JPH06140342A - プラズマｃｖｄ装置のクリーニング方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置のクリーニング方法Info
- Publication number
- JPH06140342A JPH06140342A JP28993192A JP28993192A JPH06140342A JP H06140342 A JPH06140342 A JP H06140342A JP 28993192 A JP28993192 A JP 28993192A JP 28993192 A JP28993192 A JP 28993192A JP H06140342 A JPH06140342 A JP H06140342A
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- JP
- Japan
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- plasma
- cleaning
- electrode
- gas
- processing chamber
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマＣＶＤ装置のエッチングクリーニン
グを短時間で行なう方法を提供する 【構成】 プラズマＣＶＤ装置の真空処理室２内の構成
部材のクリーニングを反応性ガスの代わりにＣＦ4等の
エッチングガスを導入してプラズマを発生させ乍ら行な
うようにした方法に於いて、該真空処理室内のプラズマ
にさらされる電極１３等の部材の少なくとも表面をニッ
ケルその他の該反応性ガスに対する耐蝕性のある材料で
覆い、これらの部材を含む該真空処理室内が２００℃以
上の加熱状態で該エッチングガスを導入してプラズマを
発生させ乍ら行なうようにした 【効果】 迅速にプラズマクリーニングを終了すること
ができ、装置稼働効率を高めることができる
グを短時間で行なう方法を提供する 【構成】 プラズマＣＶＤ装置の真空処理室２内の構成
部材のクリーニングを反応性ガスの代わりにＣＦ4等の
エッチングガスを導入してプラズマを発生させ乍ら行な
うようにした方法に於いて、該真空処理室内のプラズマ
にさらされる電極１３等の部材の少なくとも表面をニッ
ケルその他の該反応性ガスに対する耐蝕性のある材料で
覆い、これらの部材を含む該真空処理室内が２００℃以
上の加熱状態で該エッチングガスを導入してプラズマを
発生させ乍ら行なうようにした 【効果】 迅速にプラズマクリーニングを終了すること
ができ、装置稼働効率を高めることができる
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶ディスプレー用薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の量産に使用されるプラズ
マＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置のクリー
ニング方法に関する。
膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の量産に使用されるプラズ
マＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置のクリー
ニング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＴＦＴの製造に使用されるプラズ
マＣＶＤ装置として、トレイに載せられた基板が外部か
ら搬入・搬出され、該基板を予備加熱するヒーターを備
えた真空化可能な仕込・取出室と、該仕込・取出室に連
続して設けた該トレイと共に搬送される基板に成膜を施
す真空処理室とを備えた構成のものが知られている。該
基板を真空ポンプで真空に排気された真空処理室内の電
極上に載せ、ＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏ等の反応性ガスを
該真空処理室に導入し、該基板を加熱しながら高周波電
