JPH0411628B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0411628B2 JPH0411628B2 JP61113156A JP11315686A JPH0411628B2 JP H0411628 B2 JPH0411628 B2 JP H0411628B2 JP 61113156 A JP61113156 A JP 61113156A JP 11315686 A JP11315686 A JP 11315686A JP H0411628 B2 JPH0411628 B2 JP H0411628B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- gas
- vacuum container
- container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は真空容器内で電離気体反応を利用し
て、又は気体を活性化させて基板上にその物質の
薄膜を形成するプラズマCVD装置に関する。
て、又は気体を活性化させて基板上にその物質の
薄膜を形成するプラズマCVD装置に関する。
従来のプラズマCVD装置では一般に、高周波
電圧が印加される電極と、基板を支持する手段
と、前記基板を加熱する手段とを設け、前記真空
容器内に導入される原料気体を前記電極により形
成される電界によつて分解又は活性化して前記原
料気体より薄膜を前記基板上に堆積するようにし
ている。真空容器内は所定の圧力、組成、流量に
保つて原料気体は電離、分解、又は活性化され
て、所定の温度に加熱された基板上に薄膜が形成
されるのであるが、基板上以外にも堆積が生じ、
これが継続すると、この部分からはく離が生じフ
レーク状となつて基板上に付着することがある。
これは基板の堆積膜に欠陥を生ずる原因となり、
所望の特性が得られなくなる。このような堆積及
びはく離は特に電極表面で顕著であり、定期的な
クリーニングが必要であつた。装置によつてはこ
のクリーニング作業のため生産性を大きく低下さ
せている。
電圧が印加される電極と、基板を支持する手段
と、前記基板を加熱する手段とを設け、前記真空
容器内に導入される原料気体を前記電極により形
成される電界によつて分解又は活性化して前記原
料気体より薄膜を前記基板上に堆積するようにし
ている。真空容器内は所定の圧力、組成、流量に
保つて原料気体は電離、分解、又は活性化され
て、所定の温度に加熱された基板上に薄膜が形成
されるのであるが、基板上以外にも堆積が生じ、
これが継続すると、この部分からはく離が生じフ
レーク状となつて基板上に付着することがある。
これは基板の堆積膜に欠陥を生ずる原因となり、
所望の特性が得られなくなる。このような堆積及
びはく離は特に電極表面で顕著であり、定期的な
クリーニングが必要であつた。装置によつてはこ
のクリーニング作業のため生産性を大きく低下さ
せている。
本発明は上記問題に鑑みてなされ、電極表面へ
の原料気体の堆積を防ぎ、クリーニングの作業回
数を極力少なくすることができるプラズマCVD
装置を提供することを目的とする。
の原料気体の堆積を防ぎ、クリーニングの作業回
数を極力少なくすることができるプラズマCVD
装置を提供することを目的とする。
以上の目的は、真空容器内に配設され高周波電
圧が印加される電極と、前記電極に対向して基板
を支持する手段と、前記基板を加熱する手段とを
設け、前記真空容器内に導入される原料気体を前
記電極により形成される電界によつて分解又は活
性化して薄膜を前記基板上に堆積するようにした
プラズマCVD装置において、前記電極に多数の
開口を形成し、これら開口に接続され希ガスある
いは前記電界により分解又は活性化されても前記
原料気体とは反応しない気体を前記真空容器内へ
導入するための手段及び前記原料気体を前記電極
と前記基板との間の空間に前記基板表面に沿つて
前記真空容器内に導入するための手段を設けたこ
とを特徴とするプラズマCVD装置によつて達成
される。
圧が印加される電極と、前記電極に対向して基板
を支持する手段と、前記基板を加熱する手段とを
設け、前記真空容器内に導入される原料気体を前
記電極により形成される電界によつて分解又は活
性化して薄膜を前記基板上に堆積するようにした
プラズマCVD装置において、前記電極に多数の
開口を形成し、これら開口に接続され希ガスある
いは前記電界により分解又は活性化されても前記
原料気体とは反応しない気体を前記真空容器内へ
導入するための手段及び前記原料気体を前記電極
と前記基板との間の空間に前記基板表面に沿つて
前記真空容器内に導入するための手段を設けたこ
とを特徴とするプラズマCVD装置によつて達成
される。
電極表面に不活性気体又は電界により分解又は
活性化されても基板上に堆積物を形成しない気体
の層が形成され、原料気体が電界により分解され
て又は活性化されて生成した堆積物の前駆体が電
極面に付着しにくゝなり、電極表面における膜形
成速度を大巾に減ずることができる。従つてはく
離が生じるまでの期間が長くなりクリーニング作
業回数を減らすことができ、装置稼動率も向上す
