11-16 JP JP20076982A patent/JPS5990631A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009068622A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Akebono Brake Ind Co Ltd | ディスクブレーキのテコ式ブレーキ摺動型リンク機構 |
| JP2009068678A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Akebono Brake Ind Co Ltd | ディスクブレーキのブレーキトルク受け機構 |
| JP2009162340A (ja) * | 2008-01-09 | 2009-07-23 | Akebono Brake Ind Co Ltd | ディスクブレーキの防振ゴムによるブレーキトルク受け機構 |
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