力を該電極に投入すると、反応性ガスのプラズマが発生
してその電離したガス成分が加熱された基板の表面で化
学反応し、その表面に膜が形成される。
マＣＶＤ装置として、トレイに載せられた基板が外部か
ら搬入・搬出され、該基板を予備加熱するヒーターを備
えた真空化可能な仕込・取出室と、該仕込・取出室に連
続して設けた該トレイと共に搬送される基板に成膜を施
す真空処理室とを備えた構成のものが知られている。該
基板を真空ポンプで真空に排気された真空処理室内の電
極上に載せ、ＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏ等の反応性ガスを
該真空処理室に導入し、該基板を加熱しながら高周波電
力を該電極に投入すると、反応性ガスのプラズマが発生
してその電離したガス成分が加熱された基板の表面で化
学反応し、その表面に膜が形成される。
【０００３】こうした成膜の際、該トレイ、電極表面や
リフレクター、真空処理室の内壁等の該室内に設けられ
た各種部材の表面にも膜（粉）が付着し、これが或る程
度堆積すると剥離して成膜中の基板に付着し、製品の歩
留まりを招くので、定期的にクリーニングをしてこれを
除去する必要がある。具体的には２日間程度連続稼働し
たのち１．５日程度を費やしてクリーニングをしてい
る。このクリーニングは、真空処理室内の温度を下げた
のち大気に開放し、その内部の部品を交換することによ
り行なわれ、これがすむと再び室内を真空排気し加熱し
て装置を再稼働させる。交換した部品は、オフラインで
別の場所に移動してガラスビーズブラスト（ＧＢＢ）等
の洗浄処理により再生する。しかし、このクリーニング
方法は汚くきつい作業を伴い多大の時間と工数を必要と
するので、真空処理室内に反応ガスの代わりにＣＦ4＋
Ｏ2ガス等のエッチングガスを流しながらプラズマを発
生させ、エッチングによるクリーニングする方法も行な
われている。このエッチングクリーニングはプラズマＣ
ＶＤ装置の設備を利用して行なうので、成膜時に付着し
た膜を全面に亘って室内を大気に開放せずに除去でき、
作業性は良いが、クリーニングに要する時間は殆ど部品
交換の場合と変わらない。また、太陽電池を製造する工
程でＮＦ3ガスによるエッチングクリーニングも行なわ
れている。
リフレクター、真空処理室の内壁等の該室内に設けられ
た各種部材の表面にも膜（粉）が付着し、これが或る程
度堆積すると剥離して成膜中の基板に付着し、製品の歩
留まりを招くので、定期的にクリーニングをしてこれを
除去する必要がある。具体的には２日間程度連続稼働し
たのち１．５日程度を費やしてクリーニングをしてい
る。このクリーニングは、真空処理室内の温度を下げた
のち大気に開放し、その内部の部品を交換することによ
り行なわれ、これがすむと再び室内を真空排気し加熱し
て装置を再稼働させる。交換した部品は、オフラインで
別の場所に移動してガラスビーズブラスト（ＧＢＢ）等
の洗浄処理により再生する。しかし、このクリーニング
方法は汚くきつい作業を伴い多大の時間と工数を必要と
するので、真空処理室内に反応ガスの代わりにＣＦ4＋
Ｏ2ガス等のエッチングガスを流しながらプラズマを発
生させ、エッチングによるクリーニングする方法も行な
われている。このエッチングクリーニングはプラズマＣ
ＶＤ装置の設備を利用して行なうので、成膜時に付着し
た膜を全面に亘って室内を大気に開放せずに除去でき、
作業性は良いが、クリーニングに要する時間は殆ど部品
交換の場合と変わらない。また、太陽電池を製造する工
程でＮＦ3ガスによるエッチングクリーニングも行なわ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のエッチングクリ
ーニングを行なう場合、クリーニングの際にヒーターを
ＯＦＦにしてヒーター、電極、トレイ等の真空処理室内
の温度を１００℃以下に下げて行なわなければならなか
った。プラズマＣＶＤの成膜の際は、これらの部分は約
２５０〜３５０℃に加熱されており、この温度を１００
℃以下に下げるために約８時間掛り、再稼働させるため
にこれらの部分を昇温させるに必要な時間が１０時間も
掛かるので、クリーニングに要する時間が長すぎて装置