ることができる。
活性化されても基板上に堆積物を形成しない気体
の層が形成され、原料気体が電界により分解され
て又は活性化されて生成した堆積物の前駆体が電
極面に付着しにくゝなり、電極表面における膜形
成速度を大巾に減ずることができる。従つてはく
離が生じるまでの期間が長くなりクリーニング作
業回数を減らすことができ、装置稼動率も向上す
ることができる。
以下、本発明の実施例によるプラズマCVD装
置について図面を参照して説明する。
置について図面を参照して説明する。
図において、真空容器１はほゞ円筒状であり、
この周壁部を形成するように円筒状の電極４が設
けられ、これと他の容器部分との間にはリング状
の絶縁材３ａ，３ｂが介在している。電極４内に
は円筒状の中空間５が形成され、その内壁面には
多数の小孔７が設けられている。また外壁面には
ガス供給口６が設けられ、こゝを通つて希ガスタ
ンク１４から希ガス（例えば、He，Ar，Ne，
Xeなどのいずれか）が中空間５内に導入される。
すなわち、ガス供給口６及び中空間５によつて希
ガスを真空容器１内に導入する手段が構成され
る。
この周壁部を形成するように円筒状の電極４が設
けられ、これと他の容器部分との間にはリング状
の絶縁材３ａ，３ｂが介在している。電極４内に
は円筒状の中空間５が形成され、その内壁面には
多数の小孔７が設けられている。また外壁面には
ガス供給口６が設けられ、こゝを通つて希ガスタ
ンク１４から希ガス（例えば、He，Ar，Ne，
Xeなどのいずれか）が中空間５内に導入される。
すなわち、ガス供給口６及び中空間５によつて希
ガスを真空容器１内に導入する手段が構成され
る。
容器１内には円筒状の基板８（例えばシリコン
等の半導体やアルモニウム等の金属）が基板支持
台９に取り付けられ、回転駆動機構１０によつて
回転させられるようになつている。基板８内には
ヒータ１１が配設され、これは外部の電源１２に
より所定の電流が供給される。容器１の上壁部に
形成されるガス供給口１５を通つて反応ガスタン
ク１３から反応ガス（例えばシラン）が容器１内
に導入される。容器２の下壁部には排気口２が形
成され、これは図示せずとも排気機構に接続され
る。すなわちガス供給口１５及び排気口２によつ
て反応ガスを真空容器１内に導入する手段が構成
されている。電極４には図示するように高周波交
流電源１６が接続される。
等の半導体やアルモニウム等の金属）が基板支持
台９に取り付けられ、回転駆動機構１０によつて
回転させられるようになつている。基板８内には
ヒータ１１が配設され、これは外部の電源１２に
より所定の電流が供給される。容器１の上壁部に
形成されるガス供給口１５を通つて反応ガスタン
ク１３から反応ガス（例えばシラン）が容器１内
に導入される。容器２の下壁部には排気口２が形
成され、これは図示せずとも排気機構に接続され
る。すなわちガス供給口１５及び排気口２によつ
て反応ガスを真空容器１内に導入する手段が構成
されている。電極４には図示するように高周波交
流電源１６が接続される。
本発明の実施例は以上のように構成されるが、
次にこの作用、効果などについて説明する。
次にこの作用、効果などについて説明する。
まず、真空容器１内は排気機構により排気口２
を介して所定の真空度にまで排気される。次いで
ヒータ１１に通電され、これにより基板８は所定
の温度にまで加熱される。更に所定の圧力及び流
量で反応ガスタンク１３から反応ガスが容器１内
に導入される。また希ガスタンク１４からの希ガ
スが電極４の内壁面の小孔７から容器１内に導入
される。
を介して所定の真空度にまで排気される。次いで
ヒータ１１に通電され、これにより基板８は所定
の温度にまで加熱される。更に所定の圧力及び流
量で反応ガスタンク１３から反応ガスが容器１内
に導入される。また希ガスタンク１４からの希ガ
スが電極４の内壁面の小孔７から容器１内に導入
される。
容器１内が定常状態に達した後、高周波電源１
６が駆動され、電極４に高周波電圧が印加され
る。容器１内に導入された反応ガスは電極４によ
つて形成される電界により電離される。もしくは
活性化される。これにより反応ガス物質が基板８
上に堆積する。基板８は回転駆動機構１０により
回転させられているので基板８上には一様な層厚
で反応ガス物質が堆積する。
６が駆動され、電極４に高周波電圧が印加され
る。容器１内に導入された反応ガスは電極４によ
つて形成される電界により電離される。もしくは
活性化される。これにより反応ガス物質が基板８
上に堆積する。基板８は回転駆動機構１０により
回転させられているので基板８上には一様な層厚
で反応ガス物質が堆積する。
電極４の内壁面の多数の小孔７からは希ガスが
吹き出しており、このガスが電極表面にガス層を
形成しているので電離空間もしくは活性化空間か
ら供給されてくる堆積の前駆物質を電極表面に極
力付着させないようにすることができる。従つて
はく離が生ずるほど堆積層が厚くなるまでの期間
が相当長くなり、クリーニング作業の回数を減少
させることができる。またこれにより装置稼動率
を向上させることができる。
吹き出しており、このガスが電極表面にガス層を
形成しているので電離空間もしくは活性化空間か
