JP2001131753A - プラズマｃｖｄ装置のクリーニング方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置のクリーニング方法Info
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- JP2001131753A JP2001131753A JP31834999A JP31834999A JP2001131753A JP 2001131753 A JP2001131753 A JP 2001131753A JP 31834999 A JP31834999 A JP 31834999A JP 31834999 A JP31834999 A JP 31834999A JP 2001131753 A JP2001131753 A JP 2001131753A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマＣＶＤ装置を短時間でかつ低コスト
でクリーニングし得る方法を提供する。 【解決手段】 プラズマＣＶＤ反応室内で気相析出によ
って基板上に所望の膜を堆積するためのプラズマＣＶＤ
装置をクリーニングする方法において、反応室１内で基
板４上以外の領域において不安定に付着している気相析
出粉末またはフレークを含むダストに対して不活性ガス
を外部から導入して吹付けることによってそれらのダス
トを吹飛ばすことを特徴としている。
でクリーニングし得る方法を提供する。 【解決手段】 プラズマＣＶＤ反応室内で気相析出によ
って基板上に所望の膜を堆積するためのプラズマＣＶＤ
装置をクリーニングする方法において、反応室１内で基
板４上以外の領域において不安定に付着している気相析
出粉末またはフレークを含むダストに対して不活性ガス
を外部から導入して吹付けることによってそれらのダス
トを吹飛ばすことを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は気相析出によって基
板上に成膜するための気相析出成膜装置において不所望
な析出ダストを除去する方法に関し、特にプラズマＣＶ
Ｄ装置のクリーニング方法に関するものである。
板上に成膜するための気相析出成膜装置において不所望
な析出ダストを除去する方法に関し、特にプラズマＣＶ
Ｄ装置のクリーニング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在では、プラズマＣＶＤ装置が、種々
の薄膜を形成するためにしばしば利用されている。代表
的な例としては、薄膜太陽電池、電子写真コピー機の感
光ドラム、液晶ディスプレイのＴＦＴアレイなどに必要
とされるシリコン系薄膜がプラズマＣＶＤ装置を利用し
て形成されている。
の薄膜を形成するためにしばしば利用されている。代表
的な例としては、薄膜太陽電池、電子写真コピー機の感
光ドラム、液晶ディスプレイのＴＦＴアレイなどに必要
とされるシリコン系薄膜がプラズマＣＶＤ装置を利用し
て形成されている。
【０００３】図３は、プラズマＣＶＤ装置の典型的な一
例を模式的なブロック図で概略的に図解している。な
お、本願の各図において、同一の参照番号は同一部分ま
たは相当部分を示している。この図３のプラズマＣＶＤ
装置においては、プラズマ反応室１内に基板支持電極２
と成膜原料ガス吹出電極３が互いに対面して配置されて
いる。アースに接続された基板支持電極２は、基板４を
支持し、その基板を所定温度に加熱するためのヒータを
内蔵している。成膜原料ガスを基板４に向けて吹出すた
めに多数の開口を有するガス吹出電極３は、バルブＶ１
を有する原料ガス導入パイプ６に対して機械的に接続さ
れているとともに、高周波電源５に対して電気的に接続
されている。反応室１は、バルブＶ２を有する排気パイ
プ７を介して、成膜用排気系８によって減圧される。