の実効稼働率が悪くなるという問題がある。また、温度
を下げてＣＦ4系のエッチングガスでクリーニングする
と、低温部分にＣＦ系の重合膜が付着してクリーニング
の意味がなくなる現象が見られ、低温であるためにエッ
チング速度が比較的遅くなる不都合を解決するためにＳ
Ｆ6ガスを使用すると、Ｓを主成分とする析出物（重合
物）が発生してやはりクリーニング性が損なわれて好ま
しくない。半導体製造工程と異なりＴＦＴのような基板
サイズが大きい場合、プラズマにさらされるトレイや電
極も大きくなり、これらが構造上の丈夫さを持ち且つ表
面処理の容易さを持つためには使用できる材料が制限さ
れ、通常、その表面材料がステンレス系の材料が使用さ
れているため、高温でのエッチングクリーニングは構成
部材が腐蝕するので行なえない。
ーニングを行なう場合、クリーニングの際にヒーターを
ＯＦＦにしてヒーター、電極、トレイ等の真空処理室内
の温度を１００℃以下に下げて行なわなければならなか
った。プラズマＣＶＤの成膜の際は、これらの部分は約
２５０〜３５０℃に加熱されており、この温度を１００
℃以下に下げるために約８時間掛り、再稼働させるため
にこれらの部分を昇温させるに必要な時間が１０時間も
掛かるので、クリーニングに要する時間が長すぎて装置
の実効稼働率が悪くなるという問題がある。また、温度
を下げてＣＦ4系のエッチングガスでクリーニングする
と、低温部分にＣＦ系の重合膜が付着してクリーニング
の意味がなくなる現象が見られ、低温であるためにエッ
チング速度が比較的遅くなる不都合を解決するためにＳ
Ｆ6ガスを使用すると、Ｓを主成分とする析出物（重合
物）が発生してやはりクリーニング性が損なわれて好ま
しくない。半導体製造工程と異なりＴＦＴのような基板
サイズが大きい場合、プラズマにさらされるトレイや電
極も大きくなり、これらが構造上の丈夫さを持ち且つ表
面処理の容易さを持つためには使用できる材料が制限さ
れ、通常、その表面材料がステンレス系の材料が使用さ
れているため、高温でのエッチングクリーニングは構成
部材が腐蝕するので行なえない。
【０００５】本発明は、プラズマＣＶＤ装置のエッチン
グクリーニングを短時間で行なう方法を提供することを
目的とするものである。
グクリーニングを短時間で行なう方法を提供することを
目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では、排気系を備
えたプラズマＣＶＤ装置の真空処理室内に互いに対向す
る電極を設け、その一方の電極に直流もしくは交流の電
源を接続し、他方の電極に基板を装着してこれを該一方
の電極に対して電位差を与え、該真空処理室内にＳｉ2
Ｈ6等の反応性ガスを導入しながらプラズマを発生させ
て該基板に成膜した後、該真空処理室内の電極等の構成
部材の部材の表面のクリーニングを該反応性ガスの代わ
りにＣＦ4等のエッチングガスを導入してプラズマを発
生させ乍ら行なうようにしたプラズマＣＶＤ装置のクリ
ーニング方法に於いて、該真空処理室内のプラズマにさ
らされる電極等の部材の少なくとも表面をニッケルその
他の該反応性ガスに対する耐蝕性のある材料で覆い、こ
れらの部材を含む該真空処理室内が２００℃以上の加熱
状態で該エッチングガスを導入してプラズマを発生させ
乍ら行なうようにすることにより、上記の目的を達成す
るようにした。
えたプラズマＣＶＤ装置の真空処理室内に互いに対向す
る電極を設け、その一方の電極に直流もしくは交流の電
源を接続し、他方の電極に基板を装着してこれを該一方
の電極に対して電位差を与え、該真空処理室内にＳｉ2
Ｈ6等の反応性ガスを導入しながらプラズマを発生させ
て該基板に成膜した後、該真空処理室内の電極等の構成
部材の部材の表面のクリーニングを該反応性ガスの代わ
りにＣＦ4等のエッチングガスを導入してプラズマを発
生させ乍ら行なうようにしたプラズマＣＶＤ装置のクリ
ーニング方法に於いて、該真空処理室内のプラズマにさ
らされる電極等の部材の少なくとも表面をニッケルその
他の該反応性ガスに対する耐蝕性のある材料で覆い、こ
れらの部材を含む該真空処理室内が２００℃以上の加熱
状態で該エッチングガスを導入してプラズマを発生させ
乍ら行なうようにすることにより、上記の目的を達成す
るようにした。
【０００７】
【作用】真空に排気された真空処理室内の電極上に基板
を搬入してこれを加熱し、反応性ガスを該室内に導入し
たのち電源から該電極へ直流或いは交流電力を投入する
と、プラズマが発生して該反応性ガスが電離し、加熱さ
れた基板の表面に電離した反応性ガスの成分が薄膜状に
付着してプラズマＣＶＤの成膜が行なわれる。この成膜
を繰り返すと、基板以外の電極やトレイ、リフレクタ
ー、室壁等にも膜が付着するので、定期的に該室内をク
リーニングするが、このときには該室内の構成部材や内
壁面の温度を２００℃〜３５０℃の高温状態にしてお
き、反応性ガスの代わりにＣＦ4、ＮＦ3、ＳＦ6等のエ
ッチングガスを該室内へ導入し、該電極に成膜時と同じ
電力を投入する。これにより該電極の表面付近にプラズ
マが発生してエッチングガスが電離され、イオン、ラジ
カルが電極やトレイ等に衝突してこれらに付着した膜を
剥ぎ落とされる。該プラズマにさらされる電極等の構成
部材はニッケルやニッケル合金等の耐蝕性の材料で覆わ
れているので、これらの部材を高温でエッチングクリー
ニングしても腐蝕することがなく、高温であるためエッ
チングガスの重合膜がこれらの部材に重合析出すること
もなく、しかも該室内全体が高温であるため高速でクリ
ーニングできる。また、これら構成部材を含む室内の温
度はプラズマＣＶＤの成膜時の温度程度であるので、短
時間でクリーニングを開始でき、その終了後には殆ど温
度調整することなく再びプラズマＣＶＤの成膜を開始で
きるので、装置の稼働効率が高まる。
を搬入してこれを加熱し、反応性ガスを該室内に導入し
たのち電源から該電極へ直流或いは交流電力を投入する
と、プラズマが発生して該反応性ガスが電離し、加熱さ
れた基板の表面に電離した反応性ガスの成分が薄膜状に
付着してプラズマＣＶＤの成膜が行なわれる。この成膜
を繰り返すと、基板以外の電極やトレイ、リフレクタ
ー、室壁等にも膜が付着するので、定期的に該室内をク
リーニングするが、このときには該室内の構成部材や内
壁面の温度を２００℃〜３５０℃の高温状態にしてお
き、反応性ガスの代わりにＣＦ4、ＮＦ3、ＳＦ6等のエ
ッチングガスを該室内へ導入し、該電極に成膜時と同じ
電力を投入する。これにより該電極の表面付近にプラズ
マが発生してエッチングガスが電離され、イオン、ラジ
カルが電極やトレイ等に衝突してこれらに付着した膜を
剥ぎ落とされる。該プラズマにさらされる電極等の構成
部材はニッケルやニッケル合金等の耐蝕性の材料で覆わ
れているので、これらの部材を高温でエッチングクリー
ニングしても腐蝕することがなく、高温であるためエッ
チングガスの重合膜がこれらの部材に重合析出すること
もなく、しかも該室内全体が高温であるため高速でクリ
ーニングできる。また、これら構成部材を含む室内の温
度はプラズマＣＶＤの成膜時の温度程度であるので、短
時間でクリーニングを開始でき、その終了後には殆ど温
度調整することなく再びプラズマＣＶＤの成膜を開始で
きるので、装置の稼働効率が高まる。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づき説明すると、
図１は仕込・取出室１に真空処理室２を仕切バルブ３を
介して連設したロードロック型のプラズマＣＶＤ装置を
示し、該仕込・取出室１内には仕切バルブ４を介して外
部からガラス等の基板５を載せたトレイ６が出入れされ
る。７は該仕込・取出室１内の基板５を加熱するヒータ
ーである。該真空処理室２は、メカニカルブースターポ
ンプ等の真空ポンプに接続された排気口８と、Ｓｉ
Ｈ4、Ｓｉ2Ｈ6、ＮＨ3、Ｎ2Ｏ等の反応性ガス或いはＣ
Ｆ4、ＮＦ3、ＳＦ6、ＣｌＦ3等のエッチングガスを導入
するガス導入口９を備え、該室２の内部には、基板５を
加熱するヒーター１０と、１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を出力する電源１１に整合器１２を介して接続した中
空多孔のシャワープレート形の電極１３が設けられ、ト
レイ６はアースされて該電極１３に対して対向電極とし