ら供給されてくる堆積の前駆物質を電極表面に極
力付着させないようにすることができる。従つて
はく離が生ずるほど堆積層が厚くなるまでの期間
が相当長くなり、クリーニング作業の回数を減少
させることができる。またこれにより装置稼動率
を向上させることができる。
以上、本発明の実施例について説明したが、勿
論、本発明はこれに限定されることなく、本発明
の技術的思想に基づいて種々の変形が可能であ
る。
論、本発明はこれに限定されることなく、本発明
の技術的思想に基づいて種々の変形が可能であ
る。
例えば以上の実施例では電極４の小孔７から不
活性ガスを吹き出すようにしたが、これに代えて
電界により分解されても、あるいは活性化されて
も堆積物を生じない気体、例えばH2やハロゲン
系のエツチングガスなどが用いられてもよい。
活性ガスを吹き出すようにしたが、これに代えて
電界により分解されても、あるいは活性化されて
も堆積物を生じない気体、例えばH2やハロゲン
系のエツチングガスなどが用いられてもよい。
また以上の実施例では真空容器１の図壁の一部
を構成するように電極４を設けたが、これに代
え、同様な形状の電極を円筒状容器内に同軸的に
配設するようにしてもよい。また、通常の平行平
板型プラズマCVD装置の高周波電極にも本発明
は適用可能である。
を構成するように電極４を設けたが、これに代
え、同様な形状の電極を円筒状容器内に同軸的に
配設するようにしてもよい。また、通常の平行平
板型プラズマCVD装置の高周波電極にも本発明
は適用可能である。
また以上の実施例では電極に小孔を多数形成し
たが、これに代え、多数のスリツトを形成するよ
うにしてもよい。
たが、これに代え、多数のスリツトを形成するよ
うにしてもよい。
以上述べたように本発明のプラズマCVD装置
によれば、電極面のクリーニングのサイクルを大
巾に長くすることができ、装置稼動率を向上させ
ることができる。また製品の安定化を図ることが
できる。
によれば、電極面のクリーニングのサイクルを大
巾に長くすることができ、装置稼動率を向上させ
ることができる。また製品の安定化を図ることが
できる。
図面は本発明の実施例のプラズマCVD装置の
縦断面図である。 なお図において、４……電極、７……小孔、１
４……希ガスタンク。
縦断面図である。 なお図において、４……電極、７……小孔、１
４……希ガスタンク。
Claims (1)
- １ 真空容器内に配設され高周波電圧が印加され
る電極と、前記電極に対向して基板を支持する手
段と、前記基板を加熱する手段とを設け、前記真
空容器内に導入される原料気体を前記電極により
形成される電界によつて分解又は活性化して薄膜
を前記基板上に堆積するようにしたプラズマ
CVD装置において、前記電極に多数の開口を形
成し、これら開口に接続され希ガスあるいは前記
電界により分解又は活性化されても前記原料気体
とは反応しない気体を前記真空容器内へ導入する
ための手段及び前記原料気体を前記電極と前記基
板との間の空間に前記基板表面に沿つて前記真空
容器内に導入するための手段を設けたことを特徴
とするプラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11315686A JPS62270777A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11315686A JPS62270777A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62270777A JPS62270777A (ja) | 1987-11-25 |
| JPH0411628B2 true JPH0411628B2 (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=14604981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11315686A Granted JPS62270777A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62270777A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001059177A1 (fr) * | 2000-02-14 | 2001-08-16 | Ebara Corporation | Tuyau d'echappement equipe de moyens permettant de prevenir l'agglutination de sous-produit reactif et procede permettant de prevenir l'agglutination |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5093150A (en) * | 1989-04-20 | 1992-03-03 | Alps Electric Co., Ltd. | Synthesis method by plasma chemical vapor deposition |