例を模式的なブロック図で概略的に図解している。な
お、本願の各図において、同一の参照番号は同一部分ま
たは相当部分を示している。この図３のプラズマＣＶＤ
装置においては、プラズマ反応室１内に基板支持電極２
と成膜原料ガス吹出電極３が互いに対面して配置されて
いる。アースに接続された基板支持電極２は、基板４を
支持し、その基板を所定温度に加熱するためのヒータを
内蔵している。成膜原料ガスを基板４に向けて吹出すた
めに多数の開口を有するガス吹出電極３は、バルブＶ１
を有する原料ガス導入パイプ６に対して機械的に接続さ
れているとともに、高周波電源５に対して電気的に接続
されている。反応室１は、バルブＶ２を有する排気パイ
プ７を介して、成膜用排気系８によって減圧される。
【０００４】このようなプラズマＣＶＤ装置において、
減圧された反応室１内へ原料ガス導入パイプ６を介して
たとえばシラン系ガスを含む原料ガスを導入しながら、
ガス吹出電極３へ高周波電源５から高周波電力を印加す
れば、基板４とガス吹出電極３との間でグロー放電によ
るプラズマＰが発生する。そのプラズマ反応によって原
料ガスが分解し、所定温度に加熱された基板４上に所望
のシリコン系薄膜が形成され得る。
減圧された反応室１内へ原料ガス導入パイプ６を介して
たとえばシラン系ガスを含む原料ガスを導入しながら、
ガス吹出電極３へ高周波電源５から高周波電力を印加す
れば、基板４とガス吹出電極３との間でグロー放電によ
るプラズマＰが発生する。そのプラズマ反応によって原
料ガスが分解し、所定温度に加熱された基板４上に所望
のシリコン系薄膜が形成され得る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のようなプラズマ
ＣＶＤ装置においては、プラズマＣＶＤ反応によって基
板４上に所望のシリコン系薄膜が形成される間に、不所
望なポリシラン系の粉末や非晶質シリコン系フレークな
どからなるダストが高周波電極３の表面や反応室１の内
壁に付着することが避けられない。そして、これらのダ
ストの付着量が成膜時間の累積に伴って増大したとき、
不安定に付着しているダストは原料ガスの流れや排気系
ポンプからの振動などの影響によって剥がれ落ちること
がある。それらの剥がれ落ちたダストは、基板４上に飛
来することがあり、所望のシリコン系薄膜中の欠陥の原
因となり得る。
ＣＶＤ装置においては、プラズマＣＶＤ反応によって基
板４上に所望のシリコン系薄膜が形成される間に、不所
望なポリシラン系の粉末や非晶質シリコン系フレークな
どからなるダストが高周波電極３の表面や反応室１の内
壁に付着することが避けられない。そして、これらのダ
ストの付着量が成膜時間の累積に伴って増大したとき、
不安定に付着しているダストは原料ガスの流れや排気系
ポンプからの振動などの影響によって剥がれ落ちること
がある。それらの剥がれ落ちたダストは、基板４上に飛
来することがあり、所望のシリコン系薄膜中の欠陥の原
因となり得る。
【０００６】したがって、プラズマＣＶＤ装置の成膜時
間の累積が所定量に達したとき、一般にはその装置が人
手によって分解されてクリーニングされる。その場合に
は、高周波電極表面や反応室内壁に不安定に付着してい
るダストのみならず強固に付着しているダストをも確実
に除去するために、たとえばサンドブラストのような機
械的クリーニングも利用される。また、シリコン系ダス
トの除去には、アルカリ溶液を用いたクリーニングも行
なわれる。
間の累積が所定量に達したとき、一般にはその装置が人
手によって分解されてクリーニングされる。その場合に
は、高周波電極表面や反応室内壁に不安定に付着してい
るダストのみならず強固に付着しているダストをも確実
に除去するために、たとえばサンドブラストのような機
械的クリーニングも利用される。また、シリコン系ダス
トの除去には、アルカリ溶液を用いたクリーニングも行
なわれる。
【０００７】しかし、このように人手によってプラズマ
ＣＶＤ装置を分解してクリーニングする方法は、装置の
分解、クリーニング、および組立のための長時間を要す
るとともに多額の人件費をも必要とする。
ＣＶＤ装置を分解してクリーニングする方法は、装置の
分解、クリーニング、および組立のための長時間を要す
るとともに多額の人件費をも必要とする。
【０００８】ここで、非晶質薄膜太陽電池においてはそ
れに含まれる非晶質シリコン光電変換層は約０．３μｍ
の厚さを有していれば十分であるのに対して、多結晶質
薄膜太陽電池においてはそれに含まれる多結晶質シリコ
ン光電変換層は、その光吸収係数の関係から約３μｍ程
度の厚さに堆積しなければならない（特開平１１−１４
５４９９参照）。このことは、プラズマＣＶＤ装置を利
用して多結晶質薄膜太陽電池を製造する場合には、非晶
質薄膜太陽電池の場合に比べて、そのＣＶＤ装置の１バ
ッチあたりにＣＶＤ反応室内に付着するダストが多くな
り、ＣＶＤ装置のクリーニングを必要とする頻度が高く
なる。
れに含まれる非晶質シリコン光電変換層は約０．３μｍ
の厚さを有していれば十分であるのに対して、多結晶質
薄膜太陽電池においてはそれに含まれる多結晶質シリコ
ン光電変換層は、その光吸収係数の関係から約３μｍ程
度の厚さに堆積しなければならない（特開平１１−１４
５４９９参照）。このことは、プラズマＣＶＤ装置を利
用して多結晶質薄膜太陽電池を製造する場合には、非晶
質薄膜太陽電池の場合に比べて、そのＣＶＤ装置の１バ
ッチあたりにＣＶＤ反応室内に付着するダストが多くな
り、ＣＶＤ装置のクリーニングを必要とする頻度が高く
なる。
【０００９】そこで、プラズマＣＶＤ装置を分解するこ
となく、ＣＦ4とＯ2の混合ガスやＣｌＦ3ガスを用いた
プラズマエッチングによってクリーニングすることが提
案されている（たとえば、特開昭５９−１４２８３９、
特開平３−１５７６６７参照）。このようなプラズマエ
ッチングはクリーニングされるべきＣＶＤ装置の分解を
要しないという大きな利点を有しているが、ドライエッ
チング反応によって付着ダストを除去するには、依然と
してかなりの反応時間を必要とする。
となく、ＣＦ4とＯ2の混合ガスやＣｌＦ3ガスを用いた
プラズマエッチングによってクリーニングすることが提
案されている（たとえば、特開昭５９−１４２８３９、
特開平３−１５７６６７参照）。このようなプラズマエ
ッチングはクリーニングされるべきＣＶＤ装置の分解を
要しないという大きな利点を有しているが、ドライエッ
チング反応によって付着ダストを除去するには、依然と
してかなりの反応時間を必要とする。
【００１０】また、プラズマエッチングに一般に利用さ
れるハロゲン化合物ガスは高価である。さらに、一般に
ハロゲン化合物ガスは有害性や燃焼性の高いガスである
ことが多いので、そのようなエッチングガスの取扱いの
ための安全設備にコストがかかる。
れるハロゲン化合物ガスは高価である。さらに、一般に
ハロゲン化合物ガスは有害性や燃焼性の高いガスである
ことが多いので、そのようなエッチングガスの取扱いの
ための安全設備にコストがかかる。
【００１１】上述のような従来技術の課題に鑑み、本発
明は、プラズマＣＶＤ装置を短時間でかつ低コストでク
リーニングし得る方法を提供することを目的としてい
る。
明は、プラズマＣＶＤ装置を短時間でかつ低コストでク
リーニングし得る方法を提供することを目的としてい
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、プラズ
マＣＶＤ反応室内で気相析出によって基板上に所望の膜
を堆積するためのプラズマＣＶＤ装置をクリーニングす
る方法において、反応室内で基板上以外の領域において
不安定に付着している気相析出粉末またはフレークを含
むダストに対して不活性ガスを外部から導入して吹付け
ることによってそれらの不安定に付着しているダストを
吹飛ばす。
マＣＶＤ反応室内で気相析出によって基板上に所望の膜
を堆積するためのプラズマＣＶＤ装置をクリーニングす
る方法において、反応室内で基板上以外の領域において
不安定に付着している気相析出粉末またはフレークを含
むダストに対して不活性ガスを外部から導入して吹付け
ることによってそれらの不安定に付着しているダストを
吹飛ばす。
【００１３】それらの吹飛ばされたダストは所望の膜を
堆積する間に用いられる成膜用排気系とは異なって別途
に設けられたクリーニング用排気系によって反応室内か
ら排出され得る。
堆積する間に用いられる成膜用排気系とは異なって別途
に設けられたクリーニング用排気系によって反応室内か
ら排出され得る。
【００１４】不活性ガスとしては、安価な窒素が好まし
く用いられ得る。シラン系ガスを利用するプラズマＣＶ
Ｄによるシリコン系薄膜の形成においては特にシリコン
系ダストが多く発生しやすいので、本発明によるクリー
ニング方法はシリコン系薄膜の成膜に用いられるプラズ
マＣＶＤ装置をクリーニングするために特に好ましく適
用され得るものである。
く用いられ得る。シラン系ガスを利用するプラズマＣＶ
Ｄによるシリコン系薄膜の形成においては特にシリコン
系ダストが多く発生しやすいので、本発明によるクリー
ニング方法はシリコン系薄膜の成膜に用いられるプラズ
マＣＶＤ装置をクリーニングするために特に好ましく適
用され得るものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態のより具体的
な例として、以下において実施例を説明する。
な例として、以下において実施例を説明する。
【００１６】図１は、本実施例に用いられたプラズマＣ
ＶＤ装置を模式的なブロック図で概略的に図解してい
る。この図１のプラズマＣＶＤ装置においては、図３の
装置に加えて、第１〜第３のクリーニングガス導入パイ
プ９〜１１を備えており、これらのパイプ９〜１１はそ
れぞれバルブＶ３〜Ｖ５を有している。第１のクリーニ
ングガス導入パイプ９はバルブＶ１とガス吹出電極３と
の間において原料ガス導入パイプ６に接続されており、
第２と第３のクリーニングガス導入パイプ１０と１１は
反応室１内の側壁に沿ってガス噴射するように配置され
ている。
ＶＤ装置を模式的なブロック図で概略的に図解してい
る。この図１のプラズマＣＶＤ装置においては、図３の
装置に加えて、第１〜第３のクリーニングガス導入パイ
プ９〜１１を備えており、これらのパイプ９〜１１はそ
れぞれバルブＶ３〜Ｖ５を有している。第１のクリーニ
ングガス導入パイプ９はバルブＶ１とガス吹出電極３と
の間において原料ガス導入パイプ６に接続されており、
第２と第３のクリーニングガス導入パイプ１０と１１は
反応室１内の側壁に沿ってガス噴射するように配置され
ている。
【００１７】図１のプラズマＣＶＤ装置においてはさら
に、バルブＶ６を有する排気パイプ１２を介して反応室
１からクリーニングガスを排出するためのクリーニング
用排気系１３が設けられている。なお、反応室１から排
気されるクリーニングガスにはそれによって吹飛ばされ
たダストが含まれているので、そのようなダストを捕獲
するためのトラップ１４がバルブＶ６とクリーニング用
排気系１３との間において排気パイプ１２の中間に設け
られるのが好ましい。そのようなトラップ１２は、サイ
クロンもしくはフィルタまたはそれらの組合せとして構
成することができる。
に、バルブＶ６を有する排気パイプ１２を介して反応室
１からクリーニングガスを排出するためのクリーニング
用排気系１３が設けられている。なお、反応室１から排
気されるクリーニングガスにはそれによって吹飛ばされ
たダストが含まれているので、そのようなダストを捕獲
するためのトラップ１４がバルブＶ６とクリーニング用
排気系１３との間において排気パイプ１２の中間に設け
られるのが好ましい。そのようなトラップ１２は、サイ
クロンもしくはフィルタまたはそれらの組合せとして構
成することができる。
【００１８】本実施例では、図１のプラズマＣＶＤ装置
を用いて非晶質シリコン膜が基板４上に形成された。図
１から理解されるように、バルブＶ３〜Ｖ６を閉じた状
態では、図１の装置は図３の装置と全く同様に機能す
る。非晶質シリコン膜のプラズマＣＶＤ条件としては、
シランガスと水素ガスが原料ガスとして用いられ、基板
温度が２００℃であり、そして反応室の圧力が１３３０
Ｐａ（１０Ｔｏｒｒ）に設定された。このような条件の
もとで、１回のプラズマＣＶＤ成膜処理によって、１つ
の基板４上に光電変換装置に利用される厚さ約３μｍの
多結晶質シリコン膜が形成された。
を用いて非晶質シリコン膜が基板４上に形成された。図
１から理解されるように、バルブＶ３〜Ｖ６を閉じた状
態では、図１の装置は図３の装置と全く同様に機能す
る。非晶質シリコン膜のプラズマＣＶＤ条件としては、
シランガスと水素ガスが原料ガスとして用いられ、基板
温度が２００℃であり、そして反応室の圧力が１３３０
Ｐａ（１０Ｔｏｒｒ）に設定された。このような条件の
もとで、１回のプラズマＣＶＤ成膜処理によって、１つ
の基板４上に光電変換装置に利用される厚さ約３μｍの
多結晶質シリコン膜が形成された。
【００１９】このような成膜処理の累積回数が増大する
につれて、反応室１の内壁には主として粉状のポリシラ
ン系ダストの付着が増加し、高周波電極３には主として
非晶質シリコンのフレーク状ダストの付着が増加した。
そして、成膜処理の累積回数が４０回を超えた後、すな
わち、累積成膜厚さが約１２０μｍを超えた後に、成膜
された多結晶質シリコン膜を観察すれば、ダストが基板
上に落下した痕跡と思われる数個のピンホールが肉眼で
確認された。
につれて、反応室１の内壁には主として粉状のポリシラ
ン系ダストの付着が増加し、高周波電極３には主として
非晶質シリコンのフレーク状ダストの付着が増加した。
そして、成膜処理の累積回数が４０回を超えた後、すな
わち、累積成膜厚さが約１２０μｍを超えた後に、成膜
された多結晶質シリコン膜を観察すれば、ダストが基板
上に落下した痕跡と思われる数個のピンホールが肉眼で
確認された。
【００２０】その後、図２に示されているようにして、
プラズマＣＶＤ装置のクリーニング処理が行なわれた。
すなわち、まず成膜処理の終了した基板を反応室１から
取出した後に、バルブＶ１とＶ２が閉じられ、原料ガス
源と成膜用排気系８とが反応室１に対して遮断された。
その後にバルブＶ３〜Ｖ６が開けられ、大きな排気容量
を有するクリーニング用排気系１３によって反応室１を
排気しつつ、第１〜第３のクリーニングガス導入パイプ
９〜１１を介して反応室１内へクリーニングガスが数分
間噴射された。
プラズマＣＶＤ装置のクリーニング処理が行なわれた。
すなわち、まず成膜処理の終了した基板を反応室１から
取出した後に、バルブＶ１とＶ２が閉じられ、原料ガス
源と成膜用排気系８とが反応室１に対して遮断された。
その後にバルブＶ３〜Ｖ６が開けられ、大きな排気容量
を有するクリーニング用排気系１３によって反応室１を
排気しつつ、第１〜第３のクリーニングガス導入パイプ
９〜１１を介して反応室１内へクリーニングガスが数分
間噴射された。
【００２１】このようなクリーニングガスの噴射によっ
て、反応室１の内壁表面や高周波電極３の表面に不安定
に付着していたダストが吹飛ばされ、排気パイプ１２を
介してトラップ１４内に捕獲された。ところで、このよ
うなクリーニングにおいて、反応室１の内壁表面や高周
波電極３の表面に強固に付着しているダストは吹飛ばす
ことができず、完全なクリーニングを行なうことはでき
ない。しかし、そのように強固に付着しているダスト
は、もともとほとんど脱落するおそれのないものであ
り、基板４上の堆積膜に欠陥を導入する原因となるおそ
れのないものである。
て、反応室１の内壁表面や高周波電極３の表面に不安定
に付着していたダストが吹飛ばされ、排気パイプ１２を
介してトラップ１４内に捕獲された。ところで、このよ
うなクリーニングにおいて、反応室１の内壁表面や高周
波電極３の表面に強固に付着しているダストは吹飛ばす
ことができず、完全なクリーニングを行なうことはでき
ない。しかし、そのように強固に付着しているダスト
は、もともとほとんど脱落するおそれのないものであ
り、基板４上の堆積膜に欠陥を導入する原因となるおそ
れのないものである。
【００２２】このようなクリーニング処理の後に、さら
に多結晶質シリコン膜の成膜処理が多数回行なわれた。
その場合に、クリーニング処理後の成膜処理の累積回数
が約２３回、すなわち、累積成膜厚さが約７０μｍを超
えるまでは、成膜された多結晶質シリコン膜においてピ
ンホールが肉眼で検知し得ることはなかった。すなわ
ち、わずかに数分間のクリーニングガス噴射処理によっ
て、プラズマＣＶＤ装置の内部を分解クリーニングまた
はドライエッチングクリーニングすることなしに、さら
に約７０μｍもの累積膜厚までの成膜処理を膜中欠陥を
導入することなく行ない得ることがわかった。
に多結晶質シリコン膜の成膜処理が多数回行なわれた。
その場合に、クリーニング処理後の成膜処理の累積回数
が約２３回、すなわち、累積成膜厚さが約７０μｍを超
えるまでは、成膜された多結晶質シリコン膜においてピ
ンホールが肉眼で検知し得ることはなかった。すなわ
ち、わずかに数分間のクリーニングガス噴射処理によっ
て、プラズマＣＶＤ装置の内部を分解クリーニングまた
はドライエッチングクリーニングすることなしに、さら
に約７０μｍもの累積膜厚までの成膜処理を膜中欠陥を
導入することなく行ない得ることがわかった。
【００２３】なお、上述の実施例ではクリーニングガス
として不活性で安価なＮ2ガスが用いられたが、Ａｒの
ような他の不活性ガスが用いられてもよいことは言うま
でもない。また、第２と第３のクリーニングガス導入パ
イプ１０と１１は反応室内の側壁に付着したダストを効
果的に吹飛ばすように配置されているが、他にダストが
不安定に多く付着しやすい個所があるならば、その近辺
にもクリーニングガス導入パイプが配置されてもよいこ
とは言うまでもない。
として不活性で安価なＮ2ガスが用いられたが、Ａｒの
ような他の不活性ガスが用いられてもよいことは言うま
でもない。また、第２と第３のクリーニングガス導入パ
イプ１０と１１は反応室内の側壁に付着したダストを効
果的に吹飛ばすように配置されているが、他にダストが
不安定に多く付着しやすい個所があるならば、その近辺
にもクリーニングガス導入パイプが配置されてもよいこ
とは言うまでもない。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、本発明に従うプラズマＣ
ＶＤ装置のクリーニング方法によれば、わずかに数分間
のクリーニングガスの噴射によって高周波電極や反応室
内壁に不安定に付着しているダストを吹飛ばして反応室
外へ排出することができ、すなわち、プラズマＣＶＤ装
置を短時間でかつ低コストでクリーニングすることがで
きる。
ＶＤ装置のクリーニング方法によれば、わずかに数分間
のクリーニングガスの噴射によって高周波電極や反応室
内壁に不安定に付着しているダストを吹飛ばして反応室
外へ排出することができ、すなわち、プラズマＣＶＤ装
置を短時間でかつ低コストでクリーニングすることがで
きる。
【００２５】また、本発明によるプラズマＣＶＤ装置の
クリーニング方法においては、成膜用排気系とは別途に
大きな排気容量を有するクリーニング用排気系が設けら
れ得るので、クリーニング処理の間に成膜用排気系を汚
染することなくかつガス噴射によるクリーニングをより
確実なものにすることができる。
クリーニング方法においては、成膜用排気系とは別途に
大きな排気容量を有するクリーニング用排気系が設けら
れ得るので、クリーニング処理の間に成膜用排気系を汚
染することなくかつガス噴射によるクリーニングをより
確実なものにすることができる。
【図１】 本発明によるクリーニング方法を実施し得る
プラズマＣＶＤ装置の一例を概略的に図解する模式的な
ブロック図である。
プラズマＣＶＤ装置の一例を概略的に図解する模式的な
ブロック図である。
【図２】 図１のプラズマＣＶＤ装置の反応室内をクリ
ーニングしている状態を概略的に図解する模式的なブロ
ック図である。
ーニングしている状態を概略的に図解する模式的なブロ
ック図である。
【図３】 従来からの典型的なプラズマＣＶＤ装置の一
例を概略的に図解する模式的なブロック図である。
例を概略的に図解する模式的なブロック図である。
１ プラズマ反応室、２ 基板支持電極、３ ガス吹出
電極、４ 基板、５高周波電源、６ 原料ガス導入パイ
プ、７ 排気パイプ、８ 成膜用排気系、９，１０，１
１ クリーニングガス導入パイプ、１２ クリーニング
ガス排出パイプ、１３ クリーニング用排気系、１４
トラップ、Ｖ１〜Ｖ６ バルブ、Ｐプラズマ。
電極、４ 基板、５高周波電源、６ 原料ガス導入パイ
プ、７ 排気パイプ、８ 成膜用排気系、９，１０，１
１ クリーニングガス導入パイプ、１２ クリーニング
ガス排出パイプ、１３ クリーニング用排気系、１４
トラップ、Ｖ１〜Ｖ６ バルブ、Ｐプラズマ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA05 AA06 AA18 BA29 BB03 EA04 EA11 FA01 4M104 BB01 DD44 HH20 5F045 AA08 AB03 AC01 AD06 AE23 BB08 BB15 EB06 EC07 EE14 EF05 EF20 EG01 EG08 EH05 EH14
Claims (4)
- 【請求項１】 プラズマＣＶＤ反応室内で気相析出によ
って基板上に所望の膜を堆積するためのプラズマＣＶＤ
装置をクリーニングする方法であって、 前記反応室内において前記基板上以外の領域において不
安定に付着している気相析出粉末またはフレークを含む
ダストに対して不活性ガスを外部から導入して吹付ける
ことによって前記不安定に付着しているダストを吹飛ば
すことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置のクリーニング
方法。 - 【請求項２】 前記吹飛ばされたダストは前記所望の膜
を堆積する間に用いられる成膜用排気系とは異なって別
途に設けられたクリーニング用排気系によって前記反応
室内から排出されることを特徴とする請求項１に記載の
プラズマＣＶＤ装置のクリーニング方法。 - 【請求項３】 前記不活性ガスとして窒素が用いられる
ことを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマＣ
ＶＤ装置のクリーニング方法。 - 【請求項４】 前記ダストはシラン系ガスを主成分とし
て含む成膜原料ガスから析出したポリシラン系またはシ
リコン系のダストであることを特徴とする請求項１から
３のいずれかの項に記載のプラズマＣＶＤ装置のクリー
ニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31834999A JP2001131753A (ja) | 1999-11-09 | 1999-11-09 | プラズマｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
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