て作用する。該トレイ６に載せられた基板５は該ヒータ
ー１０と電極１３との間に適当な搬送手段により送り込
まれる。該ガス導入口９は中空の電極１３内に開口し、
該電極１３の多孔を介してガスが該室２内へ導入され
る。これらトレイ６、電極１３を構成する部材は成膜時
にプラズマにさらされ、これらの部材を耐蝕性のあるニ
ッケルにて構成した。
図１は仕込・取出室１に真空処理室２を仕切バルブ３を
介して連設したロードロック型のプラズマＣＶＤ装置を
示し、該仕込・取出室１内には仕切バルブ４を介して外
部からガラス等の基板５を載せたトレイ６が出入れされ
る。７は該仕込・取出室１内の基板５を加熱するヒータ
ーである。該真空処理室２は、メカニカルブースターポ
ンプ等の真空ポンプに接続された排気口８と、Ｓｉ
Ｈ4、Ｓｉ2Ｈ6、ＮＨ3、Ｎ2Ｏ等の反応性ガス或いはＣ
Ｆ4、ＮＦ3、ＳＦ6、ＣｌＦ3等のエッチングガスを導入
するガス導入口９を備え、該室２の内部には、基板５を
加熱するヒーター１０と、１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を出力する電源１１に整合器１２を介して接続した中
空多孔のシャワープレート形の電極１３が設けられ、ト
レイ６はアースされて該電極１３に対して対向電極とし
て作用する。該トレイ６に載せられた基板５は該ヒータ
ー１０と電極１３との間に適当な搬送手段により送り込
まれる。該ガス導入口９は中空の電極１３内に開口し、
該電極１３の多孔を介してガスが該室２内へ導入され
る。これらトレイ６、電極１３を構成する部材は成膜時
にプラズマにさらされ、これらの部材を耐蝕性のあるニ
ッケルにて構成した。
【０００９】該基板５に成膜処理を施す場合、真空排気
した該室２内に反応性ガスを導入し、電源１１から高周
波電力を投入して電極１３の表面付近にプラズマを発生
させる。これにより、電離された反応性ガスの成分が加
熱された基板５の表面で化学反応して薄膜状に付着す
る。ａ−Ｓｉ膜を基板５に形成するには、反応性ガスと
してＳｉＨ4が該室２内に導入される。
した該室２内に反応性ガスを導入し、電源１１から高周
波電力を投入して電極１３の表面付近にプラズマを発生
させる。これにより、電離された反応性ガスの成分が加
熱された基板５の表面で化学反応して薄膜状に付着す
る。ａ−Ｓｉ膜を基板５に形成するには、反応性ガスと
してＳｉＨ4が該室２内に導入される。
【００１０】多数枚の基板５に成膜すると、トレイ６や
電極１３の周囲、リフレクター、内壁等にも膜が付着
し、これが成膜中に剥離すると基板５の膜にピンホール
等の損傷を生じるので、定期的にセルフクリーニングが
行なわれるが、このときにはヒーター７を作動させてお
き、該室２の内壁、基板５を搭載しないトレイ６や電極
１３を含む該室２内の構成部材全部を２００〜３５０℃
の加熱状態とし、反応性ガスの代わりにＣＦ4、ＮＦ3、
ＳＦ6、ＣｌＦ3等のエッチングガスをガス導入口９から
導入し、電極１３に高周波電力を投入してプラズマによ
りエッチングガスを電離させ、発生するイオンやラジカ
ルをトレイ６や電極１３、該室２の内壁、内部治具等に
衝突させてこれに付着した膜を剥がす。プラズマにさら
されるトレイ６や電極１３は耐蝕性のよいニッケルで構
成されているため、高温でエッチングしても腐蝕するこ
とがなく、また、エッチングガスの重合物が構成部材に
付着することもなく、室２内全体が高温であるため高速
でエッチングクリーニングを行なえる。
電極１３の周囲、リフレクター、内壁等にも膜が付着
し、これが成膜中に剥離すると基板５の膜にピンホール
等の損傷を生じるので、定期的にセルフクリーニングが
行なわれるが、このときにはヒーター７を作動させてお
き、該室２の内壁、基板５を搭載しないトレイ６や電極
１３を含む該室２内の構成部材全部を２００〜３５０℃
の加熱状態とし、反応性ガスの代わりにＣＦ4、ＮＦ3、
ＳＦ6、ＣｌＦ3等のエッチングガスをガス導入口９から
導入し、電極１３に高周波電力を投入してプラズマによ
りエッチングガスを電離させ、発生するイオンやラジカ
ルをトレイ６や電極１３、該室２の内壁、内部治具等に
衝突させてこれに付着した膜を剥がす。プラズマにさら
されるトレイ６や電極１３は耐蝕性のよいニッケルで構
成されているため、高温でエッチングしても腐蝕するこ
とがなく、また、エッチングガスの重合物が構成部材に
付着することもなく、室２内全体が高温であるため高速
でエッチングクリーニングを行なえる。
【００１１】具体的には、該電極１３にＳｉＮｘ膜が１
μｍ付着した場合、これの温度を変えて０．３Ｔｏｒｒ
の圧力でＮＦ3のエッチングガスを１０００ＳＣＣＭ流
しながら０．４Ｗ／ｃｍ2の高周波電力を電極１２に投
入してエッチングクリーニングすると、図２のように２
００℃を超えたところでエッチング速度が増大し、３５
０℃では１μｍ／ｍｉｎのエッチング速度が得られ、室
温の場合の約５倍になった。このエッチング速度はエッ
チングガスにＣＦ4、ＳＦ6、ＣｌＦ3を用いた場合も同
様の傾向を示し、エッチング部材がトレイ６その他であ
る場合もこれと略同様の結果を示した。このような温度
の上昇につれエッチング速度が増加する理由は、プラズ
マにより分解されたエッチングガスの原子と付着した膜
の原子との反応が熱エネルギーによって促進されるから
であり、この実施例の場合、プラズマで分解されたフッ
素とＳｉＮｘ膜のシリコン原子との反応が熱エネルギー
によって促進されるからである。即ち、ＮＦ3＋ｅ-→Ｎ
Ｆ2＋Ｆ-、Ｆ-＋ｅ→Ｆ＋２ｅ-、Ｓｉ＋４Ｆ→ＳｉＦ4
の反応メカニズムが生じるからである。
μｍ付着した場合、これの温度を変えて０．３Ｔｏｒｒ
の圧力でＮＦ3のエッチングガスを１０００ＳＣＣＭ流
しながら０．４Ｗ／ｃｍ2の高周波電力を電極１２に投
入してエッチングクリーニングすると、図２のように２
００℃を超えたところでエッチング速度が増大し、３５
０℃では１μｍ／ｍｉｎのエッチング速度が得られ、室
温の場合の約５倍になった。このエッチング速度はエッ
チングガスにＣＦ4、ＳＦ6、ＣｌＦ3を用いた場合も同
様の傾向を示し、エッチング部材がトレイ６その他であ
る場合もこれと略同様の結果を示した。このような温度
の上昇につれエッチング速度が増加する理由は、プラズ
マにより分解されたエッチングガスの原子と付着した膜
の原子との反応が熱エネルギーによって促進されるから
であり、この実施例の場合、プラズマで分解されたフッ
素とＳｉＮｘ膜のシリコン原子との反応が熱エネルギー
によって促進されるからである。即ち、ＮＦ3＋ｅ-→Ｎ
Ｆ2＋Ｆ-、Ｆ-＋ｅ→Ｆ＋２ｅ-、Ｓｉ＋４Ｆ→ＳｉＦ4
の反応メカニズムが生じるからである。
【００１２】基板５にプラズマＣＶＤでＳｉＮｘ膜を３
０００オングストロームの厚さで１５分間隔で成膜する
ことを４８時間続けた場合、室内の構成部材に付着した
ＳｉＮｘ膜をクリーニングするには、従来の室内の構成
部材の温度を低下させたのちエッチングクリーニングす
る方法では、エッチングクリーニング自体に５時間程度
が必要であるから装置を再稼働するには約２３時間必要
であったが、本発明の方法によれば、プラズマＣＶＤの
プロセス温度が３２０〜３５０℃であるので、室内の構
成部材の冷却、加熱には時間を掛ける必要がなく、従っ
てクリーニングのための１時間程度のエッチング時間で
装置のクリーニングを完了でき、直ちに装置を再稼働さ
せることができる。
０００オングストロームの厚さで１５分間隔で成膜する
ことを４８時間続けた場合、室内の構成部材に付着した
ＳｉＮｘ膜をクリーニングするには、従来の室内の構成
部材の温度を低下させたのちエッチングクリーニングす
る方法では、エッチングクリーニング自体に５時間程度
が必要であるから装置を再稼働するには約２３時間必要
であったが、本発明の方法によれば、プラズマＣＶＤの
プロセス温度が３２０〜３５０℃であるので、室内の構
成部材の冷却、加熱には時間を掛ける必要がなく、従っ
てクリーニングのための１時間程度のエッチング時間で
装置のクリーニングを完了でき、直ちに装置を再稼働さ
せることができる。
【００１３】トレイ６や電極１２等のプラズマにさらさ
れる構成部材全体をニッケルで製作する必要はなく、ニ
ッケル合金でもよく、また、ステンレスで通常のように
製作してこれにピンホールが生じないようにニッケルメ
ッキを施すようにしてもよい。エッチングガスがフッ素
系であるならば、フッ素に対する耐蝕性のよいアルミニ
ウム、銅でプラズマにさらされる構成部材を製作するこ
とが可能である。更に、ａ−ＳiＴＦＴ製造プロセスで
使用するSiNx膜について実施例を説明したが、ａ−Ｓｉ
膜、ＳｉＯ2膜、ＳｉＯＮ膜をクリーニングする場合に
も適用でき、太陽電池や各種センサーの作製プロセスで
使用されるプラズマＣＶＤ装置のクリーニングにも本発
明方法を使用できる。
れる構成部材全体をニッケルで製作する必要はなく、ニ
ッケル合金でもよく、また、ステンレスで通常のように
製作してこれにピンホールが生じないようにニッケルメ
ッキを施すようにしてもよい。エッチングガスがフッ素
系であるならば、フッ素に対する耐蝕性のよいアルミニ
ウム、銅でプラズマにさらされる構成部材を製作するこ
とが可能である。更に、ａ−ＳiＴＦＴ製造プロセスで
使用するSiNx膜について実施例を説明したが、ａ−Ｓｉ
膜、ＳｉＯ2膜、ＳｉＯＮ膜をクリーニングする場合に
も適用でき、太陽電池や各種センサーの作製プロセスで
使用されるプラズマＣＶＤ装置のクリーニングにも本発
明方法を使用できる。
【００１４】
【発明の効果】以上にように本発明では、プラズマＣＶ
Ｄ装置の真空処理室内の内壁や電極等の構成部材の表面
のクリーニングを該反応性ガスの代わりにエッチングガ
スを導入してプラズマを発生させ乍ら行なうクリーニン
グ方法に於いて、該真空処理室内のプラズマにさらされ
る電極等の部材の少なくとも表面をニッケルその他の該
反応性ガスに対する耐蝕性のある材料で覆い、これらの
部材を含む該真空処理室内が２００℃以上の加熱状態で
該エッチングガスを導入してプラズマを発生させ乍ら行
なうようにしたので、成膜作動を停止させると直ぐにエ
ッチングクリーニングを行ない、その後すぐに装置を成
膜作動に切り替えることが可能で、装置の稼働効率が高
まり、高速でエッチングクリーニングを行なえ、エッチ
ングガスの重合物が構成部材に付着する不都合もなくき
れいなクリーニングを短時間に行なえる等の効果があ
る。
Ｄ装置の真空処理室内の内壁や電極等の構成部材の表面
のクリーニングを該反応性ガスの代わりにエッチングガ
スを導入してプラズマを発生させ乍ら行なうクリーニン
グ方法に於いて、該真空処理室内のプラズマにさらされ
る電極等の部材の少なくとも表面をニッケルその他の該
反応性ガスに対する耐蝕性のある材料で覆い、これらの
部材を含む該真空処理室内が２００℃以上の加熱状態で
該エッチングガスを導入してプラズマを発生させ乍ら行
なうようにしたので、成膜作動を停止させると直ぐにエ
ッチングクリーニングを行ない、その後すぐに装置を成
膜作動に切り替えることが可能で、装置の稼働効率が高
まり、高速でエッチングクリーニングを行なえ、エッチ
ングガスの重合物が構成部材に付着する不都合もなくき
れいなクリーニングを短時間に行なえる等の効果があ
る。
【図１】 本発明の実施に使用したロードロック型プラ
ズマＣＶＤ装置の説明図
ズマＣＶＤ装置の説明図
【図２】 ＳｉＮｘ膜のエッチング速度と温度との関係
を示す線図
を示す線図
２ 真空処理室 ５ 基板 ６
トレイ ９ ガス導入口 １１ 電源 １３
電極
トレイ ９ ガス導入口 １１ 電源 １３
電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊東 一幸 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 橋本 征典 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 戸川 淳 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 一山 政博 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 米崎 武 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 排気系を備えたプラズマＣＶＤ装置の真
空処理室内に互いに対向する電極を設け、その一方の電
極に直流もしくは交流の電源を接続し、他方の電極に基
板を装着してこれを該一方の電極に対して電位差を与
え、該真空処理室内にＳｉ2Ｈ6等の反応性ガスを導入し
ながらプラズマを発生させて該基板に成膜した後、該真
空処理室内の電極等の構成部材の部材の表面のクリーニ
ングを該反応性ガスの代わりにＣＦ4等のエッチングガ
スを導入してプラズマを発生させ乍ら行なうようにした
プラズマＣＶＤ装置のクリーニング方法に於いて、該真
空処理室内のプラズマにさらされる電極等の部材の少な
くとも表面をニッケルその他の該反応性ガスに対する耐
蝕性のある材料で覆い、これらの部材を含む該真空処理
室内が２００℃以上の加熱状態で該エッチングガスを導
入してプラズマを発生させ乍ら行なうようにしたことを
特徴とするプラズマＣＶＤ装置のクリーニング方法。 - 【請求項２】 上記反応性ガスは、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ
Ｈ4、ＮＨ3或いはＮ2Ｏであり、上記エッチングガス
は、ＣＦ4、ＮＦ3、ＳＦ6或いはＣｌＦ3である請求項１
に記載のプラズマＣＶＤ装置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28993192A JPH06140342A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | プラズマｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28993192A JPH06140342A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | プラズマｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140342A true JPH06140342A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17749608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28993192A Pending JPH06140342A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | プラズマｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06140342A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000058514A (ja) * | 1998-08-05 | 2000-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| JP2000345348A (ja) * | 1999-06-03 | 2000-12-12 | Ulvac Japan Ltd | 成膜方法 |
| JP2008252099A (ja) * | 1996-06-11 | 2008-10-16 | Applied Materials Inc | 半導体処理チャンバ表面を洗浄する装置及び方法 |
-
1992
- 1992-10-28 JP JP28993192A patent/JPH06140342A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008252099A (ja) * | 1996-06-11 | 2008-10-16 | Applied Materials Inc | 半導体処理チャンバ表面を洗浄する装置及び方法 |
| JP2000058514A (ja) * | 1998-08-05 | 2000-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| JP2000345348A (ja) * | 1999-06-03 | 2000-12-12 | Ulvac Japan Ltd | 成膜方法 |
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