| JP4073140B2 (ja) * | 2000-03-01 | 2008-04-09 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜形成装置及び薄膜製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5391665A (en) * | 1977-01-24 | 1978-08-11 | Hitachi Ltd | Plasma cvd device |
-
1986
- 1986-05-16 JP JP11315686A patent/JPS62270777A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5391665A (en) * | 1977-01-24 | 1978-08-11 | Hitachi Ltd | Plasma cvd device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001059177A1 (fr) * | 2000-02-14 | 2001-08-16 | Ebara Corporation | Tuyau d'echappement equipe de moyens permettant de prevenir l'agglutination de sous-produit reactif et procede permettant de prevenir l'agglutination |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62270777A (ja) | 1987-11-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09148322A (ja) | シリコン酸化膜の成膜方法及びプラズマｃｖｄ成膜装置 | |
| JPH04123257U (ja) | バイアスｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 | |
| EP0992606B1 (en) | A method of applying a coating to a metallic article | |
| JPH11168094A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0411628B2 (ja) | ||
| JP2000328248A (ja) | 薄膜形成装置のクリーニング方法及び薄膜形成装置 | |
| JPH0568096B2 (ja) | ||
| JP2005191023A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0560650B2 (ja) | ||
| JP2701242B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置用電極構造 | |
| JPH0119467B2 (ja) | ||
| JPS643338B2 (ja) | ||
| JPH01188678A (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| JP2646582B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS6086277A (ja) | 放電による堆積膜の形成方法 | |
| JP2844771B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH05156454A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH02185978A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH02150025A (ja) | Ｄ．ｃ．グローまたはプラズマ放電によるプラズマエッチング、基体洗浄または基体への材料蒸着方法およびその装置 | |
| JPH07201742A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS61199068A (ja) | 筒状導体部材のセラミツクス被覆法およびそのための装置 | |
| JPS63253617A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH05217915A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH10189461A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3649687B2 (ja) | 金属膜作製装置及び金属膜作製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |